JPH0336748A - Semiconductor integrated circuit device - Google Patents

Semiconductor integrated circuit device

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JPH0336748A
JPH0336748A JP17270689A JP17270689A JPH0336748A JP H0336748 A JPH0336748 A JP H0336748A JP 17270689 A JP17270689 A JP 17270689A JP 17270689 A JP17270689 A JP 17270689A JP H0336748 A JPH0336748 A JP H0336748A
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JP
Japan
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power supply
internal
line
current
circuit
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JP17270689A
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Japanese (ja)
Inventor
Noboru Yokota
横田 昇
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Fujitsu Ltd
Original Assignee
Fujitsu Ltd
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Publication date
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Abstract

PURPOSE:To decide whether or not an internal circuit is satisfactory by measuring a current supplied only to the internal circuit without supplying the current to an external power supply line and without losing the function of an internal short-circuitting line by providing a switching element controlled so as to separate the external power supply line and an internal power supply line when the current to be injected into the internal circuit is measured. CONSTITUTION:When a current flowing into an internal circuit 22 is measured, a power supply is first supplied only to a power supply pad PAD 2, Thereupon, the power supply pad PAD 2 and an internal power supply line L2 are connected with each other through a diode D1. Further, a control line LC becomes a 'H' level and switching elements P1, P2 are made 'OFF', whereby an external power line L1 and the internal power supply line L2 are separated from each other. A current supply path from the power supply pad 2 to the external power supply circuit 23 is interrupted by the switching elements P1 and P2. Accordingly, only currents 11+12 flowing into the internal circuit 22 are indicated on an ammeter 25. From the result of current measurement, the internal circuit 22 can be decided on whether it is satisfactory or not.

Description

【発明の詳細な説明】 〔概要〕 半導体集積回路装置、特に外部周辺回路に係る外部ii
R線と内部回路に係る内部電源線とが短絡された装置の
電源供給試験に関し、 該外部電源線に供給することなく、しかも内部短絡線の
機能を損なうことなく、内部回路のみ供給される電流を
測定し、該内部回路の良否を判定することを目的とし、 電源供給端子に接続された外部′r!l源線と内部回路
に接続された内部電源線を具備する半導体集積回路装置
であって、前記外部電源線と内部電源線との間にスイッ
チング素子が設けられ、前記スイッチング素子は、内部
回路に流入する電流を測定するときには、外部電源線と
内部電源線とを分離するように制御することを含み、m
或する。
[Detailed Description of the Invention] [Summary] Semiconductor integrated circuit device, especially external ii related to external peripheral circuit
Regarding the power supply test of a device in which the R line and the internal power line related to the internal circuit are short-circuited, the current that is supplied only to the internal circuit without being supplied to the external power line and without impairing the function of the internal short-circuit line. The purpose of this test is to measure the external 'r!' connected to the power supply terminal to determine the quality of the internal circuit. 1. A semiconductor integrated circuit device comprising an internal power source line connected to an internal circuit and a switching element provided between the external power source line and the internal power source line, the switching element connected to the internal circuit. When measuring the inflowing current, the external power line and the internal power line are controlled to be separated, and m
There is.

〔産業上の利用分野] 本発明は、半導体集積回路装置に関するものであり、更
に詳しく言えば、外部周辺回路に係る外部電源線と内部
回路に係る内部電源線とが短絡された装置の電源供給試
験に関するものである。
[Field of Industrial Application] The present invention relates to a semiconductor integrated circuit device, and more specifically, the present invention relates to a power supply for a device in which an external power line related to an external peripheral circuit and an internal power line related to an internal circuit are short-circuited. It's about the exam.

近年、外部周辺回路に高駆動特性のバイポーラトランジ
スタを用い、内部回路に低消費電力特性のCMOSトラ
ンジスタを用いた半導体集積回路が開発されている。
In recent years, semiconductor integrated circuits have been developed that use bipolar transistors with high drive characteristics in external peripheral circuits and CMOS transistors with low power consumption characteristics in internal circuits.

