JPH03136020A - 液晶ディスプレーセル - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、構造が光学異方性が変化するように電場の作
用による影響を受ける強誘電性スメクチック液晶相、 液晶を内包し、その中に電場を発生させるための電極を
含む一組の透明板であってその少なくとも一方が液晶分
子を配向させる表面構造を有するもの、及び 液晶の前に配置される一つの偏光子及び後ろに配置され
る一つの偏光子を含む液晶ディスプレーセルに関する。

上記の種類の液晶は、強い電場（例えば１０ｖ／μ）を
かけたり、かけるのを止めたりすると、液晶の性質に依
存して様々に反応する。多くの場合は、Ｂ、１．０ｓｔ
ｒｏｖｓｋｉ、　Ａｄｖａｎｃｅｓ　ｉｎ　Ｌｉｑｕｉ
ｄ　Ｃｒｙｓｔａｌ　Ｒｅ５ｅａｒｃｈ　ａｎｄ　Ａｐ
ｐｌｉｃａｔｉｏｎｓ、　０ｘｆｏｒｄ／Ｂｕｄａｐｅ
ｓｔ、１９８０．ｐａｇｅｓ　４６９　ｆｆ、に記載さ
れたＤＨＰセルの場合のように、電場をかけるとほぼ均
一な構造（多くの転位が可能な中で）となり、電場をか
けないと、らせん構造になる。

公知のＬａｇｅｒｗａｌｌ　ａｎｄ　Ｃ１ａｒｋの表面
安定化強誘電性液晶（ＳＳＦＬＣ）効果は、主な特徴が
、通常液晶に生じるらせん構造が表面の相互作用によっ
て抑制されることであるため、性質が異なるものである
。抑制が生じるため、らせんピッチはデイスプレーの厚
さよりかなり長くなければならない。この効果はＭｏ１
．Ｃｒｙｓｔ、Ｌｉｑ、Ｃｒｙｓｔ、９４（１９８３）
、２１３−１３４及び１１４（１９８４）、１５１〜１
８７に記載されている。

ヨーロッパ特許出願第８８１０４１７６．８には、小さ
なピッチを有する液晶をも使用する別の液晶デイスプレ
ーが記載されている。この装置においては、セル内の液
晶の構造は、セル内部の均一に配向された結合層（ＳＳ
Ｆ−ＬＣＤｓ）及びらせん構造を含む。

公知のセルの欠点は、臨界壁の配向が困難なことである
。さらに、“メモリースイッチング角度゛は最適の４５
°よりかなり小さい。本発明の目的は、これらの欠点を
除去することにある。

本発明によると、これは最初に記載された種類のセルに
より達成され、クレームに記載された性質により特徴づ
けられる。

驚（べきことに、本発明においては、液晶が適正な組成
を有すると、らせん構造が生じないか、又はその形成が
著しく遅れ（数秒から数時間）、均一な構造が維持され
、これが直交させた偏光子の間に暗い線として見られる
平行な線のネットワークにより安定化される。電場を反
対方向に短時間かけると、均一な構造が再び生じるが、
光軸が最初の方向から“双安定スイッチング角度”によ
り回転する。これは、配向ベクトルの二つの安定又は準
安定な位置の間で双安定スイッチングに使用されうる。

この効果は厚いセル（例えば２５μ）内でも見られる。

これは５ＳＦＬＣ効果と対照的である。

本発明によるセルは、多くの重要な利点を有する。

該セルは非常に高い輝度を有する。５ＳＦ−ＬＣＤｓと
は対照的に“メモリースイッチング角度”は殆ど飽和状
態のスイッチング角度と同じである。即ち、双安定性の
構造は０■でさえ有効に安定化される。

結果として、最適メモリースイッチング角度（４５°）
が得られうる。

セルは短いスイッチングタイムを有する。これは、液晶
混合物が高い自発分極率を有し、スイッチングタイムが
それに対応して短いためである。

ピッチコンペンセーシッン等の問題はない。

セルの厚さの選択は、比較的制限されない。双安定性は
、表面効果によるものではなく、従ってセルの厚さの選
択において制限はない。しかしながら、薄いセルが最良
である（Δ口、ｄ　＝λ／２：λは波長（０，５５μ）
である）。

