JPH0338623A - 高い自然分極と低い螺旋ピッチを持つ強誘電性液晶部材 - Google Patents
高い自然分極と低い螺旋ピッチを持つ強誘電性液晶部材Info
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- JPH0338623A JPH0338623A JP2166543A JP16654390A JPH0338623A JP H0338623 A JPH0338623 A JP H0338623A JP 2166543 A JP2166543 A JP 2166543A JP 16654390 A JP16654390 A JP 16654390A JP H0338623 A JPH0338623 A JP H0338623A
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- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
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- G02F1/141—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells characterised by the electro-optical or magneto-optical effect, e.g. field-induced phase transition, orientation effect, guest-host interaction or dynamic scattering based on orientation effects in which the liquid crystal remains transparent using ferroelectric liquid crystals
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
強誘電性液晶混合物(FLC混合物〉を含むスウィッチ
部材とデイスプレ一部材(“FLCディスプレー”)は
、例えば、EP−Bo、032,362号(−US−A
4,367.924号等で公知である。それらはFLC
層がその両側を特殊な層によって囲われており、それら
の層は普通はFLC層からスタートして此の順序に、少
なくとも一つの電気的絶縁層、電極、及び境界板(例え
ば、ガラス製の)から戒っている。更に、これらは若し
もそれらを“ゲスト−ホスト”モード又は再帰モードで
運転するならば一つの偏光子を、若しも屈折による分光
透過率をモードとして使用するならば二つの偏光子を含
む、一つ又は好ましくは二つの電気的な絶縁層は所謂配
向層として用いられる。
部材とデイスプレ一部材(“FLCディスプレー”)は
、例えば、EP−Bo、032,362号(−US−A
4,367.924号等で公知である。それらはFLC
層がその両側を特殊な層によって囲われており、それら
の層は普通はFLC層からスタートして此の順序に、少
なくとも一つの電気的絶縁層、電極、及び境界板(例え
ば、ガラス製の)から戒っている。更に、これらは若し
もそれらを“ゲスト−ホスト”モード又は再帰モードで
運転するならば一つの偏光子を、若しも屈折による分光
透過率をモードとして使用するならば二つの偏光子を含
む、一つ又は好ましくは二つの電気的な絶縁層は所謂配
向層として用いられる。
そのような配向層は、十分に小さく選ばれる境界板の面
間隔と一緒になって、FLC混合物中のFLCを分子が
長軸方向に互いに平行に並んだ配置を取らせ、スメクチ
ック平面は配向層に対して垂直または斜めに配置される
。このような並び方では、周知の如く分子は二つの等価
の配向を持ち、二つの配向の間で分子配向は電場のパル
スを適用することによってスウィッチ動作を行うことが
できる、即ち、FLCディスプレーは二つの方式にスウ
ィッチされる事ができ、スウィッチ開閉時間はマイクロ
秒の範的に在り、この時間はFLC混合物の自然骨%
(Spontaneous Po1arizatio
n)に逆比例する。
間隔と一緒になって、FLC混合物中のFLCを分子が
長軸方向に互いに平行に並んだ配置を取らせ、スメクチ
ック平面は配向層に対して垂直または斜めに配置される
。このような並び方では、周知の如く分子は二つの等価
の配向を持ち、二つの配向の間で分子配向は電場のパル
スを適用することによってスウィッチ動作を行うことが
できる、即ち、FLCディスプレーは二つの方式にスウ
ィッチされる事ができ、スウィッチ開閉時間はマイクロ