これによれば、該装置の動作機能試験の際には、外部周
辺回路と内部回路とが分離されて、内部回路への供給電
流を測定することができ、それ以外は外部電源線と内部
電源とを接続することができる装置の要望がある。
According to this, when testing the operational function of the device, the external peripheral circuit and the internal circuit are separated, and the current supplied to the internal circuit can be measured. There is a need for a device that can connect

〔従来の技術〕[Conventional technology]

第5.6図は従来例に係る説明図である。 FIG. 5.6 is an explanatory diagram of a conventional example.

第5図は、従来例の半導体集積回路装置に係る構成図を
示している。
FIG. 5 shows a configuration diagram of a conventional semiconductor integrated circuit device.

図において、半導体集積回路装置は、半導体チップ1内
に、CuO2)ランジスタを主体に各種論理回路を組み
入れた内部回路2と、高駆動特性を生かして、人出力バ
ッファ(I10ボート)等を組み入れた外部周辺回路3
と、内部回路2の電源幹線となる内部電源線L2と、外
部回路3の電源幹線となる外部電源線Llと、外部電源
線Llや内部電源線L2に接続された複数の電源パッド
1a〜1eと、内部を源線L1と外部電源線L2とを短
絡する内外部短絡線4から構成されている。
In the figure, the semiconductor integrated circuit device has an internal circuit 2 that incorporates various logic circuits mainly consisting of CuO2) transistors in a semiconductor chip 1, and a human output buffer (I10 board), etc., built in to take advantage of its high drive characteristics. External peripheral circuit 3
, an internal power supply line L2 serving as a power supply main line for the internal circuit 2, an external power supply line Ll serving as a power supply main line for the external circuit 3, and a plurality of power supply pads 1a to 1e connected to the external power supply line Ll and the internal power supply line L2. and an internal/external short-circuit line 4 that short-circuits the source line L1 and the external power line L2.

内外部短絡線4は、電源パッド1a〜1eと内部回路2
との間の電圧降下を補償するため、および電流引き込み
を短時間に行うため、設けられている。
The internal/external shorting wire 4 connects the power supply pads 1a to 1e and the internal circuit 2.
This is provided to compensate for the voltage drop between the two and to draw current in a short period of time.

〔発明が解決しようとする課題〕[Problem to be solved by the invention]

第6図は、従来例の問題点を説明する試験回路図である
FIG. 6 is a test circuit diagram illustrating the problems of the conventional example.

図において、半導体集積回路装置10の動作機能試験に
係る電源電流の測定は、半導体試験用ブロービング装置
等の試験装置5により、電源パッド1a〜ICに同時に
電圧を印加して、行われている。
In the figure, measurement of the power supply current related to the operational function test of the semiconductor integrated circuit device 10 is performed by simultaneously applying voltage to the power supply pads 1a to IC using a test device 5 such as a probing device for semiconductor testing. .

このため、電源パッド1a〜1cを介して、半導体集積
回路装置10に流入する電流、すなわち電流計6の指示
は、電源バッドla、lcに接続された外部1lijX
線Llを介して外部周辺回路3等に供給される電流11
+13と、電源バンド1bに接続された内部電源線L2
を介して内部回路2に供給されるI2との総和11 +
T 2 +T 3となる。これにより、外部周辺回路3
に流入する電流11+13と、内部周辺回路5に流入す
るt流12とを区別することができない、仮に電源パッ
ドla、lcへの電流供給を停止して、電源パッド1b
のみに電流を供給したとしても、内外部短絡線4を介し
て、該電流が外部電源線Llに流入し、先の供給電流の
総和11 + [2+ r 3が流れることになる。
Therefore, the current flowing into the semiconductor integrated circuit device 10 through the power supply pads 1a to 1c, that is, the indication of the ammeter 6, is
Current 11 supplied to external peripheral circuit 3 etc. via line Ll
+13 and internal power line L2 connected to power band 1b
The total sum 11 + with I2 supplied to the internal circuit 2 via
It becomes T 2 +T 3. As a result, the external peripheral circuit 3
It is not possible to distinguish between the current 11+13 flowing into the internal peripheral circuit 5 and the t current 12 flowing into the internal peripheral circuit 5. If the current supply to the power supply pads la and lc is stopped, and the current supply to the power supply pad 1b is
Even if a current is supplied only to the external power supply line 4, the current flows into the external power supply line Ll through the internal/external shorting line 4, and the sum of the previously supplied currents, 11 + [2+ r 3, will flow.

