JPH0338655B2 - - Google Patents
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- JPH0338655B2 JPH0338655B2 JP56180745A JP18074581A JPH0338655B2 JP H0338655 B2 JPH0338655 B2 JP H0338655B2 JP 56180745 A JP56180745 A JP 56180745A JP 18074581 A JP18074581 A JP 18074581A JP H0338655 B2 JPH0338655 B2 JP H0338655B2
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- magnetization
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- recording medium
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- Expired
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/62—Record carriers characterised by the selection of the material
- G11B5/73—Base layers, i.e. all non-magnetic layers lying under a lowermost magnetic recording layer, e.g. including any non-magnetic layer in between a first magnetic recording layer and either an underlying substrate or a soft magnetic underlayer
- G11B5/7368—Non-polymeric layer under the lowermost magnetic recording layer
- G11B5/7377—Physical structure of underlayer, e.g. texture
Landscapes
- Magnetic Record Carriers (AREA)
- Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)
- Thin Magnetic Films (AREA)
Description
(1) 発明の技術分野
本発明は膜面の垂直方向の磁化を利用する垂直
磁化記録用媒体の製造方法に関するものである。 (2) 技術の背景 基板上に形成した磁性体膜の垂直方向の磁化を
利用する垂直磁化記録用媒体は磁性体膜の水平方
向の磁化を利用する水平磁化記録用媒体に比し、
高密度に情報が記録されるので近来この垂直磁化
記録用媒体が用いられるようになつてきている。 (3) 従来技術と問題点 従来このような垂直磁化記録用媒体を形成する
場合、絶縁体のアルマイト処理を施したアルミニ
ウム(Al)基板上に室温(15〜25℃)にてチタ
ニウム(Ti)等の六方稠密格子構造の金属膜を
スパツタ法にて約500Åの厚さに形成し、更に該
Tiの金属膜上にCrが20原子%含有されている
CoCrの垂直磁化膜をスパツタによつて約1μmの
厚さに形成している。 しかしこのようにして形成した垂直磁化記録用
媒体は、膜面に対して磁化の方向が垂直となる垂
直配向性の程度が小さいものである。 このような垂直配向性の少ない垂直磁化記録用
媒体を用いると磁化の水平成分のために水平方向
にも書き込みが行なわれてしまい記録密度が小さ
く、また信頼度の高い磁化記録がなされないとい
つた欠点を生じる。 (4) 本発明の目的 本発明は上記した欠点を除去し、垂直配向性を
高めた高密度記録が可能な垂直磁化記録用媒体の
製造方法の提供を目的とするものである。 (5) 発明の構成 かかる目的を達成するための垂直磁化記録用媒
体の製造方法は絶縁性基板上にチタニウム等の六
方稠密格子構造の金属層を形成し、該六方稠密格
子構造の金属層上に前記絶縁性基板表面に垂直な
磁化を持つ垂直磁化膜を形成する垂直磁化記録用
媒体の製造方法において、前記基板をあらかじめ
加熱した状態でチタニウム等の六方稠密格子構造
の金属層を形成し、しかる後該チタニウム等の六
方稠密格子構造の金属層上に垂直磁化膜を形成す
ることを特徴とするものである。 (6) 発明の実施例 以下図面を用いながら本発明の一実施例につき
詳細に説明する。 すなわち前述したスパツタCoCr膜は六方稠密
格子構造のC軸が膜面に垂直に成長することが知
られている。この垂直配向性を高めるためには基
板の配向から考慮する必要がある。ここで本発明
においては以下に示すように垂直磁化膜の下地金
属の配向性を高めることによりCoCr膜の垂直配
向性を高めるようにするものである。 まず表面を酸化してアルマイト処理したAl基
板を真空容器のベルジヤー等に導入して該ベルジ
ヤー内を真空に排気したのち、ヒーターを用いて
該Al基板を200℃の温度に加熱して1時間程度保
ち該ベルジヤー内にスパツタ用のアルゴン(Ar)
ガス等を導入する。そしてTiをターゲツトとし
て用い前記基板を設置する基板設置台とターゲツ
ト間に高電圧を印加して該Arガスを電離させ、
電離したArガスをTiターゲツトの表面に照射さ
せてTi金属層を基板上に500Å(オングストロー