最後に、壁の配向は、従来技術におけるものより重要的
ではない。液晶層の双安定性構造は、適用された電場に
より実質的に決定され、表面は双安定性には関与しない
が、Ｓ、＊層への転位におけるスメクチック平面の配向
に影響する。

本発明の実施態様は、添付図面により説明される。

第１図に示すように、液晶セルは、二つの実質的に平ら
で平行なガラス板２．３の間に配置された液晶層１を含
む、該板は、ガラスの代わりに、別の透明材料、例えば
アクリルガラス又はプラスチックシートで製造されてい
てもよい。原板の間の空間は、公知方法により、直径２
μのポリマーボールを用いて得られる。これにより、原
板は１゜８μの距離をおいている。偏光子４は、フロン
ト板２の前に配置され、好ましくは粘着により連結され
る。偏光子５は同様にリヤー板３に連結される。

液晶に面する板２，３の表面は、特性又はイメージスポ
ットを表わすように区分された慣用の電極コーティング
を有する。図面に示されたセルの部分はＦｉ２上に単一
の電極セグメント６のみを有し、リヤー板３上に対向す
る電極セグメント７を有する。

液晶に面するガラス板の表面、即ち内表面は、それらが
瞬接液晶分子に配向効果を付与し、それによって配向ベ
クトルの方向を決定するように処理される。本発明にお
いて、この処理の結果を“表面配向”と記載する。

公知の表面配向方法の一つに、一方向にラビング処理さ
れたＰＶＡ層を有するガラス板の内表面を提供する方法
がある。二つの板がラビング処理される方向はほぼ平行
である。

一方の板のみがラビング処理されたセルについて測定し
たところ、最初に記載した転位線がラビング処理の方向
に対して約４〜８°の角度αで回転することが示された
。与えられた液晶混合物において、回転は常に、液晶層
における通常の方向と同じ方向にある。従って、プレー
ト近傍の転位線が平行になるように二つの板をラビング
処理するのが、即ち、一つの板を、他の板に対して２α
の角度で回転した後にラビング処理するのが有利である
。これにより、二つの板を厳密に平行な状態でラビング
処理した場合に生じる転位線の平行性に対する障害を避
けることができる。

転位線の最適な平行性を得るためのもう一つの可能な方
法は、２つの板の一方のみをラビング処理することであ
る。

一般的に、転位線の最適な平行性が改良される場合に、
二つの双安定状態はより安定になると推定される。

表面配向の別の公知方法は、配向層の斜方真空蒸着等で
ある。

表面配向は主にＳｃ＊層の上のＳ０層に生じるため、ス
メクチック層がラビング処理の方向に対して垂直に配置
される結果となる（“ブックシェルフ”構造）。二つの
板のＳＡ層の表面配向は、短い矢印で示される。スメク
チック平面とガラス板との交線の方向は、矢印８により
示される。Ｓｃ＊層への転位において、該平面の方向に
は変化は生じないか、少なくともスメクチック平面と電
極表面が交差する線の方向には変化はない。配向ベクト
ル自体はラビングの方向から離れるように回転しうる。

フロント板に属する偏光子４はらせん軸又は転位線の方
向に対して角度βで配置される。リヤー板に属する偏光
子は、フロント偏光子に対して９０°の角度まで回転す
る。偏光子の方向は第１図の長い矢印で示される。この
偏光子の配置は好ましい実施態様である。他の配置も可
能であり、同様に良好な結果を与える。適する偏光子の
配置は、単純な調整により容易に決定されうる。

