CN109742102A - 显示面板及其制作方法 - Google Patents
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- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title abstract description 6
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 claims abstract description 196
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 88
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 88
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 63
- 230000008569 process Effects 0.000 claims abstract description 42
- 238000009413 insulation Methods 0.000 claims abstract description 39
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims abstract description 33
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 16
- 238000004380 ashing Methods 0.000 claims abstract description 9
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 claims description 10
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 claims description 9
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 3
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 claims description 3
- 238000003860 storage Methods 0.000 claims description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 9
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 7
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 5
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 5
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000004411 aluminium Substances 0.000 description 3
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 3
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910000809 Alumel Inorganic materials 0.000 description 2
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910001182 Mo alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910001080 W alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 2
- 229920001621 AMOLED Polymers 0.000 description 1
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UQZIWOQVLUASCR-UHFFFAOYSA-N alumane;titanium Chemical group [AlH3].[Ti] UQZIWOQVLUASCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 230000003139 buffering effect Effects 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 238000005034 decoration Methods 0.000 description 1
- 238000005265 energy consumption Methods 0.000 description 1
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 230000000717 retained effect Effects 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
- H01L21/77—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
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- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Thin Film Transistor (AREA)
- Liquid Crystal (AREA)
Abstract
本申请提出了一种显示面板及其制作方法，提供一衬底，在所述衬底上依次形成有源层、第一绝缘层及第一金属层；在所述第一金属层上形成第一光阻层，对所述第一光阻层进行第一光罩工艺；对所述有源层、所述第一绝缘层及所述第一金属层进行第一次蚀刻工艺；对所述第一光阻层进行灰化处理；对所述第一金属层进行第二蚀刻工艺，使得所述第一金属层形成第一栅极和第二栅极；在所述第一栅极及所述第二栅极上形成源漏极。本申请通过一道光罩工艺同时完成有源层、栅极层及栅绝缘层的图案化处理，简化了显示面板的制作工艺，提高了制程效率，降低了生产成本，提高了产品的良率。
Description
技术领域
本申请涉及显示领域，特别涉及一种显示面板及其制作方法。
背景技术
有机发光二极管(Organic Light-Emitting Diode，OLED)显示器具有轻薄、主动发光、响应速度快、可视角大、色域宽、亮度高和功耗低等众多优点，逐渐成为继液晶显示器后的第三代显示技术。
在现有AMOLED显示面板中，驱动发光的阵列层的膜层较多，因此需要进行光罩的次数较多，不仅增加时间以及物料成本，工艺的复杂性也使得良率受到影响。
发明内容
本申请提供一种显示面板及其制作方法，以解决现有显示面板工艺复杂的技术问题。
为解决上述问题，本申请提供的技术方案如下：
本申请提出了一种显示面板的制作方法，其包括：
提供一衬底，在所述衬底上依次形成有源层、第一绝缘层及第一金属层；
在所述第一金属层上形成第一光阻层，对所述第一光阻层进行第一光罩工艺；
对所述有源层、所述第一绝缘层及所述第一金属层进行第一次蚀刻工艺；
对所述第一光阻层进行灰化处理；
对所述第一金属层进行第二蚀刻工艺，使得所述第一金属层形成第一栅极和第二栅极；
在所述第一栅极及所述第二栅极上形成源漏极。
在本申请的制作方法中，在所述第一金属层上形成第一光阻层，对所述第一光阻层进行第一光罩工艺的步骤包括：
在所述第一金属层上形成所述第一光阻层；
利用一多段式掩膜版，对所述第一光阻层曝光及显影处理；
其中，图案化处理后的所述第一光阻层包括第一光阻区和第二光阻区，所述第一光阻区包括第一光阻子区域和第二光阻子区域，所述第二光阻区包括第三光阻子区域和第四光阻子区域，
第一光阻子区域、第二光阻子区域、第三光阻子区域、及第四光阻子区域的厚度不相同。
在本申请的制作方法中，
所述第一光阻区包括一所述第一光阻子区域和两所述第二光阻子区域，所述第二光阻子区域位于所述第一光阻子区域的两侧；
所述第二光阻区包括一所述第三光阻子区域和一所述第四光阻子区域，所述第三光阻子区域位于所述第四光阻子区域的一侧。
在本申请的制作方法中，所述第一光阻子区域的厚度大于所述第二光阻子区域的厚度；
所述第三光阻子区域的厚度大于所述第四光阻子区域的厚度。
在本申请的制作方法中，对所述有源层、所述第一绝缘层及所述第一金属层进行第一次蚀刻工艺的步骤包括：
对所述第一金属层进行第一湿法蚀刻工艺，图案化处理后的所述第一金属层包括第一金属区和第二金属区；
对所述第一绝缘层进行第一干法蚀刻工艺，图案化处理后的所述第一绝缘层包括第一绝缘区和第二绝缘区；
对所述有源层进行第二湿法蚀刻工艺，图案化处理后的所述有源层包括第一有源区和第二有源区；
所述第一有源区、第一金属区及所述第一绝缘区与第一光阻区对应；
所述第二有源区、第二金属区及所述第二绝缘区与第二光阻区对应。
在本申请的制作方法中，对所述第一光阻层进行灰化处理的步骤包括：
使用等离子体对第一光阻区及第二光阻区内的光阻进行灰化处理，去除第二光阻子区域和第四光阻子区域内的光阻，并使第一光阻子区域和第三光阻子区域内光阻的厚度减薄。
在本申请的制作方法中，对所述第一金属层进行第二蚀刻工艺，使得所述第一金属层形成第一栅极和第二栅极的步骤包括：
