JP2825318B2 - 高い自発分極と短い螺旋ピッチを有する強誘電性液晶部材を使用する方法および強誘電性液晶ディスプレー - Google Patents
高い自発分極と短い螺旋ピッチを有する強誘電性液晶部材を使用する方法および強誘電性液晶ディスプレーInfo
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- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
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Description
【発明の詳細な説明】 強誘電性液晶混合物（FLC混合物）を含むスウィッチ
部材とディスプレー部材（“FLCディスプレー”）は、
例えば、EP−B0,032,362号（＝US−A4,367,924号等で公
知である。それらはFLC層がその両側を特殊な層によっ
て囲われており、それらの層は普通はFLC層から始まっ
てこの順序に、少なくとも一つの電気的絶縁層、電極、
及び境界板（例えば、ガラス製の）から成っている。更
に、これらは若しもそれらを“ゲスト−ホスト”モード
又は再帰モードで運転するならば一つの偏光子を、若し
も屈折による分光透過率をモードとして使用するならば
二つの偏光子を含む。一つ又は好ましくは二つの電気的
な絶縁層は所謂配向層として用いられる。
部材とディスプレー部材（“FLCディスプレー”）は、
例えば、EP−B0,032,362号（＝US−A4,367,924号等で公
知である。それらはFLC層がその両側を特殊な層によっ
て囲われており、それらの層は普通はFLC層から始まっ
てこの順序に、少なくとも一つの電気的絶縁層、電極、
及び境界板（例えば、ガラス製の）から成っている。更
に、これらは若しもそれらを“ゲスト−ホスト”モード
又は再帰モードで運転するならば一つの偏光子を、若し
も屈折による分光透過率をモードとして使用するならば
二つの偏光子を含む。一つ又は好ましくは二つの電気的
な絶縁層は所謂配向層として用いられる。
そのような配向層は、十分に小さく選ばれる境界板の
面間隔と一緒になって、FLC混合物中のFLCを分子が長軸
方向に互いに平行に並んだ配置を取らせ、スメクチック
平面は配向層に対して垂直または斜めに配置される。こ
のような並び方では、周知の如く分子は二つの等価の配
向を持ち、二つの配向の間で分子配向は電場のパルスを
適用することによってスウィッチ動作を行うことができ
る、即ち、FLCディスプレーは双安定性様式でスウィッ
チされる事ができ、スウィッチング時間はマイクロ秒の
範囲にあり、この時間はFLC混合物の自発分極に逆比例
する。
面間隔と一緒になって、FLC混合物中のFLCを分子が長軸
方向に互いに平行に並んだ配置を取らせ、スメクチック
平面は配向層に対して垂直または斜めに配置される。こ
のような並び方では、周知の如く分子は二つの等価の配
向を持ち、二つの配向の間で分子配向は電場のパルスを
適用することによってスウィッチ動作を行うことができ
る、即ち、FLCディスプレーは双安定性様式でスウィッ
チされる事ができ、スウィッチング時間はマイクロ秒の
範囲にあり、この時間はFLC混合物の自発分極に逆比例
する。
現在でも産業界の慣習に多く見ることができるLC（液
晶）ディスプレーと比較した時のそのようなFLCディス
プレーの本質的な優位性は、得られるマルチプレックス
比、即ち、タイム−シーケンシャルなプロセス（“マル
チプレックス”プロセス）において駆動し得るターゲッ
トの最大数であると考えられ、それがFLCディスプレー
の場合には有意的に大きい。この電気的駆動は本質的に
上述の電気パルスによるアドレッシングに基づいてい
る。
晶）ディスプレーと比較した時のそのようなFLCディス
プレーの本質的な優位性は、得られるマルチプレックス
比、即ち、タイム−シーケンシャルなプロセス（“マル
チプレックス”プロセス）において駆動し得るターゲッ
トの最大数であると考えられ、それがFLCディスプレー
の場合には有意的に大きい。この電気的駆動は本質的に
上述の電気パルスによるアドレッシングに基づいてい
る。
しかしながら、過去10年間にFLCディスプレーが更に
発展した過程で不利な点も出現した。それは前述の電気
パルスによるアドレッシングが、しばしば自発分極の値
が十分に小さい場合に限ってのみ二つの安定な状態の間
