JPH0338624A - 配線電極 - Google Patents
配線電極Info
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- JPH0338624A JPH0338624A JP17458589A JP17458589A JPH0338624A JP H0338624 A JPH0338624 A JP H0338624A JP 17458589 A JP17458589 A JP 17458589A JP 17458589 A JP17458589 A JP 17458589A JP H0338624 A JPH0338624 A JP H0338624A
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- film
- electrode
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Links
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Landscapes
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
- Liquid Crystal (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は配線電極に関し、特に製造歩留りの高い液晶表
示装置の配線電極に関する。
示装置の配線電極に関する。
近年、オフィスオートメーションの進展に伴い、マンマ
シンインターフェイスとしてのフラットパネルデイスプ
レィの開発が活発に進められている。液晶表示装置にお
いても、ＣＲＴと同等の高い表示情報量を得るため、ア
クティブマトリクス基板の開発が盛んに行なわれている
。従来、この種のアクティブマトリクス基板に使用され
る配ａｔ極は、大面積になればなるほど断線の発生確立
が高くなり、アクティブマトリクス基板の歩留りが゛低
下する。これは、成膜工程やホトレジスト工程での欠陥
やごみに起因するものと配線！極の膜質そのものに起因
するものとがある。欠陥やごみの問題は難問ではあるが
設備の改良とともに改善され歩留りも向上してきている
。しかしながら、膜質そのものに起因するものは改善さ
れていないのが現状である。
シンインターフェイスとしてのフラットパネルデイスプ
レィの開発が活発に進められている。液晶表示装置にお
いても、ＣＲＴと同等の高い表示情報量を得るため、ア
クティブマトリクス基板の開発が盛んに行なわれている
。従来、この種のアクティブマトリクス基板に使用され
る配ａｔ極は、大面積になればなるほど断線の発生確立
が高くなり、アクティブマトリクス基板の歩留りが゛低
下する。これは、成膜工程やホトレジスト工程での欠陥
やごみに起因するものと配線！極の膜質そのものに起因
するものとがある。欠陥やごみの問題は難問ではあるが
設備の改良とともに改善され歩留りも向上してきている
。しかしながら、膜質そのものに起因するものは改善さ
れていないのが現状である。
上述した従来のアクティブマトリクス基板の配＆！電極
は、基板ないしは配線！極下層の下地に対し、密着性を
良くしようとすると配線電極そのものの応力が増加し、
膜厚が厚くなると基板がそったり、配ＩＡ電極が切断さ
れる確率が高くなるという欠点がある。
は、基板ないしは配線！極下層の下地に対し、密着性を
良くしようとすると配線電極そのものの応力が増加し、
膜厚が厚くなると基板がそったり、配ＩＡ電極が切断さ
れる確率が高くなるという欠点がある。
一方、アクティブマトリクス基板は、一般に、配線を極
が交差したり能動素子部との接合のため配線ｔｉを薄く
するには限界がある。また、配線電極を異種の金属膜で
２Ｊ１１にすることも考えられるが、製造工数が増加す
るばかりでなく、材質の異なる金属のため熱膨張の違い
や付着力の相違により上述したような欠陥をなくすこと
はできない。
が交差したり能動素子部との接合のため配線ｔｉを薄く
するには限界がある。また、配線電極を異種の金属膜で
２Ｊ１１にすることも考えられるが、製造工数が増加す
るばかりでなく、材質の異なる金属のため熱膨張の違い
や付着力の相違により上述したような欠陥をなくすこと
はできない。
本発明の目的は、密着性が強く、基板のそりや断線のな
い配ｔｘｔ極を提供することにある。
い配ｔｘｔ極を提供することにある。
本発明の配線を極は、同一材質の金属よりなり膜形成時
の成膜条件が異なる下層金属層と上層金属層とを含んで
精成されている。
の成膜条件が異なる下層金属層と上層金属層とを含んで
精成されている。
次に、本発明の実施例について図面を参照して説明する
。
。
第１図は本発明の一実施例の縦断面図、第２図は第１図
の配線を極形成方法の第１の実施例を説明する模式図で
ある。
の配線を極形成方法の第１の実施例を説明する模式図で
ある。
配線電極は、第１図に示すように、ガラス基板１上にプ
ラズマＣＶＤ方による窒化シリコンＷＡ２を形成した後
、下層クロム膜、上層クロム膜を形成しホトレジスト法
によりバターニングして下層クロム電極３、上層クロム
電極４を形成した。
ラズマＣＶＤ方による窒化シリコンＷＡ２を形成した後
、下層クロム膜、上層クロム膜を形成しホトレジスト法
によりバターニングして下層クロム電極３、上層クロム
電極４を形成した。
配線電極形成方法の第１の実施例は、第２図に示すよう
に、下層クロム股上にターゲットＢ５−２、ターゲット
Ｃ５−３で同一真空中で放電電力を２ｋＷの条件で成膜
した。膜厚は、それぞれ２５００Ａとなるように、ガラ
ス基板１搬送速度を一定とし、ターゲット幅を変えて成
膜した。このようにして作成した配線電極は、ガラス基
板１のそりや配線電極のはがれがなく、製造歩留りもほ
ぼ１００％に近かった。
に、下層クロム股上にターゲットＢ５−２、ターゲット
Ｃ５−３で同一真空中で放電電力を２ｋＷの条件で成膜
した。膜厚は、それぞれ２５００Ａとなるように、ガラ