秒の範的に在り、この時間はFLC混合物の自然骨%
(Spontaneous Po1arizatio
n)に逆比例する。
現在でも猶産業界の慣習に多く見ることができるLC(
w!晶〉ディスプレーと比較した時のそのようなFLC
ディスプレーの本質的な優位性は、得られるマルチプレ
ックス比、即ち、タイム−シーケンシャルなプロセス(
“マルチプレックス゛°プロセス)において駆動し得る
ターゲットの最大数であると考えられ、それがFLCデ
ィスプレーの渇きには有意的に大きい、この電気的駆動
は本質的に上述の電気パルスによるアドレッシングに基
づいている。しかしながら、過去10年間にFLCディ
スプレーが更に発展した過程で不利な点も出現した。そ
れは前述の電気パルスによるアドレッシングが、自然分
極の変化が十分に小さな値の場合に限ってのみ頻繁に二
つの安定な状態の間で再現性のあるスウィッチ動作をす
ると言う事実に在る0例として、比較的長い時間二つの
安定な状態の一つく″静止イメージ”)に置かれていた
FLCでは、夫れぞれ別の状態へのスウィッチの切り替
えに非常な困難を伴なうこと、即ち、高い振幅を与えた
時か又は印加電圧の非常に長いパルス持続時間を与えた
場きのみスウィッチ動作をすると言うことが観察される
。ディスプレーに映し出されたものが映像である場合は
、光学的なヒステリシスによる此の挙動は、比較的長い
時間に互って描き出されたイメージが次のイメージの中
に“ゴーストイメージ”の形のシルエット(影法師)と
して認められる状態になる。このような光学的なヒステ
リシス現象はFLC混き物の自然分極が大きければ大き
い程−層顕著であるように見える。特別に分極が高い値
の場合(P S> 35 nC−cm−’)、一般に電
気パルスのアドレッシングでは最早いかなるスウィッチ
動作も達成することは出来ない。この光学的ヒステリシ
スの現象の原因に関する一つの考え方は、FLC混合物
中のイオン性の不純物がその原因ではないかと言うこと
である。以前から知られている解決策; a)FLC
混合物と電極の間を直接接触させることと b)集中的
洗浄、は未だ満足できる結果を与えていない。第一の方
法は短絡の回避に金が掛かり過ぎるし、第二の方法は混
合物の個々の各成分に就いて特別な洗浄を必要とする。
w!晶〉ディスプレーと比較した時のそのようなFLC
ディスプレーの本質的な優位性は、得られるマルチプレ
ックス比、即ち、タイム−シーケンシャルなプロセス(
“マルチプレックス゛°プロセス)において駆動し得る
ターゲットの最大数であると考えられ、それがFLCデ
ィスプレーの渇きには有意的に大きい、この電気的駆動
は本質的に上述の電気パルスによるアドレッシングに基
づいている。しかしながら、過去10年間にFLCディ
スプレーが更に発展した過程で不利な点も出現した。そ
れは前述の電気パルスによるアドレッシングが、自然分
極の変化が十分に小さな値の場合に限ってのみ頻繁に二
つの安定な状態の間で再現性のあるスウィッチ動作をす
ると言う事実に在る0例として、比較的長い時間二つの
安定な状態の一つく″静止イメージ”)に置かれていた
FLCでは、夫れぞれ別の状態へのスウィッチの切り替
えに非常な困難を伴なうこと、即ち、高い振幅を与えた
時か又は印加電圧の非常に長いパルス持続時間を与えた
場きのみスウィッチ動作をすると言うことが観察される
。ディスプレーに映し出されたものが映像である場合は
、光学的なヒステリシスによる此の挙動は、比較的長い
時間に互って描き出されたイメージが次のイメージの中
に“ゴーストイメージ”の形のシルエット(影法師)と
して認められる状態になる。このような光学的なヒステ
リシス現象はFLC混き物の自然分極が大きければ大き
い程−層顕著であるように見える。特別に分極が高い値
の場合(P S> 35 nC−cm−’)、一般に電
気パルスのアドレッシングでは最早いかなるスウィッチ
動作も達成することは出来ない。この光学的ヒステリシ
スの現象の原因に関する一つの考え方は、FLC混合物
中のイオン性の不純物がその原因ではないかと言うこと
である。以前から知られている解決策; a)FLC
混合物と電極の間を直接接触させることと b)集中的
洗浄、は未だ満足できる結果を与えていない。第一の方
法は短絡の回避に金が掛かり過ぎるし、第二の方法は混
合物の個々の各成分に就いて特別な洗浄を必要とする。
これまで知られているFLCディスプレーの場合は出発
点は、管理された基礎の上で、境界板の間隔を強誘電体
用特有の捩れ(パ螺旋″〉の発達が抑えられるように選
ぶことである。これは次のようにして行なわれる一最初
に引用した特許EP−Bを参照のこと一境界板の間隔が
大凡そ自然の螺旋ピッチの5倍以下になるようにする。