これにより、CuO2)ランジスタを主体として組み込
まれた内部回路2のみの供給電流を測定することができ
ないということから、半導体集積回路装置の良否判定が
不正確なものとなるという問題がある。
As a result, it is not possible to measure the supply current of only the internal circuit 2 which is mainly incorporated with the CuO2) transistor, resulting in a problem that the quality determination of the semiconductor integrated circuit device becomes inaccurate.

本発明はかかる従来の問題点に鑑みて創作されたもので
あり、外部電源線に供給することなく、しかも内部短絡
線の機能を損なうことなく、内部回路のみ供給される電
流を測定し、該内部回路の良否を判定することを可能と
する半導体集積回路の提供を目的とする。
The present invention was created in view of such conventional problems, and measures the current supplied only to the internal circuit without supplying it to the external power line and without impairing the function of the internal shorting line, and An object of the present invention is to provide a semiconductor integrated circuit that makes it possible to determine the quality of an internal circuit.

〔課題を解決するための手段] 第1図は、本発明の半導体集積回路装置に係る原理図を
示している。
[Means for Solving the Problems] FIG. 1 shows a principle diagram of a semiconductor integrated circuit device of the present invention.

その装置は、電源供給端子に接続された外部電源線Ll
と内部回路12に接続された内部電源線L2を具備する
半導体集積回路装置であって、前記外部電源線Llと内
部電源線L2との間にスイッチング素子14が設けられ
、前記スイッチング素子14は、内部回路12に流入す
る電流を測定するときには、外部電源&?tL1と内部
電源線L2とを分離するように制御することを特徴とし
、上記目的を達成する。
The device has an external power line Ll connected to the power supply terminal.
and an internal power supply line L2 connected to an internal circuit 12, a switching element 14 is provided between the external power supply line Ll and the internal power supply line L2, and the switching element 14 includes: When measuring the current flowing into the internal circuit 12, use the external power supply &? The above object is achieved by controlling so that tL1 and internal power supply line L2 are separated.

(作用〕 本発明によれば、内部回路に注入する電流を測定すると
きには、外部電源線Llと内部電源線L2とを分離する
ように制御されるスイッチング素子14が設けられてい
る。
(Function) According to the present invention, the switching element 14 is provided which is controlled to separate the external power line Ll and the internal power line L2 when measuring the current injected into the internal circuit.

このため、第1図の原理図において、外部i源線LLと
内部電源線L2との間に設けられたスイッチング素子1
4の31をONすることにより、内外部両電源線LL、
L2を短絡して、従来例のような内外部短絡線の効果を
もたせることができる。また、スイッチング素子14の
Slを、まず○FFして、スイッチング素子14のS2
をONし、次いで該スイッチング素子14の32に接続
された電源供給端子11を選択して電源を印加すること
により、内部回路12に供給される電流のみを測定する
ことが可能となる。
Therefore, in the principle diagram of FIG. 1, the switching element 1 provided between the external i source line LL and the internal power source line L2
By turning on 31 of 4, both internal and external power supply lines LL,
By short-circuiting L2, it is possible to have the effect of an internal/external short-circuit line as in the conventional example. In addition, S1 of the switching element 14 is first turned FF, and S2 of the switching element 14 is
By turning on the switching element 14, then selecting the power supply terminal 11 connected to the switching element 14 and applying power, it becomes possible to measure only the current supplied to the internal circuit 12.

これにより、内部回路12の良否を判定することができ
ることから、従来例に比べて半導体集積回路装置の正確
な機能動作試験等を行うことが可能となる。
As a result, it is possible to determine whether the internal circuit 12 is good or bad, so that it is possible to perform a more accurate functional operation test of the semiconductor integrated circuit device than in the conventional example.

〔実施例〕〔Example〕

次に、図を参照しながら本発明の実施例について説明す
る。
Next, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings.

第2.3図は、本発明の実施例に係る半導体集積回路装
置を説明する。
FIG. 2.3 explains a semiconductor integrated circuit device according to an embodiment of the present invention.

