JPH0341374A - Pattern generator - Google Patents

Pattern generator

Info

Publication number
JPH0341374A
JPH0341374A JP1176732A JP17673289A JPH0341374A JP H0341374 A JPH0341374 A JP H0341374A JP 1176732 A JP1176732 A JP 1176732A JP 17673289 A JP17673289 A JP 17673289A JP H0341374 A JPH0341374 A JP H0341374A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
data
bit
pattern
memory
pattern data
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP1176732A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Akira Onishi
彰 大西
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi High Tech Corp
Original Assignee
Hitachi Electronics Engineering Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Electronics Engineering Co Ltd filed Critical Hitachi Electronics Engineering Co Ltd
Priority to JP1176732A priority Critical patent/JPH0341374A/en
Publication of JPH0341374A publication Critical patent/JPH0341374A/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Tests Of Electronic Circuits (AREA)
  • Test And Diagnosis Of Digital Computers (AREA)

Abstract

PURPOSE:To generate pattern data without increasing capacity by a circuit receiving a plurality of bits in parallel to perform logical operation at every corresponding control bit and a circuit receiving the output thereof in parallel to store the same as pattern data. CONSTITUTION:A bit reversal control circuit 12 and a pattern data memory circuit 11 storing the output data thereof are provided. The data of the circuit 11 is applied to the circuit 12 as a control bit to allow the pattern data generated one before to act as a reversal condition and the data accessed presently is reversed to generate the next pattern data. By this method, the pattern data is determined by the combination of the data in the previous address and the data in the present address and different pattern data are generated even when the same address is accessed and, even when the kinds of memory data of a memory are scarce, pattern data varying by a number possible in the combination of data can be formed.

Description

【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野] この発明は、パターン発生装置に関し、詳しくは、シー
ケンスジェネレータから発生するアドレス情報に従って
パターンメモリをアクセスしてパターンデータを発生す
るICテスターのパターン発生装置において、パターン
発生のためのデータを記憶するパターンメモリ等のメモ
リ容量を大きくシナ<ても多種多用なパターンデータを
発生することができるようなICテスターのパターン発
生装置に関する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Field of Industrial Application] The present invention relates to a pattern generator, and more particularly, to a pattern generator for an IC tester that generates pattern data by accessing a pattern memory according to address information generated from a sequence generator. The present invention relates to a pattern generation device for an IC tester that can generate a wide variety of pattern data even if the memory capacity of a pattern memory for storing data for pattern generation is increased.

[従来の技術] 従来のICテスターでは、メモリテスト用のパターン発
生器とか、ロジックテスト川のパターン発生器というよ
うに、それぞれのテストデバイスに対応して別々のパタ
ーン発生器が設けられ、これらそれぞれのパターン発生
器は、パターンプログラムの流れ(シーケンス)をコン
トロールするハードウェアとしてシーケンスパターンジ
ェネレータ(SQPG)或はシーケンスジェネレータと
呼ばれているパターンメモリをアクセスするためのアド
レスを発生する回路を有している。
[Prior Art] In conventional IC testers, separate pattern generators are provided for each test device, such as a pattern generator for memory testing and a pattern generator for logic testing. The pattern generator has a circuit that generates an address for accessing a pattern memory called a sequence pattern generator (SQPG) or sequence generator as hardware that controls the flow (sequence) of a pattern program. There is.

また、最近の超LSI (VLSI)に対するテストシ
ステムではメモリもロジックも同時にテストする関係か
らそのテストパターン発生装置は、第3図に示すように
、メモリ用のパターンメモリ1とロジック用のパターン
メモリ2とが設けられていて、これらパターンメモリ1
,2を1つの5QPG3によりアクセスしてメモリ用の
パターンメモリ1とロジック用のパターンメモリ2とに
それぞれパターンデータを発生させ、テストに必要なパ
ターンデータが選択できるようになっているものがある
In addition, in recent test systems for very large scale integrated circuits (VLSI), since both memory and logic are tested at the same time, the test pattern generator has a pattern memory 1 for memory and a pattern memory 2 for logic, as shown in FIG. are provided, and these pattern memories 1
.

[解決しようとする課題] このように5QPGによりパターンメモリをアクセスし
てパターンデータを発生するパターン発生器にあっては
、多種多用なパターンを発生させるために出力するパタ
ーンごとにパターン発生データを記憶している外部記憶
装置からあらかじめパターンメモリに発生パターンデー
タを書込むことが行われ、これは、特にロジック側のパ
ターン発生の場合になどに必要になる。
[Problem to be solved] In this way, in a pattern generator that generates pattern data by accessing a pattern memory using 5QPG, pattern generation data must be stored for each pattern to be output in order to generate a wide variety of patterns. Generated pattern data is written in advance into a pattern memory from an external storage device, which is necessary especially in the case of pattern generation on the logic side.

