JPH0337136Y2 - - Google Patents

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JPH0337136Y2
JPH0337136Y2 JP1278485U JP1278485U JPH0337136Y2 JP H0337136 Y2 JPH0337136 Y2 JP H0337136Y2 JP 1278485 U JP1278485 U JP 1278485U JP 1278485 U JP1278485 U JP 1278485U JP H0337136 Y2 JPH0337136 Y2 JP H0337136Y2
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magnetic
electron beam
magnetic field
beam irradiation
irradiation device
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  • Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)

Description

【考案の詳細な説明】 (産業上の利用分野) この考案は磁気テープその他の磁気記録媒体を
製造する装置に関する。
(従来の技術) この種磁気記録媒体を製造するのに、磁性粒子
を適当な添加剤とともに溶液中に分散させた磁性
塗料を、プラスチツクフイルムなどの基材の表面
に塗布して磁性塗膜を形成し、この磁性塗膜が未
乾燥のうちに磁場配向処理し、そのあと熱乾燥を
行つてから、更にカレンダ処理裁断するようにし
ている。
このような製造工程のうち、熱乾燥を電子線硬
化によつて行うことが考えられており、これによ
れば、短時間低温での熱処理が可能となること、
磁性塗料のポツトライフが長くなり、溶剤の低減
化がはかれること、配向度、表面硬度、耐摩耗
性、耐久性などが向上し、記録媒体の品質向上が
可能になること、など幾多の効果が得られる。
しかし実際問題として、単に熱乾燥過程を電子
線照射に置換しただけでは、上記のような諸特性
は満足できない。具体的には磁性粒子への配向磁
界印加後、短時間のうちに電子線を照射すること
が必要で、もしこの時間が長くなると、折角配向
された磁性粒子が互いの磁性によつて反発吸引し
合うなどして凝集し、その配向性が悪化してしま
うようになる。
これを回避するためには、磁場配向のための磁
界発生装置と電子線照射装置とをできるだけ接近
させて配置しておき、磁界発生装置を通過した直
後、たとえば1秒以内、好ましくは0.5秒以内の
うちに電子線を照射すればよい。
第4図は従来のこの種製造装置を示すもので、
1は磁場配向のための磁界を発生させるための磁
界発生装置で、ここでは一対の磁石1A,1Bを
その異極性の磁極を互いに対向させて設置した例
を示し、両磁石間を磁性塗膜を有するテープ2が
走行するようにしてある。3はテープ2の走行方
向(矢印方向)後方に設置されてある電子線照射
装置で、その照射窓3Aがテープ2の表面に相対
している。
しかしながらこのような構成において、前記し
たように磁界発生装置1と、電子線照射装置3と
を可及的に接近させた場合、つぎのような不都合
が発生する。すなわち一方の磁石1Aから出た磁
束が図中点線で示すように他方の磁石1Bに向
い、この過程でテープ2上の磁性塗膜内の磁性粒
子を垂直磁場配向処理し、そのあと磁束は磁石1
Aの他方の磁極にもどつていく。
この場合磁界発生装置1と、電子線照射装置3
とが接近していると、前記のようにもどつていく
磁束の一部が漏洩磁束となつて電子線照射装置ら
の電子線に交差してしまうことがある。
このように電子線と漏洩磁束とが交差すると、
電子は電磁力により進行方向と直角に力を受け、
円弧を描くように偏向するので、電子線分布は大
きく拡がる。この結果照射窓3Aから得られる電
子線量の分布は不均一となり、磁気テープに均一
に電子線を均一に電子線を照射することができな
いようになり、高品質の記録媒体は得られない。
さらに偏向を受けた電子の一部は、電子線照射
装置の内壁に衝突することがあり、これが照射効
率の低下あるいは前記内壁の過熱の原因となるこ
とがある。
(考案が解決しようとする問題点) この考案は磁界発生装置と電子線照射装置とを
十分接近させて設置しても、電子線が磁界発生装
置からの漏洩磁束により影響されないようにする
ことを目的とする。
(問題点を解決するための手段) この考案は垂直磁場配向のための磁界を発生す
る磁界発生装置に磁気シールドを設け、磁界発生
装置からの磁束が電子線照射装置の電子線にまで
到達しないようにし、これによつて電子線が影響
されないようにしたことを特徴とする。
この考案を図によつて説明する。第1図におい
て磁界発生装置1は一対の磁石1A,1Bによつ
て構成されてあり、両磁石の異極性の磁極が対向
する間隙をテープ2が矢印方向に走行し、その過
程でテーブ2を磁束が貫通し、その表面に塗布さ
れてある磁性塗膜内の磁性粒子が垂直磁場配向さ