液晶１は、キシルスメクチック強誘電性結晶であり、し
ばしばスメクチックＣ（Ｓｃ）として文献に記載されて
いる。この種の液晶は文献により公知である。これらは
、分子がスメクチック平面に対して適正な角度では配置
されていないが、−定の角度、スメクチック（頃き角θ
。で配置されているということを特徴とする。キラリテ
ィーは、壁又は電場により影響されない限り、分子の方
向が全ての層において平行ではなく、異なった層では異
なった方向にあり、結果として全体がらせん状にねじれ
ることに起因する。

液晶は好ましくは、少なくとも１種類が傾いたスメクチ
ック層（例えば、Ｓ、）を有する少なくとも２種類の液
晶成分、及び個々に又は一緒にｐく１μｍのらせんのピ
ッチを誘起し、全混合物がＰ＞　１０ｎＣ／　ｃＪの自
発分極率を有し、最終混合物がΘ＞１０°の傾斜角度の
Ｓｃを有する。アキラルなスメクチックホスト混合物を
含む。下記の値が特に好ましい：　ｐ＜０．８　μｍ、
　　Ｐ＞２０ｎＣ／ｃ１ａ及びθ＞１７＠。

下記の成分の混合物が特に好ましいことが見出された。

】、フレキシブルな基を介して結合したシクロヘキシル
基を含む安息香酸フェニル５〜３０重量％（そのような
物質は例えばＢＰ−Ａ−０２６９９６３（式■）に記載
されている。） ２、前記のＥＰ−Ａ−０２６９９６３に記載されている
ような他のＳ、材料、例えばエステル（式■）、フェニ
ルピリミジン（式■）、フェニルピリジン（式■）、ア
ルケニル置換化合物（式Ｘ）、三環式ピリミジン（式Ｘ
Ｉ）及びジオキサン誘導体（式Ｉ）３０〜８５重量％ ３、ヨーロッパ特許出願第８９１０６８０８．２号又は
ＥＰ−Ａ−０２１３８４１号及び−０８７１０５０１７
に記載されたような二つの末端キラル基を有するキラル
添加剤１０〜４０重量％。

好ましいキラル添加剤には、光学的に活性な下記の一般
式Ｉの化合物が含まれる。

（式中、ｎは０又は１の数を表し、環Ａ、Ｂ及びＣは各
々独立に未置換又はハロゲン原子、シアノ基、メチル基
及び／若しくはメトキシ基で置換されていてもよい１．
４−フェニレン基を表し、所望によってはそのうちの１
もしくは２個のＣＨ基は窒素原子で置き換えられていて
もよく、又は環Ａ、Ｂ及びＣはトランス−１，４−シク
ロヘキシレン基を表し、Ｚｌ及びＺ２は各々独立に単結
合、ＣＨｚＣＨｚ−１ＯＣＨｚ　　　　ＣＨｚ　０−−
Ｃ０〇−又は−０ＯＣ−を表し、Ｚ３及びＺ４は各々独
立に単結合又は酸素原子、−ＣＯＯ−又は−０００−を
表し、Ｒ１及びＲｔは各々独立に光学的に活性なテルペ
ンアルコールの水酸基が離れた後の基を表すか、又はキ
ラルな基ニーＣ”　ＨＸ’　−Ｒ３−ＣＨ，−Ｃ”　Ｈ
Ｘ’　−Ｒ３−Ｃ”　Ｈ（ＣＨ，）−ＣＯＯＲ３−、Ｃ
”　ＨＲ’■ ＣＯＯＲ３、Ｃ”　　Ｈ（ＣＨｓ）　　ＣＨｚ　　ＯＲ
”Ｃ”　Ｈ（ＣＨ３）　　ＣＨｚ　ＣＯＯＲ３又は−〇
１Ｈ（ＣＨｓ）−ＣＨｚ　ｃＨｔ　ＯＲ３を表し、Ｃ１
は不斉炭素を表し、Ｘｌはフッ素原子、塩素原子、シア
ノ基、メチル基、水酸基、メトキシ基又はメトキシカル
ボニル基を表し、Ｒ３はアルキル基又はアルケニル基を
表し、そしてＲ４はフェニル基を表す） 上記式Ｉにおいて、Ｚｌ及びＺ２は好ましくは各々単結
合を表す。好ましくは環Ａ、Ｂ及びＣは全て芳香族基、
特に１．４−フェニレン基を表す。