このような方式でパターンを発生させるパターン発生器
では、パターンメモリに発生パターンデータを前辺て書
込む時間だけテスト効率が低下する欠点がある。
A pattern generator that generates patterns using this method has a drawback that test efficiency is reduced by the time it takes to write the generated pattern data into the pattern memory from the beginning.

このようなことを回避するためにはパターンメモリの記
憶容量を大きくすればよいが、テストすべき項目が増加
するにつれて、また、テストすべきICの高機能化に伴
い要求される容量が増加す一 るためにこの方?去ではそれに対応してメモリ容量を比
例的に増加させざるを得なくなる。しかも、増加可能な
パターンメモリの容量にも限界があって、それを越えて
しまう。
In order to avoid this, it is possible to increase the storage capacity of the pattern memory, but as the number of items to be tested increases and the functionality of the IC to be tested increases, the required capacity increases. Is this the one you want to be together with? In the future, memory capacity will have to increase proportionately. Moreover, there is a limit to the capacity of the pattern memory that can be increased, and the limit is exceeded.

この発明は、このような従来技術の問題点を解決するも
のであって、パターンメモリの容量を増加させることな
く多種多用なパターンデータを発生することができるパ
ターン発生装置を提供することを目的とする。
The present invention solves the problems of the prior art, and aims to provide a pattern generator that can generate a wide variety of pattern data without increasing the capacity of the pattern memory. do.

[課題を解決するための手段] このような目的を達成するためのこの発明のパターン発
生装置における構成は、パターン発生のためのデータを
記憶するメモリと、このメモリをアクセスするアドレス
情報を順次発生してこのメモリをアクセスするシーケン
スジェネレータとを有するパターン発生装置において、
メモリから出力されるデータのうちの複数のビットをパ
ラレルにそれぞれ受け、受けた各ビットを各ビットに対
応する制御ビットに応じて各ビットごとに論理演算する
論理演算回路と、この論理演算回路から出6− 力される各ビットをパラレルに受けてパターンデータと
して記憶するパターンデータ記憶回路とを備えていて、
パターンデータ記憶回路に記憶されたパターンデータの
それぞれのビットが各ビットに対応する制御ビットとし
て論理演算回路に送出され、メモリの各アドレスにはパ
ターンデータ記憶回路に記憶されているパターンデータ
の各ビット対応に論理演算回路により論理演算される前
の原データが記憶され、シーケンスジェネレータにより
メモリがアクセスされてパターンデータ記憶回路に記憶
されたパターンデータが外部に出力されるものである。
[Means for Solving the Problems] The configuration of the pattern generation device of the present invention to achieve such an object includes a memory for storing data for pattern generation, and address information for accessing this memory that is sequentially generated. and a sequence generator that accesses this memory by
A logic operation circuit that receives multiple bits of data output from the memory in parallel and performs a logical operation on each received bit according to a control bit corresponding to each bit, and from this logic operation circuit. output 6 - a pattern data storage circuit that receives each output bit in parallel and stores it as pattern data;
Each bit of the pattern data stored in the pattern data storage circuit is sent to the logical operation circuit as a control bit corresponding to each bit, and each bit of the pattern data stored in the pattern data storage circuit is sent to each address of the memory. Correspondingly, the original data before being subjected to logical operations by the logical operation circuit is stored, the memory is accessed by the sequence generator, and the pattern data stored in the pattern data storage circuit is outputted to the outside.

[作用] このように、ビット反転制御回路とこのビット反転制御
回路の出力データを出カバターンデータとして記憶する
パターンデータ記憶回路とを設けて、このパターンデー
タ記憶回路のデータを制御ビットとしてビット反転制御
回路に加えることにより、1つ前に発生したパターンデ
ータを反転条件として作用して現在アクセスしているデ
ータを反転制御して次のパターンデータを発生させるこ
とができる。
[Function] In this way, the bit inversion control circuit and the pattern data storage circuit that stores the output data of the bit inversion control circuit as output pattern data are provided, and the data in the pattern data storage circuit is bit inverted as the control bit. By adding it to the control circuit, it is possible to use the previously generated pattern data as an inversion condition to invert the currently accessed data and generate the next pattern data.

したがって、パターンデータがそれ以前のアドレスにお
けるデータと現在のアドレスにおけるデータとの組合わ
せで決定でき、同じアドレスをアクセスしても異なるパ
ターンデータを発生させることができるので、メモリに
記憶されているデータの種類が少なくてもその組合わせ
が可能な分だけ多種多用なパターンデータを生成するこ
とができる。
Therefore, pattern data can be determined by a combination of data at the previous address and data at the current address, and different pattern data can be generated even if the same address is accessed. Even if the number of types is small, it is possible to generate a wide variety of pattern data to the extent that they can be combined.