利用第三湿法蚀刻工艺去除第一金属区内未被光阻所覆盖的所述第一金属层以形成所述第一栅极、以及去除第二金属区内未被光阻所覆盖的所述第一金属层以形成所述第二栅极；
利用第二干法蚀刻工艺去除第一绝缘区内未被光阻所覆盖的所述第一绝缘层以形成所述第一栅绝缘层、以及去除第二绝缘区内未被光阻所覆盖的所述第一绝缘层以形成所述第二栅绝缘层；
所述第一栅极及所述第一栅绝缘层位于第一有源区上；
所述第二栅极及所述第二栅绝缘层位于第二有源区上。
在本申请的制作方法中，在所述第一栅极及所述第二栅极上形成源漏极的步骤包括：
在所述第一栅极及所述第二栅极上形成第二绝缘层；
在所述第二绝缘层上形成第一过孔和第二过孔；
在所述第二绝缘层上形成第二金属层；
对所述第二金属层使用第三蚀刻工艺，使所述第二金属层形成第一源漏极和第二源漏极；
所述第一过孔位于第二光阻子区域所对应的所述第二绝缘层上，所述第二过孔位于第四光阻子区域所对应的所述第二绝缘层上；
所述第一源漏极通过所述第一过孔与第一有源区电连接；
所述第二源漏极通过所述第二过孔与第二有源区电连接。
在本申请的制作方法中，所述第二源漏极、所述第二栅极以及所述第二有源区形成所述显示面板的存储电容。
本申请提出了一种显示面板，其中，所述显示面板采用上述的制作方法制成。
有益效果：本申请通过一道光罩工艺同时完成有源层、栅极层及栅绝缘层的图案化处理，简化了显示面板的制作工艺，提高了制程效率，降低了生产成本，提高了产品的良率。
附图说明
为了更清楚地说明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本申请显示面板制作方法的步骤图；
图2A～2F为本申请显示面板制作方法的工艺图。
具体实施方式
以下各实施例的说明是参考附加的图示，用以例示本申请可用以实施的特定实施例。本申请所提到的方向用语，例如[上]、[下]、[前]、[后]、[左]、[右]、[内]、[外]、[侧面]等，仅是参考附加图式的方向。因此，使用的方向用语是用以说明及理解本申请，而非用以限制本申请。在图中，结构相似的单元是用以相同标号表示。
请参阅图1，图1为本申请显示面板100制作方法的步骤图。
请参阅图2A～2F，图2A～2F为本申请显示面板100制作方法的工艺图。
所述制作方法包括：
S10、提供一衬底10，在所述衬底10上依次形成有源层30、第一绝缘层40及第一金属层50；
请参阅图2A，步骤S10包括：
S101、提供一衬底10；
所述衬底10的原材料可以为玻璃基板、石英基板、树脂基板等中的一种。
在一种实施例中，所述衬底10还可以为柔性基板。所述柔性基板的材料可以为PI(聚酰亚胺)。
S102、在所述衬底10上形成一缓冲层20；
所述缓冲层20形成于所述阻挡层上，主要用于缓冲膜层质结构之间的压力，并且还可以具有一定阻水氧的功能。
在一种实施例中，所述缓冲层20的厚度为400纳米。
S103、在所述缓冲层20上形成一有源层30；
在一种实施例中，所述有源层30的材料可以为铟镓锌氧化物(IGZO)。
S104、在所述有源层30上形成一第一绝缘层40；
所述第一栅绝缘层41形成于所述有源层30上。所述第一栅绝缘层41将所述有源层30覆盖，所述第一栅绝缘层41主要用于将所述有源层30与位于所述有源层30上的金属层隔离。
在一种实施例中，所述第一绝缘层40为栅绝缘层。
在一种实施例中，所述第一绝缘层40的材料可以为三氧化二铝、氮化硅、氧化硅或氮氧化硅等。
S105、在所述第一绝缘层40上形成一第一金属层50；
所述第一金属层50形成于所述第一绝缘层40上。所述第一金属层50的金属材料通常可以采用钼、铝、铝镍合金、钼钨合金、铬、或铜等金属中的一种，也可以使用上述几种金属材料的组合物。
在一种实施例中，所述第一金属层50的材料可以为钼。
S20、在所述第一金属层50上形成第一光阻层60，对所述第一光阻层进行第一光罩工艺；
请参阅图2B，步骤S20包括：
S201、在所述第一金属层50上形成所述第一光阻层60；
在一种实施例中，所述第一光阻层60为正性光阻。
S202、利用一多段式掩膜版200，对所述第一光阻层60曝光及显影处理；
在本步骤中，所述第一光阻层60经紫外曝光及显影液涂布后，形成如图2B所示的形状。
在一种实施例中，图案化处理后的所述第一光阻层60包括第一光阻区601和第二光阻区602。
所述第一光阻区601包括第一光阻子区域6011和第二光阻子区域6012，所述第二光阻区602包括第三光阻子区域6021和第四光阻子区域6022。
第一光阻子区域6011、第二光阻子区域6012、第三光阻子区域6021、及第四光阻子区域6022的厚度不相同。
所述第一光阻区601包括一所述第一光阻子区域6011和两所述第二光阻子区域6012，所述第二光阻子区域6012位于所述第一光阻子区域6011的两侧；
所述第二光阻区602包括一所述第三光阻子区域6021和一所述第四光阻子区域6022，所述第三光阻子区域6021位于所述第四光阻子区域6022的一侧。
