JPH0336239A - オーステナイト鉄基合金 - Google Patents
オーステナイト鉄基合金Info
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- JPH0336239A JPH0336239A JP17113789A JP17113789A JPH0336239A JP H0336239 A JPH0336239 A JP H0336239A JP 17113789 A JP17113789 A JP 17113789A JP 17113789 A JP17113789 A JP 17113789A JP H0336239 A JPH0336239 A JP H0336239A
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Landscapes
- Heat Treatment Of Steel (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野]
本発明は、オーステナイト系の鉄基合金に係り、特に、
原子炉炉内機器に好適な耐食性のすぐれた高純度のオー
ステナイト鉄基合金に関する。
原子炉炉内機器に好適な耐食性のすぐれた高純度のオー
ステナイト鉄基合金に関する。
[従来の技術]
オーステナイト系ステレンス鋼製制御棒、炉内計装管等
の原子炉炉内機器は、高温純水という環境に置かれるう
えに、他の原子炉構成材料に比へて比較的高い中性子照
射を受けている。
の原子炉炉内機器は、高温純水という環境に置かれるう
えに、他の原子炉構成材料に比へて比較的高い中性子照
射を受けている。
一方、高温純水中でオーステティ1へ系ステレンス鋼は
、粒界応力腐食割れ(IGSCC)を起こすことがある
。IGSCCの主たる材料側の因子は、溶接などの熱サ
イクルによる粒界炭化物の形成とそれに伴う粒界近傍に
おけるクロム欠乏層の形成、すなわち、溶接鋭敏化であ
る。しかしながら、鋭敏化が全く起こっていない溶体化
オーステナイト系ステンレス鋼においても、照射を受け
た場合、未照射材に比べて高い粒界腐食割れ感受性を示
すという報告も出されている。
、粒界応力腐食割れ(IGSCC)を起こすことがある
。IGSCCの主たる材料側の因子は、溶接などの熱サ
イクルによる粒界炭化物の形成とそれに伴う粒界近傍に
おけるクロム欠乏層の形成、すなわち、溶接鋭敏化であ
る。しかしながら、鋭敏化が全く起こっていない溶体化
オーステナイト系ステンレス鋼においても、照射を受け
た場合、未照射材に比べて高い粒界腐食割れ感受性を示
すという報告も出されている。
照射による材料への影響は、(1)照射によって引き起
こされる照射誘起偏析により、Sj (ケイ素)および
P(リン)等が偏析し粒界の耐食性が低下する、(2)
照射による合金元素の拡散促進の結果引き起こされる相
変態化の促進、具体的には粒界炭化物の形成とそれに伴
うクロム欠乏層が形成される。すなわち、鋭敏化が促進
される等が考えられる。
こされる照射誘起偏析により、Sj (ケイ素)および
P(リン)等が偏析し粒界の耐食性が低下する、(2)
照射による合金元素の拡散促進の結果引き起こされる相
変態化の促進、具体的には粒界炭化物の形成とそれに伴
うクロム欠乏層が形成される。すなわち、鋭敏化が促進
される等が考えられる。
高純度オーステナイト系ステンレス鋼は、上記因子が特
に不純物元素の影響を受けることに着目し、不純物元素
量を限定することにより高照射を受けた場合でも耐粒界
腐食割れ性のすぐれた性能を有することを目的として開
発されたものである。
に不純物元素の影響を受けることに着目し、不純物元素
量を限定することにより高照射を受けた場合でも耐粒界
腐食割れ性のすぐれた性能を有することを目的として開
発されたものである。
なお、この種の技術に関連する参考文献として、(1)
「オーステナイト鋼の粒界腐食J (、J、S、Ar
m1jo:Jntergranular Corros
ion of Non5ensitizedAuste
nitic 5teels、Corrosion、NA
CE、Janu、1968゜ρ24)および(2)rB
WRおよびPWR炉心におけるオーステナイト系ステン
lノス鋼およびNi基合金の変形特性」(F、Gara
garolli etal、、DeformabiHt
y of Au5tenitic 5Laj、n1eS
s 5teel and N1−base A11o
y jn the core of a
Boi]ing and aPressurized
11ater Reactor、Proc、丁n
tl 、Symp、Envj、ronmental D
egradation of Materials i