その結果、パターンデータのメモリ容量が少なくても以
前より多種多用なパターンデータを発生させることがで
きる。なお、この場合、1つ前に発生したパターンデー
タとメモリをアクセスして発生するデータとの関係を反
転関係とはせずにAND論理、OR論理或は他の論理に
おいて論理演算してパターンデータを発生させても同様
な効果が得られる。
As a result, even if the memory capacity for pattern data is small, it is possible to generate a wider variety of pattern data than before. In this case, instead of inverting the relationship between the previously generated pattern data and the data generated by accessing the memory, the pattern data is calculated by logical operation using AND logic, OR logic, or other logic. A similar effect can be obtained by generating .

[実施例コ 以下、この発明の一実施例について図面を参照して詳細
に説明する。
[Embodiment] Hereinafter, an embodiment of the present invention will be described in detail with reference to the drawings.

第1図は、この発明のパターン発生装置を適用したIC
テスターのパターン発生部分のブロック図であり、第2
図(a)及び(b)は、前記実施例及び従来のパターン
発生装置の各メモリにおける記憶データの説明図である
FIG. 1 shows an IC to which the pattern generator of the present invention is applied.
It is a block diagram of the pattern generation part of the tester, and the second
Figures (a) and (b) are explanatory diagrams of data stored in each memory of the pattern generator of the embodiment and the conventional pattern generator.

10は、5QPGであって、従来と同様にインストラク
ションメモリを主体とし、セレクタやプログラムカウン
タ等を内蔵している。これは、インストラクションメモ
リのデータ内容に応じてプログラムカウンタにパターン
メモリ”をアクセスするアドレスをセットし、それによ
りパターンメモリ”をアクセスしてパターンメモリ”か
らデータを読出し、発生するパターンデータのシーケン
スをコントロールするものである。なお、インストラク
ションメモリには、データメモリをアクセスするための
アドレスデータのエリアと、被測定デバイス(DUT)
に対する読出し/書込み等の制御データエリア、そして
次のインストラクションメモリのアドレス等の制御をす
るための一〇− インストラクシ□ン制御情報エリアが設けられ、さらに
、ここでは、制御線10aを介して後述するビット反転
制御部12にビット反転処理を実行させるビット反転指
令の制御データが記憶されている。
Reference numeral 10 is a 5QPG, which is mainly composed of an instruction memory and has a built-in selector, program counter, etc., as in the past. This sets the address for accessing the pattern memory in the program counter according to the data contents of the instruction memory, accesses the pattern memory, reads data from the pattern memory, and controls the sequence of pattern data generated. The instruction memory includes an address data area for accessing the data memory and a device under test (DUT) area.
A control data area for reading/writing, etc., and an instruction control information area for controlling the next instruction memory address, etc. are provided. Control data of a bit inversion command that causes the bit inversion control unit 12 to perform bit inversion processing is stored.

”は、データメモリであって、5QPG 10によりア
クセスされて、アクセスされたアドレスからパターンデ
ータの元になる原データを発生してそれをビット反転制
御部12に送出する。なお、データメモリ”は、パター
ンデータをOUT (被測定デバイス)のピン対応に発
生するために、ピン対応に設けられたピン対応メモリ部
”a。
`` is a data memory that is accessed by the 5QPG 10, generates original data that becomes the basis of pattern data from the accessed address, and sends it to the bit inversion control unit 12. In order to generate pattern data corresponding to the pins of OUT (device under test), a pin-corresponding memory section "a" is provided corresponding to the pins.

”b、・・・、”nとを有していて、それぞれのピン対
応メモリ部”a、flb、  ・・・”nから出力され
るパターンデータの原データとなる各ビットをビット反
転制御部12に出力する。
``b,...,''n, and each bit serving as the original data of the pattern data output from the respective pin-corresponding memory sections ``a, flb,...''n is controlled by a bit inversion control unit. Output to 12.

る。Ru.

ビット反転制御部12は、ピン対応メモリ部”a、”b
+  ・・・、”nに対応して設けられたビット反転制
御回路13 a、  13 b+  ・・・。
The bit inversion control unit 12 controls pin-corresponding memory units “a” and “b”.
+..., bit inversion control circuits 13a, 13b+... provided corresponding to "n".

0− 13nにおいてピン対応メモリ部”a、”b。0- 13n, pin-corresponding memory sections "a" and "b".