(i)第1の実施例の説明 第2図は、本発明の第1の実施例に係る半導体集積回路
装置に係る構成図を示している。
(i) Description of First Embodiment FIG. 2 shows a configuration diagram of a semiconductor integrated circuit device according to a first embodiment of the present invention.

図において、20は半導体チップであり、半導体集積回
路を組み込んだものである。21は電源供給端子11の
一例となる電源パッド(以下PAD1〜PAD2という
)であり、電源電圧を印加する部分である。22は内部
回路であり、CMOSトランジスタを主体にした各種論
理回路等である。このCMOSトランジスタを主体にす
ることによって、半導体集積回路装置の低消費電力化を
図ることができる。内部回路22は内部電源線L2に接
続されている。
In the figure, 20 is a semiconductor chip, which incorporates a semiconductor integrated circuit. 21 is a power supply pad (hereinafter referred to as PAD1 to PAD2) which is an example of the power supply terminal 11, and is a part to which a power supply voltage is applied. Reference numeral 22 denotes an internal circuit, which includes various logic circuits mainly composed of CMOS transistors. By using this CMOS transistor as the main component, it is possible to reduce the power consumption of the semiconductor integrated circuit device. Internal circuit 22 is connected to internal power supply line L2.

23は外部周辺回路であり、バイポーラトランジスタを
主体にした入出力バッファ(1/○ポート)回路等であ
る。バイポーラトランジスタは、CMO3)ランジスタ
に比べて電流増幅率hreが大きく、その駆動力も高い
。従って、外部周辺回路23は内部回路22に比べて電
流流入量が多い。
Reference numeral 23 denotes an external peripheral circuit, such as an input/output buffer (1/○ port) circuit mainly composed of bipolar transistors. Bipolar transistors have a larger current amplification factor hre than CMO3) transistors, and their driving power is also higher. Therefore, the amount of current flowing into the external peripheral circuit 23 is larger than that in the internal circuit 22.

なお、外部周辺回路23は、外部1f源線L1に接続さ
れている。外部電源線Llは本発明の実施例の場合、電
源パッドPAD1とPAD3に接続されている。
Note that the external peripheral circuit 23 is connected to the external 1f source line L1. In the embodiment of the present invention, the external power line Ll is connected to power pads PAD1 and PAD3.

31〜S5は、スイッチング素子14の一実施例であり
、外部電源線Llと内部電源yAL2との間に接続され
るスイッチング素子Sl、S2.S4、S5と、電源パ
ッドPAD2と内部電源線L2との間に接続されるスイ
ッチング素子S3の二つのタイプがある。いずれのスイ
ッチング素子S1〜S5も、制御線LCに接続され、そ
の制御は電源パッドPAD 1〜PAD3を選択して、
例えば該電源パッドPAD2に電源を供給することによ
り行われるものである。この二つのタイプのスイッチン
グ素子Sl、S2.S4.S5とS3の機能については
、第3図を参照しながら説明する。
31 to S5 are examples of the switching elements 14, and switching elements Sl, S2 . There are two types: S4, S5, and switching element S3 connected between power supply pad PAD2 and internal power supply line L2. All switching elements S1 to S5 are connected to a control line LC, and the control is performed by selecting power supply pads PAD1 to PAD3.
For example, this is performed by supplying power to the power supply pad PAD2. These two types of switching elements Sl, S2. S4. The functions of S5 and S3 will be explained with reference to FIG.

第3図は、本発明の第1の実施例に係るスイッチング素
子の説明図であり、内部回路22に流入する′Ei流を
測定する試験回路を示している。
FIG. 3 is an explanatory diagram of the switching element according to the first embodiment of the present invention, and shows a test circuit for measuring the 'Ei current flowing into the internal circuit 22.

図において、Pi、P2は、スイッチング素子31.3
2,34.S5の一実施例となるスイッチングトランジ
スタ素子であり、本発明の実施例ではP型MO3)ラン
ジスタを用いている。P型MO5)ランジスタPi、P
2のソースは外部電源綿Llに接続され、そのドレイン
は内部電源線L2に接続されている。また、それらのゲ
ートは制御線Cにより接続され、電源パッドPAD2に
接続されている。なお、制御LCにはプルダウン抵抗R
1が接続される。
In the figure, Pi and P2 are switching elements 31.3
2,34. This is a switching transistor element that is an example of S5, and in the example of the present invention, a P-type MO3) transistor is used. P type MO5) transistor Pi, P
The source of No. 2 is connected to the external power supply line Ll, and the drain thereof is connected to the internal power supply line L2. Further, their gates are connected by a control line C and connected to a power supply pad PAD2. In addition, the control LC includes a pull-down resistor R.
1 is connected.

DIはスイッチング素子S3の一実施例となる弁別素子
であり、゛本発明の実施例ではダイオードを用いている
。ダイオードのアノードは電源バンドPAD2に接続さ
れ、そのカソードは内部電源線に接続されている。
DI is a discrimination element which is an embodiment of the switching element S3, and a diode is used in the embodiment of the present invention. The anode of the diode is connected to the power band PAD2, and the cathode is connected to the internal power line.

また、24は試験装置であり、半導体試験用ブロービン
グ装置等である。25は電流計であり、ブロービング針
を流れる電流を検出するものである。
Further, 24 is a test device, such as a blowing device for semiconductor testing. 25 is an ammeter that detects the current flowing through the blobbing needle.

従って、例えば電源が正11it源であって、内部回路
22に流入する電流を測定する場合には、まず、電源バ
ッドPAD2にのみに電源を供給する。この際に、ダイ
オードDIにより、電源パッドPAD2と内部電源線L
2とが接続される。また、制御線LCが「H」レベルと
なり、スイッチング素子PI、P2は「○FFJするこ
とから、外部電源線Llと内部電源線L2とが分離され
る。
Therefore, for example, when the power supply is a positive 11it source and the current flowing into the internal circuit 22 is to be measured, first, power is supplied only to the power supply pad PAD2. At this time, the diode DI connects the power supply pad PAD2 and the internal power supply line L.
2 is connected. Further, since the control line LC becomes "H" level and the switching elements PI and P2 perform "FFJ", the external power supply line Ll and the internal power supply line L2 are separated.

電源パッドPAD2から外部電源回路23への電流供給
通路がスイッチング素子PL、P2により断たれる。こ
のことから、内部回路22に流入する電流11+12の
みが電流計25に指示される。これによる電流測定結果
から、内部回路22の良否判定をすることができる。
A current supply path from power supply pad PAD2 to external power supply circuit 23 is cut off by switching elements PL and P2. From this, only the current 11+12 flowing into the internal circuit 22 is indicated to the ammeter 25. Based on the current measurement result, it is possible to determine whether the internal circuit 22 is good or bad.

なお、試験時以外は、を源パッドPAD1とPAD3と
に電源を印加する。また1、電源パッドPAD2に電圧
が印加されないことから制御線LCは「L」レベルとな
り、スイッチング素子PIP2は「ON」となる、これ
により、外部1i源線L1と内部電源線L2とを短絡す
ることができ、内部回路、外部周辺回路とともに通常動
作させることができる。
Note that, except during testing, power is applied to the source pads PAD1 and PAD3. In addition, 1. Since no voltage is applied to the power supply pad PAD2, the control line LC becomes "L" level, and the switching element PIP2 becomes "ON", thereby short-circuiting the external 1i source line L1 and the internal power supply line L2. It can be operated normally together with internal circuits and external peripheral circuits.

(ii)第2の実施例の説明 第4図は、本発明の第2の実施例に係るスイッチング素
子の説明図である。
(ii) Description of Second Embodiment FIG. 4 is an explanatory diagram of a switching element according to a second embodiment of the present invention.

図において、第1の実施例と異なるのは、第2の実施例
では、スイッチング素子Sl、S2.S4、N5にN型
MOS)ランジスタを使用し、スイッチング素子S3に
保護ダイオードD2とN型MOS)ランジスタとを使用
するものである。
In the figure, the difference from the first embodiment is that the second embodiment has switching elements Sl, S2 . N-type MOS) transistors are used for S4 and N5, and a protection diode D2 and an N-type MOS) transistor are used for the switching element S3.