所述多段式掩膜版200包括第一掩膜区201、第二掩膜区202、第三掩膜区203、第四掩膜区204以及第无掩膜区。
所述第一掩膜区201对应所述第一光阻子区域6011，所述第二掩膜区202对应所述第二光阻子区域6012，所述第三掩膜区203对应所述第三光阻子区域6021，所述第四掩膜区204对应所述第四光阻子区域6022。所述第五掩膜区205为剩余掩膜区。
不同的掩膜区所对应的光穿透率不同。
在一种实施例中，所述第一掩膜区201和所述第三掩膜区203的光穿透率相同。
在一种实施例中，所述第一掩膜区201和所述第三掩膜区203的光穿透率为0％。
在一种实施例中，所述第二掩膜区202和所述第四掩膜区204的光穿透率相同。
在一种实施例中，所述第二掩膜区202和所述第四掩膜区204的光穿透率为50％。
在一种实施例中，所述第五掩膜区205的光穿透率为100％。
基于所述多段式掩膜版200的光穿透率，所述第一光阻层60中的不同区域的光阻所对应的厚度不同。
在一种实施例中，所述第一光阻子区域6011的厚度大于所述第二光阻子区域6012的厚度。所述第三光阻子区域6021的厚度大于所述第四光阻子区域6022的厚度。所述第五掩膜区205对应的光阻则全部被被显影液溶解。
在一种实施例中，所述第一光阻子区域6011的厚度与所述第三光阻子区域6021的厚度相同。
在一种实施例中，所述第二光阻子区域6012的厚度与所述第四光阻子区域6022的厚度相同。
在一种实施例中，所述第二光阻子区域6012及所述第四光阻子区域6022的厚度为所述第一光阻子区域6011及所述第三光阻子区域6021的厚度的一半。
在一种实施例中，所述第一光阻区601与所述第二光阻区602之间存在一定的间距。
S30、对所述有源层30、所述第一绝缘层40及所述第一金属层50进行第一次蚀刻工艺；
请参阅图2C，步骤S30具体包括：
S301、对所述第一金属层50进行第一湿法蚀刻工艺，图案化处理后的所述第一金属层50包括第一金属区501和第二金属区502；
在本步骤中，去除未被所述第一光阻区601和所述第二光阻区602所覆盖的所述第一金属层50中的金属，形成如图2C所示的图案。
S302、对所述第一绝缘层40进行第一干法蚀刻工艺，图案化处理后的所述第一绝缘层40包括第一绝缘区401和第二绝缘区402；
在本步骤中，去除未被所述第一光阻区601和所述第二光阻区602所覆盖的所述第一绝缘层40，形成如图2C所示的图案。
S303、对所述有源层30进行第二湿法蚀刻工艺，图案化处理后的所述有源层30包括第一有源区301和第二有源区302；
在本步骤中，去除未被所述第一光阻区601和所述第二光阻区602所覆盖的所述有源层30，形成如图2C所示的图案。
在一种实施例中，所述第一有源区301、第一金属区501及所述第一绝缘区401与第一光阻区601对应。
在一种实施例中，所述第二有源区302、第二金属区502及所述第二绝缘区402与第二光阻区602对应。
S40、对所述第一光阻层60进行灰化处理；
请参阅图2D，使用等离子体对第一光阻区601及第二光阻区602内的光阻进行灰化处理。去除第二光阻子区域6012和第四光阻子区域6022内的光阻，并使第一光阻子区域6011和第三光阻子区域6021内光阻的厚度减薄。
在一种实施例中，所述等离子体可以为等离子氧。
S50、对所述第一金属层50进行第二蚀刻工艺，使得所述第一金属层50形成第一栅极51和第二栅极52；
请参阅图2E，步骤S50包括：
S501、利用第三湿法蚀刻工艺去除第一金属区501内未被光阻所覆盖的所述第一金属层50以形成所述第一栅极51、以及去除第二金属区502内未被光阻所覆盖的所述第一金属层50以形成所述第二栅极52；
在本步骤中，利用第三湿法蚀刻工艺去除所述第二光阻子区域6012及所述第四光阻子区域6022所对应的第一金属层50，保留所述第一光阻子区域6011及所述第三光阻子区域6021所对应的第一金属层50，使得所述第一光阻子区域6011所对应的所述第一金属层50形成第一栅极51，使得所述第三光阻子区域6021所对应的所述第一金属层50形成第二栅极52。
S502、利用第二干法蚀刻工艺去除第一绝缘区401内未被光阻所覆盖的所述第一绝缘层40以形成所述第一栅绝缘层41、以及去除第二绝缘区402内未被光阻所覆盖的所述第一绝缘层40以形成所述第二栅绝缘层42；
与步骤S501类似，在本步骤中，利用第二干法蚀刻工艺去除所述第二光阻子区域6012及所述第四光阻子区域6022所对应的第一绝缘层40，保留所述第一光阻子区域6011及所述第三光阻子区域6021所对应的第一绝缘层40，使得所述第一光阻子区域6011所对应的所述第一绝缘层40形成第一栅绝缘层41，使得所述第三光阻子区域6021所对应的所述第一绝缘层40形成第二栅绝缘层42。
在一种实施例中，所述第一栅极51及所述第一栅绝缘层41位于第一有源区301上，所述第二栅极52及所述第二栅绝缘层42位于第二有源区302上。
S503、剥离所述第一栅极51及所述第二栅极52上的光阻。