・・・、”nのそれぞれの出力を受ける。ビット反転制
御回路13a、13b、*a*+  13nは、EXO
R(排他論理和)で構成され、各ピン対応メモリ部から
出力される信号(1ビツト)をその一方の入力に受け、
他方の入力に加えられる信号が“1”であるときに、そ
の信号(一方の入力の1ビツトの信号)を反転して出力
する。また、他方の入力に加えられる信号が““0”の
ときには一方の入力の1ビツトの信号をそのまま出力す
る。
. . , "n". The bit inversion control circuits 13a, 13b, *a*+ 13n are EXO
R (exclusive OR), receives the signal (1 bit) output from the memory section corresponding to each pin into one input,
When the signal applied to the other input is "1", that signal (1-bit signal of one input) is inverted and output. Furthermore, when the signal applied to the other input is "0", the 1-bit signal of one input is output as is.

各ビット反転制御回路13 al  13 b+  ・
・・。
Each bit inversion control circuit 13 al 13 b+ ・
....

13nの出力は、それぞれ、出力するパターンデータの
記憶回路として設けられたビット反転制御部12のフリ
ップフロップ(F/F)14a、14b、  ・・・、
14nに供給され、このフリップフロップ14a、i4
b、” ’ ”+  14rxに記憶されたデータがパ
ターンデータとしてピンエレクトロニクス回路16にピ
ン対応に送出される。
The outputs of 13n are output from flip-flops (F/F) 14a, 14b, .
14n, and the flip-flops 14a, i4
b, "'"+14 The data stored in rx is sent to the pin electronics circuit 16 in correspondence with the pins as pattern data.

ビット反転制御部12のデー)15a、15b。data) 15a, 15b of the bit inversion control unit 12;

・・・、15nは、それぞれフリップフロップ14a、
14b、*@@、14nの出力を一方に受けて他方に人
力されるゲート制御信号(HI GHレヘル(以下“H
”)或は“1”/LOWレベル(以−ド“Lパ)或は“
0“)に応してビット反転制御回路13a、13b、・
・・、13nのEXORの他方の入力に加える。各デー
)15a、15b、  ・・・、15nに加えられるゲ
ート制御信号は、5QPGIOから制御線10aを介し
て供給され、このゲート制御信号を受け、それが“H′
”であるときには、各EXORの他方の入力にはフリッ
プフロップ14a、14b、@””5 14nの出力が
加えられる。その結果、それが“1パとなっているビッ
トについてピン対応メモリ部”a、flb、  ・・・
、”nの対応するビットが反転されて各EXORから出
力され、それが各フリップフロップ14a、14b、*
 e e、14nの対応記憶位置に記憶される。逆に、
EXORの他方の入力の信号が0″となっているビット
についてはピン対ルt、メモリ部” A、1 l b+
  ・・”nの対応するビットが反転されずにそのまま
出力されて同様に各フリップフロップ14a。
..., 15n are flip-flops 14a, 15n, respectively.
14b, *@@, and 14n are received on one side, and the gate control signal (HI GH level (hereinafter referred to as “H
”) or “1”/LOW level (or “L”) or “
bit inversion control circuits 13a, 13b, .
..., 13n to the other input of EXOR. The gate control signal applied to each data) 15a, 15b, . . . , 15n is supplied from the 5Q PGIO via the control line 10a.
”, the outputs of the flip-flops 14a, 14b, @”5 14n are added to the other input of each EXOR.As a result, the output of the flip-flop 14a, 14b, @”5 14n is added to the other input of each EXOR. , flb, ...
, "n is inverted and output from each EXOR, which is then outputted from each flip-flop 14a, 14b, *
It is stored in the corresponding storage location of e, 14n. vice versa,
For the bit where the signal of the other input of EXOR is 0'', the pin pair t, memory section ``A, 1 l b+
..."The corresponding bit of "n" is output as is without being inverted, and similarly, each flip-flop 14a.

14b、・・・、14nの対応記憶位置に記憶される。The data are stored in corresponding storage locations 14b, . . . , 14n.

これら各フリップフロップ14 a、  14 b。Each of these flip-flops 14a, 14b.

・・、14nに記憶されたデータは、データメモリ”の
アクセスに対応して発生し、ピンエレクトロニクス回路
16に送出されるパターンデータとされるとともに、そ
れがビット反転制御回路13a、13b、  ・・・、
13nの制御ビットとしてその対応する回路に加えられ
、次にデータメモリ”がアクセスされて発生するデータ
に対して反転制御を行うデータとされる。
The data stored in the bit inversion control circuits 13a, 13b, .・、
13n as a control bit to its corresponding circuit, and then used as data to perform inversion control on data generated when the data memory is accessed.

ところで、ビット反転制御部12が5QPG10からゲ
ート制御信号が“L“°の状態の信号を受けているとき
にはゲート15 a、  15 b、  ・・・。
By the way, when the bit inversion control unit 12 receives a signal from the 5QPG 10 in which the gate control signal is in the "L" degree state, the gates 15a, 15b, . . .