点は、管理された基礎の上で、境界板の間隔を強誘電体
用特有の捩れ(パ螺旋″〉の発達が抑えられるように選
ぶことである。これは次のようにして行なわれる一最初
に引用した特許EP−Bを参照のこと一境界板の間隔が
大凡そ自然の螺旋ピッチの5倍以下になるようにする。
しかしながら、光学的なスウィッチング挙動の為に、そ
して又全般的な技術上の理由から、プレートの間隔を任
意に小さく設定する可能性は実際上無いも同然であるの
で、実際の慣例では大凡そ2μ論の間隔が採用されてい
る。この理由から、従来は可能な限り最大の螺旋ピッチ
を有するFLC211き物の開発に努力が向けられてき
た。この努力は同じく又最近になってプレートの間隔を
螺旋ピッチの4分の1以下にすべきであると言う更に高
い要求(グレイ他、執 −モ ロビック よZと旦Uユ)に従って為されてきた。
して又全般的な技術上の理由から、プレートの間隔を任
意に小さく設定する可能性は実際上無いも同然であるの
で、実際の慣例では大凡そ2μ論の間隔が採用されてい
る。この理由から、従来は可能な限り最大の螺旋ピッチ
を有するFLC211き物の開発に努力が向けられてき
た。この努力は同じく又最近になってプレートの間隔を
螺旋ピッチの4分の1以下にすべきであると言う更に高
い要求(グレイ他、執 −モ ロビック よZと旦Uユ)に従って為されてきた。
本発明の目的は、自然分極の値が高いにも拘わらずいか
なる光学的ヒステリシスも示さないようなFLC混合物
を開発することである。
なる光学的ヒステリシスも示さないようなFLC混合物
を開発することである。
発明は、例えば、前述の特許EP−Bに記述されたよう
なSSFLC(“Su+(ace 5tabiliz
edF erroelecLric L 1quid
CrysLaloo、表面安定化強誘電性液晶)技
術を使って操作できる既知のFLCディスプレー(強誘
電体用を示すLC混き物を用いたディスプレーとスウィ
ッチ部材による〉から出発する。これらのFLCディス
プレーは、層の厚さ(即ち、境界プレートの間隔)が1
〜10μ噛、特に1.2〜3μ論のものである0本発明
に従えば、そのようなFLCディスプレーでは、高い自
然分極PS> 20 nC−cm−2<25°C″′C
測定して〉、好ましくはP 5 > 35 n C−c
i*−”、特に好ましくはP 5> 40 nC−2を
示し、そして自然の螺旋ピッチが前述のSSFLCディ
スプレーの層の厚さの半分以下、特に好ましくは171
0以上を示すようなFLC混含物が利用される。好まし
くは、そのようなディスプレーは電気パルスによるアド
レッシングを受ける。
なSSFLC(“Su+(ace 5tabiliz
edF erroelecLric L 1quid
CrysLaloo、表面安定化強誘電性液晶)技
術を使って操作できる既知のFLCディスプレー(強誘
電体用を示すLC混き物を用いたディスプレーとスウィ
ッチ部材による〉から出発する。これらのFLCディス
プレーは、層の厚さ(即ち、境界プレートの間隔)が1
〜10μ噛、特に1.2〜3μ論のものである0本発明
に従えば、そのようなFLCディスプレーでは、高い自
然分極PS> 20 nC−cm−2<25°C″′C
測定して〉、好ましくはP 5 > 35 n C−c
i*−”、特に好ましくはP 5> 40 nC−2を
示し、そして自然の螺旋ピッチが前述のSSFLCディ
スプレーの層の厚さの半分以下、特に好ましくは171
0以上を示すようなFLC混含物が利用される。好まし
くは、そのようなディスプレーは電気パルスによるアド
レッシングを受ける。
好ましい具体例において、強誘電相はS(*相であり、
そしてFLC混合物のフェイズシーケンスは次のように
進む: ■→N−+S^→Sc この場、6 、N *相の全温度範囲内で螺旋ピッチは
8μ−を下回ることなく、好ましくは15μ蛸以下にな
ることは無い、述べられた性質(即ち、高い自然分極、
スメクチック相における第一指定の螺旋ピッチとコレス
テリック相における第二指定の螺旋ピッチ)は、特に二
つ又は二つ以上の適当なキラルドーパント(対掌性の微
量添加不純物)が添加される非対掌性の液晶塩基性混合
物によって満足される。好都合には、そのような対掌性
ドーパントは全部=tSの自然分極に対して少なくとも
20%程度の貢献をしており、自然分極の値の中で同じ
符号を持ち;同時に、スメクチック相における自然螺旋
ピッチに対しては少なくとも20%程度寄与していて、
ツイスト(捩れ)容量では同一方向の回転を有し;N8
相においては、非対掌性ドーパントの二つは確かにそれ
らのツイスト容量の中で異なる符号(異なる方向の回転
)を示す・。
そしてFLC混合物のフェイズシーケンスは次のように