Ｚ３は好ましくは一〇〇〇−を表し、そしてＺ４は−Ｃ
Ｏ〇−を表す。

キラル添加剤の好ましい群には、上記式Ｉ中：ｎが１を
表し、環Ａ、Ｂ及びＣが各々独立に未置換又はハロゲン
原子、シアノ基、メチル基及び／又はメトキシ基を表し
、所望によっては１又は２個のＣＨ基が窒素原子で置き
換えられた１、　　４フエニレン基を表し、Ｚｌ及びＺ
２が各々単結合を表し、ｚ３が−０００−を表し、Ｚ’
ｆＪ＜−ＣＯＯ−を表し、Ｒ１及びＲｚが各々独立に光
学的に活性なテルペンアルコールの水酸基が離れた後の
基、又はキラルな基？　−ＣＨ”　ＸＩ　Ｒ３又は−Ｃ
Ｈｚ　　Ｃ’″ＨＸ’−Ｒ’を表し、Ｃ′″は不斉炭素
を表し、ＸＩはフッ素原子、塩素原子、シアノ基、メチ
ル基又はメトキシ基を表し、そしてＲ３はアルキル基又
はアルケニル基を表す光学的に活性な化合物が含まれる
。

本発明において、“未置換又はハロゲン原子、シアノ基
、メチル基及び／又はメトキシ基で置換され、所望によ
っては１又は２のＣＨ基が窒素原子で置換されていても
よい１，４−フェニレン基”の表現は、例えば１．４−
フェニレン基、フルオロ−１，４−フェニレン基、クロ
ロ−１，４−フェニレン基、シアノ−１，４−フェニレ
ン基、２゜３−、ジシアノ−１，４−フェニレン基、メ
チル−１，４−フェニレン基、メトキシ−１，４−フェ
ニレン基、ピリジン−２，５−ジイル基、ピリミジン２
．５−ジイル基、ピラチン−２，５−ジイル基、ピリダ
ジン−３，６−ジイル基等を含む。

ハロゲン”の語は、フッ素原子、塩素原子、臭素原子及
びヨウ素原子、好ましくはフッ素原子及び塩素原子を表
す。

“光学的に活性なテルペンアルコールの水酸基が離れた
後の基゛の表現は、式：ＴＯＨで表される光学的に活性
なテルペンアルコールの基：Ｔを表す。“テルペンアル
コール”の語は、当業者に周知であり、例えばＲｊｍｐ
ｓ　Ｃｈｅｍｉｅ−Ｌｅｘｉｋｏｎ、Ｖｏｌｕｍｅ６（
１９７７）に記載されており、モノテルペンから誘導さ
れるアルコールを表す。“モノテルペン”の語は、テル
ペン炭化水素ＣＩ　ＯＨＩ　Ｓ及びそれらの水素化及び
脱水素化誘導体を含む。光学的に活性なテルペンアルコ
ールの例を下記に示す：　（ＩＲ，２Ｓ、５Ｒ）　−（
−）　　−メントール、（Ｉｓ、２Ｒ，５Ｒ）　−（÷
）−イソメントール、（Ｉｓ、２Ｓ、３Ｓ、５Ｒ）−（
＋）−イソピノカンフェオール、（ＩＳ）　−（−）−
ボルネオール、（ＩＲ）−（−）−ミルテノール、（Ｉ
ｓ、　２Ｓ、　５Ｒ）　−（＋）−ネオメントール、（
−）−カルヴエオール、（＋）−ジヒドロカルヴエオー
ル、（＋）−テルピネン−４−オール、（＋）−α−テ
ルピネオール等。