n Nuclear Systems−1iater
ReactorS、Montory、Ca1.lJ、S
、A、5ept、]、]83、p/142)があげられ
る。
「オーステナイト鋼の粒界腐食J (、J、S、Ar
m1jo:Jntergranular Corros
ion of Non5ensitizedAuste
nitic 5teels、Corrosion、NA
CE、Janu、1968゜ρ24)および(2)rB
WRおよびPWR炉心におけるオーステナイト系ステン
lノス鋼およびNi基合金の変形特性」(F、Gara
garolli etal、、DeformabiHt
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y jn the core of a
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11ater Reactor、Proc、丁n
tl 、Symp、Envj、ronmental D
egradation of Materials i
n Nuclear Systems−1iater
ReactorS、Montory、Ca1.lJ、S
、A、5ept、]、]83、p/142)があげられ
る。
[発明が解決しようとする課題]
しかしながら、」二足高純度オーステナイト系ス3−
テンレス鋼は、必ずしも所期の目的どおりには耐粒界腐
食割れ性が改善され2」〕い場合があることが明らかと
なった。この原因として、 (イ)本鋼中の不純物含有量を制限することにより、照
射誘起偏析によるSj、Pの偏析は、低減できるけれど
も皆無にはならない。
食割れ性が改善され2」〕い場合があることが明らかと
なった。この原因として、 (イ)本鋼中の不純物含有量を制限することにより、照
射誘起偏析によるSj、Pの偏析は、低減できるけれど
も皆無にはならない。
(ロ)本鋼中の炭素含有量は、通常のオーステナイト系
ステンレス鋼よりも少量に制限されているが、皆無では
ない。したがって、微量のCが、Crと結合して例えば
、Cr23C6等の粒界炭化物を形成するから、中性子
照射による粒界近傍のCr欠乏層の形成を完全に防止す
ることはてきない等のことが推測される。
ステンレス鋼よりも少量に制限されているが、皆無では
ない。したがって、微量のCが、Crと結合して例えば
、Cr23C6等の粒界炭化物を形成するから、中性子
照射による粒界近傍のCr欠乏層の形成を完全に防止す
ることはてきない等のことが推測される。
本発明は、上記の状況に艦みなされたもので、上記高純
度オーステナイト系ステン1ノス鋼の結晶粒径を微細化
し、かつ、粒界炭化物の形成を回正することにより、耐
粒界割れ性を向」ニさせることができるオーステナイト
flkM合全を提O(することを目的としたものである
。
度オーステナイト系ステン1ノス鋼の結晶粒径を微細化
し、かつ、粒界炭化物の形成を回正することにより、耐
粒界割れ性を向」ニさせることができるオーステナイト
flkM合全を提O(することを目的としたものである
。
[課題を解決するための手段]
上記課題を解決するための本発明に係るオーステナイト
鉄基合金の構成は、Ni9.O〜11゜0wt%、Cr
18.O〜20.0wt%、C0,03wt%以下
、Mn 2Q、wt%以下、P 0.005wt%
以下、S 0.004wt%以下、Si 0.03
wt%以下を含み、残部が主としてFeからなる耐食性
のあるオーステティ1〜鉄基合金において、■を0.0
5〜0.5wt%含有させるようにしたものである。
鉄基合金の構成は、Ni9.O〜11゜0wt%、Cr
18.O〜20.0wt%、C0,03wt%以下
、Mn 2Q、wt%以下、P 0.005wt%
以下、S 0.004wt%以下、Si 0.03
wt%以下を含み、残部が主としてFeからなる耐食性
のあるオーステティ1〜鉄基合金において、■を0.0
5〜0.5wt%含有させるようにしたものである。
[作用]
本発明は、いわゆる18−8オーステナイトステンレス
鋼において、C0103wt%以下、P 0.005w
t%以下、S 0.004wt%以下、Si 0.0
3wt%以下に制限した高純度オーステナイト鋼中に、
■を添加させることによって、結晶粒径を微細化しかつ
、■炭化物を生成させる。結晶粒径を微細化することに
より、単位体積当りの粒界面積が増大し、それに応じて
粒界に偏析するSi、P等の濃度が小さくなり耐食性を
向上させる効果がある。さらに、■はCとの親和力が強
く、粒界炭化物を生成するため、C【・の粒界炭化物の
形成を阻止する効果があり、その結果、粒界近傍におけ
るCr欠乏層の形成を防止でき、耐食性を向上すること
ができる。