15nが閉しる。その結果、その出力側がL”(すなわ
ち“0”)に維持され、フリッププロップ14a+  
14b、” @ @、14nのデータによるピン対応メ
モリ部”a、flb、  ・・・、”nのデータの反転
は行われず、そのままのデー=13 夕が各フリップフロップ14 a +  14 b +
  ・・・。
15n closes. As a result, its output side is maintained at "L" (that is, "0"), and the flip-flop 14a+
14b, ``@@, 14n pin-corresponding memory section ``a, flb, .
....

14nに出力されて記憶される。そこで、ゲート制御信
号を“H“′或は“°L“にすることでデータメモリ”
のデータに対して反転制御させてパターンデータを発生
させたり、そのままのデータをパターンデータとさせた
りすることができる。
14n and stored. Therefore, by setting the gate control signal to "H" or "°L", the data memory
It is possible to perform inversion control on the data to generate pattern data, or to use the data as it is as pattern data.

ここで、ゲート制御信号が“H゛のときには、フリップ
フロップ14 al  14 b、・・・、14nから
ピンエレクトロニクス回路16に加えられるパターンデ
ータは、データメモリ”から得られるデータそのもので
はなく、1つ前に発生したパターンデータによって反転
制御されたデータとなる。この反転制御の場合のデータ
メモリ”に記憶されるデータは、パターンデータそのも
のではなく、データメモリにおいて以前にアクセスされ
たアドレスのデータにより決定される1つ前の発生した
パターンデータにより反転制御される前のデータであっ
て、反転制御前の原データがそこに記憶される。これは
、従来のパターンメモリに記憶されるデータと相違する
。このデータの相違44 について第2図に従って説明する。
Here, when the gate control signal is "H", the pattern data applied from the flip-flops 14 al 14 b, . . . , 14 n to the pin electronics circuit 16 is not the data itself obtained from the data memory, but one The data is inverted and controlled by the previously generated pattern data. In the case of this inversion control, the data stored in the data memory is not the pattern data itself, but is inverted controlled by the previous generated pattern data determined by the data at the address previously accessed in the data memory. The previous data, the original data before the inversion control, is stored there.This is different from the data stored in the conventional pattern memory.This data difference 44 will be explained with reference to FIG.

第2図の(b)に示すものは、第3図に示すパターンメ
モリに記憶されたデータであり、説明の都合上、下位3
ピツ) (0,1,2)のデータを8アドレス分(@〜
■番地分)だけ示したものである。また、同図の(a)
に示すものは、第1図のデータメモリ”に記憶された前
記のデータであり、前記に対応させて下位3ビツトのデ
ータを示している。
What is shown in FIG. 2(b) is the data stored in the pattern memory shown in FIG.
Pitsu) Data of (0, 1, 2) for 8 addresses (@~
■Only the address (address) is shown. Also, (a) in the same figure
What is shown in FIG. 1 is the above-mentioned data stored in the data memory shown in FIG.

従来のパターンデータの発生では、通常、第3図の5Q
PGIOが同図の(b)に示すアドレス、ゼロ番地から
7番地まで順次1番地づつアクセスしてパターンデータ
を発生していく。この場合に記憶されている各アドレス
のデータはパターンデータそのものに対応している。こ
れに対して、第2図の(a)に示す各番地のデータは、
パターンデータそのものではなく、1つ前に発生したパ
ターンデータにより反転制御される前のデータであって
、これにより図示するよに4番地分で従来の8番地分の
パターンデータを得ることができる。
In conventional pattern data generation, 5Q in Figure 3 is usually used.
The PGIO sequentially accesses one address at a time from address 0 to address 7, as shown in (b) of the figure, to generate pattern data. In this case, the stored data at each address corresponds to the pattern data itself. On the other hand, the data at each address shown in (a) of Figure 2 is
It is not the pattern data itself, but the data before being inverted by the previous pattern data, and as shown in the figure, it is possible to obtain the conventional pattern data for 8 locations with 4 locations.

この場合に5QPGIOにより発生するデータメモリ”
のアドレスは、図示するように、0番地、1番地、2番
地、1番地、3番地、1番地。
In this case, the data memory generated by 5QPGIO”
As shown in the figure, the addresses are 0, 1, 2, 1, 3, and 1.

′2番地、1番地の順となる。'2nd address, then 1st address.

すなわち、0番地をアクセスして従来と同様に°“00
0”を得て、次に1番地をアクセスすると、“OO“0
”と“001”の各ビット位置(桁位置)対応のEXO
Rがこれらの間で採られ、その結果として第2図の(b
)の1番地と同一のデータ。
In other words, access address 0 and read °“00” as before.
0” and then access address 1, “OO”0
” and EXO corresponding to each bit position (digit position) of “001”
R is taken between these, resulting in (b
) is the same data as address 1.