′°アルキル”及び“アルケニル”の語は、直鎖又は分
岐鎖の基、好ましくは１５個以下の炭素原子を有するも
の、例えばメチル基、エチル基、プロピル基、イソプロ
ピル基、ブチル基、イソブチル基、ペンチル基、ヘキシ
ル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル基、ビニル基、
１−プロペニル基、１−ブテニル基、１−ペンテニル基
、アリル基、２−ブテニル基、２−ペンテニル基、３−
ブテニル基、３−ペンテニル基、４−ペンテニル基、５
−へキセニル基、６−へブテニル基等を含む。

キシル添加剤の製造は、引用文献に記載されているか、
引例と同様の方法により製造されうる。

下記の化合物は特に好ましいキシル添加剤の例である（
Ｃは結晶相を表し、Ｓｃ。はキシルスメクチックＣ結晶
相を表し、ＳＡはスメクチンクＡを表し、ｃｈはコレス
テリック相を表し、■は異方外相を表し、自発分極Ｐ、
は、５重量％の添加剤及び９５重量％の４−オクチルオ
キシ安息香酸−４−へキシルオキシフェニルエステルの
混合物について測定され、Ｐｓ＠は自発分極の外挿され
た値を示す）： ４．４″−ジー（２（Ｒ）　−シアノ−１−プロピルオ
キシカルボニル〕−ｐ−ターフェニル、融点１７９．２
°Ｃ，Ｐｓ　＝５．５３　ｎＣ／ｃｍ、　Ｐｓ”＝　１
１１ｎＣ／ｃｆｆｌ； ４．４＃−ジー（２（Ｓ）−クロロ−２−ペンチルオキ
シカルボニル〕−ｐ−ターフェニル、融点（ＣＳｃ”）
１０６°ｃ、Ｓｃ　　−３ａ　１１０．２’ｃ、５Ａ−
ＣＨ１４０°Ｃ，ｃｌａｒ、ｔｅｍｐ、　（ＣＨ，Ｉ　
）１４１　ＨＣ，Ｐｓ　−６，８ｎＣ／ｃｆｆｌ、　Ｐ
ｓ”＝　１３６ｎＣ／ｃ＋１１； ４．４“−ジー（２（Ｒ）−クロロ−４−メチル−１−
ペンチルオキシカルボニル）−ｐ−ターフェニル、融点
１６９．４〜１７０．０°Ｃ−Ｐｓ　＝９　ｎＣ／ｃｉ
、　Ｐｓ”＝　１８０　ｎＣ／ｃＴ１１；４．４”−ジ
ー（２（Ｓ）−シアノ−４−メチル−１−ペンチルオキ
シカルボニル〕−Ｐ−ターフェニル、融点１２９〜１３
１°Ｃ，，Ｐｓ　−２０ｎＣ／ｃＩＩＹ。

Ｐ　ｓ”＝　４００　ｎＣ／ｃｉｌｌ　；４．４“−ジ
ー（１（Ｒ）、２（Ｓ）、５（Ｒ）−メチルオキシカル
ボニル〕−ｐ−ターフェニル、融点１６８〜１６９°Ｃ
，ＰＳ　＝　１１　ｎＣ／ｄ、　ＰＳ”＝　２２０ｎＣ
／ｃ＋ｌＩ　； ４．４＃−ジー（２（Ｒ）−シアノ−２−ペンチルオキ
シカルボニル）−ｐ−ターフェニル、Ｐ、＝２０　ｎＣ
／ｃｆｆｌ、　Ｐｓ”＝　４００　ｎＣ／ｃＩＩＩＨ４
，４″−ジー（２（Ｓ）−クロロ−１−ブチルオキシカ
ルボニル〕−ｐ−ターフェニル、融点（Ｃ３Ａ）１３７
．３°Ｃ，５Ａ−ＣＨ１３９，３°Ｃ５ｃｌａｒ、ｔｅ
ｍｐ、　（Ｃｈ　−１）　１５３°Ｃ，Ｐｓ　＝３．４
　ｎＣ／ＣＩＩＩ、　Ｐ　ｓ”＝　６８　ｎＣ／ｃｎ　
；４．４“−ジー（２（Ｒ）−シアノ−１−ブチルオキ
シカルボニル〕−ｐ−ターフェニル、　９点１２９．９
°Ｃ，Ｐｓ　−１２，５ｎＣ／ｃｆｆｌ、　Ｐｓ’＝２
５０　ｎＣ／ｄ； ４．４１−ジー（２（Ｒ）　　−シアノ−１−ヘキシル
オキシカルボニル］−ｐ−ターフェニル、Ｐ、＝２３　
ｎＣ／ａｉｌ、　Ｐ　ｓ”＝　４６０　ｎＣ／ｃ４　；
４．４＃−ジー（２（Ｓ）−クロロ−３−メチル−２−
ブトキシカルボニル］−ｐ−ターフェニル。