鋼において、C0103wt%以下、P 0.005w
t%以下、S 0.004wt%以下、Si 0.0
3wt%以下に制限した高純度オーステナイト鋼中に、
■を添加させることによって、結晶粒径を微細化しかつ
、■炭化物を生成させる。結晶粒径を微細化することに
より、単位体積当りの粒界面積が増大し、それに応じて
粒界に偏析するSi、P等の濃度が小さくなり耐食性を
向上させる効果がある。さらに、■はCとの親和力が強
く、粒界炭化物を生成するため、C【・の粒界炭化物の
形成を阻止する効果があり、その結果、粒界近傍におけ
るCr欠乏層の形成を防止でき、耐食性を向上すること
ができる。
ただし、■は高温度下では蒸発し易いので、製鋼上多量
に添加することはできす、高々0.5重量%程度である
。
に添加することはできす、高々0.5重量%程度である
。
[実施例]
以下に本発明の1実施例を図面を用いて説明する。
重量%で、Ni 9.○−]−1.0.Cr 、1
8.0〜20.○、Mn2.0以下、C0゜03以下、
P O,005以下、S O,004以下、Sj、
0.03以下、残部がFeからなる本発明のオーステテ
ィ1〜系ステンレス鋼に、■を0.01%から種々の濃
度(%)添加して、数種類のオーステナイト・鉄基合金
を製造し、各々から割れ感受性用腐食試験片を製作し、
■添加量(%)の耐食性に及ぼす影響を調へた。
8.0〜20.○、Mn2.0以下、C0゜03以下、
P O,005以下、S O,004以下、Sj、
0.03以下、残部がFeからなる本発明のオーステテ
ィ1〜系ステンレス鋼に、■を0.01%から種々の濃
度(%)添加して、数種類のオーステナイト・鉄基合金
を製造し、各々から割れ感受性用腐食試験片を製作し、
■添加量(%)の耐食性に及ぼす影響を調へた。
粒界腐食試験は、6価のクロ11を含む5規定沸騰硝酸
液中に、」二足の各試験片を、6時間浸漬した後、これ
らを取出して割れ長さを測定して、割れ感受性を調べる
という方法で実施した。
液中に、」二足の各試験片を、6時間浸漬した後、これ
らを取出して割れ長さを測定して、割れ感受性を調べる
という方法で実施した。
図面は、その試@結果を示したものである。横軸は、オ
ーステナイI−鋼中のva度(%)を、縦軸は、粒界腐
食感受性(割れ長さの比)を表わしたものである。この
図面から、Vo、01%では、感受性は3.7であるが
、0.05%では、1.5,0.5%では、コー00と
なり、V 1゜0%の場合もほぼ同様な傾向を示すこ
とがわかる。
ーステナイI−鋼中のva度(%)を、縦軸は、粒界腐
食感受性(割れ長さの比)を表わしたものである。この
図面から、Vo、01%では、感受性は3.7であるが
、0.05%では、1.5,0.5%では、コー00と
なり、V 1゜0%の場合もほぼ同様な傾向を示すこ
とがわかる。
すなわち、上記範囲のVwt%の場合には、耐粒界腐食
割れ性がいちぢるしく向上することを実証した。
割れ性がいちぢるしく向上することを実証した。
また、18−8系オーステナイト鋼中への■元素の固溶
限からみて、最大0.5wt%と推定されるので、本実
施例におけるV添加量は、0.05 w t ” 00
5wt%が好適である。
限からみて、最大0.5wt%と推定されるので、本実
施例におけるV添加量は、0.05 w t ” 00
5wt%が好適である。
[発明の効果]
以上説明したように、本発明の高純度オーステティ1へ
鉄基合金に所定量のバナジウムを転化する7− ことによって、結晶粒径が微細化し、粒界炭化物の形成
が回正され、中性子前側を受けてもIGSCCの発生し
にくい、耐粒界腐食割れ性にすぐれた炉内機器用の材料
を堤供することができる、。
鉄基合金に所定量のバナジウムを転化する7− ことによって、結晶粒径が微細化し、粒界炭化物の形成
が回正され、中性子前側を受けてもIGSCCの発生し
にくい、耐粒界腐食割れ性にすぐれた炉内機器用の材料
を堤供することができる、。
図面は、粒界腐食割れ試験にお1づる、鋼中のバナジウ
ム濃度と粒界腐食割れ感受性の関係図である。 〈符号の説明〉 1・・鋼中V濃度と粒界腐食感受性の特性曲線代岬人
弁理士 高橋明夫 (ほか1名) 8
ム濃度と粒界腐食割れ感受性の関係図である。 〈符号の説明〉 1・・鋼中V濃度と粒界腐食感受性の特性曲線代岬人
弁理士 高橋明夫 (ほか1名) 8
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、Ni9.0〜11.0wt%、Cr18.0〜20
.0wt%、C0.03wt%以下、Mn2.0wt%
以下、P0.005wt %以下、S0.004wt%以下、Si0.03wt%
以下を含み、残部が主としてFeからなる耐食性のある
オーステナイト鉄基合金において、Vを0.05〜0.
