JPH0336759A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
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- JPH0336759A JPH0336759A JP17231489A JP17231489A JPH0336759A JP H0336759 A JPH0336759 A JP H0336759A JP 17231489 A JP17231489 A JP 17231489A JP 17231489 A JP17231489 A JP 17231489A JP H0336759 A JPH0336759 A JP H0336759A
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- conductive film
- film
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- diffusion layer
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- Pending
Links
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Landscapes
- Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
【産業上の利用分野］
本発明は半導体集積回路の構造に関し、特に抵抗素子の
抵抗値の変動を抑えるための構造に関する。
抵抗値の変動を抑えるための構造に関する。
〔従来の技術１
従来の集積回路に使われている抵抗素子は、第２図（ａ
）、（ｂ）の様な構造をしていて、半導体基板２０７の
導電型とは逆の導電型の不純物をイオン注入法や熱拡散
法により所定の場所に選択的に導入し抵抗素子２０１を
形成する。この抵抗素子２０１は長さと幅の制御により
所望の抵抗値を得たり、中間部分より端子を引き出して
所望の中間電位を得るのに使用される６通常抵抗素子の
端子引き出しにはアルミニウム配線２０２が使用される
。抵抗素子２０１の上部は、酸化膜２０７や層間綿ａ１
１１２０Ｂ、パッシベーション膜２０９を堆積し、プラ
スチック樹脂容器に封入されて集積回路として使用され
る。
）、（ｂ）の様な構造をしていて、半導体基板２０７の
導電型とは逆の導電型の不純物をイオン注入法や熱拡散
法により所定の場所に選択的に導入し抵抗素子２０１を
形成する。この抵抗素子２０１は長さと幅の制御により
所望の抵抗値を得たり、中間部分より端子を引き出して
所望の中間電位を得るのに使用される６通常抵抗素子の
端子引き出しにはアルミニウム配線２０２が使用される
。抵抗素子２０１の上部は、酸化膜２０７や層間綿ａ１
１１２０Ｂ、パッシベーション膜２０９を堆積し、プラ
スチック樹脂容器に封入されて集積回路として使用され
る。
〔発明が解決しようとする課題」
上記の様な従来の構造の抵抗素子で、抵抗の中間部分よ
り端子を取り出しである一定の中間電位を得ようとする
場合に高温高温バイアス試験を行なうと中間電位が変動
してしまうことがある。この時抵抗素子の拡散層のキャ
リア濃度が小さい、つまり単位面積当りの抵抗値が大き
い程、また抵抗素子の両端子間に印加される電圧が大き
い程電位変動は大きくなる。電位変動は抵抗素子表面側
近傍に誘起される電荷により表面が部分的に空乏化或は
反転することによる抵抗値変化が原因である。
り端子を取り出しである一定の中間電位を得ようとする
場合に高温高温バイアス試験を行なうと中間電位が変動
してしまうことがある。この時抵抗素子の拡散層のキャ
リア濃度が小さい、つまり単位面積当りの抵抗値が大き
い程、また抵抗素子の両端子間に印加される電圧が大き
い程電位変動は大きくなる。電位変動は抵抗素子表面側
近傍に誘起される電荷により表面が部分的に空乏化或は
反転することによる抵抗値変化が原因である。
本発明は上記の様な抵抗素子の表面の不安定性に起因す
る抵抗値の変動なくすことができる集積回路の構造を提