S60、在所述第一栅极51及所述第二栅极52上形成源漏极。
请参阅图2F，步骤S60包括：
S601、在所述第一栅极51及所述第二栅极52上形成第二绝缘层70；
所述第二绝缘层70覆盖所述第一栅极51、所述第二栅极52以及未被所述第一绝缘层40覆盖的所述第一有源区301及第二有源区302。
在一种实施例中，所述第二绝缘层70为间绝缘层。所述第二绝缘层70的材料可以与所述第一绝缘层40的材料相同。
S602、在所述第二绝缘层70上形成第一过孔701和第二过孔702；
在一种实施例中，所述第一过孔701位于第二光阻子区域6012所对应的所述第二绝缘层70上，所述第一过孔701使部分所述第一有源区301裸露。
在一种实施例中，所述第二过孔702位于第四光阻子区域6022所对应的所述第二绝缘层70上，所述第二过孔702使部分所述第二有源区302裸露。
S603、在所述第二绝缘层70上形成第二金属层；
所述第二金属层的金属材料可以采用钼、铝、铝镍合金、钼钨合金、铬、铜或钛铝合金等金属中的一种，也可以使用上述几种金属材料的组合物。
在一种实施例中，所述第二金属层的材料可以为钛铝合金。
S604、对所述第二金属层使用第三蚀刻工艺，使所述第二金属层形成第一源漏极801和第二源漏极802；
在一种实施例中，所述第一源漏极801通过所述第一过孔701与所述第一有源区301电连接。
在一种实施例中，所述第二源漏极802通过所述第二过孔702与所述第二有源区302电连接。
而所述第二源漏极802、所述第二栅极52以及所述第二有源区302并联形成所述显示面板100的存储电容。
所述制作方法还包括在所述第二金属层上形成平坦层90、有机发光层及封装层等，具体不再阐述。
本申请还提出了一种显示面板，所述显示面板采用上述制作方法制成。
本申请提出了一种显示面板及其制作方法，提供一衬底，在所述衬底上依次形成有源层、第一绝缘层及第一金属层；在所述第一金属层上形成第一光阻层，对所述第一光阻层进行第一光罩工艺；对所述有源层、所述第一绝缘层及所述第一金属层进行第一次蚀刻工艺；对所述第一光阻层进行灰化处理；对所述第一金属层进行第二蚀刻工艺，使得所述第一金属层形成第一栅极和第二栅极；在所述第一栅极及所述第二栅极上形成源漏极。本申请通过一道光罩工艺同时完成有源层、栅极层及栅绝缘层的图案化处理，简化了显示面板的制作工艺，提高了制程效率，降低了生产成本，提高了产品的良率。
综上所述，虽然本申请已以优选实施例揭露如上，但上述优选实施例并非用以限制本申请，本领域的普通技术人员，在不脱离本申请的精神和范围内，均可作各种更动与润饰，因此本申请的保护范围以权利要求界定的范围为准。
Claims (10)
1.一种显示面板的制作方法，其特征在于，包括：
提供一衬底，在所述衬底上依次形成有源层、第一绝缘层及第一金属层；
在所述第一金属层上形成第一光阻层，对所述第一光阻层进行第一光罩工艺；
对所述有源层、所述第一绝缘层及所述第一金属层进行第一次蚀刻工艺；
对所述第一光阻层进行灰化处理；
对所述第一金属层进行第二蚀刻工艺，使得所述第一金属层形成第一栅极和第二栅极；
在所述第一栅极及所述第二栅极上形成源漏极。
2.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，在所述第一金属层上形成第一光阻层，对所述第一光阻层进行第一光罩工艺的步骤包括：
在所述第一金属层上形成所述第一光阻层；
利用一多段式掩膜版，对所述第一光阻层曝光及显影处理；
其中，图案化处理后的所述第一光阻层包括第一光阻区和第二光阻区，所述第一光阻区包括第一光阻子区域和第二光阻子区域，所述第二光阻区包括第三光阻子区域和第四光阻子区域，
第一光阻子区域、第二光阻子区域、第三光阻子区域、及第四光阻子区域的厚度不相同。
3.根据权利要求2所述的制作方法，其特征在于，
所述第一光阻区包括一所述第一光阻子区域和两所述第二光阻子区域，所述第二光阻子区域位于所述第一光阻子区域的两侧；
所述第二光阻区包括一所述第三光阻子区域和一所述第四光阻子区域，所述第三光阻子区域位于所述第四光阻子区域的一侧。
4.根据权利要求2所述的制作方法，其特征在于，所述第一光阻子区域的厚度大于所述第二光阻子区域的厚度；
所述第三光阻子区域的厚度大于所述第四光阻子区域的厚度。
5.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，对所述有源层、所述第一绝缘层及所述第一金属层进行第一次蚀刻工艺的步骤包括：
对所述第一金属层进行第一湿法蚀刻工艺，图案化处理后的所述第一金属层包括第一金属区和第二金属区；
对所述第一绝缘层进行第一干法蚀刻工艺，图案化处理后的所述第一绝缘层包括第一绝缘区和第二绝缘区；
对所述有源层进行第二湿法蚀刻工艺，图案化处理后的所述有源层包括第一有源区和第二有源区；
所述第一有源区、第一金属区及所述第一绝缘区与第一光阻区对应；
所述第二有源区、第二金属区及所述第二绝缘区与第二光阻区对应。