で再現性のあるスウィッチ動作をするという事実にあ
る。例として、比較的長い時間二つの安定な状態の一つ
（“静止イメージ”）に置かれていたFLCディスプレー
では、夫々別の状態へのスウィッチの切り替えに非常な
困難を伴なうこと、即ち、高い振幅を与えた時か又は印
加電圧の非常に長いパルス持続時間を与えた場合のみス
ウィッチ動作をすることが観察される。ディスプレーに
映し出されたものが映像である場合は、光学的なヒステ
リシスによるこの挙動は、比較的長い時間にわたって描
き出されたイメージが次のイメージの中に“ゴーストイ
メージ”の形のシルエット（影法師）として認められる
状態になる。このような光学的なヒステリシス現象はFL
C混合物の自発分極が大きければ大きい程一層顕著であ
るように見える。特別に分極が高い値の場合（Ps＞35nC
・cm-2）、一般に電気パルスのアドレッシングでは最早
いかなるスウィッチ動作も達成することは出来ない。こ
の光学的ヒステリシスの現象の原因に関する一つの考え
方は、FLC混合物中のイオン性の不純物がその原因では
ないかということである。以前から知られている解決
策： ａ）FLC混合物と電極の間を直接接触させるこ
と、およびｂ）徹底的な洗浄、は未だ満足できる結果を
与えていない。第一の方法は電気的短絡の回避にコスト
がかかり過ぎるし、第二の方法は混合物の個々の各成分
について特別な精製を必要とする。
発展した過程で不利な点も出現した。それは前述の電気
パルスによるアドレッシングが、しばしば自発分極の値
が十分に小さい場合に限ってのみ二つの安定な状態の間
で再現性のあるスウィッチ動作をするという事実にあ
る。例として、比較的長い時間二つの安定な状態の一つ
（“静止イメージ”）に置かれていたFLCディスプレー
では、夫々別の状態へのスウィッチの切り替えに非常な
困難を伴なうこと、即ち、高い振幅を与えた時か又は印
加電圧の非常に長いパルス持続時間を与えた場合のみス
ウィッチ動作をすることが観察される。ディスプレーに
映し出されたものが映像である場合は、光学的なヒステ
リシスによるこの挙動は、比較的長い時間にわたって描
き出されたイメージが次のイメージの中に“ゴーストイ
メージ”の形のシルエット（影法師）として認められる
状態になる。このような光学的なヒステリシス現象はFL
C混合物の自発分極が大きければ大きい程一層顕著であ
るように見える。特別に分極が高い値の場合（Ps＞35nC
・cm-2）、一般に電気パルスのアドレッシングでは最早
いかなるスウィッチ動作も達成することは出来ない。こ
の光学的ヒステリシスの現象の原因に関する一つの考え
方は、FLC混合物中のイオン性の不純物がその原因では
ないかということである。以前から知られている解決
策： ａ）FLC混合物と電極の間を直接接触させるこ
と、およびｂ）徹底的な洗浄、は未だ満足できる結果を
与えていない。第一の方法は電気的短絡の回避にコスト
がかかり過ぎるし、第二の方法は混合物の個々の各成分
について特別な精製を必要とする。
これまで知られているFLCディスプレーの場合は、出
発点は、管理された基礎の上で、境界板の間隅を強誘電
体相特有の捩れ（“螺旋”）の発達が抑えられるように
選ぶことである。これは次のようにして行なわれる（最
初に引用した特許EP−Ｂを参照のこと）境界板の間隔が
自然の螺旋ピッチの約５倍以下になるようにする。しか
しながら、光学的なスウィッチング挙動の為に、そして
又全般的な技術上の理由から、プレートの間隔を任意に
小さく設定する可能性は実際上無いも同然であるので、
実際の慣例では約２μｍの間隔が採用されている。この
理由から、従来は可能な限り最大の螺旋ピッチを有する
FLC混合物の開発に努力が向けられてきた。この努力は
同じく又最近になって、プレートの間隔を螺旋ピッチの
４分の１以下にすべきであるという更に高い要求（グレ
イ他、熱互変性（サーモトロビック）液晶、1987年）に
従って為されてきた。
発点は、管理された基礎の上で、境界板の間隅を強誘電
体相特有の捩れ（“螺旋”）の発達が抑えられるように
選ぶことである。これは次のようにして行なわれる（最
初に引用した特許EP−Ｂを参照のこと）境界板の間隔が
自然の螺旋ピッチの約５倍以下になるようにする。しか
しながら、光学的なスウィッチング挙動の為に、そして
又全般的な技術上の理由から、プレートの間隔を任意に
小さく設定する可能性は実際上無いも同然であるので、