ム)の厚さで付着させる。その上にCrが20原子
%添加されたCoCrの合金よりなるターゲツトを
用いて該CoCrのターゲツトと基板設置台間に高
電圧を印加して、基板を150℃の温度に加熱して
厚さ1μmのCoCrの合金層を付着させる。 このようにして形成したCoCr層の磁化記録用
媒体をX線回折装置で測定して該CoCr層の結晶
構造である最密六方構造の(002)面より反射さ
れたピークのロツキング曲線の半値幅である分散
角△θ50を測定したところ第1表のような結果が
得られた。
磁化記録用媒体の製造方法に関するものである。 (2) 技術の背景 基板上に形成した磁性体膜の垂直方向の磁化を
利用する垂直磁化記録用媒体は磁性体膜の水平方
向の磁化を利用する水平磁化記録用媒体に比し、
高密度に情報が記録されるので近来この垂直磁化
記録用媒体が用いられるようになつてきている。 (3) 従来技術と問題点 従来このような垂直磁化記録用媒体を形成する
場合、絶縁体のアルマイト処理を施したアルミニ
ウム(Al)基板上に室温(15〜25℃)にてチタ
ニウム(Ti)等の六方稠密格子構造の金属膜を
スパツタ法にて約500Åの厚さに形成し、更に該
Tiの金属膜上にCrが20原子%含有されている
CoCrの垂直磁化膜をスパツタによつて約1μmの
厚さに形成している。 しかしこのようにして形成した垂直磁化記録用
媒体は、膜面に対して磁化の方向が垂直となる垂
直配向性の程度が小さいものである。 このような垂直配向性の少ない垂直磁化記録用
媒体を用いると磁化の水平成分のために水平方向
にも書き込みが行なわれてしまい記録密度が小さ
く、また信頼度の高い磁化記録がなされないとい
つた欠点を生じる。 (4) 本発明の目的 本発明は上記した欠点を除去し、垂直配向性を
高めた高密度記録が可能な垂直磁化記録用媒体の
製造方法の提供を目的とするものである。 (5) 発明の構成 かかる目的を達成するための垂直磁化記録用媒
体の製造方法は絶縁性基板上にチタニウム等の六
方稠密格子構造の金属層を形成し、該六方稠密格
子構造の金属層上に前記絶縁性基板表面に垂直な
磁化を持つ垂直磁化膜を形成する垂直磁化記録用
媒体の製造方法において、前記基板をあらかじめ
加熱した状態でチタニウム等の六方稠密格子構造
の金属層を形成し、しかる後該チタニウム等の六
方稠密格子構造の金属層上に垂直磁化膜を形成す
ることを特徴とするものである。 (6) 発明の実施例 以下図面を用いながら本発明の一実施例につき
詳細に説明する。 すなわち前述したスパツタCoCr膜は六方稠密
格子構造のC軸が膜面に垂直に成長することが知
られている。この垂直配向性を高めるためには基
板の配向から考慮する必要がある。ここで本発明
においては以下に示すように垂直磁化膜の下地金
属の配向性を高めることによりCoCr膜の垂直配
向性を高めるようにするものである。 まず表面を酸化してアルマイト処理したAl基
板を真空容器のベルジヤー等に導入して該ベルジ
ヤー内を真空に排気したのち、ヒーターを用いて
該Al基板を200℃の温度に加熱して1時間程度保
ち該ベルジヤー内にスパツタ用のアルゴン(Ar)
ガス等を導入する。そしてTiをターゲツトとし
て用い前記基板を設置する基板設置台とターゲツ
ト間に高電圧を印加して該Arガスを電離させ、
電離したArガスをTiターゲツトの表面に照射さ
せてTi金属層を基板上に500Å(オングストロー
ム)の厚さで付着させる。その上にCrが20原子
%添加されたCoCrの合金よりなるターゲツトを
用いて該CoCrのターゲツトと基板設置台間に高
電圧を印加して、基板を150℃の温度に加熱して
厚さ1μmのCoCrの合金層を付着させる。 このようにして形成したCoCr層の磁化記録用
媒体をX線回折装置で測定して該CoCr層の結晶
構造である最密六方構造の(002)面より反射さ
れたピークのロツキング曲線の半値幅である分散
角△θ50を測定したところ第1表のような結果が
得られた。
【表】
第1表で示すようにアルマイト処理したAl基
板を200℃に加熱して該基板上にTi層を形成して
その上にCoCr層を形成してこの垂直磁化記録用
媒体の分散角を二種類の試料で測定したところ
5.4゜と5.8゜の値が得られ、Al基板を室温(15〜25
℃)としてTi層を形成しその上にCoCr層を形成
した場合の分散角の値は6.8゜と7.5゜の如く増加し
ている。ここで分散角の値が小さい程形成される
CoCrの磁化記録用媒体の最密六方構造のC軸の
基板に対して垂直方向の配向性が良いものであ
り、CoCr膜はこのC軸方向に垂直磁化異方性を
持つているためこのようにして形成した磁化記録
用媒体の垂直磁化異方性が向上する。 ここでCoCrの△θ50の値とその値のCoCrの磁
化記録用媒体を用いたときの記録密度との関係図
を第1図に示す。 図で横軸はCoCrの分散角△θ50を示し、縦軸は
この分散角を有するCoCrの磁化記録用媒体の記
録密度(フラツクスリバーサルパーインチFRPI)
を示す。図示するように分散角が小さい程CoCr
の結晶構造の最密六方構造のC軸方向の配向性が
良くなりこのC軸に沿つてCoCr層が大きな磁気
異方性を持つためCoCrの磁化記録用媒体の磁化
記録密度が向上する。ここで測定に用いた磁気ベ
ツドはMnZnフエライトでギヤツプ長0.12μmで、
磁化記録用媒体からの浮上量は0.065μmとした。 このようにアルマイト処理したAl基板をあら
かじめ加熱してその上にTi層を形成した場合、
基板を室温(15〜25℃)としてその上にTi層を
形成する従来の場合に比較してTiの結晶構造の
最密六方構造のC軸方向への配向性が増加した状