6.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，对所述第一光阻层进行灰化处理的步骤包括：
使用等离子体对第一光阻区及第二光阻区内的光阻进行灰化处理，去除第二光阻子区域和第四光阻子区域内的光阻，并使第一光阻子区域和第三光阻子区域内光阻的厚度减薄。
7.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，对所述第一金属层进行第二蚀刻工艺，使得所述第一金属层形成第一栅极和第二栅极的步骤包括：
利用第三湿法蚀刻工艺去除第一金属区内未被光阻所覆盖的所述第一金属层以形成所述第一栅极、以及去除第二金属区内未被光阻所覆盖的所述第一金属层以形成所述第二栅极；
利用第二干法蚀刻工艺去除第一绝缘区内未被光阻所覆盖的所述第一绝缘层以形成所述第一栅绝缘层、以及去除第二绝缘区内未被光阻所覆盖的所述第一绝缘层以形成所述第二栅绝缘层；
所述第一栅极及所述第一栅绝缘层位于第一有源区上；
所述第二栅极及所述第二栅绝缘层位于第二有源区上。
8.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，在所述第一栅极及所述第二栅极上形成源漏极的步骤包括：
在所述第一栅极及所述第二栅极上形成第二绝缘层；
在所述第二绝缘层上形成第一过孔和第二过孔；
在所述第二绝缘层上形成第二金属层；
对所述第二金属层使用第三蚀刻工艺，使所述第二金属层形成第一源漏极和第二源漏极；
所述第一过孔位于第二光阻子区域所对应的所述第二绝缘层上，所述第二过孔位于第四光阻子区域所对应的所述第二绝缘层上；
所述第一源漏极通过所述第一过孔与第一有源区电连接；
所述第二源漏极通过所述第二过孔与第二有源区电连接。
9.根据权利要求8所述的制作方法，其特征在于，所述第二源漏极、所述第二栅极以及所述第二有源区形成所述显示面板的存储电容。
10.一种显示面板，其特征在于，所述显示面板采用如权利要求1～9任一项所述的制作方法制成。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201811625477.3A CN109742102B (zh) | 2018-12-28 | 2018-12-28 | 显示面板及其制作方法 |
| PCT/CN2019/079524 WO2020133754A1 (zh) | 2018-12-28 | 2019-03-25 | 显示面板及其制作方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201811625477.3A CN109742102B (zh) | 2018-12-28 | 2018-12-28 | 显示面板及其制作方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN109742102A true CN109742102A (zh) | 2019-05-10 |
| CN109742102B CN109742102B (zh) | 2020-12-25 |
Family
ID=66361967
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201811625477.3A Active CN109742102B (zh) | 2018-12-28 | 2018-12-28 | 显示面板及其制作方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN109742102B (zh) |
| WO (1) | WO2020133754A1 (zh) |
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2018
- 2018-12-28 CN CN201811625477.3A patent/CN109742102B/zh active Active
-
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- 2019-03-25 WO PCT/CN2019/079524 patent/WO2020133754A1/zh active Application Filing
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| WO2020133754A1 (zh) | 2020-07-02 |
| CN109742102B (zh) | 2020-12-25 |
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|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant |