JPH0336717A - 積層型半導体基板 - Google Patents
積層型半導体基板Info
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- JPH0336717A JPH0336717A JP17216889A JP17216889A JPH0336717A JP H0336717 A JPH0336717 A JP H0336717A JP 17216889 A JP17216889 A JP 17216889A JP 17216889 A JP17216889 A JP 17216889A JP H0336717 A JPH0336717 A JP H0336717A
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Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Recrystallisation Techniques (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概 要〕
本発明はＳｉ基機上にＧａＡｓの如き化合物半導体単結
晶をエピタキシャル成長させた構造の積層型半導体基板
に関わり、 基板とエピタキシャル成長層の界面に発生するミスフィ
ツト転位の伝播を抑制する効果がより優れたものである
積層型バッファ構造を提供することを目的とし、 上記例の如くエピタキシャル成長層がＧａＡｓである場
合、 単結晶Ｓｌ基板上に、格子不整合に起因する応力をミス
フィツト転位の発生によって解消させたＩ ｎＧａＡｓ
或いはＧａＡｓ Ｐ層を設け、その上にミスフィツト転
位の発生による応力解消のない厚さにＧａＡｓ層を設け
、 またその上にミスフィツト転位の発生による応力解消の
ない厚さに［ｎＧａＡｓ或いはＣａＡｓＰ層を設け、 更にその上に目的層であるＧａＡｓ層を設けた構成とす
る。
晶をエピタキシャル成長させた構造の積層型半導体基板
に関わり、 基板とエピタキシャル成長層の界面に発生するミスフィ
ツト転位の伝播を抑制する効果がより優れたものである
積層型バッファ構造を提供することを目的とし、 上記例の如くエピタキシャル成長層がＧａＡｓである場
合、 単結晶Ｓｌ基板上に、格子不整合に起因する応力をミス
フィツト転位の発生によって解消させたＩ ｎＧａＡｓ
或いはＧａＡｓ Ｐ層を設け、その上にミスフィツト転
位の発生による応力解消のない厚さにＧａＡｓ層を設け
、 またその上にミスフィツト転位の発生による応力解消の
ない厚さに［ｎＧａＡｓ或いはＣａＡｓＰ層を設け、 更にその上に目的層であるＧａＡｓ層を設けた構成とす
る。
〔産業上の利用分野］
本発明はＳｉ基板上にＧａＡｓの如き化合物半導体単結
晶をエピタキシャル成長させた構造の積層型半導体基板
に関わり、特に応力層を介在させてミスフィツト転位の
伝播を抑制した積層型半導体基板に関わる。
晶をエピタキシャル成長させた構造の積層型半導体基板
に関わり、特に応力層を介在させてミスフィツト転位の
伝播を抑制した積層型半導体基板に関わる。
近年、電子的特性がＳｉより優れたＧａＡｓ基板に素子
を組み込んで集積回路を形成することが行われるように
なった。その場合、Ｃ＋ａＡｓ基板は全体がＧａＡｓで
あるものよりも、支持体部分はＳｉで素子形成層のみＧ
ａＡｓであるものの方が、機械的強度が大であり、経済
性も勝っていることから、単結晶Ｓｉ基板にＧａＡｓ層
をエピタキシャル成長させた集積回路用基板が有望であ
ると１工されている。
を組み込んで集積回路を形成することが行われるように
なった。その場合、Ｃ＋ａＡｓ基板は全体がＧａＡｓで
あるものよりも、支持体部分はＳｉで素子形成層のみＧ
ａＡｓであるものの方が、機械的強度が大であり、経済
性も勝っていることから、単結晶Ｓｉ基板にＧａＡｓ層
をエピタキシャル成長させた集積回路用基板が有望であ
ると１工されている。
ところがＳｔに比べＧａＡｓは格子定数が約４％大であ
るため、このような構成の集積回路基板を通常の気相成
長法などで形成しようとすると、ＳｌとＧａＡｓの格子
不整合に起因する転位（ミスフィツト転位）が発生し、
転位線が成長層中に伝播することが起こる。成長層の転
位密度が大であると形成された素子の特性に悪影響が及
ぶので、このような転位の伝播は極力阻止しなければな
らない。
るため、このような構成の集積回路基板を通常の気相成
長法などで形成しようとすると、ＳｌとＧａＡｓの格子
不整合に起因する転位（ミスフィツト転位）が発生し、
転位線が成長層中に伝播することが起こる。成長層の転
位密度が大であると形成された素子の特性に悪影響が及
ぶので、このような転位の伝播は極力阻止しなければな
らない。
〔従来の技術と発明が解決しようとする課題〕へテロ・
エピタキシャル界面に生ずるミスフィツト転位を成長層
に伝播させないためには、間にバッファ層を介在させる
ことが行われている。バッファ層を設けることの直接の
目的は必ずしも転位伝播の抑制とは限らないが、結果的
に素子形成層の結晶欠陥を減少させる効果を示すことも
あり、どのようなバッファ層が有効かということで、従
来様々な構造や処理が提案されている。
エピタキシャル界面に生ずるミスフィツト転位を成長層
に伝播させないためには、間にバッファ層を介在させる
ことが行われている。バッファ層を設けることの直接の
目的は必ずしも転位伝播の抑制とは限らないが、結果的
に素子形成層の結晶欠陥を減少させる効果を示すことも
あり、どのようなバッファ層が有効かということで、従
来様々な構造や処理が提案されている。
例えば、第４図（ａ）の如く、低温で成長したＧａＡｓ
Ｎをバッファ層として介在させるものがある。
Ｎをバッファ層として介在させるものがある。
同図の２１はＳｉ基板、２３は例えば４５０’Ｃで成長
させた低温ＧａＡｓ層、２２は６００〜７００°Ｃで成
長させたＧａＡｓ層である。
させた低温ＧａＡｓ層、２２は６００〜７００°Ｃで成
長させたＧａＡｓ層である。
また、第４図へ）ではバッファ層として組成をＧａＰか
らＧａＡｓに連続的に変化させた傾斜組成（グレーデッ
ド）層２４を用いている。即ち、Ｓｉ基板２１に接する
部分はＧａＰの組成でエピタキシャル成長を開始し、次
第にＡｓ成分を増して最終的にはＧａＡｓとしたバッフ
ァ層を形成し、その上にＧａＡｓ層２２を成長させてい
る。
らＧａＡｓに連続的に変化させた傾斜組成（グレーデッ
ド）層２４を用いている。即ち、Ｓｉ基板２１に接する
部分はＧａＰの組成でエピタキシャル成長を開始し、次
第にＡｓ成分を増して最終的にはＧａＡｓとしたバッフ
ァ層を形成し、その上にＧａＡｓ層２２を成長させてい
る。
これらの処理は最終成長層であるＧａＡｓ層の欠陥低減
にはかなりの効果を有するものの、転位の伝播を阻止す
るという点では十分とは言い難いものである。
にはかなりの効果を有するものの、転位の伝播を阻止す
るという点では十分とは言い難いものである。
第４図（Ｃ１はＳｉ基板２１と目的とするＧａＡｓ層２
２の間にＧａＡｓＰとＧａＰから成る超格子層２５およ
びＧａＡｓ／ＧａＡｓＰの超格子層２６を介在させたも
のである。これ等の超格子は歪超格子と呼ばれ、素子形
成層中の転位密度を減少させるのに有効であるが、構造
が複雑であり、層形成のために精密な制御が要求される
。
２の間にＧａＡｓＰとＧａＰから成る超格子層２５およ
びＧａＡｓ／ＧａＡｓＰの超格子層２６を介在させたも
のである。これ等の超格子は歪超格子と呼ばれ、素子形
成層中の転位密度を減少させるのに有効であるが、構造
が複雑であり、層形成のために精密な制御が要求される
。
本発明の目的は、簡単な構成で転位伝播阻止機能の優れ
たバッファ層構造を提供することであり、欠陥密度の低
い素子形成層を備えた半導体基板を提供することである
。
たバッファ層構造を提供することであり、欠陥密度の低