態でTi層が形成されその上にTiと同一結晶構造
を有するCoCr層を形成した場合、CoCr層の結晶
のC軸が膜面に垂直な方向にそろうようになり、
このC軸方向が磁化の方向と一致するので形成さ
れたCoCr層は垂直方向の異方性が大きくなり、
水平方向の磁化成分を持ちにくくなる事により磁
気記録密度が向上することになる。 (7) 発明の効果 以上述べたように本発明の垂直磁化記録用媒体
の製造方法によれば、CoCrの垂直磁化膜の垂直
配向性が高まり、したがつてこのような垂直磁化
記録用媒体を用いて磁気記録装置を形成すれば装
置の記録密度が向上する利点を生じる。
板を200℃に加熱して該基板上にTi層を形成して
その上にCoCr層を形成してこの垂直磁化記録用
媒体の分散角を二種類の試料で測定したところ
5.4゜と5.8゜の値が得られ、Al基板を室温(15〜25
℃)としてTi層を形成しその上にCoCr層を形成
した場合の分散角の値は6.8゜と7.5゜の如く増加し
ている。ここで分散角の値が小さい程形成される
CoCrの磁化記録用媒体の最密六方構造のC軸の
基板に対して垂直方向の配向性が良いものであ
り、CoCr膜はこのC軸方向に垂直磁化異方性を
持つているためこのようにして形成した磁化記録
用媒体の垂直磁化異方性が向上する。 ここでCoCrの△θ50の値とその値のCoCrの磁
化記録用媒体を用いたときの記録密度との関係図
を第1図に示す。 図で横軸はCoCrの分散角△θ50を示し、縦軸は
この分散角を有するCoCrの磁化記録用媒体の記
録密度(フラツクスリバーサルパーインチFRPI)
を示す。図示するように分散角が小さい程CoCr
の結晶構造の最密六方構造のC軸方向の配向性が
良くなりこのC軸に沿つてCoCr層が大きな磁気
異方性を持つためCoCrの磁化記録用媒体の磁化
記録密度が向上する。ここで測定に用いた磁気ベ
ツドはMnZnフエライトでギヤツプ長0.12μmで、
磁化記録用媒体からの浮上量は0.065μmとした。 このようにアルマイト処理したAl基板をあら
かじめ加熱してその上にTi層を形成した場合、
基板を室温(15〜25℃)としてその上にTi層を
形成する従来の場合に比較してTiの結晶構造の
最密六方構造のC軸方向への配向性が増加した状
態でTi層が形成されその上にTiと同一結晶構造
を有するCoCr層を形成した場合、CoCr層の結晶
のC軸が膜面に垂直な方向にそろうようになり、
このC軸方向が磁化の方向と一致するので形成さ
れたCoCr層は垂直方向の異方性が大きくなり、
水平方向の磁化成分を持ちにくくなる事により磁
気記録密度が向上することになる。 (7) 発明の効果 以上述べたように本発明の垂直磁化記録用媒体
の製造方法によれば、CoCrの垂直磁化膜の垂直
配向性が高まり、したがつてこのような垂直磁化
記録用媒体を用いて磁気記録装置を形成すれば装
置の記録密度が向上する利点を生じる。
第1図は分散角と磁気記録密度の関係を示す図
である。
である。
Claims (1)
- 1 絶縁性基板上にチタニウム等の六方稠密格子
構造の金属層を形成し、該六方稠密格子構造の金
属層上に前記絶縁性基板表面に垂直な磁化を持つ
垂直磁化膜を形成する垂直磁化記録用媒体の製造
方法において、前記基板をあらかじめ加熱した状
態でチタニウム等の六方稠密格子構造の金属層を
形成し、しかる後該チタニウム等の六方稠密格子
構造の金属層上に垂直磁化膜を形成することを特
徴とする垂直磁化記録用媒体の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP56180745A JPS5883326A (ja) | 1981-11-10 | 1981-11-10 | 垂直磁化記録用媒体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP56180745A JPS5883326A (ja) | 1981-11-10 | 1981-11-10 | 垂直磁化記録用媒体の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS5883326A JPS5883326A (ja) | 1983-05-19 |
JPH0338655B2 true JPH0338655B2 (ja) | 1991-06-11 |
Family
ID=16088563
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP56180745A Granted JPS5883326A (ja) | 1981-11-10 | 1981-11-10 | 垂直磁化記録用媒体の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS5883326A (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6166218A (ja) * | 1984-09-10 | 1986-04-05 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 磁気記録媒体 |
-
1981
- 1981-11-10 JP JP56180745A patent/JPS5883326A/ja active Granted
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS5883326A (ja) | 1983-05-19 |
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