その他の構成物は、第1の実施例と同様であるので、説
明を省略する。
The other components are the same as those in the first embodiment, so their explanation will be omitted.

即ち、スイッチング素子Sl、S2.S4.N5の一実
施例となるN型MOS)ランジスタ(スイッチング素子
)Nl、N3は、そのソースとゲートが短絡されて外部
電源線Llに接続されている。
That is, switching elements Sl, S2 . S4. N-type MOS transistors (switching elements) Nl and N3, which are an embodiment of N5, have their sources and gates short-circuited and connected to an external power supply line Ll.

スイッチング素子S3の一実施例となるダイオードD2
とN型MOS)ランジスタ(スイッチング素子)N2は
、ダイオードD2のアノードが電源パッドPAD2に接
続され、カソードがN型MOS)ランジス、りN2のソ
ースとゲートとを短絡した点に接続され、そのドレイン
が内部電源!1tL2に接続されている。
Diode D2 which is an example of switching element S3
and N-type MOS) transistor (switching element) N2, the anode of diode D2 is connected to power supply pad PAD2, the cathode is connected to the point where the source and gate of N-type MOS) transistor N2 are short-circuited, and its drain is the internal power supply! It is connected to 1tL2.

従って、第1の実施例と同様に、電源が正電源であって
、内部回路22に流入する電流を測定する場合には、ま
ず、電源バッドPAD2のみに電源を供給する。この際
に、ダイオードD2.スイッチング素子N2により、電
源パッドPAD2と内部電源線L2とが接続される。ま
た、他のスイッチング素子Nl、N3ば、rOFFJ 
1.、ていることから、内部電fl線L1と外部電源線
とが分離される。
Therefore, as in the first embodiment, when the power supply is a positive power supply and the current flowing into the internal circuit 22 is to be measured, first, power is supplied only to the power supply pad PAD2. At this time, the diode D2. Switching element N2 connects power supply pad PAD2 and internal power supply line L2. In addition, other switching elements Nl, N3, rOFFJ
1. , the internal power supply line L1 and the external power supply line are separated.

このため、電源パッドPAD2から外it源回路23へ
の電流供給通路がスイッチング素子により断たれる。こ
のことから内部回路22に流入する電流のみを測定する
ことができる。この測定結果により、第1の実施例と同
様に内部回路22の良否判定をすることができる。
Therefore, the current supply path from the power supply pad PAD2 to the external IT source circuit 23 is cut off by the switching element. Therefore, only the current flowing into the internal circuit 22 can be measured. Based on this measurement result, the quality of the internal circuit 22 can be determined as in the first embodiment.

なお、試験以外は、電源パッドPADI〜PAD3すべ
てに電源を供給することにより、スイッチング素子Nl
、N3が「ON」する、これにより、従来例のような内
外部短絡線4の効果をもたせることができる。
In addition, except for the test, by supplying power to all power pads PADI to PAD3, the switching element Nl
, N3 are turned "ON", thereby providing the effect of the internal/external shorting line 4 as in the conventional example.

このようにして、本発明の各実施例によれば、スイッチ
ング素子Pi、P2.Nl〜N3およびダイオードDI
、D2が設けられている。
Thus, according to each embodiment of the invention, the switching elements Pi, P2 . Nl~N3 and diode DI
, D2 are provided.

このため、外部電源線Llと内部′;S、源線L2との
間に設けられたスイッチング素子PL、P2やNl、N
3をONすることにより、内外部両電源線Ll、L2を
短絡して、従来例のような内外部短絡144の効果をも
たせることができる。また、スイッチング素子PI、P
2やNl、N3を、まず、OFF状態にして、弁別素子
Di、D2、スイッチング素子N3をONする。次いで
該弁別素子DI、D2を接続した電源パッドPAD2に
電源を印加することにより、内部回路22に供給される
電流のみを測定することが可能となる。
Therefore, the switching elements PL, P2, Nl, N provided between the external power supply line Ll and the internal source line L2 are
By turning ON 3, both the internal and external power supply lines Ll and L2 are short-circuited, and the effect of the internal-external short circuit 144 as in the conventional example can be produced. In addition, switching elements PI, P
2, Nl, and N3 are first turned off, and the discrimination elements Di and D2 and the switching element N3 are turned on. Next, by applying power to the power supply pad PAD2 connected to the discrimination elements DI and D2, it becomes possible to measure only the current supplied to the internal circuit 22.