い素子形成層を備えた半導体基板を提供することである
。
〔課題を解決するための手段］
上記目的を達成するため、本発明の積層型半導体基板は
単結晶Ｓｌ基板上に、
Ｓｉより格子定数が大である第１の化合物半導体の第１
の層が、ミスフィツト転位の発生する厚さより大なる厚
さに結晶軸を合わせて堆積形成され、 前記第１の層上に、第１の半導体に格子定数が近似する
第２の化合物半導体であってＺｎがドープされた半導体
層が、ミスフィツト転位の発生する厚さより小なる厚さ
に結晶軸を合わせて堆積形成され、 前記第２の化合物半導体層上に、前記第１の化合物半導
体の第２の層がごスフイツト転位の発生する厚さより小
なる厚さに結晶軸を合わせて堆積形成され、 前記第２の層上に前記第２の化合物半導体層が結晶軸を
合わせて堆積形成された構成となっている。
の層が、ミスフィツト転位の発生する厚さより大なる厚
さに結晶軸を合わせて堆積形成され、 前記第１の層上に、第１の半導体に格子定数が近似する
第２の化合物半導体であってＺｎがドープされた半導体
層が、ミスフィツト転位の発生する厚さより小なる厚さ
に結晶軸を合わせて堆積形成され、 前記第２の化合物半導体層上に、前記第１の化合物半導
体の第２の層がごスフイツト転位の発生する厚さより小
なる厚さに結晶軸を合わせて堆積形成され、 前記第２の層上に前記第２の化合物半導体層が結晶軸を
合わせて堆積形成された構成となっている。
ミスフィツト転位は、格子定数の差が大であるほど多く
発生するのは当然であるが、同時に、成長層の厚みが大
となることによっても発生する。
発生するのは当然であるが、同時に、成長層の厚みが大
となることによっても発生する。
これは、成長層の原子Ｎ数が小である間は歪応力を内包
した層が成長するが、層厚が増し、応力の累積値が大と
なると転位が発生して応力を解放するからである。
した層が成長するが、層厚が増し、応力の累積値が大と
なると転位が発生して応力を解放するからである。
また、転位はそれを内包する結晶空間の熱エネルギや応
力によって移動し、転位どうしが結合して消滅したり、
ループを形成することが起こる。
力によって移動し、転位どうしが結合して消滅したり、
ループを形成することが起こる。
そうなると転位はそれ以後の成長層には伝播しないから
、応力場の存在によっても転位の伝播が抑制されること
になる。
、応力場の存在によっても転位の伝播が抑制されること
になる。
更に、応力場による転位の移動に於いて、その結晶にド
ープする不純物の種類によって転位の動き易さが変化す
ること、例えばＧａＡｓにＺｎをドープすれば転位が動
き易くなることも知られている。
ープする不純物の種類によって転位の動き易さが変化す
ること、例えばＧａＡｓにＺｎをドープすれば転位が動
き易くなることも知られている。
第１図は、後出の第１の実施例の構造における作用を説
明する図で、同図（ａ）は積層構造を示す断面模式図、
同図働）及び（Ｃ）は各層の格子定数と応力を示す線図
である。以下、これ等の図面を参照して本発明の詳細な
説明する。同図（ａ）の１はＳｉ基板、２は第１のＩｎ
ＧａＡｓＮ、３はＺｎがドープされたＣａＡｓ層、４は
第２のＩ ｎＧａＡｓ層、５は素子形成層のＧａＡｓＮ
である。２つのＩｎＧａＡｓ層は実施例では意図的に異
ならせているが、ここでは同じとする。
明する図で、同図（ａ）は積層構造を示す断面模式図、
同図働）及び（Ｃ）は各層の格子定数と応力を示す線図
である。以下、これ等の図面を参照して本発明の詳細な
説明する。同図（ａ）の１はＳｉ基板、２は第１のＩｎ
ＧａＡｓＮ、３はＺｎがドープされたＣａＡｓ層、４は
第２のＩ ｎＧａＡｓ層、５は素子形成層のＧａＡｓＮ
である。２つのＩｎＧａＡｓ層は実施例では意図的に異
ならせているが、ここでは同じとする。
各層の格子定数は第１図（ｂ）に示されるように分布し
ており、３１基板ｌとＩ ｎ Ｇ ａ Ａ ｓ ＠ ２
の間の格子定数の差が大きいことから、両者の界面には