れるようになつている。またテープ2の走行方向
後方に電子線照射装置3が設置されてあり、磁界
発生装置1によつて磁場配向されたテープ2に
は、電子照射装置3の照射窓3Aから放射される
電子線が照射され硬化される。これらの構成なら
びに作用は従来のものと特に相違するところはな
い。
この考案にしたがい、磁界発生装置1からの磁
束を電子線照射装置3からの電子線に到達しない
ように磁気シールドする。そのために磁石1A,
1Bと電子線照射装置3との間に位置するように
磁性体からなる磁気シールド体4を配置する。こ
の磁気シールド体4は、図の例のように磁石1B
の磁極からの磁束が磁石1Aの反対側の磁極に向
かうときの、その磁束の通路となるように配置さ
れてある。なお図の例では各磁石の、電子線照射
装置3とは反対側にも磁気シールド体5を設けて
いるが、これは必要があるときに適宜設置すれば
よい。6は磁気シールド体4内にテープ2が挿入
される挿入窓である。
(作用) このように構成しておくと、磁石1Aの一方の
磁極から発した磁束はテープ2の表面を貫通して
磁石1Bに至るので、テープ2の磁性粒子は垂直
方向に磁場配向される。そしてテープ2の表面を
貫通した磁束はそのあと磁気シールド体4を通つ
て磁石1Aの他方の磁極に至る。このようにして
磁束が磁気シールド体4を通るようになれば、漏
洩磁束が電子線照射装置3からの電子線にまで到
達するようなことはなくなる。したがつて電子線
と漏洩磁束とが交差するようなことはなくなるの
で、電子線が電磁力によつて移動するようなこと
はこれをもつて確実に回避されるようになる。
以上の実施例は磁界発生装置として永久磁石を
用いて構成した例であるが、これに代えて電磁石
または空心コイルを用いるようにしてもよい。
第3図に示す実施例は磁石1Aの、磁石1Bに
向い合う面を湾曲して構成したものである。これ
によればテープ2が走行していくほど、磁石1A
の磁極がテープ2より離れていくようになる。し
たがつて配向磁場は勾配磁場となる。
通常磁石の対向する磁極間ではテープの走行方
向に沿つて磁界の強さは一定であるが、通過とと
もに急激に減少する。一般に磁性材料は不均一磁
界中では力を受け、その力は磁界の低い方から高
い方へと向かう。すなわち磁性粒子はテープ2の
表面に平行し、その走行方向とは反対方向の力を
受ける。この力により磁性粒子の配向性が低下し
たり、凝集を引き起すことがある。
しかし前記のように勾配磁場としておけば、磁
界の変化が緩やかであるから、前記のような力は
減少し、そのため配向性の低下、磁性粒子の凝集
は十分回避されるようになる。
(考案の効果) 以上詳述したようにこの考案によれば、垂直磁
場配向のための磁界発生装置と硬化用の電子線照
射装置との間に、磁界発生装置からの磁束をシー
ルドするための磁気シールド体を設けたので、磁
界発生装置と電子線照射装置とを十分に接近して
設置しておいても、磁界発生装置からの磁束によ
つて電子線が影響されるようなことはこれをもつ
て確実に回避することができ、したがつて磁界発
生装置によつて磁場配向処理を施した後、直ちに
電子線照射による熱乾燥処理を施すことができる
ようになり、これにより高品質の記録媒体が製作
できるようになるといつた効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
第1図はこの考案の実施例を示す斜視図、第2
図は同断面図、第3図はこの考案の他の実施例の
断面図、第4図は従来例の正面図である。 1……磁界発生装置、2……テープ(基材)、
3……電子線照射装置、4……磁気シールド体。

Claims (1)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. 基材の表面に形成されてある磁性塗膜の表面を
    貫通する磁束を発生して、前記磁性塗膜を垂直磁
    場配向するための磁界発生装置と、前記磁界発生
    装置によつて磁場配向された前記磁性塗膜にこれ
    を硬化するための電子線を照射する電子線照射装
    置とからなる磁気記録媒体製造装置において、前
    記磁界発生装置と電子線照射装置との間に、前記
    磁界発生装置からの磁束が、前記電子線照射装置
    から照射される電子線に到達しないようにするた
    めの磁気シールド体を設けてなる磁気記録媒体製
    造装置。
JP1278485U 1985-01-30 1985-01-30 Expired JPH0337136Y2 (ja)

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JP1278485U JPH0337136Y2 (ja) 1985-01-30 1985-01-30

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JPS61130021U JPS61130021U (ja) 1986-08-14
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