°“001”が発生する。次に、2番地がアクセスされ
て“0””が読出され、これと1つ前のパターンデータ
である°“001”との間でEXORが採られ、同図の
(b)の2番地と同一のデータ。
°“001” is generated. Next, the 2nd address is accessed and “0” is read out, and EXOR is performed between this and the previous pattern data “001”, and the 2nd address in (b) of the same figure is read out. Same data.

“010”を得ることができる。同様にして次に1番地
がアクセスされて°“001”をデータメモリ”から得
て、その1つ前に発生したパターンデータである“01
0”との間でEXORが採られて同図の(b)の3番地
と同一のデータ、“0”′を得ることができる。以下、
同様にして前記の番地、3番地、1番地、2番地、1番
地の順でアクセスすれば、同図の(b)の4番地以降の
と同一のデータがそれぞれ得られる。
"010" can be obtained. In the same way, next address 1 is accessed and "001" is obtained from the "data memory", and "01" is the pattern data that occurred one time before.
By performing an EXOR with "0", it is possible to obtain "0"', the same data as at address 3 in (b) of the same figure.
Similarly, if the above-mentioned addresses, 3rd address, 1st address, 2nd address, and 1st address are accessed in this order, the same data as from addresses 4 onwards in FIG. 4(b) can be obtained.

なお、以しは、5QPG10がゲート制御信号“H”を
各ゲート15a、15b、・・・、15nに加えて、ゲ
ートを開いている状態の制御であるが、データメモリ”
のデータをそのままパターンデータとする場合には、5
QPG10がゲート制御信号“L”にしてその反転制御
を停止すればよい。
Note that the following is a control in which the 5QPG 10 applies a gate control signal "H" to each gate 15a, 15b, ..., 15n to keep the gates open, but the data memory "
If you want to use the data as it is as pattern data, 5
The QPG 10 may set the gate control signal to "L" to stop its inversion control.

以−L説明してきたが、実施例では、ゲート15a、1
5b、  ・・・、15nを設けているが、これらゲー
ト回路を設けることなく、直接フリップフロップの出力
をEXORに入力して常時反転制御してパターンデータ
を生成してもよい。また、実施例では、各ゲート回路を
共通に制御しているが、個々のゲート回路にゲート制御
信号を送出してそれぞれを制御してもよい。さらに、複
数のゲート回路ごとにグループ化してそれぞれをグルー
プとして制御してもよい。
As explained above, in the embodiment, the gates 15a, 1
5b, . . . , 15n are provided, but the outputs of the flip-flops may be directly input to EXOR and constantly inverted to generate pattern data without providing these gate circuits. Further, in the embodiment, each gate circuit is commonly controlled, but a gate control signal may be sent to each individual gate circuit to control each gate circuit. Furthermore, a plurality of gate circuits may be grouped and each gate circuit may be controlled as a group.

実施例では、EXORによる反転制御のみの例17 を挙げているが、これは、他の論理演算、例えば、OR
論理、AND論理等の論理演算を用いてデータメモリの
データと1つ前に発生したパターンデータとを論理演算
して次のパターンデータを発生させるようにしてもよい
In the embodiment, Example 17 is given where only inversion control is performed by EXOR, but this is not applicable to other logical operations, such as OR.
The next pattern data may be generated by performing a logical operation on the data in the data memory and the previously generated pattern data using a logical operation such as logic or AND logic.

実施例の反転制御信号は、“1”で反転するような制御
をしているが、これは、“°0“′で反転制御するよう
にしてもよいことはもちろんである。
Although the inversion control signal in the embodiment is controlled to be inverted at "1", it is of course possible to perform inversion control at "0".

[発明の効果] 以りの説明から理解できるように、この発明にあっては
、ビット反転制御回路とこのビット反転制御回路の出力
データを出カバターンデータとして記憶するパターンデ
ータ記憶回路とを設けて、このパターンデータ記憶回路
のデータを制御ビットとしてビット反転制御回路に加え
ることにより、1つ前に発生したパターンデータを反転
条件として作用して現在アクセスしているデータを反転
制御して次のパターンデータを発生させることができる
[Effects of the Invention] As can be understood from the following description, the present invention includes a bit inversion control circuit and a pattern data storage circuit that stores output data of the bit inversion control circuit as output pattern data. Then, by adding the data of this pattern data storage circuit as a control bit to the bit inversion control circuit, the pattern data generated one time ago acts as an inversion condition, inverting the currently accessed data and inverting the next data. Pattern data can be generated.