同図（ａ）に書き込まれたようにミスフィツト転位６が
生じている。転位の発生によって応力は解放されている
ため、同図（Ｃ）に描かれる如く、基Ｆｉ、１と第１の
層２には、層２の上部を除いて応力は内在しない。
ており、３１基板ｌとＩ ｎ Ｇ ａ Ａ ｓ ＠ ２
の間の格子定数の差が大きいことから、両者の界面には
同図（ａ）に書き込まれたようにミスフィツト転位６が
生じている。転位の発生によって応力は解放されている
ため、同図（Ｃ）に描かれる如く、基Ｆｉ、１と第１の
層２には、層２の上部を除いて応力は内在しない。
図中のミスフィツト転位６は刃状転位の如く描かれてい
るが、螺旋転位成分を持つ転位７は層成長方向に延在し
、ＺｎドープＧａＡｓ層３にまで圧挿している。
るが、螺旋転位成分を持つ転位７は層成長方向に延在し
、ＺｎドープＧａＡｓ層３にまで圧挿している。
層２の上にエピタキシャル成長されたＺｎドープＧａＡ
ｓ層３は、厚みを制限されたものであるためＩｎＧａＡ
ｓ層２との格子定数差による転位の発生は無く、応力を
内包して形成されている。
ｓ層３は、厚みを制限されたものであるためＩｎＧａＡ
ｓ層２との格子定数差による転位の発生は無く、応力を
内包して形成されている。
同図（ｂ）に示されるようにＩｎＧａＡｓ層２の格子定
数はＧａＡｓのそれより若干大であるから、ＧａＡｓ層
には引張り力が加えられ、それに対する応力が同図（Ｃ
）のように現れる。該図面では中央が応力Ｏであり、左
側が引張りに対する応力、右側が圧縮に対する応力であ
る。
数はＧａＡｓのそれより若干大であるから、ＧａＡｓ層
には引張り力が加えられ、それに対する応力が同図（Ｃ
）のように現れる。該図面では中央が応力Ｏであり、左
側が引張りに対する応力、右側が圧縮に対する応力であ
る。
Ｇ ａ Ａ ｓ Ｎ ３の上には、やはりミスフィツト
転位を生じない厚さに第２のＩ ｎＧａＡｓ層４が設け
られ、図（Ｃ）の如き応力分布を示している。ＧａＡｓ
層３はその上下を格子定数の大きいＩ ｎＧａＡｓ層で
挟まれているため、強い引張り力を受けてそれに対する
応力を内包している。
転位を生じない厚さに第２のＩ ｎＧａＡｓ層４が設け
られ、図（Ｃ）の如き応力分布を示している。ＧａＡｓ
層３はその上下を格子定数の大きいＩ ｎＧａＡｓ層で
挟まれているため、強い引張り力を受けてそれに対する
応力を内包している。
このような状況では、ＧａＡｓ１！３に延在する転位７
の運動速度は大となり、同種の他の転位と結合してルー
プを形成することが多くなる。従って第２のＩ ｎ Ｇ
ａ Ａ ｓ ［４まで延在する転位は極めて僅かとな
り、更に該１ｎＧａＡｓｌｉでもループが形成されると
素子形成層であるＧａＡｓ中の転位密度は更に低減され
ることになる。ＧａＡｓＮ３にドープされたＺｎは、上
述の如く転位の移動を促進するものである。
の運動速度は大となり、同種の他の転位と結合してルー
プを形成することが多くなる。従って第２のＩ ｎ Ｇ
ａ Ａ ｓ ［４まで延在する転位は極めて僅かとな
り、更に該１ｎＧａＡｓｌｉでもループが形成されると
素子形成層であるＧａＡｓ中の転位密度は更に低減され
ることになる。ＧａＡｓＮ３にドープされたＺｎは、上
述の如く転位の移動を促進するものである。
〔実施例］
第２図は本発明の第１の実施例の構造を示す断面模式図
である。以下、該図面を参照しながら説明する。
である。以下、該図面を参照しながら説明する。
３１基板ｌｌ上にＺｎがドープされたＩｎｘＧａ＋−＊
Ａ ｓ （０，００５≦Ｘ≦０．０５）Ｉ’ｌ１２が堆
積形成されている。核層はＴＭ［、ＴＭＧ、ＴＥＧ、ア
ルシン（ＡｓＨ，）などを原料とする周知のＭＯＣＶＤ
法によってエピタキシャル成長されたものであり、他の
堆積形成層も同様にＭＯＣＶＤによりエピタキシャル成
長される。Ｚｎをドープする場合はＺｎ（ＣＩりｚが添
加され、Ｐを含む場合は原料としてフォスフイン（ＰＨ
３）が用いられる。
Ａ ｓ （０，００５≦Ｘ≦０．０５）Ｉ’ｌ１２が堆