5wt%含有させたことを特徴とするオーステナイト鉄
基合金。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP17113789A JPH0336239A (ja) | 1989-07-04 | 1989-07-04 | オーステナイト鉄基合金 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP17113789A JPH0336239A (ja) | 1989-07-04 | 1989-07-04 | オーステナイト鉄基合金 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0336239A true JPH0336239A (ja) | 1991-02-15 |
Family
ID=15917673
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP17113789A Pending JPH0336239A (ja) | 1989-07-04 | 1989-07-04 | オーステナイト鉄基合金 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0336239A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20180069057A1 (en) | 2012-03-06 | 2018-03-08 | Samsung Display Co., Ltd. | Pixel arrangement structure for organic light emitting display device |
US10347703B2 (en) | 2013-04-26 | 2019-07-09 | Samsung Display Co., Ltd. | Organic light-emitting diode display |
US10832616B2 (en) | 2012-03-06 | 2020-11-10 | Samsung Display Co., Ltd. | Pixel arrangement structure for organic light emitting diode display |
-
1989
- 1989-07-04 JP JP17113789A patent/JPH0336239A/ja active Pending
Cited By (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US11626068B2 (en) | 2012-03-06 | 2023-04-11 | Samsung Display Co., Ltd. | Pixel arrangement structure for organic light emitting diode display |
US10832616B2 (en) | 2012-03-06 | 2020-11-10 | Samsung Display Co., Ltd. | Pixel arrangement structure for organic light emitting diode display |
US10854683B2 (en) | 2012-03-06 | 2020-12-01 | Samsung Display Co., Ltd. | Pixel arrangement structure for organic light emitting display device |
US11594578B2 (en) | 2012-03-06 | 2023-02-28 | Samsung Display Co., Ltd. | Pixel arrangement structure for organic light emitting display device |
US20180069057A1 (en) | 2012-03-06 | 2018-03-08 | Samsung Display Co., Ltd. | Pixel arrangement structure for organic light emitting display device |
US11626067B2 (en) | 2012-03-06 | 2023-04-11 | Samsung Display Co., Ltd. | Pixel arrangement structure for organic light emitting diode display |
US11626066B2 (en) | 2012-03-06 | 2023-04-11 | Samsung Display Co., Ltd. | Pixel arrangement structure for organic light emitting diode display |
US11626064B2 (en) | 2012-03-06 | 2023-04-11 | Samsung Display Co., Ltd. | Pixel arrangement structure for organic light emitting diode display |
US11651731B2 (en) | 2012-03-06 | 2023-05-16 | Samsung Display Co., Ltd. | Pixel arrangement structure for organic light emitting diode display |
US11676531B2 (en) | 2012-03-06 | 2023-06-13 | Samsung Display Co., Ltd. | Pixel arrangement structure for organic light emitting diode display |
US11980077B2 (en) | 2012-03-06 | 2024-05-07 | Samsung Display Co., Ltd. | Pixel arrangement structure for organic light emitting display device |
US10347703B2 (en) | 2013-04-26 | 2019-07-09 | Samsung Display Co., Ltd. | Organic light-emitting diode display |
US10937848B2 (en) | 2013-04-26 | 2021-03-02 | Samsung Display Co., Ltd. | Organic light-emitting diode display |
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