実際の慣例では約２μｍの間隔が採用されている。この
理由から、従来は可能な限り最大の螺旋ピッチを有する
FLC混合物の開発に努力が向けられてきた。この努力は
同じく又最近になって、プレートの間隔を螺旋ピッチの
４分の１以下にすべきであるという更に高い要求（グレ
イ他、熱互変性（サーモトロビック）液晶、1987年）に
従って為されてきた。
本発明の目的は、自発分極の値が高いにも拘わらずい
かなる光学的ヒステリシスも示さないようなFLC混合物
を開発することである。
かなる光学的ヒステリシスも示さないようなFLC混合物
を開発することである。
本発明は、Ps＞20nC・cm-2の高い自発分極および層の
厚さの半分より短い自然の螺旋ピッチを有するFLC混合
物をSSFLCディスプレーの液晶材料として使用する方法
であって、材料の層の厚さが1.2〜３μｍであり、強誘
電性相における螺旋の形成が抑制されており、該FLC混
合物は相系列： Ｉ−Ｎ＊−SA−Ｓ＊ Cを有し、コレス
テリック（Ｎ＊）ピッチがネマチック相の全範囲にわた
って８μｍ以上であり、かつ該FLC混合物は非キラル基
本混合物および２種類またはそれ以上のキラルドーパン
トを含むことを特徴とする方法を提供する。
厚さの半分より短い自然の螺旋ピッチを有するFLC混合
物をSSFLCディスプレーの液晶材料として使用する方法
であって、材料の層の厚さが1.2〜３μｍであり、強誘
電性相における螺旋の形成が抑制されており、該FLC混
合物は相系列： Ｉ−Ｎ＊−SA−Ｓ＊ Cを有し、コレス
テリック（Ｎ＊）ピッチがネマチック相の全範囲にわた
って８μｍ以上であり、かつ該FLC混合物は非キラル基
本混合物および２種類またはそれ以上のキラルドーパン
トを含むことを特徴とする方法を提供する。
本発明はまた、1.2〜３μｍの層の厚さを有する液晶
材料を含み、強誘電性液晶相における螺旋の形成が抑制
されているSSFLCディスプレーであって、液晶材料が、P
s＞20nC・cm-2の高い自発分極および液晶材料の層の厚
さの半分より短い自然の螺旋ピッチを有するFLC混合物
であり、該FLC混合物は相系列： Ｉ−Ｎ＊−SA−Ｓ＊ C
を有し、コレステリック（Ｎ＊）ピッチがネマチック相
の全範囲にわたって８μｍ以上であり、かつ該FLC混合
物は非キラル基本混合物および２種類またはそれ以上の
キラルドーパントを含むことを特徴とするディスプレー
を提供する。
材料を含み、強誘電性液晶相における螺旋の形成が抑制
されているSSFLCディスプレーであって、液晶材料が、P
s＞20nC・cm-2の高い自発分極および液晶材料の層の厚
さの半分より短い自然の螺旋ピッチを有するFLC混合物
であり、該FLC混合物は相系列： Ｉ−Ｎ＊−SA−Ｓ＊ C
を有し、コレステリック（Ｎ＊）ピッチがネマチック相
の全範囲にわたって８μｍ以上であり、かつ該FLC混合
物は非キラル基本混合物および２種類またはそれ以上の
キラルドーパントを含むことを特徴とするディスプレー
を提供する。
発明は、例えば、前述の特許EP−Ｂに記述されたよう
なSSFLC（“Surface Stabilized Ferroelectric Liquid
Crystal、表面安定化強誘電性液晶）技術を使って操作
できる既知のFLCディスプレー（強誘電体相を示すLC混
合物を用いたディスプレーとスウイッチ部材による）か
ら出発する。これらのFLCディスプレーは、層の厚さ
（即ち、境界プレートの間隔）が１〜10μｍ、特に1.2
〜３μｍのものである。本発明に従えば、そのようなFL
Cディスプレーでは、高い自発分極Ps＞20nC・cm-2（25
℃で測定して）、好ましくはPs＞35nC・cm-2、特に好ま
しくはPs＞40nC・cm-2を示し、そして自然の螺旋ピッチ
が前述のSSFLCディスプレーの層の厚さの半分以下、特
に好ましくは層の厚さの1/10以上半分以下を示すような
FLC混合物が利用される。好ましくは、そのようなディ
スプレーは電気パルスによるアドレッシングを受ける。
なSSFLC（“Surface Stabilized Ferroelectric Liquid
Crystal、表面安定化強誘電性液晶）技術を使って操作
できる既知のFLCディスプレー（強誘電体相を示すLC混
合物を用いたディスプレーとスウイッチ部材による）か
ら出発する。これらのFLCディスプレーは、層の厚さ
（即ち、境界プレートの間隔）が１〜10μｍ、特に1.2