積形成されている。核層はＴＭ［、ＴＭＧ、ＴＥＧ、ア
ルシン（ＡｓＨ，）などを原料とする周知のＭＯＣＶＤ
法によってエピタキシャル成長されたものであり、他の
堆積形成層も同様にＭＯＣＶＤによりエピタキシャル成
長される。Ｚｎをドープする場合はＺｎ（ＣＩりｚが添
加され、Ｐを含む場合は原料としてフォスフイン（ＰＨ
３）が用いられる。
核層１２の厚さは略２０ｎｍであり、ミスフィツト転位
が発生するのに十分な厚さであるから、転位の発生によ
って応力は解放された状態となっている。
が発生するのに十分な厚さであるから、転位の発生によ
って応力は解放された状態となっている。
その上にＺｎがドープされたＧａＡｓ層瞳が略４０ｎｍ
の厚さに堆積形成されている。核層と下地のＩｎＧａＡ
ｓ層とは第４図に示されるように格子定数の差は余り大
きくないので、この厚さでもミスフィツト転位は発生せ
ず、格子不整合に基づく応力がＧａＡｓ層１２に存在す
る。格子定数はＩｎＧａＡｓの方が大であるから、Ｇａ
Ａｓ層には引張り力が加わっている。
の厚さに堆積形成されている。核層と下地のＩｎＧａＡ
ｓ層とは第４図に示されるように格子定数の差は余り大
きくないので、この厚さでもミスフィツト転位は発生せ
ず、格子不整合に基づく応力がＧａＡｓ層１２に存在す
る。格子定数はＩｎＧａＡｓの方が大であるから、Ｇａ
Ａｓ層には引張り力が加わっている。
更にその上にはＺｎがドープされたＩｎＧａＡｓ層 ｓ
（０，０１≦ｙ≦０．１５）層１４が堆積形成されて
いる。
（０，０１≦ｙ≦０．１５）層１４が堆積形成されて
いる。
この第２のＩｎＣ；ａＡｓの格子定数も下地ＧａＡＳの
格子定数より大であるから、ＧａＡｓ層１３には、その
上のＩｎＣ；ａＡｓ層１４によっても引張りに対する応
力が生じる。ここで第２のＩｎＧａＡｓｊｉ１４の厚さ
は略８０ｎｍであるが、２つのＩｎＧａＡｓＪｉの組成
と厚さが異なっているのはＧａＡｓＮに生しる応力を大
とするためであり、第２のＩｎＧａＡｓ層は格子定数差
が小で転位が生じ難いことから、その厚さを大とするこ
とでＧａＡ３層の応力を増大させているのである。
格子定数より大であるから、ＧａＡｓ層１３には、その
上のＩｎＣ；ａＡｓ層１４によっても引張りに対する応
力が生じる。ここで第２のＩｎＧａＡｓｊｉ１４の厚さ
は略８０ｎｍであるが、２つのＩｎＧａＡｓＪｉの組成
と厚さが異なっているのはＧａＡｓＮに生しる応力を大
とするためであり、第２のＩｎＧａＡｓ層は格子定数差
が小で転位が生じ難いことから、その厚さを大とするこ
とでＧａＡ３層の応力を増大させているのである。
このようにして、ＧａＡｓ層１３が内包する応力は十分
に大きいものとなっているので、下地であるＩｎＧａＡ
ｓ層１２から伝播した転位は該ＧａＡｓ１ｌ内で速やか
に移動し、結合してループを形成したり或いは消失する
ことになる。そのため、上部のＩｎＧａＡｓ層１４に伝
播する転位数は僅少となる。
に大きいものとなっているので、下地であるＩｎＧａＡ
ｓ層１２から伝播した転位は該ＧａＡｓ１ｌ内で速やか
に移動し、結合してループを形成したり或いは消失する
ことになる。そのため、上部のＩｎＧａＡｓ層１４に伝
播する転位数は僅少となる。
ＧａＡｓ１！１３にＺｎがドープされているのは、既に
述べた如く、転位の移動を速やかならしめるためである
。ドープ量は１０１〜１０”ａｍ−’程度が適当である
。また、層１２及び層１４にＺｎがドープされているの
も転位伝播抑止の効果を高めるためであるが、これ等の
層へのＺｎドープは本発明の不可欠の要素ではない。
述べた如く、転位の移動を速やかならしめるためである
。ドープ量は１０１〜１０”ａｍ−’程度が適当である
。また、層１２及び層１４にＺｎがドープされているの
も転位伝播抑止の効果を高めるためであるが、これ等の
層へのＺｎドープは本発明の不可欠の要素ではない。
以上の構成のバッファ層の上に目的層であるＧａＡｓ層
１５がエピタキシャル形成されている。
