JPH0336728A - 半導体ウエハ剥離方法 - Google Patents
半導体ウエハ剥離方法Info
- Publication number
- JPH0336728A JPH0336728A JP1172532A JP17253289A JPH0336728A JP H0336728 A JPH0336728 A JP H0336728A JP 1172532 A JP1172532 A JP 1172532A JP 17253289 A JP17253289 A JP 17253289A JP H0336728 A JPH0336728 A JP H0336728A
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- JP
- Japan
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- air
- wafer
- wax
- polishing tool
- heating plate
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- Pending
Links
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 14
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- 239000000155 melt Substances 0.000 claims description 2
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 abstract description 55
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Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
- B24B37/34—Accessories
- B24B37/345—Feeding, loading or unloading work specially adapted to lapping
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は、研磨治具に貼付されたウェハを安定に剥離す
ることのできる半導体ウェハ剥離方法に関するものであ
る。
ることのできる半導体ウェハ剥離方法に関するものであ
る。
［従来の技術］
ウェハを研磨する場合は研磨治具の平坦面にワックスを
塗布しその上にウェハの月面を貼付して固化した後他の
片肉を回転定盤に押当てて研磨するが、この方式ではワ
ックスによるウェハの貼付及び研磨終了後におけるウェ
ハの引離し技術が重要となる。
塗布しその上にウェハの月面を貼付して固化した後他の
片肉を回転定盤に押当てて研磨するが、この方式ではワ
ックスによるウェハの貼付及び研磨終了後におけるウェ
ハの引離し技術が重要となる。
第３図及び第４図は夫々ウェハを研磨治具に貼付した場
合と研磨治具より剥離する場合の状況を示すものである
。両図において、１はウェハ、２はワックス、３は研磨
治具、４はワックス２を加熱する加熱プレート、５はウ
ェハ１を研磨治具３より引離すナイフを示す。
合と研磨治具より剥離する場合の状況を示すものである
。両図において、１はウェハ、２はワックス、３は研磨
治具、４はワックス２を加熱する加熱プレート、５はウ
ェハ１を研磨治具３より引離すナイフを示す。
ウェハ１を貼付する場合（第３図）はウェハの平坦性に
対する要求が厳しくなるにつれて貼付精度に対する要求
も厳しくなり、貼付に必要なワックス２の厚さが数ミク
［」ン以下であることが要求される。又、ワックス２の
溶融温度は通常４０℃以上であればよいが、短時間に昇
温させる場合は加熱プレート４の表面温度を１００℃以
上となるように設定して行う。
対する要求が厳しくなるにつれて貼付精度に対する要求
も厳しくなり、貼付に必要なワックス２の厚さが数ミク
［」ン以下であることが要求される。又、ワックス２の
溶融温度は通常４０℃以上であればよいが、短時間に昇
温させる場合は加熱プレート４の表面温度を１００℃以
上となるように設定して行う。
次に研磨されたウェハを引離す場合はワックスを溶融し
て引離すがこの場合ワックスの厚さが数ミクロン以下と
薄い上にウェハが高精度に加工されているので慎重に引
離さなければならない。このため従来は第４図に示すよ
うにワックス２と研磨治具３の間に先端の鋭利なナイフ
５を差入れて引離す方式が用いられている。
て引離すがこの場合ワックスの厚さが数ミクロン以下と
薄い上にウェハが高精度に加工されているので慎重に引