〜３μｍのものである。本発明に従えば、そのようなFL
Cディスプレーでは、高い自発分極Ps＞20nC・cm-2（25
℃で測定して）、好ましくはPs＞35nC・cm-2、特に好ま
しくはPs＞40nC・cm-2を示し、そして自然の螺旋ピッチ
が前述のSSFLCディスプレーの層の厚さの半分以下、特
に好ましくは層の厚さの1/10以上半分以下を示すような
FLC混合物が利用される。好ましくは、そのようなディ
スプレーは電気パルスによるアドレッシングを受ける。
好ましい具体例において、強誘電相はSC ＊相であり、
そしてFLC混合物の相系列は次のように進む： Ｉ→Ｎ＊→SA→SC ＊ この場合、Ｎ＊相の全温度範囲内で螺旋ピッチは８μｍ
を下回ることなく、好ましくは15μｍ以下になることは
無い。述べられた性質（即ち、高い自発分極、スメクチ
ック相における第一指定の螺旋ピッチとコレステリック
相における第二指定の螺旋ピッチ）は、特に非対掌性の
液晶基本混合物に二つ又は二つ以上の適当なキラルドー
パント（対掌性の微量添加不純物）を添加することによ
り満足される。好都合には、そのような対掌性ドーパン
トは全混合物の自発分極に対して少なくとも20％程度の
貢献をしており、自発分極の値について同じ符号を持
ち；同時に、スメクチック相における自然螺旋ピッチに
対しては少なくとも20％程度寄与していて、ツイスト
（捩れ）容量では同一方向の回転を有し;N＊相において
は、非対掌性ドーパントの二つはさらにそれらのツイス
ト容量について異なる符号（異なる方向の回転）を示
す。
そしてFLC混合物の相系列は次のように進む： Ｉ→Ｎ＊→SA→SC ＊ この場合、Ｎ＊相の全温度範囲内で螺旋ピッチは８μｍ
を下回ることなく、好ましくは15μｍ以下になることは
無い。述べられた性質（即ち、高い自発分極、スメクチ
ック相における第一指定の螺旋ピッチとコレステリック
相における第二指定の螺旋ピッチ）は、特に非対掌性の
液晶基本混合物に二つ又は二つ以上の適当なキラルドー
パント（対掌性の微量添加不純物）を添加することによ
り満足される。好都合には、そのような対掌性ドーパン
トは全混合物の自発分極に対して少なくとも20％程度の
貢献をしており、自発分極の値について同じ符号を持
ち；同時に、スメクチック相における自然螺旋ピッチに
対しては少なくとも20％程度寄与していて、ツイスト
（捩れ）容量では同一方向の回転を有し;N＊相において
は、非対掌性ドーパントの二つはさらにそれらのツイス
ト容量について異なる符号（異なる方向の回転）を示
す。
非対掌性の液晶基本混合物の中で前述の条件を満たす
化合物には、特に次の一般式（Ｉ）と（II）の化合物が
ある： 但し、式中の記号と指数は下記の意味を持つ： R1＝直鎖もしくは枝分かれした（C1〜C12）のアルキル
基であり、その中で隣接しない一つ又は二つの−CH2−
基は−Ｏ−及び／又は−Ｓ−によって置換されても良
い； Ａ＝ジアジン−2,5−ジイル又はアジン−2,5−ジイル； X,Y＝Ｏ及び／又はS; R2，R3，R4＝相互独立にH,直鎖の（C1〜C10）のアルキ
ル基または枝分かれした（C3〜C10）のアルキル基であ
り、その中でR2，R3，R4は同時にＨであることはない。
化合物には、特に次の一般式（Ｉ）と（II）の化合物が
ある： 但し、式中の記号と指数は下記の意味を持つ： R1＝直鎖もしくは枝分かれした（C1〜C12）のアルキル
基であり、その中で隣接しない一つ又は二つの−CH2−
基は−Ｏ−及び／又は−Ｓ−によって置換されても良
い； Ａ＝ジアジン−2,5−ジイル又はアジン−2,5−ジイル； X,Y＝Ｏ及び／又はS; R2，R3，R4＝相互独立にH,直鎖の（C1〜C10）のアルキ
ル基または枝分かれした（C3〜C10）のアルキル基であ
り、その中でR2，R3，R4は同時にＨであることはない。
特別に好ましい具体例においては下記の通りである： R1＝直鎖の（C5〜C11）アルキル基であり、その中で−C
H2−基は−Ｏ−又は−Ｓ−で置換されてもよい； X,Y＝O; R2，R3＝H; R4＝直鎖又は枝分かれした（C3〜C7）のアルキル基； Ａ＝ピリミジン−2,5−ジイル。
H2−基は−Ｏ−又は−Ｓ−で置換されてもよい； X,Y＝O; R2，R3＝H; R4＝直鎖又は枝分かれした（C3〜C7）のアルキル基； Ａ＝ピリミジン−2,5−ジイル。
驚くべきことに、前述のFLC混合物を用いた時に、層