１５がエピタキシャル形成されている。
核層はＧａＡｓ集積回路の素子形成層或いは素子分離用
の半絶縁層となるものであるから、夫々の使用目的に合
わせた厚さであり、不純物がドープされたものである。
の半絶縁層となるものであるから、夫々の使用目的に合
わせた厚さであり、不純物がドープされたものである。
第３図は本発明の第２の実施例の構造を示す断面模式図
である。以下、該図面を参照しながら説明する。
である。以下、該図面を参照しながら説明する。
この実施例で層構造が上記実施例と異なるのは、ＳＬ基
（反／バッファＧ ａ Ａ、 ｓ ［５問およびバッフ
ァＧ ａ Ａ ｓ ＠ ／目的層間に介在するのがＧａ
Ａｓ Ｐとなっている点である。ＧａＡｓＰは格子定数
がＧａＡｓより小であるから、これに挟まれたＧａＡｓ
層は上記実施例とは反対に圧縮力を受け、それに対する
応力を内包するものとなっている。
（反／バッファＧ ａ Ａ、 ｓ ［５問およびバッフ
ァＧ ａ Ａ ｓ ＠ ／目的層間に介在するのがＧａ
Ａｓ Ｐとなっている点である。ＧａＡｓＰは格子定数
がＧａＡｓより小であるから、これに挟まれたＧａＡｓ
層は上記実施例とは反対に圧縮力を受け、それに対する
応力を内包するものとなっている。
バッファ領域を形成する各層の組成は次の通りで、Ｓｌ
基板上に堆積された第１のＧ ａ Ａ Ｓ １−ＸＰ、
（０，００５≦Ｘ≦０．０５）層１６はＺｎドープさ
れたもの、ＧａＡｓ層１７は上記実施例のＧａＡｓ層１
３と同程度にＺｎをドープされたもの、第２のＧａＡＳ
＋−ｙ Ｐ ｙ （０，００５≦ｙ≦０．０５）層１
８もＺｎドープである。
基板上に堆積された第１のＧ ａ Ａ Ｓ １−ＸＰ、
（０，００５≦Ｘ≦０．０５）層１６はＺｎドープさ
れたもの、ＧａＡｓ層１７は上記実施例のＧａＡｓ層１
３と同程度にＺｎをドープされたもの、第２のＧａＡＳ
＋−ｙ Ｐ ｙ （０，００５≦ｙ≦０．０５）層１
８もＺｎドープである。
また、これら各層の厚さは上記実施例に類似したもので
よいが、層１６はξスフイツト転位が発生する程度に十
分厚く、層１７及びＦＪｌＢは果スフイシド転位が発生
しない範囲で十分な内部応力を生じる程度に厚く形成す
ることが、本発明を効果あるものとするために要求され
る事項である。
よいが、層１６はξスフイツト転位が発生する程度に十
分厚く、層１７及びＦＪｌＢは果スフイシド転位が発生
しない範囲で十分な内部応力を生じる程度に厚く形成す
ることが、本発明を効果あるものとするために要求され
る事項である。
以上説明したように、本発明に於けるバッファ層構造は
転位の伝播抑止に有効であり、目的層であるＧａＡｓ層
の欠陥密度は大幅に低減されたものとなるので、本発明
の半導体基板を使用することにより、特性のより優れた
ＧａＡｓ集積回路が実現することになる。
転位の伝播抑止に有効であり、目的層であるＧａＡｓ層
の欠陥密度は大幅に低減されたものとなるので、本発明
の半導体基板を使用することにより、特性のより優れた
ＧａＡｓ集積回路が実現することになる。
第１図は本発明の詳細な説明する図、
第２図は第１の実施例の構造を示す模式図、第３図は第
２の実施例の構造を示す模式図、第４図は従来のバッフ
ァ層構造を示す模式図であって、 図に於いて ｌはＳｉ基板、 ２は第１のＩｎＧａＡｓＮ。 ３はＺｎドープＧａＡｓ１ｉ、 ４は第２のＩｎＧａＡｓ［。 ５はＧａＡｓ層、 ６．７は転位、 １１はＳｉ基板、 １２は第１のＩｎＧａＡｓＪｉ、 １３は４啼−一一≠Ｇ ａ Ａ ｓ Ｍ ｓ１４は第２
のＩ ｎＧａＡｓ層、 １５はＧａＡｓ層、 １６は第１のＧａＡｓ Ｐ層、 １７はＧａＡｓ層、 １８は第２のＣ，ａＡｓＰｌｉ。 ２１はＳｉ基板、 ２２はＧａＡｓ層、 ２３は低温成長ＧａＡｓ層、 ２４は（頃斜ｍｒｌ或のＧａＡｓＰ層 ２５はＧａＡｓＰ／ＧａＰ超椙子層、 ２６はＧａＡｓ／Ｃ，ａＡｓＰｄ格子層である。 （ａ） 本発明の詳細な説明する図 第 図 第１の実施例の構造を示す模式図 第 図 第２の実施例の構造を示す模式図 第 図 （ａ） 従来のバッファ層構造を示す模式間 第 図 ＧａＡ＋＋／ＧａＡｓＰ 超格子層