供することを目的とする。
る抵抗値の変動なくすことができる集積回路の構造を提
供することを目的とする。
［課題を解決するための手段］
本発明の構造は拡散層の抵抗素子の上部に絶縁膜を界し
て抵抗素子を覆う形で導電性膜を形成し、該導電性膜と
半導体基板とを接続する、或は該導電性膜と集積回路の
電源線とを接続することにより、該導電性膜を一定の電
位に保持することを特徴とする。
て抵抗素子を覆う形で導電性膜を形成し、該導電性膜と
半導体基板とを接続する、或は該導電性膜と集積回路の
電源線とを接続することにより、該導電性膜を一定の電
位に保持することを特徴とする。
〔作 用１
抵抗素子上の絶縁膜に誘起された電荷を半導体基板或は
電源と同一電位になっている導電性膜を通して放電する
ことができ、集積回路の動作中や外的要因によって誘起
される電荷に起因する抵抗値変動を制御することができ
る。
電源と同一電位になっている導電性膜を通して放電する
ことができ、集積回路の動作中や外的要因によって誘起
される電荷に起因する抵抗値変動を制御することができ
る。
〔実 施 例］
本発明の集積回路の抵抗素子は第１図（ａ）、（ｂ）に
示される構造をしている。１０１はＰ型拡敢層による抵
抗素子で、酸化膜１０７の上部にＮ型ポリシリコン膜１
１０を抵抗素子１０１の大部分を平面的に覆う構造とす
る。Ｎ型ポリシリコン膜は高濃度Ｎ型拡散層ＩＪＩとコ
ンタクトを界してＮ型シリコン基板１０５と接続される
。抵抗素子１０１は高濃度Ｐ型拡敢層１０３．１０４の
コンタクトを界してアルミニウム配線１０２と接続され
抵抗素子として機能する。１１０の導電性膜はＮ型ポリ
シリコンに限らず、ＭＯ５Ｉ−ランジスタのゲート電極
に使用される遷移金属やそのケイ化物、アルミニウム合
金、Ｐ型ポリシリコンでも同様の効果を期待できる。さ
らに、１０５はＮ型基板に限らずＰ型基板でもｌｏｔを
Ｎ型拡散層抵抗素子とすることにより同様の効果を期待
できる。
示される構造をしている。１０１はＰ型拡敢層による抵
抗素子で、酸化膜１０７の上部にＮ型ポリシリコン膜１
１０を抵抗素子１０１の大部分を平面的に覆う構造とす
る。Ｎ型ポリシリコン膜は高濃度Ｎ型拡散層ＩＪＩとコ
ンタクトを界してＮ型シリコン基板１０５と接続される
。抵抗素子１０１は高濃度Ｐ型拡敢層１０３．１０４の
コンタクトを界してアルミニウム配線１０２と接続され
抵抗素子として機能する。１１０の導電性膜はＮ型ポリ
シリコンに限らず、ＭＯ５Ｉ−ランジスタのゲート電極
に使用される遷移金属やそのケイ化物、アルミニウム合
金、Ｐ型ポリシリコンでも同様の効果を期待できる。さ
らに、１０５はＮ型基板に限らずＰ型基板でもｌｏｔを
Ｎ型拡散層抵抗素子とすることにより同様の効果を期待
できる。
〔発明の効果］
以上述べた本発明によれば半導体基板上に形成される拡
散層抵抗の抵抗値が、工程中や動作中に誘起される電荷
により変動することがなくなり、安定した中間電位の取
り出しや安定した抵抗値を得ることができる。さらに拡
散層抵抗を覆う導電性膜は、ゲート電極やアルミニウム
配線を形成する時と同時に形成することができるので、
新たな工程を追加することなく本発明の構造を実現でき
る。
散層抵抗の抵抗値が、工程中や動作中に誘起される電荷
により変動することがなくなり、安定した中間電位の取
り出しや安定した抵抗値を得ることができる。さらに拡
散層抵抗を覆う導電性膜は、ゲート電極やアルミニウム
配線を形成する時と同時に形成することができるので、
新たな工程を追加することなく本発明の構造を実現でき
る。
第１図（ａ）、（ｂ）は、本発明の半導体集積回路の構
造を示す平面図（ａ）と主要断面図（ｂ）。 第２図（ａ）、（ｂ）は、従来の半導体集積回路の構造
を示す平面図（ａ）と主要断面図（ｂ）。 １０１ ・ １０２ ・ １０３ ・ １０４ ・ １０５ ・ １０６ ・ ｌ ○ ７ ・ ｌ ○８ ・ １０９ ・ １１０ ・ Ｉｌｌ ・ ２．０１ ・ ２０２ ・ ２０３ ・ ２０４ ・ ２０５ ・ ・抵抗素子 ・アルミニウム配線 ・高濃度Ｐ型拡敢層 ・高濃度Ｐ型拡散層 ・Ｎ型シリコン基板 ・素子分離酸化膜 ・酸化膜 ・層間絶縁膜 ・パッシベーション膜 ・Ｎ型ポリシリコン膜（導電性膜） ・高濃度Ｎ型拡散層 ・抵抗素子 ・アルミニウム配線 ・高濃度Ｐ型拡散層 ・高濃度Ｐ型拡散層 ・Ｎ型基板 ２０６ ２０７ ０８ ０９ ・素子分離酸化膜 ・酸化膜 ・層間絶ｔｉｌ！ ・パッシベーション膜