ス基板１搬送速度を一定とし、ターゲット幅を変えて成
膜した。このようにして作成した配線電極は、ガラス基
板１のそりや配線電極のはがれがなく、製造歩留りもほ
ぼ１００％に近かった。
ここで、ガラス基板上１にプラズマＣＶＤ法による窒化
シリコン膜２を形成したのは、薄膜トランジスタを使用
したアクティブマトリクス基板を想定したためである。
シリコン膜２を形成したのは、薄膜トランジスタを使用
したアクティブマトリクス基板を想定したためである。
下層クロム膜のプラズマＣＶＤ！ｉｌ化シリコンＷＡ２
への付着力は４０ＭＰａ。
への付着力は４０ＭＰａ。
応力は９００ＭＰａ、上層クロムの窒化シリコン膜への
付着力はｌＱＭＰａ、応力は３００ＭＰａであった。５
０００人のクロム膜を下層クロム条件だけで作成すると
、応力が強く、基板がそって配線電極が形成できないも
のがあった。一方、上層クロム条件だけで作成すると、
付着力が弱く、配線電極にはがれが多かった。
付着力はｌＱＭＰａ、応力は３００ＭＰａであった。５
０００人のクロム膜を下層クロム条件だけで作成すると
、応力が強く、基板がそって配線電極が形成できないも
のがあった。一方、上層クロム条件だけで作成すると、
付着力が弱く、配線電極にはがれが多かった。
第３図（ａ）、（ｂ）は第１図の配！！電極の形成方法
の第２の実施例を説明する模式図である。
の第２の実施例を説明する模式図である。
配線ｔ８ｉ形成方法の第２の実施例は、第３図（ａ）に
示す往路で窒化シリコンＩｉ２上にアルゴン雰囲気中真
空度０．２Ｐａ、放電電力４ｋＷで７５０＾の下層クロ
ム膜を形成し、第３図（ｂ）に示す復路でアルゴン雰囲
気中真空度０．ＩＰａ。
示す往路で窒化シリコンＩｉ２上にアルゴン雰囲気中真
空度０．２Ｐａ、放電電力４ｋＷで７５０＾の下層クロ
ム膜を形成し、第３図（ｂ）に示す復路でアルゴン雰囲
気中真空度０．ＩＰａ。
放電電力２ｋＷで４２５ＯＡの上層クロム膜を形成した
。膜厚のコントロールは、往路と復路でのガラス基板１
搬送速度を変えて行なった。
。膜厚のコントロールは、往路と復路でのガラス基板１
搬送速度を変えて行なった。
このようにして、作成した配線電極も第１の実施例と同
様にガラス基板のそりや配ｖＡ電極のはがれがなく、良
好な製造歩留りを示した。
様にガラス基板のそりや配ｖＡ電極のはがれがなく、良
好な製造歩留りを示した。
下層クロムのプラズマＣＶＤ１化シリコン膜への付着力
は４０ＭＰａ、応力は３００ＭＰａ。
は４０ＭＰａ、応力は３００ＭＰａ。
上層クロムの窒化シリコン膜への付着力は１０ＭＰａ、
応力は６００ＭＰａであった。
応力は６００ＭＰａであった。
以上説明したように本発明は、同一材質の金属で成膜条
件が異なる下層電極と上層電極を形成するため、下層電
極は下地と密着性の良い条件で上層電極は応力の少ない
条件でｒｓ、Ｍできるため配線電極によるガラス基板の
そりや膜はがれがなく、製造歩留りの高い配＆！電極を
提供できる効果がある。
件が異なる下層電極と上層電極を形成するため、下層電
極は下地と密着性の良い条件で上層電極は応力の少ない
条件でｒｓ、Ｍできるため配線電極によるガラス基板の
そりや膜はがれがなく、製造歩留りの高い配＆！電極を
提供できる効果がある。
第１図は本発明の一実施例の縦断面図、第２図は第１図
の配線電極形成方法の第１の実施例を説明する模式図、
第３図（ａ）、（ｂ）は第１図の配置ｔ８ｉ形成方法の
第２の実施例を説明する模式１・・・ガラス基板、２・
・・窒化シリコン膜、３・・・下層クロムを極、４・・
・上層クロムｔ８ｉ、５・・・ターゲット。
の配線電極形成方法の第１の実施例を説明する模式図、
第３図（ａ）、（ｂ）は第１図の配置ｔ８ｉ形成方法の
第２の実施例を説明する模式１・・・ガラス基板、２・
・・窒化シリコン膜、３・・・下層クロムを極、４・・
・上層クロムｔ８ｉ、５・・・ターゲット。
Claims (1)
- 同一材質の金属よりなり膜形成時の成膜条件が異なる下
層金属層と上層金属層とを含んで構成されていることを
特徴とする配線電極。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17458589A JPH0338624A (ja) | 1989-07-05 | 1989-07-05 | 配線電極 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17458589A JPH0338624A (ja) | 1989-07-05 | 1989-07-05 | 配線電極 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0338624A true JPH0338624A (ja) | 1991-02-19 |
Family
ID=15981133
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17458589A Pending JPH0338624A (ja) | 1989-07-05 | 1989-07-05 | 配線電極 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0338624A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06288717A (ja) * | 1993-02-11 | 1994-10-18 | Dr Johannes Heidenhain Gmbh | 目盛担持体 |
-
1989
- 1989-07-05 JP JP17458589A patent/JPH0338624A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06288717A (ja) * | 1993-02-11 | 1994-10-18 | Dr Johannes Heidenhain Gmbh | 目盛担持体 |
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