JPH0336239A - オーステナイト鉄基合金 - Google Patents

オーステナイト鉄基合金

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JPH0336239A
JPH0336239A JP17113789A JP17113789A JPH0336239A JP H0336239 A JPH0336239 A JP H0336239A JP 17113789 A JP17113789 A JP 17113789A JP 17113789 A JP17113789 A JP 17113789A JP H0336239 A JPH0336239 A JP H0336239A
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JP
Japan
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intergranular corrosion
austenitic
stainless steel
less
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JP17113789A
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Inventor
Seiji Nishimura
誠二 西村
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Nippon Nuclear Fuel Development Co Ltd
Original Assignee
Nippon Nuclear Fuel Development Co Ltd
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野] 本発明は、オーステナイト系の鉄基合金に係り、特に、
原子炉炉内機器に好適な耐食性のすぐれた高純度のオー
ステナイト鉄基合金に関する。
[従来の技術] オーステナイト系ステレンス鋼製制御棒、炉内計装管等
の原子炉炉内機器は、高温純水という環境に置かれるう
えに、他の原子炉構成材料に比へて比較的高い中性子照
射を受けている。
一方、高温純水中でオーステティ1へ系ステレンス鋼は
、粒界応力腐食割れ(IGSCC)を起こすことがある
。IGSCCの主たる材料側の因子は、溶接などの熱サ
イクルによる粒界炭化物の形成とそれに伴う粒界近傍に
おけるクロム欠乏層の形成、すなわち、溶接鋭敏化であ
る。しかしながら、鋭敏化が全く起こっていない溶体化
オーステナイト系ステンレス鋼においても、照射を受け
た場合、未照射材に比べて高い粒界腐食割れ感受性を示
すという報告も出されている。
照射による材料への影響は、(1)照射によって引き起
こされる照射誘起偏析により、Sj (ケイ素)および
P(リン)等が偏析し粒界の耐食性が低下する、(2)
照射による合金元素の拡散促進の結果引き起こされる相
変態化の促進、具体的には粒界炭化物の形成とそれに伴
うクロム欠乏層が形成される。すなわち、鋭敏化が促進
される等が考えられる。
高純度オーステナイト系ステンレス鋼は、上記因子が特
に不純物元素の影響を受けることに着目し、不純物元素
量を限定することにより高照射を受けた場合でも耐粒界
腐食割れ性のすぐれた性能を有することを目的として開
発されたものである。
なお、この種の技術に関連する参考文献として、(1)
「オーステナイト鋼の粒界腐食J  (、J、S、Ar
m1jo:Jntergranular Corros
ion of Non5ensitizedAuste
nitic 5teels、Corrosion、NA
CE、Janu、1968゜ρ24)および(2)rB
WRおよびPWR炉心におけるオーステナイト系ステン
lノス鋼およびNi基合金の変形特性」(F、Gara
garolli etal、、DeformabiHt
y of Au5tenitic 5Laj、n1eS
s 5teel and N1−base  A11o
y  jn  the  core  of  a  
Boi]ing and  aPressurized
  11ater  Reactor、Proc、丁n
tl 、Symp、Envj、ronmental D
egradation of Materials i
n Nuclear Systems−1iater 
ReactorS、Montory、Ca1.lJ、S
、A、5ept、]、]83、p/142)があげられ
る。
[発明が解決しようとする課題] しかしながら、」二足高純度オーステナイト系ス3− テンレス鋼は、必ずしも所期の目的どおりには耐粒界腐
食割れ性が改善され2」〕い場合があることが明らかと
なった。この原因として、 (イ)本鋼中の不純物含有量を制限することにより、照
射誘起偏析によるSj、Pの偏析は、低減できるけれど
も皆無にはならない。
(ロ)本鋼中の炭素含有量は、通常のオーステナイト系
ステンレス鋼よりも少量に制限されているが、皆無では
ない。したがって、微量のCが、Crと結合して例えば
、Cr23C6等の粒界炭化物を形成するから、中性子
照射による粒界近傍のCr欠乏層の形成を完全に防止す
ることはてきない等のことが推測される。
本発明は、上記の状況に艦みなされたもので、上記高純
度オーステナイト系ステン1ノス鋼の結晶粒径を微細化
し、かつ、粒界炭化物の形成を回正することにより、耐
粒界割れ性を向」ニさせることができるオーステナイト
flkM合全を提O(することを目的としたものである
[課題を解決するための手段] 上記課題を解決するための本発明に係るオーステナイト
鉄基合金の構成は、Ni9.O〜11゜0wt%、Cr
  18.O〜20.0wt%、C0,03wt%以下
、Mn  2Q、wt%以下、P  0.005wt%
以下、S  0.004wt%以下、Si  0.03
wt%以下を含み、残部が主としてFeからなる耐食性
のあるオーステティ1〜鉄基合金において、■を0.0
5〜0.5wt%含有させるようにしたものである。
[作用] 本発明は、いわゆる18−8オーステナイトステンレス
鋼において、C0103wt%以下、P 0.005w
t%以下、S 0.004wt%以下、Si  0.0
3wt%以下に制限した高純度オーステナイト鋼中に、
■を添加させることによって、結晶粒径を微細化しかつ
、■炭化物を生成させる。結晶粒径を微細化することに
より、単位体積当りの粒界面積が増大し、それに応じて
粒界に偏析するSi、P等の濃度が小さくなり耐食性を
向上させる効果がある。さらに、■はCとの親和力が強
く、粒界炭化物を生成するため、C【・の粒界炭化物の
形成を阻止する効果があり、その結果、粒界近傍におけ
るCr欠乏層の形成を防止でき、耐食性を向上すること
ができる。
ただし、■は高温度下では蒸発し易いので、製鋼上多量
に添加することはできす、高々0.5重量%程度である
[実施例] 以下に本発明の1実施例を図面を用いて説明する。
重量%で、Ni  9.○−]−1.0.Cr  、1
8.0〜20.○、Mn2.0以下、C0゜03以下、
P  O,005以下、S  O,004以下、Sj、
0.03以下、残部がFeからなる本発明のオーステテ
ィ1〜系ステンレス鋼に、■を0.01%から種々の濃
度(%)添加して、数種類のオーステナイト・鉄基合金
を製造し、各々から割れ感受性用腐食試験片を製作し、
■添加量(%)の耐食性に及ぼす影響を調へた。
粒界腐食試験は、6価のクロ11を含む5規定沸騰硝酸
液中に、」二足の各試験片を、6時間浸漬した後、これ
らを取出して割れ長さを測定して、割れ感受性を調べる
という方法で実施した。
図面は、その試@結果を示したものである。横軸は、オ
ーステナイI−鋼中のva度(%)を、縦軸は、粒界腐
食感受性(割れ長さの比)を表わしたものである。この
図面から、Vo、01%では、感受性は3.7であるが
、0.05%では、1.5,0.5%では、コー00と
なり、V  1゜0%の場合もほぼ同様な傾向を示すこ
とがわかる。
すなわち、上記範囲のVwt%の場合には、耐粒界腐食
割れ性がいちぢるしく向上することを実証した。
また、18−8系オーステナイト鋼中への■元素の固溶
限からみて、最大0.5wt%と推定されるので、本実
施例におけるV添加量は、0.05 w t ” 00
5wt%が好適である。
[発明の効果] 以上説明したように、本発明の高純度オーステティ1へ
鉄基合金に所定量のバナジウムを転化する7− ことによって、結晶粒径が微細化し、粒界炭化物の形成
が回正され、中性子前側を受けてもIGSCCの発生し
にくい、耐粒界腐食割れ性にすぐれた炉内機器用の材料
を堤供することができる、。
【図面の簡単な説明】
図面は、粒界腐食割れ試験にお1づる、鋼中のバナジウ
ム濃度と粒界腐食割れ感受性の関係図である。 〈符号の説明〉 1・・鋼中V濃度と粒界腐食感受性の特性曲線代岬人 
弁理士 高橋明夫 (ほか1名) 8