これにより、内部回路22の良否を判定することができ
ることから、従来例に比べて半導体集積回路装置の正確
な機能動作試験等を行うことが可能となる。
As a result, it is possible to determine whether the internal circuit 22 is good or bad, so that it is possible to perform a more accurate functional operation test of the semiconductor integrated circuit device than in the conventional example.

なお、本発明の各実施例では、正taIの場合について
説明したが、負電源の場合についても正電源と同様に内
部回路への供給電流のみを測定することができる。
In each embodiment of the present invention, the case of positive taI has been described, but also in the case of negative power supply, only the current supplied to the internal circuit can be measured as in the case of positive power supply.

C発明の効果〕 以上説明したように本発明によれば、スイッチング素子
によって電源パッドの選択することにより、外部電源線
と内部電源線とに流入する電流を区別することが可能と
なる。
C. Effects of the Invention] As described above, according to the present invention, by selecting a power supply pad using a switching element, it is possible to distinguish between the currents flowing into the external power supply line and the internal power supply line.

このため、内部電源線のみに電流を流入することができ
ることから、試験時に内部回路への供給電流のみを測定
すること、および試験時以外は内外部電源線の接続をす
ることが可能となる。
Therefore, since current can flow only into the internal power supply line, it becomes possible to measure only the current supplied to the internal circuit during testing, and to connect the internal and external power supply lines except during testing.

これにより、内部論理ロジック回路等の動作機能試験等
を正確に行うことができることから、高信頼度の半導体
集積回路装置の製造に寄与するところが大きい。
This makes it possible to accurately perform operational function tests of internal logic circuits, etc., which greatly contributes to the manufacture of highly reliable semiconductor integrated circuit devices.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of drawings]

第1図は、本発明の半導体集積回路装置に係る原理図、 第2図は、本発明の第1の実施例の半導体集積回路装置
に係るtll同図 第3図は、本発明の第1の実施例に係るスイッチング素
子の説明図、 第4図は、本発明の第2の実施例に係るスイッチング素
子の説明図、 第5図は、従来例の半導体集積回路装置に係る構成国、 第6図は、従来例の問題点を説明する試験回路図である
。 〔符号の説明〕 11・・・を源供給端子、 12・・・内部回路、 13・・・外部周辺回路、 14・・・スイッチング素子、 Ll・・・外部電源線、 L2・・・内部電源線。
FIG. 1 is a principle diagram of a semiconductor integrated circuit device according to the present invention. FIG. 2 is a diagram of a semiconductor integrated circuit device according to a first embodiment of the present invention. FIG. 4 is an explanatory diagram of a switching element according to a second embodiment of the present invention; FIG. 5 is an explanatory diagram of a switching element according to a second embodiment of the present invention; FIG. FIG. 6 is a test circuit diagram illustrating problems with the conventional example. [Explanation of symbols] 11... power supply terminal, 12... internal circuit, 13... external peripheral circuit, 14... switching element, Ll... external power line, L2... internal power supply line.

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 電源供給端子に接続された外部電源線(L1)と内部回
路(12)に接続された内部電源線(L2)を具備する
半導体集積回路装置であって、前記外部電源線(L1)
と内部電源線(L2)との間にスイッチング素子(14
)が設けられ、前記スイッチング素子(14)は、内部
回路(12)に流入する電流を測定するときには、外部
電源線(L1)と内部電源線(L2)とを分離するよう
に制御することを特徴とする半導体集積回路装置。
A semiconductor integrated circuit device comprising an external power line (L1) connected to a power supply terminal and an internal power line (L2) connected to an internal circuit (12), wherein the external power line (L1)
A switching element (14
), and the switching element (14) controls to separate the external power line (L1) and the internal power line (L2) when measuring the current flowing into the internal circuit (12). Features of semiconductor integrated circuit devices.
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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