その結果、パターンデータのメモリ容量が少な18 くても以前より多種多用なパターンデータを発生させる
ことができる。なお、この場合、1つ前に発生したパタ
ーンデータとメモリをアクセスして発生するデータとの
関係を反転関係とはせずにAND論理、OR論理或は他
の論理において論理演算してパターンデータを発生させ
ても同様な効果が得られる。
As a result, even if the memory capacity for pattern data is small, it is possible to generate a wider variety of pattern data than before. In this case, instead of inverting the relationship between the previously generated pattern data and the data generated by accessing the memory, the pattern data is calculated by logical operation using AND logic, OR logic, or other logic. A similar effect can be obtained by generating .

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of drawings]

第1図は、この発明のパターン発生装置を適用したIC
テスターのパターン発生部分のブロック図、第2図(a
)及び(b)は、前記実施例及び従来のパターン発生装
置の各メモリにおける記憶データの説明図、第3図は、
従来のICテスターのパターン発生部分のブロック図で
ある。 1・・・メモリ用のパターンメモリ、 2・・・ロジック用のパターンメモリ、10・・・5Q
PG”1・・・データメモリ、”a、flb、1ln−
ビン対応メモリ部、12・・・ビット反転制御部、 12a、12b、12n・・・ビッ ト反転制御回路、 9− 13 a +  13 b +  13 n・・・ビッ
ト反転制御回路、14a、14b、14n−フリップフ
ロップ、15 al  15 b+  15 n・・・
ゲート。
FIG. 1 shows an IC to which the pattern generator of the present invention is applied.
Block diagram of the pattern generation part of the tester, Figure 2 (a)
) and (b) are explanatory diagrams of stored data in each memory of the above embodiment and the conventional pattern generator, and FIG.
FIG. 2 is a block diagram of a pattern generation portion of a conventional IC tester. 1...Pattern memory for memory, 2...Pattern memory for logic, 10...5Q
PG"1...Data memory,"a, flb, 1ln-
Bin corresponding memory unit, 12... Bit inversion control unit, 12a, 12b, 12n... Bit inversion control circuit, 9-13 a + 13 b + 13 n... Bit inversion control circuit, 14a, 14b, 14n -Flip-flop, 15 al 15 b+ 15 n...
Gate.

Claims (2)

【特許請求の範囲】[Claims] (1)パターン発生のためのデータを記憶するメモリと
、このメモリをアクセスするアドレス情報を順次発生し
てこのメモリをアクセスするシーケンスジェネレータと
を有するパターン発生装置において、前記メモリから出
力されるデータのうちの複数のビットをパラレルにそれ
ぞれ受け、受けた各ビットを各ビットに対応する制御ビ
ットに応じて各ビットごとに論理演算する論理演算回路
と、この論理演算回路から出力される各ビットをパラレ
ルに受けてパターンデータとして記憶するパターンデー
タ記憶回路とを備え、前記パターンデータ記憶回路に記
憶された前記パターンデータのそれぞれのビットが前記
各ビットに対応する制御ビットとして前記論理演算回路
に送出され、前記メモリの各アドレスには前記パターン
データ記憶回路に記憶されている前記パターンデータの
各ビット対応に前記論理演算回路により論理演算される
前の原データが記憶され、前記シーケンスジェネレータ
により前記メモリがアクセスされて前記パターンデータ
記憶回路に記憶された前記パターンデータが外部に出力
されることを特徴とするパターン発生装置。
(1) In a pattern generation device having a memory that stores data for pattern generation and a sequence generator that sequentially generates address information to access this memory and accesses this memory, the data output from the memory is A logic operation circuit that receives multiple bits in parallel and performs a logical operation on each received bit according to the control bit corresponding to each bit, and a logic operation circuit that processes each bit output from this logic operation circuit in parallel. and a pattern data storage circuit for receiving the data and storing it as pattern data, each bit of the pattern data stored in the pattern data storage circuit being sent to the logic operation circuit as a control bit corresponding to each bit, At each address of the memory, original data before being logically operated by the logic operation circuit is stored corresponding to each bit of the pattern data stored in the pattern data storage circuit, and the memory is accessed by the sequence generator. A pattern generating device characterized in that the pattern data stored in the pattern data storage circuit is outputted to the outside.
(2)パターン発生のためのデータを記憶するメモリと
、このメモリをアクセスするアドレス情報を順次発生し
てアクセスするシーケンスジェネレータとを有するパタ
ーン発生装置において、前記メモリから出力されるデー
タのうちの複数のビットをパラレルにそれぞれ受け、受
けた各ビットを各ビットに対応する制御ビットの“0”
及び“1”のいずれか一方の値に応じてそれに対応する
ビットが反転されかつ前記制御ビットの“0”及び“1
”のいずれか他方に応じてそれに対応するビットがその
まま出力されるビット反転制御回路と、このビット反転
制御回路から出力される各ビットをパラレルに受けてパ
ターンデータとして記憶するパターンデータ記憶回路と
を備え、前記パターンデータ記憶回路に記憶された前記
パターンデータのそれぞれのビットが前記各ビットに対
応する制御ビットとして前記ビット反転制御回路に送出
され、前記メモリの各アドレスには前記パターンデータ
記憶回路に記憶されている前記パターンデータの各ビッ
トの“0”又は“1”に応じて選択的に反転される原デ
ータが記憶され、前記シーケンスジェネレータにより前
記メモリがアクセスされて前記パターンデータ記憶回路
に記憶された前記パターンデータが外部に出力されるこ
とを特徴とするパターン発生装置。
(2) In a pattern generation device having a memory that stores data for pattern generation and a sequence generator that sequentially generates and accesses address information for accessing this memory, a plurality of data output from the memory bits in parallel, and each received bit is set to “0” in the control bit corresponding to each bit.
and “1”, the corresponding bit is inverted, and the control bit “0” and “1” are inverted.
a bit inversion control circuit that outputs the corresponding bit as is according to the other of the bits, and a pattern data storage circuit that receives each bit output from the bit inversion control circuit in parallel and stores it as pattern data. each bit of the pattern data stored in the pattern data storage circuit is sent to the bit inversion control circuit as a control bit corresponding to each bit; Original data that is selectively inverted according to "0" or "1" of each bit of the stored pattern data is stored, and the memory is accessed by the sequence generator and stored in the pattern data storage circuit. A pattern generation device characterized in that the generated pattern data is outputted to the outside.
JP1176732A 1989-07-07 1989-07-07 Pattern generator Pending JPH0341374A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP1176732A JPH0341374A (en) 1989-07-07 1989-07-07 Pattern generator