進む: ■→N−+S^→Sc この場、6 、N *相の全温度範囲内で螺旋ピッチは
8μ−を下回ることなく、好ましくは15μ蛸以下にな
ることは無い、述べられた性質(即ち、高い自然分極、
スメクチック相における第一指定の螺旋ピッチとコレス
テリック相における第二指定の螺旋ピッチ)は、特に二
つ又は二つ以上の適当なキラルドーパント(対掌性の微
量添加不純物)が添加される非対掌性の液晶塩基性混合
物によって満足される。好都合には、そのような対掌性
ドーパントは全部=tSの自然分極に対して少なくとも
20%程度の貢献をしており、自然分極の値の中で同じ
符号を持ち;同時に、スメクチック相における自然螺旋
ピッチに対しては少なくとも20%程度寄与していて、
ツイスト(捩れ)容量では同一方向の回転を有し;N8
相においては、非対掌性ドーパントの二つは確かにそれ
らのツイスト容量の中で異なる符号(異なる方向の回転
)を示す・。
非対掌性の液晶塩基性混合物の中で前述の条件を満たす
化き物には、特に次の一般式(r)と(II)の化合1
勿がある; 但し、式中の記号と指数は下記の意味を持つ:R′=直
鎖もしくは枝分かれした(C+〜Cl2)のアルキル基
であり、その中で隣接しない一つ又は二つの−C82〜
基は一〇−及び/又は−8−によって置換されても良い
、 A−ジアジン−2,5−ジイル(diyl)又はアジン
−2,5−ジイル x、y=o及び/又はS R2,R’、R’−相互独立にH1直鎖の(cI〜c1
o)のアルキル基または枝分かれした(C3〜c1゜〉
のアルキル基であり、その中でR2、R3、R4は同時
にHであることはない。
化き物には、特に次の一般式(r)と(II)の化合1
勿がある; 但し、式中の記号と指数は下記の意味を持つ:R′=直
鎖もしくは枝分かれした(C+〜Cl2)のアルキル基
であり、その中で隣接しない一つ又は二つの−C82〜
基は一〇−及び/又は−8−によって置換されても良い
、 A−ジアジン−2,5−ジイル(diyl)又はアジン
−2,5−ジイル x、y=o及び/又はS R2,R’、R’−相互独立にH1直鎖の(cI〜c1
o)のアルキル基または枝分かれした(C3〜c1゜〉
のアルキル基であり、その中でR2、R3、R4は同時
にHであることはない。
特別に好ましい具体例においては下記の通りである
R l =直鎖の(CS−C11)アルキル基であり、
その中で−CH2−基は一〇−又は−8−で置換され得
る。
その中で−CH2−基は一〇−又は−8−で置換され得
る。
X、Y=O;
R2,Rコー トI
R4=直鎖又は枝分がれした<CS〜Ct)のアルキル
基; A=ピリミジン−2,5−ジイル。
基; A=ピリミジン−2,5−ジイル。
驚くべきことに、前述のFLC混合物を用いた時に、若
しも層の厚さを自然の螺旋ピッチの10倍より大きくす
れば強誘電相における螺旋の発展この場合は望ましくな
い−を抑圧することさえ可能であった0強誘電相におけ
る自然の螺旋ピッチが0.7μ−より小さいFLC混合
物においてさえ高い自然分極、PSliI!においては
いかなる光学的なヒステリシスも起こらず:PSM>1
00nC・c12ではいかなるゴースト現象も最早TA
察されなかった。更に本発明の利点は、短いスウイッチ
ング時間が維持されることと灰色の階調の描写が可能な
点に在る。
しも層の厚さを自然の螺旋ピッチの10倍より大きくす
れば強誘電相における螺旋の発展この場合は望ましくな
い−を抑圧することさえ可能であった0強誘電相におけ
る自然の螺旋ピッチが0.7μ−より小さいFLC混合
物においてさえ高い自然分極、PSliI!においては
いかなる光学的なヒステリシスも起こらず:PSM>1
00nC・c12ではいかなるゴースト現象も最早TA
察されなかった。更に本発明の利点は、短いスウイッチ
ング時間が維持されることと灰色の階調の描写が可能な
点に在る。
4、実施例
以下に述べる実施例では二つの非対掌性の液晶の塩基性
混合物AとB及び種々の対掌性ドーパントを用いる。そ
れとの比較において、二つの対掌性ドーパントと組み合
わせた液晶塩基性部き物A(本発明に従わない)の値を
研究する。
混合物AとB及び種々の対掌性ドーパントを用いる。そ
れとの比較において、二つの対掌性ドーパントと組み合
わせた液晶塩基性部き物A(本発明に従わない)の値を
研究する。
液晶混合物Aの含有成分は以下の通りである(含有率は
重量%〉。
重量%〉。
混合物は次のフェイズシーケンスを示す:X−1s
69 S^76 N 93 I液晶部き物Bの
含有成分は以下の通りである(含有率は重量%)。
69 S^76 N 93 I液晶部き物Bの
含有成分は以下の通りである(含有率は重量%)。
13.39^1(=81)
4.49^2(=82)