造を示す平面図（ａ）と主要断面図（ｂ）。 第２図（ａ）、（ｂ）は、従来の半導体集積回路の構造
を示す平面図（ａ）と主要断面図（ｂ）。 １０１ ・ １０２ ・ １０３ ・ １０４ ・ １０５ ・ １０６ ・ ｌ ○ ７ ・ ｌ ○８ ・ １０９ ・ １１０ ・ Ｉｌｌ ・ ２．０１ ・ ２０２ ・ ２０３ ・ ２０４ ・ ２０５ ・ ・抵抗素子 ・アルミニウム配線 ・高濃度Ｐ型拡敢層 ・高濃度Ｐ型拡散層 ・Ｎ型シリコン基板 ・素子分離酸化膜 ・酸化膜 ・層間絶縁膜 ・パッシベーション膜 ・Ｎ型ポリシリコン膜（導電性膜） ・高濃度Ｎ型拡散層 ・抵抗素子 ・アルミニウム配線 ・高濃度Ｐ型拡散層 ・高濃度Ｐ型拡散層 ・Ｎ型基板 ２０６ ２０７ ０８ ０９ ・素子分離酸化膜 ・酸化膜 ・層間絶ｔｉｌ！ ・パッシベーション膜
Claims (3)
- （１）集積回路のトランジスタ素子が形成される半導体
基板上に該半導体基板とは導電型の異なる不純物を導入
して形成する抵抗素子をもつ半導体装置において、該抵
抗素子の上部に絶縁膜を界して導電性の膜を形成し該抵
抗素子領域の全部または一部を覆い、該導電性膜を一定
の電位に保持することを特徴とする半導体装置。 - （２）上記導電性膜と半導体基板とを接続し、該導電性
膜と該半導体基板とを同一電位とする請求項１記載の半
導体装置。 - （３）上記導電性膜と集積回路の電源とを接続して該導
電性膜と該電源とを同一電位とすることを特徴とする請
求項１記載の半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17231489A JPH0336759A (ja) | 1989-07-04 | 1989-07-04 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17231489A JPH0336759A (ja) | 1989-07-04 | 1989-07-04 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0336759A true JPH0336759A (ja) | 1991-02-18 |
Family
ID=15939619
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17231489A Pending JPH0336759A (ja) | 1989-07-04 | 1989-07-04 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0336759A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002158290A (ja) * | 2000-08-30 | 2002-05-31 | Agere Systems Guardian Corp | 上に増加したルート形成領域を有するフィールドプレート抵抗 |
| KR101066335B1 (ko) * | 2008-04-03 | 2011-09-20 | 김병수 | 작물재배용 클립 |
-
1989
- 1989-07-04 JP JP17231489A patent/JPH0336759A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002158290A (ja) * | 2000-08-30 | 2002-05-31 | Agere Systems Guardian Corp | 上に増加したルート形成領域を有するフィールドプレート抵抗 |
| KR101066335B1 (ko) * | 2008-04-03 | 2011-09-20 | 김병수 | 작물재배용 클립 |
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