の厚さを自然の螺旋ピッチの10倍より大きくすれば、強
誘電相における螺旋の発展−この場合は望ましくない−
を抑圧することさえ可能であった。強誘電相における自
然の螺旋ピッチが0.7μｍより小さいFLC混合物において
さえ、高い自発分極、PS値においていかなる光学的なヒ
ステリシスも起こらず；PS値＞100nC・cm-2ではいかな
るゴースト現象も最早観察されなかった。更に本発明の
利点は、短いスウイッチング時間が維持されることと灰
色の階調の描写が可能な点にある。
の厚さを自然の螺旋ピッチの10倍より大きくすれば、強
誘電相における螺旋の発展−この場合は望ましくない−
を抑圧することさえ可能であった。強誘電相における自
然の螺旋ピッチが0.7μｍより小さいFLC混合物において
さえ、高い自発分極、PS値においていかなる光学的なヒ
ステリシスも起こらず；PS値＞100nC・cm-2ではいかな
るゴースト現象も最早観察されなかった。更に本発明の
利点は、短いスウイッチング時間が維持されることと灰
色の階調の描写が可能な点にある。
実施例 以下に述べる実施例では二つの非対掌性の液晶の基本
混合物ＡとＢ及び種々の対掌性ドーパントを用いる。そ
れとの比較において、本発明に従わない二つの対掌性ド
ーパントと組み合わせた液晶基本混合物Ａの値を研究す
る。
混合物ＡとＢ及び種々の対掌性ドーパントを用いる。そ
れとの比較において、本発明に従わない二つの対掌性ド
ーパントと組み合わせた液晶基本混合物Ａの値を研究す
る。
液晶混合物Ａの含有成分は以下の通りである（含有率
は重量％）。
は重量％）。
混合物は次の相系列を示す： Ｘ −１ SC 69 SA 76 Ｎ 93 Ｉ 液晶混合物Ｂの含有成分は以下の通りである（含有率は
重量％）。
重量％）。
13.39 A1（＝B1） 4.49 A2（＝B2） 14.78 A3（＝B3） 8.14 A4（＝B4） 混合物は次の相系列を示す： Ｘ −６ SC 71 SA 78 Ｎ 94 Ｉ 本発明に従う適当なドーパントの例は下記の通りであ
る： 詳細には、液晶混合物Ａおよび／またはＢの中で上に掲
げたドーパントは混合物比10％において以下のデータを
示す（表１を参照のこと）。
る： 詳細には、液晶混合物Ａおよび／またはＢの中で上に掲
げたドーパントは混合物比10％において以下のデータを
示す（表１を参照のこと）。
本発明による以下の実施例（FLC混合物）は、上記の
データを考慮しながら前述のドーパント並びに同じく上
に掲げた液晶混合物から製造されたものである。
データを考慮しながら前述のドーパント並びに同じく上
に掲げた液晶混合物から製造されたものである。
（実施例１） FLC混合物M1は下記の組成（モル％） 液晶混合物A 65.6 ドーパントD1 11.4 〃 D2 5.7 〃 D3 11.4 〃 D5 5.9 と相系列 SC ＊ 63 SA 74 Ｎ＊ 78 Ｉ を持つ。
（実施例２） FLC混合物M2は下記の組成（モル％） 液晶混合物A 70.6 ドーパントD1 23.0 〃 D4 7.0 と相系列 SC ＊ 64 SA 65.5 Ｎ＊ 80 Ｉ を持つ。
（実施例３） FLC浪合物M3は下記の組成（モル％） 液晶混合物B 72.0 ドーパントD1 8.8 〃 D2 4.4 〃 D3 8.8 〃 D8 6.0 と相系列 SC ＊ 68.5 SA 76 Ｎ＊ 83.5 Ｉ を持つ。
（参考例IV） FLC混合物VM1は下記の組成 液晶混合物A 77.7 ドーパントD7 10.3 〃 D8 5.0 〃 D4 7.0 と相系列 SC ＊ 58 SA 67 Ｎ＊ 78 Ｉ を持つ。
温度15℃で、このFLC混合物VM1はＰ＝＋55nC・cm-2の
分極値を示す。SC ＊相ではジーパントD7とD8はそのツイ
スト容量で異なる符号を持ち、全体としてはセルの厚さ
（層の厚さ）と比較して大きいピッチを与える。
分極値を示す。SC ＊相ではジーパントD7とD8はそのツイ
スト容量で異なる符号を持ち、全体としてはセルの厚さ
（層の厚さ）と比較して大きいピッチを与える。
本発明による実施例１〜３の測定結果を表IIに示す。
すべての測定温度に対して、コレステリック相における
M1からM3のピッチは８μｍより大きい。15℃における電
気パルスによるアドレッシングの場合は、全幅400μ
ｓ、高さ3V/μｍの二極パルスが発生し（M1につい
て）、パルス間のギャップは20msに達する。VM1と比較