14.78^3(=83)
8.14^4(=84)
混合物は次のフェイズシーケンスを示す:X−68 7
1 8^78 N 94 I本発明に従って適当
であるドーパントの例は下記の通りである: 詳細には、液晶混合物Aおよび/またはBの中で上に載
せたドーパントは温き物比10%において以下のデータ
を示す(表Iを参照のこと)。
1 8^78 N 94 I本発明に従って適当
であるドーパントの例は下記の通りである: 詳細には、液晶混合物Aおよび/またはBの中で上に載
せたドーパントは温き物比10%において以下のデータ
を示す(表Iを参照のこと)。
本発明による以下の実施例(FLC混き物)は、上記の
データを考慮しながら前述のドーパント並びに同じくリ
ストアツブされた液晶混り物がち製造されたものである
。
データを考慮しながら前述のドーパント並びに同じくリ
ストアツブされた液晶混り物がち製造されたものである
。
(実施例1)
FLC混合物M1は下記の組成(モル%)液晶混合物A
85.8 ドーパントD 1 11.4 ノ)D25.7 71 D3 11.4 ノ/ D4 5.9とフェイ
ズシーケンス 本 Sc 63 S^ 7478 ■ を持つ。
85.8 ドーパントD 1 11.4 ノ)D25.7 71 D3 11.4 ノ/ D4 5.9とフェイ
ズシーケンス 本 Sc 63 S^ 7478 ■ を持つ。
(実施例2〉
FLC混合物M2は下記の組成(モル%)液晶混合物
70.6 ドーパントD 1 23.0 /7 D4 7.0 とフェイズシーケンス S(64S^65.5 N 80 Iを持つ。
70.6 ドーパントD 1 23.0 /7 D4 7.0 とフェイズシーケンス S(64S^65.5 N 80 Iを持つ。
(実施例3〉
FLC混合物M3は下記の組成(モル%)液晶混合物8
72.0 ドーパントD 1 8.8/7 D2
4.4 1ノ D 3 8
.8!t D8
6 、。
72.0 ドーパントD 1 8.8/7 D2
4.4 1ノ D 3 8
.8!t D8
6 、。
とフェイズシーケンス
寧
Sc 68.5 S^76 N 83.5
Iを持つ。
Iを持つ。
(参考例■〉
FLC混合物VMIは下記の組成
液晶混合物A 77.7ドーバントD
7 10.3)I D8
5 、Q77 D4
7.0 ドーパントD8 とフェイズシーケンス 車 5c58 Sp、 67 N 78 I
を持つ。
7 10.3)I D8
5 、Q77 D4
7.0 ドーパントD8 とフェイズシーケンス 車 5c58 Sp、 67 N 78 I
を持つ。
温度15℃で、このFLC混含物VMIはP+ 55+
+C−clの分極値を示す St相ではドーパントD7
とD8はそのツイスト容量で異なる狩号を持ち、全体と
してはセルの厚さ(層の厚さ)と比較して大きいピッチ
を与える。
+C−clの分極値を示す St相ではドーパントD7
とD8はそのツイスト容量で異なる狩号を持ち、全体と
してはセルの厚さ(層の厚さ)と比較して大きいピッチ
を与える。
本発明による実施PA1〜3の測定結果を表Hに示す、
すべての測定温度に対して、コレステリック相における
MlからM3のピッチは8μ−より大きい、15℃にお
ける電気パルスによるアドレッシングの場合は、全幅4
00μS、高さV/μmの二極パルスが発生しくMlに
就いて〉、パルス間のギャップは20+sに達する。V
MIと比較しても、本発明による液晶部な物のパルス高
さには達せず、却って最初に記述したような光学的ヒス
テリシスを生ずる結果となる。試験セル(指示したよう
な厚さの〉における二つの双安定性状態間の透過率の差
として光学的コントラスト(露光単位で表示した)を決
定した(表■を参照のこと)。
すべての測定温度に対して、コレステリック相における
MlからM3のピッチは8μ−より大きい、15℃にお
ける電気パルスによるアドレッシングの場合は、全幅4
00μS、高さV/μmの二極パルスが発生しくMlに
就いて〉、パルス間のギャップは20+sに達する。V
MIと比較しても、本発明による液晶部な物のパルス高
さには達せず、却って最初に記述したような光学的ヒス
テリシスを生ずる結果となる。試験セル(指示したよう
な厚さの〉における二つの双安定性状態間の透過率の差
として光学的コントラスト(露光単位で表示した)を決
定した(表■を参照のこと)。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、厚さ1〜10μmの層を有するSSFLCディスプ
レーに、P_S>20nC・cm^−^2の高い自然分
極(SpontaneousPolarization
)と層の厚さの半分より小さい自然の螺旋ピッチを有す