２の実施例の構造を示す模式図、第４図は従来のバッフ
ァ層構造を示す模式図であって、 図に於いて ｌはＳｉ基板、 ２は第１のＩｎＧａＡｓＮ。 ３はＺｎドープＧａＡｓ１ｉ、 ４は第２のＩｎＧａＡｓ［。 ５はＧａＡｓ層、 ６．７は転位、 １１はＳｉ基板、 １２は第１のＩｎＧａＡｓＪｉ、 １３は４啼−一一≠Ｇ ａ Ａ ｓ Ｍ ｓ１４は第２
のＩ ｎＧａＡｓ層、 １５はＧａＡｓ層、 １６は第１のＧａＡｓ Ｐ層、 １７はＧａＡｓ層、 １８は第２のＣ，ａＡｓＰｌｉ。 ２１はＳｉ基板、 ２２はＧａＡｓ層、 ２３は低温成長ＧａＡｓ層、 ２４は（頃斜ｍｒｌ或のＧａＡｓＰ層 ２５はＧａＡｓＰ／ＧａＰ超椙子層、 ２６はＧａＡｓ／Ｃ，ａＡｓＰｄ格子層である。 （ａ） 本発明の詳細な説明する図 第 図 第１の実施例の構造を示す模式図 第 図 第２の実施例の構造を示す模式図 第 図 （ａ） 従来のバッファ層構造を示す模式間 第 図 ＧａＡ＋＋／ＧａＡｓＰ 超格子層
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 単結晶Ｓｉ基板上に、 Ｓｉより格子定数が大である第１の化合物半導体の第１
の層が、ミスフィット転位の発生する厚さより大なる厚
さに結晶軸を合わせて堆積形成され、 前記第１の層上に、第１の半導体に格子定数が近似する
第２の化合物半導体であってＺｎがドープされた半導体
層が、ミスフィット転位の発生する厚さより小なる厚さ
に結晶軸を合わせて堆積形成され、 前記第２の化合物半導体層上に、前記第１の化合物半導
体の第２の層がミスフィット転位の発生する厚さより小
なる厚さに結晶軸を合わせて堆積形成され、 前記第２の層上に前記第２の化合物半導体層が結晶軸を
合わせて堆積形成されていることを特徴とする積層型半
導体基板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17216889A JPH0336717A (ja) | 1989-07-03 | 1989-07-03 | 積層型半導体基板 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17216889A JPH0336717A (ja) | 1989-07-03 | 1989-07-03 | 積層型半導体基板 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0336717A true JPH0336717A (ja) | 1991-02-18 |
Family
ID=15936838
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17216889A Pending JPH0336717A (ja) | 1989-07-03 | 1989-07-03 | 積層型半導体基板 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0336717A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2016039314A (ja) * | 2014-08-08 | 2016-03-22 | 旭化成株式会社 | 化合物半導体基板 |
-
1989
- 1989-07-03 JP JP17216889A patent/JPH0336717A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2016039314A (ja) * | 2014-08-08 | 2016-03-22 | 旭化成株式会社 | 化合物半導体基板 |
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