しても、本発明による液晶混合物のパルス高さには達せ
ず、却って最初に記述したような光学的ヒステリシスを
生ずる結果となる。試験セル（指示したような厚さの）
における二つの双安定性状態間の透過率の差として光学
的コントラスト（露光単位で表示した）を決定した（表
IIを参照のこと）。
すべての測定温度に対して、コレステリック相における
M1からM3のピッチは８μｍより大きい。15℃における電
気パルスによるアドレッシングの場合は、全幅400μ
ｓ、高さ3V/μｍの二極パルスが発生し（M1につい
て）、パルス間のギャップは20msに達する。VM1と比較
しても、本発明による液晶混合物のパルス高さには達せ
ず、却って最初に記述したような光学的ヒステリシスを
生ずる結果となる。試験セル（指示したような厚さの）
における二つの双安定性状態間の透過率の差として光学
的コントラスト（露光単位で表示した）を決定した（表
IIを参照のこと）。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 ゲーアハルト・イリアン ドイツ連邦共和国デー‐6000 フランク フルト・アム・マイン，ラウエントハラ ー・ヴェーク 32 (72)発明者 原田 隆正 ドイツ連邦共和国デー‐6370 オーバー ウルゼル，コルベルガー・シュトラーセ 26 (72)発明者 村上 幹男 静岡県掛川市南２丁目８番１号 ニュー タウンビル 202号 (56)参考文献 特開 昭64−63931（ＪＰ，Ａ)
Claims (8)
- 【請求項１】Ps＞20nC・cm-2の高い自発分極および層の
厚さの半分より短い自然の螺旋ピッチを有するFLC混合
物をSSFLCディスプレーの液晶材料として使用する方法
であって、材料の層の厚さが1.2〜３μｍであり、強誘
電性相における螺旋の形成が抑制されており、該FLC混
合物は相系列： Ｉ−Ｎ＊−SA−Ｓ＊ Cを有し、コレス
テリック（Ｎ＊）ピッチがネマチック相の全範囲にわた
って８μｍ以上であり、かつ該FLC混合物は非キラル基
本混合物および２種類またはそれ以上のキラルドーパン
トを含むことを特徴とする方法。 - 【請求項２】螺旋ピッチが層の厚さの1/10より大きい、
請求項１記載の方法。 - 【請求項３】FLC混合物がPs＞35nC・cm-2の自発分極を
示す、請求項１記載の方法。 - 【請求項４】FLC混合物がPs＞35nC・cm-2の自発分極を
示す、請求項２記載の方法。 - 【請求項５】FLC混合物がPs＞40nC・cm-2の自発分極を
示す、請求項１記載の方法。 - 【請求項６】FLC混合物がPs＞40nC・cm-2の自発分極を
示す、請求項２記載の方法。 - 【請求項７】1.2〜３μｍの層の厚さを有する液晶材料
を含み、強誘電性液晶相における螺旋の形成が抑制され
ているSSFLCディスプレーであって、液晶材料が、Ps＞2
0nC・cm-2の高い自発分極および液晶材料の層の厚さの
半分より短い自然の螺旋ピッチを有するFLC混合物であ
り、該FLC混合物は相系列:I−Ｎ＊−SA−Ｓ＊ Cを有し、
コレステリック（Ｎ＊）ピッチがネマチック相の全範囲
にわたって８μｍ以上であり、かつ該FLC混合物は非キ
ラル基本混合物および２種類またはそれ以上のキラルド
ーパントを含むことを特徴とするディスプレー。 - 【請求項８】電気的にパルス・アドレッシングされる、
請求項７記載のFLCディスプレー。
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Publications (2)
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|---|---|
| JPH0338623A JPH0338623A (ja) | 1991-02-19 |
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| JP2000502688A (ja) * | 1995-12-28 | 2000-03-07 | ヘキスト・リサーチ・アンド・テクノロジー・ドイチュラント・ゲーエムベーハー・ウント・コンパニー・カーゲー | ジフルオロフェニルピリミジルピリジン誘導体と、液晶混合物へのそれらの使用 |
| DE59706003D1 (de) * | 1996-11-21 | 2002-02-21 | Rolic Ag Zug | Bistabile ferroelektrische Flüssigkristallzelle |