融点１７１．１℃、Ｐ　ｓ　＝　８．０　ｎＣ／ｃ＋＋
１．　Ｐ　３”＝ｌ（３ＱｎＣ／ｃ４； ４．４＃−ジー（２（Ｒ）−シアノ−３−メチル−１−
ブチルオキシカルボニル〕−ｐ−ターフェニル、融点１
３２．９℃、Ｐ　ｓ　＝　１１．２　ｎＣ／ｃＪ、　Ｐ
　３＠＝２２４　ｎＣ／ｃｄＨ ４，４“−ジー（１（Ｓ）−（メトキシカルボニル）エ
トキシ）−ｐ−ターフェニル、融点１４２．６°Ｃ１Ｐ
ｓ　＝１５．４　ｎＣ／ａｆｌ、Ｐ　ｓ”＝　３０８　
ｎＣ／ｃＪ　；４．４＃−ジー（１（Ｓ）−（エトキシ
カルボニル）エトキシ）　−ｐ−ターフェニル、融点９
１．３°Ｃ１Ｐｓ　＝　１３．７５　ｎＣ／ｃ４．　Ｐ
ｓ”＝２７５　ｎＣ／ｃｎ［；４．４＃−ジー（１（Ｓ
）−メチル−２−２（エトキシカルボニル）エトキシ）
−Ｐ−ターフェニル。

Ｐ　ｓ　＝３．７５　ｎＣ／ｃｊ、Ｐ　ｓ＠＝　７５　
ｎＣ／ｃＩａ；ＢＰ−Ａ−０２６９９６３に示された式
■を有するフェニルピリミジンは特に上記のＳ、材料に
適する化合物である。好ましくはＳｅ材料又はアキラル
Ｓｅホスト混合物は少なくとも５０重量％の上記化合物
を含有する。

特に好ましい混合物は、 １０重量％の４−デシルオキシ−２，３−ジフルオロ安
息香酸−４−〔２−トランス−４−へブチルシクロヘキ
シル）エチル〕フェニルエステル、２１重量％の５−オ
クチル−２−（４−オクチルオキシフェニル）ピリミジ
ン、 ２１重量％の５−オクチル−２−（４−ノニルオキシフ
ェニル）ビラミジン、 ２１重量％の５−オクチル−２−（４−デシルオキシフ
ェニル）ピリミジン、 ２７重量％の４，４“−ジー〔２０−オクチルオキシカ
ルボニルツーｐ−ターフェニルからなる。

しかしながら、液晶の正確な立体配置は知られていない
。ねじれ等が相内に生じるとも推定されるが、現在のと
ころ測定できない。また、液晶はダイナミック平衡、即
ち構造に連続した変化を起こす。この理由のため、分子
配置を図に示すことはできない。

他方、セル内の液晶の組織は特徴的であり、従来知られ
ている他の組織と区別されうる。第２図に示すように、
本発明によるセル内の、２μの厚さの相を有し、電圧を
かけない、クロスした偏光子の間の組織は、実質的に平
行な転位線により特徴づけられる。一つの板のみが、ラ
ビング処理により形成される表面配向を有する。

比較のために、第３図に示した組織は、互いに平行な２
つの板にラビング処理を行うこと以外、は、同様の構造
を有するＤＨＦセルに記録されたものである。線図に示
されたように、この構造は方向性の配置を欠いており、
従って、第２図の組織とは非常に異なる。