離さなければならない。このため従来は第４図に示すよ
うにワックス２と研磨治具３の間に先端の鋭利なナイフ
５を差入れて引離す方式が用いられている。
［発明が解決しようとする課題］
上述したように研磨されたウェハを治具より引離す場合
は加熱プレートにより研磨治具を加熱してワックスを溶
融状態としこの状態でワックスの下側にナイフの先端を
差入れてウェハを引離すのであるが、この時ウェハ周辺
部に応力が集中して欠けが発生し、クラックや割れを生
ずる場合がある。ウェハの形状が角形の場合には特に障
害が生じ易く歩留りの低下が著しい。このようにナイフ
を用いてウエハを引離す場合は熟練が必要で経験の深い
作業者に頼らざるを得ない嫌いがある。
は加熱プレートにより研磨治具を加熱してワックスを溶
融状態としこの状態でワックスの下側にナイフの先端を
差入れてウェハを引離すのであるが、この時ウェハ周辺
部に応力が集中して欠けが発生し、クラックや割れを生
ずる場合がある。ウェハの形状が角形の場合には特に障
害が生じ易く歩留りの低下が著しい。このようにナイフ
を用いてウエハを引離す場合は熟練が必要で経験の深い
作業者に頼らざるを得ない嫌いがある。
本発明の目的は、研磨治具よりウェハを安定に引離すこ
とのできる半導体ウェハ剥離方法を提供することにある
。
とのできる半導体ウェハ剥離方法を提供することにある
。
［課題を解決するための手段］
本発明は、研磨治具にワックスにより貼付されていた半
導体ウェハを研磨終了後研磨治具より引離す半導体ウェ
ハ剥離方法において、研磨治具及び研磨治具を支持しつ
つ、ワックスを溶解してウェハを遊離状態とする加熱プ
レートに、夫々ウェハの貼付面に空気を噴出させる空気
噴出臼及び空気を吹付ける空気吹付口を取伺けてウェハ
を貼付面より浮上させて剥離することを特徴としており
、ウェハが研磨治具より安定に剥離できるようにして目
的の達成を計っている。
導体ウェハを研磨終了後研磨治具より引離す半導体ウェ
ハ剥離方法において、研磨治具及び研磨治具を支持しつ
つ、ワックスを溶解してウェハを遊離状態とする加熱プ
レートに、夫々ウェハの貼付面に空気を噴出させる空気
噴出臼及び空気を吹付ける空気吹付口を取伺けてウェハ
を貼付面より浮上させて剥離することを特徴としており
、ウェハが研磨治具より安定に剥離できるようにして目
的の達成を計っている。
［作用Ｊ
本発明の半導体ウェハ剥離方法ではワックスで貼付した
ウェハを研磨治具より引離す場合、研磨治具及び加熱プ
レートに夫々空気噴出口及び空気吹付口を取付けて両者
を通してウェハの貼付面に空気を吹付けて剥離するよう
にしているので、ウェハは噴出時の空気圧力により研磨
治具より浮上する状態となり、研磨終了後のウェハの剥
離作業を極めて容易、安定に行うことができる。
ウェハを研磨治具より引離す場合、研磨治具及び加熱プ
レートに夫々空気噴出口及び空気吹付口を取付けて両者
を通してウェハの貼付面に空気を吹付けて剥離するよう
にしているので、ウェハは噴出時の空気圧力により研磨
治具より浮上する状態となり、研磨終了後のウェハの剥
離作業を極めて容易、安定に行うことができる。
［実施例１
以下、本発明を適用する実施例について図により説明す
る。第１図（ａ） 、（ｂ）及び第２図（ａ）、（ｂ）
は夫々本発明の半導体ウェハ剥離方法を用いる装置の一
実施例を示すウェハ貼付時及び引離し時における平面図
及び断面図を示す。両図において６は研磨治具、７は空
気噴出口、８は加熱プレート、９は空気吹付口、１０は
空気流路を示す。
る。第１図（ａ） 、（ｂ）及び第２図（ａ）、（ｂ）
は夫々本発明の半導体ウェハ剥離方法を用いる装置の一
実施例を示すウェハ貼付時及び引離し時における平面図
及び断面図を示す。両図において６は研磨治具、７は空
気噴出口、８は加熱プレート、９は空気吹付口、１０は
空気流路を示す。
この装置はつｌハ１を８枚研磨治具６に等間隔となるよ
うに貼付した場合で、空気噴出口７はワックスにより詰
り等が生じない径を有しウェハ１の周辺部下面に２個所
対称となるように取付けられている。又空気流路１０は
空気噴出口７の下面に溝状に設けられて空気供給口９に
接続されている。加熱プレート８は研磨治具６の平坦部
と同程度の高精度に加工されているので各ウェハとも平
坦に保持されている。
うに貼付した場合で、空気噴出口７はワックスにより詰
り等が生じない径を有しウェハ１の周辺部下面に２個所
対称となるように取付けられている。又空気流路１０は
空気噴出口７の下面に溝状に設けられて空気供給口９に
接続されている。加熱プレート８は研磨治具６の平坦部
と同程度の高精度に加工されているので各ウェハとも平
坦に保持されている。
この状態で加熱プレート８を加熱してワックス２を溶解
させ、ついで空気吹付口９より空気を吹付けると空気は
矢印に示すように空気流路１０内を樋環しつつ空気吹出