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP1176732A JPH0341374A (en) 1989-07-07 1989-07-07 Pattern generator

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH0341374A true JPH0341374A (en) 1991-02-21

Family

ID=16018819

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP1176732A Pending JPH0341374A (en) 1989-07-07 1989-07-07 Pattern generator

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH0341374A (en)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100491148B1 (en) * 2001-10-26 2005-05-27 최을봉 A Low Frequency Heater And a Device For Diet Make Ues Of Its
WO2013105564A1 (en) * 2012-01-10 2013-07-18 国立大学法人 九州工業大学 Test pattern manufacturing device, fault detection system, test pattern manufacturing method, program, and recording medium

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100491148B1 (en) * 2001-10-26 2005-05-27 최을봉 A Low Frequency Heater And a Device For Diet Make Ues Of Its
WO2013105564A1 (en) * 2012-01-10 2013-07-18 国立大学法人 九州工業大学 Test pattern manufacturing device, fault detection system, test pattern manufacturing method, program, and recording medium
JPWO2013105564A1 (en) * 2012-01-10 2015-05-11 国立大学法人九州工業大学 Test pattern production apparatus, failure detection system, test pattern production method, program, and recording medium
US9702927B2 (en) 2012-01-10 2017-07-11 Japan Science And Technology Agency Test pattern generation device, fault detection system, test pattern generation method, program and recording medium

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US3961252A (en) Testing embedded arrays
US5946246A (en) Semiconductor memory device with built-in self test circuit
KR100327136B1 (en) Semiconductor memory device and parallel bit test method thereof
JPS62269076A (en) Apparatus for testing semiconductor memory
JP2915945B2 (en) Memory test equipment
US6779141B1 (en) System and method for implementing memory testing in a SRAM unit
KR970051415A (en) Method of selecting merge data output mode of semiconductor memory device
JPH0341374A (en) Pattern generator
US6108803A (en) Memory cell circuit for executing specific tests on memory cells that have been designated by address data
JP2524529B2 (en) Pattern generator
JP2824853B2 (en) Pattern data writing method
JP2613412B2 (en) Memory test equipment
JPS61160900A (en) Writing and reading circuit of ram
JPS63108747A (en) Gate array integrated circuit
KR100455373B1 (en) Built-in self-test circuit using multiple input signature register, especially securing maximal test points
JPS6153579A (en) Tester for function of logical circuit
JP2877505B2 (en) LSI mounting board and data processing device
JPH0238879A (en) Logical circuit
JPH04194682A (en) Lsi tester
JPH07220499A (en) Pattern generator
JPH0535392B2 (en)
JPS5937787B2 (en) Integrated circuit testing equipment
JPH0218647A (en) Cache memory test method
JPH0690266B2 (en) Semiconductor integrated circuit device
JPH0668539B2 (en) Semiconductor memory test equipment