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1、Ni9.0〜11.0wt%、Cr18.0〜20
    .0wt%、C0.03wt%以下、Mn2.0wt%
    以下、P0.005wt %以下、S0.004wt%以下、Si0.03wt%
    以下を含み、残部が主としてFeからなる耐食性のある
    オーステナイト鉄基合金において、Vを0.05〜0.
    5wt%含有させたことを特徴とするオーステナイト鉄
    基合金。
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20180069057A1 (en) 2012-03-06 2018-03-08 Samsung Display Co., Ltd. Pixel arrangement structure for organic light emitting display device
US10347703B2 (en) 2013-04-26 2019-07-09 Samsung Display Co., Ltd. Organic light-emitting diode display
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US11626067B2 (en) 2012-03-06 2023-04-11 Samsung Display Co., Ltd. Pixel arrangement structure for organic light emitting diode display
US11626066B2 (en) 2012-03-06 2023-04-11 Samsung Display Co., Ltd. Pixel arrangement structure for organic light emitting diode display
US11626064B2 (en) 2012-03-06 2023-04-11 Samsung Display Co., Ltd. Pixel arrangement structure for organic light emitting diode display
US11651731B2 (en) 2012-03-06 2023-05-16 Samsung Display Co., Ltd. Pixel arrangement structure for organic light emitting diode display
US11676531B2 (en) 2012-03-06 2023-06-13 Samsung Display Co., Ltd. Pixel arrangement structure for organic light emitting diode display
US11980077B2 (en) 2012-03-06 2024-05-07 Samsung Display Co., Ltd. Pixel arrangement structure for organic light emitting display device
US10347703B2 (en) 2013-04-26 2019-07-09 Samsung Display Co., Ltd. Organic light-emitting diode display
US10937848B2 (en) 2013-04-26 2021-03-02 Samsung Display Co., Ltd. Organic light-emitting diode display

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