口７より吹出するのでウェハ１はこの吹出空気に押上げ
られて浮上することになり、ナイフ等を用いずとも研磨
治具６より安定に引離せることになる。
させ、ついで空気吹付口９より空気を吹付けると空気は
矢印に示すように空気流路１０内を樋環しつつ空気吹出
口７より吹出するのでウェハ１はこの吹出空気に押上げ
られて浮上することになり、ナイフ等を用いずとも研磨
治具６より安定に引離せることになる。
［発明の効果］
以上述べたように本発明によれば次のような効果が得ら
れる。
れる。
（１）ウェハを研磨治具より引離す場合、機械的剥離器
や熟練作業者に頼る必要がない。
や熟練作業者に頼る必要がない。
（２）ウェハは空気の吹付けにより浮上し他の機器と接
触しないから損傷を生じない。
触しないから損傷を生じない。
（３）ウェハの剥離時に欠けやクラック等を生じないの
でウェハ生産の歩留りを大幅に向−ヒすることができ、
原価低減を計ることができる。
でウェハ生産の歩留りを大幅に向−ヒすることができ、
原価低減を計ることができる。
第１図及び第２図は夫々本発明の半導体ウェハ剥離方法
を適用する装置の一実施例を示すウェハ貼付時及び取外
し時における平面図及び断面図、第３図及び第４図は従
来のウェハ貼付状況及び取外し状況を示す説明図である
。 ウェハ、 ワックス、 研磨治具、 空気噴出孔。 加熱プレート、 空気吹イ４０、 空気流路。 苓 図 ；ウェハ ２ ： ワ、７７ス ３：ｉ＋魔シｇ具 ４：ｔＩＪ会色アし一ト ５： ナイフ 第 閉 にりエハ ２：り、７ス ６：枡廉佑其 第 り ： 空孔〆貢土壬Ｌ ８： ７７０会覧ブ
シ一ト９：主入吹付口 １０： 登九流ら
を適用する装置の一実施例を示すウェハ貼付時及び取外
し時における平面図及び断面図、第３図及び第４図は従
来のウェハ貼付状況及び取外し状況を示す説明図である
。 ウェハ、 ワックス、 研磨治具、 空気噴出孔。 加熱プレート、 空気吹イ４０、 空気流路。 苓 図 ；ウェハ ２ ： ワ、７７ス ３：ｉ＋魔シｇ具 ４：ｔＩＪ会色アし一ト ５： ナイフ 第 閉 にりエハ ２：り、７ス ６：枡廉佑其 第 り ： 空孔〆貢土壬Ｌ ８： ７７０会覧ブ
シ一ト９：主入吹付口 １０： 登九流ら
Claims (1)
- １、研磨加工のためワックスにより研磨治具に貼付され
ていた半導体ウエハを研磨終了後前記研磨治具より剥離
する場合の半導体ウェハ剥離方法において、前記研磨治
具及び該研磨治具を支持しつつ前記ワックスを溶解して
前記半導体ウエハを遊離状態とする加熱プレートに、夫
々前記半導体ウェハの貼付面に空気を噴出させる空気噴
出口及び前記空気を吹付ける空気吹付口を取付けて前記
半導体ウェハを前記貼付面より浮上させて剥離すること
を特徴とする半導体ウェハ剥離方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1172532A JPH0336728A (ja) | 1989-07-04 | 1989-07-04 | 半導体ウエハ剥離方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1172532A JPH0336728A (ja) | 1989-07-04 | 1989-07-04 | 半導体ウエハ剥離方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0336728A true JPH0336728A (ja) | 1991-02-18 |
Family
ID=15943657
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1172532A Pending JPH0336728A (ja) | 1989-07-04 | 1989-07-04 | 半導体ウエハ剥離方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0336728A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8770401B2 (en) | 2010-07-30 | 2014-07-08 | Nike, Inc. | Open packaging |
-
1989
- 1989-07-04 JP JP1172532A patent/JPH0336728A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8770401B2 (en) | 2010-07-30 | 2014-07-08 | Nike, Inc. | Open packaging |
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