る強誘電性液晶(FLC)混合物を使用する方法。 2、層の厚さが1.2〜3μmである請求項1記載の方
法。 3、螺旋ピッチが層の厚さの1/10よりも大きい請求
項1記載の方法。 4、螺旋ピッチが層の厚さの1/10よりも大きい請求
項2記載の方法。 5、FLC混合物がP_S>35nC・cm^−^2の
自然分極を示す請求項1記載の方法。 6、FLC混合物がP_S>35nC・cm^−^2の
自然分極を示す請求項2記載の方法。 7、FLC混合物がP_S>35nC・cm^−^2の
自然分極を示す請求項3記載の方法。 8、FLC混合物がP_S>40nC・cm^−^2の
自然分極を示す請求項1記載の方法。 9、FLC混合物がP_S>40nC・cm^−^2の
自然分極を示す請求項2記載の方法。 10、FLC混合物がP_S>40nC・cm^−^2
の自然分極を示す請求項3記載の方法。 11、厚さ1〜10μmの層を持ち、P_S>20nC
・cm^−^2の高い自然分極とFLCディスプレーの
層の厚さの半分よりも小さい自然の螺旋ピッチを有する
FLC混合物を含むSSFLC技術用のFLCディスプ
レ−。 12、ディスプレーが電気パルスのアドレッシングを受
ける請求項11記載のFLCディスプレー。
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DE (2) | DE3920625A1 (ja) |
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Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JPH06123888A (ja) * | 1992-10-09 | 1994-05-06 | Canon Inc | 液晶素子 |
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JPH05297375A (ja) * | 1992-04-20 | 1993-11-12 | Hoechst Japan Ltd | 強誘電性液晶混合物およびこれを用いたディスプレイ素子 |
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DE19748819A1 (de) | 1997-11-05 | 1999-05-06 | Hoechst Ag | Fluorierte Derivate des Phenanthrens und ihre Verwendung in Flüssigkristallmischungen |
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1989
- 1989-06-23 DE DE3920625A patent/DE3920625A1/de not_active Withdrawn
-
1990
- 1990-06-20 DE DE59010096T patent/DE59010096D1/de not_active Expired - Fee Related
- 1990-06-20 EP EP90111598A patent/EP0404081B1/de not_active Expired - Lifetime
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- 1990-06-22 NO NO90902795A patent/NO902795L/no unknown
- 1990-06-22 CA CA002019652A patent/CA2019652A1/en not_active Abandoned
- 1990-06-25 JP JP2166543A patent/JP2825318B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (1)
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KR0176700B1 (ko) | 1999-05-01 |
EP0404081A3 (de) | 1991-09-18 |
EP0404081B1 (de) | 1996-01-31 |
NO902795D0 (no) | 1990-06-22 |
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NO902795L (no) | 1990-12-27 |
DE59010096D1 (de) | 1996-03-14 |
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