| DE19652247A1 (de) * | 1996-12-16 | 1998-06-18 | Hoechst Ag | 5,7-Difluor-1,2,3,4-tetrahydronaphthalin-Derivate und ihre Verwendung in flüssigkristallinen Mischungen |
| DE19652252A1 (de) * | 1996-12-16 | 1998-06-18 | Hoechst Ag | 1,3-Difluornaphthalin-Derivate und ihre Verwendung in flüssigkristallinen Mischungen |
| DE19653009A1 (de) * | 1996-12-19 | 1998-06-25 | Hoechst Ag | 6-Fluorphenanthridin-Derivate und ihre Verwendung in flüssigkristallinen Mischungen |
| DE19748440B4 (de) * | 1997-11-03 | 2006-01-19 | Aventis Research & Technologies Gmbh & Co Kg | 6,7-Difluor-1,2,3,4-tetrahydronaphthalin-Derivate und ihre Verwendung in flüssigkristallinen Mischungen, diese enthaltende Flüssigkristallmischungen sowie ferroelektrische Schalt- und/oder Anzeigevorrichtungen |
| DE19748819A1 (de) | 1997-11-05 | 1999-05-06 | Hoechst Ag | Fluorierte Derivate des Phenanthrens und ihre Verwendung in Flüssigkristallmischungen |
| WO2004053022A1 (de) * | 2002-12-07 | 2004-06-24 | Merck Patent Gmbh | Flüssigkristallines medium und flüssigkristallanzeige mit hoher verdrillung |
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| DE3876059D1 (de) * | 1987-09-18 | 1992-12-24 | Hoffmann La Roche | Ferroelektrische fluessigkristallzelle. |
-
1989
- 1989-06-23 DE DE3920625A patent/DE3920625A1/de not_active Withdrawn
-
1990
- 1990-06-20 DE DE59010096T patent/DE59010096D1/de not_active Expired - Fee Related
- 1990-06-20 EP EP90111598A patent/EP0404081B1/de not_active Expired - Lifetime
- 1990-06-21 KR KR1019900009125A patent/KR0176700B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1990-06-22 CA CA002019652A patent/CA2019652A1/en not_active Abandoned
- 1990-06-22 NO NO90902795A patent/NO902795L/no unknown
- 1990-06-25 JP JP2166543A patent/JP2825318B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| EP0404081A2 (de) | 1990-12-27 |
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