液晶混合物は、熱時、即ち異方性の状態の時に毛細管現
象により、板の間に充填され、ａ、ｃ、電圧３０Ｖ、１
ｏｋＨｚを適用して室温に冷却される。

電圧が電極６及び７にかけられると、電場が液晶内に形
成され、分子を再配向する。実際には、模式的に図示さ
れた電圧源１０は、下記に詳細に説明されるように、本
発明のセルにおいて反対の極性ををしうる周期性シグナ
ル又は動作パルスを与える。

セルが電場により成形された場合、即ちらせんが形成さ
れた場合、配向ベクトルは、電場が適用されない場合、
双安定性の二つの位置の一方である。適当に分極した電
圧が適用される場合、他の安定な位置に変わることがで
き、これによりセルの旋光能を変化させることができる
。旋光能が一つの安定な位置において最小であるように
最初に角度βを選び、そして第二にスイッチング角度（
二つの安定な位置中の電極の表面上への配向ベクトルの
プロジェクションの間の角度）が実質的に４５°に等し
い角度である場合、光学的なコントラストが最も大きい
。

試験測定は、上記の構成のセルについて行った。

第４図に示すパルスシーケンスをセルに適用した。

シーケンスはＯ〜２６Ｖまで直線的に増加させた。

パルスの最後の組を示す、左の両極性パルスはセルを明
から暗へ切り換え、右のパルスは暗から明に切り換える
。各々の陽極パルスと陰極パルスの巾は４０μ秒である
。この動作の重要な性質は、適用される電圧の平均値が
Ｏであることであり、これにより液晶の電気化学的分解
が妨げられる。

パルス振幅がこのパルス幅のためのスイッチング時間未
満である限り、旋光能に実質的な変化は゛なく、完全な
スイッチングはこの振幅以上で起こる。この性質は多重
式の場合に重要である。第５図は、厚さ１．８μのセル
内の、第４図に示したパ゛ルスシーケンスを有する、２
５°Ｃにおけるトップ液晶混合物のための対応する旋光
曲線を示す。

【図面の簡単な説明】

第１図は、本発明の好ましい実施態様による液晶セルの
小部分の斜視図であり、 第２図は、本発明の好ましい実施態様におけるセルの組
織を示し、 第３図は、従来技術のＤＨＦセルの表面組織を示し、 第４図は、第１図のセルを活性化するための連続パルス
の一部を示し、そして 第５図は、第４図に示される連続パルスの場合の、１．
８μの厚さのセルの透過率を示す。 図面番号の説明 １−−−−−一液晶層 ２．３−−−−−−−ガラス板 ４．５・−・・・・−偏光子 ６．７・−・・−・−電極セグメント 噴

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. （１）構造が電場の作用による影響を受けて光学的異方
   性が変化する強誘電性キラルスメクチック液晶相、 液晶を内包し、その中に電場を発生させるための電極を
   含む一組の透明板であって、その少なくとも一方が液晶
   分子を配向させる表面構造を有するもの、及び 液晶の前に配置される一つの偏光子及び後ろに配置され
   る一つの偏光子 を含む液晶ディスプレーセルであって、 液晶が、少なくとも一つが傾いたスメクチック相（例え
   ば、Ｓ＿ｃ）を有する少なくとも二つの液晶成分、及び 個々に又は一緒にｐ＜１μｍのらせんピッチを誘起する
   １種又はそれ以上のキラル添加剤からなり、全混合物が
   ｐ＞１０ｎＣ／ｃｍ＾２の自発分極率を有し、最終混合
   物が、Θ＞１０°の傾き角のＳ＿ｃを有するアキラルな
   スメクチックホスト混合物を含み、 そして０Ｖの電場で、直交させた偏光子を用いて形成す
   ると液晶が不均一構造を示す暗い平行な縞を有する ことを特徴とする液晶ディスプレーセル。