JPH0335933B2 - - Google Patents
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- JPH0335933B2 JPH0335933B2 JP61019853A JP1985386A JPH0335933B2 JP H0335933 B2 JPH0335933 B2 JP H0335933B2 JP 61019853 A JP61019853 A JP 61019853A JP 1985386 A JP1985386 A JP 1985386A JP H0335933 B2 JPH0335933 B2 JP H0335933B2
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- Magnetic Resonance Imaging Apparatus (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野)
本発明は核磁気共鳴断層撮影装置(以下NMR
−CTという)の勾配磁場及びRFパルス波形を制
御する信号を作るためのNMR−CT用スキヤン
コントローラに関する。
−CTという)の勾配磁場及びRFパルス波形を制
御する信号を作るためのNMR−CT用スキヤン
コントローラに関する。
(従来の技術)
核磁気共鳴(以下NMRという)現象を用いて
特定原子核に注目した被検体の断層像を得る
NMR−CTは従来から知られている。このNMR
−CTの原理の概要を簡単に説明する。
特定原子核に注目した被検体の断層像を得る
NMR−CTは従来から知られている。このNMR
−CTの原理の概要を簡単に説明する。
原子核は磁気を帯びた回転している独楽と見る
ことができるが、それを例えばz軸方向の静磁場
H0の中におくと、前記の原子核は次式で示す角
速度ω0で歳差運動をする。これをラモアの歳差
運動という。
ことができるが、それを例えばz軸方向の静磁場
H0の中におくと、前記の原子核は次式で示す角
速度ω0で歳差運動をする。これをラモアの歳差
運動という。
ω0=γH0
但し、γ:核磁気回転比
今、静磁場のあるz軸に垂直な軸、例えばx軸
に高周波コイルを配置し、xy面内で回転する前
記の角周波数ω0の高周波回転磁場を印加すると
磁気共鳴が起り、静磁場H0のもとでゼーマン分
裂をしていた原子核の集団は共鳴条件を満足する
高周波磁場によつて準位間の遷移を生じ、エネル
ギー準位の高い方の準位に遷移する。ここで、核
磁気回転比γは原子核の種類によつて異なるので
共鳴周波数によつて当該原子核を特定することが
できる。更にその共鳴の強さを測定すれば、その
原子核の存在量を知ることができる。共鳴後緩和
時間と呼ばれる時定数で定まる時間の間に高い準
位へ励起された原子核は低い準位へ戻つてエネル
ギーの放射を行う。NMRの現象の観測には大き
く分けて定常法とパルス法があつて、前者は前述
のように共鳴条件を満足する連続的に加えられた
高周波エネルギーが縦核磁気緩和時間T1を通じ
て格子核に吸収されていく過程を検出するもので
ある。後者は横核磁気緩和時間T2に比べて十分
短い時間に断熱的に高周波パルスを印加し、その
後に起こるスピン系の運動を直接観測しようとす
るもので、現在NMRの技術は主としてこのパル
ス法に基づいている。このパルス法について第2
図を参照しながら説明する。
に高周波コイルを配置し、xy面内で回転する前
記の角周波数ω0の高周波回転磁場を印加すると
磁気共鳴が起り、静磁場H0のもとでゼーマン分
裂をしていた原子核の集団は共鳴条件を満足する
高周波磁場によつて準位間の遷移を生じ、エネル
ギー準位の高い方の準位に遷移する。ここで、核
磁気回転比γは原子核の種類によつて異なるので
共鳴周波数によつて当該原子核を特定することが
できる。更にその共鳴の強さを測定すれば、その
原子核の存在量を知ることができる。共鳴後緩和
時間と呼ばれる時定数で定まる時間の間に高い準
位へ励起された原子核は低い準位へ戻つてエネル
ギーの放射を行う。NMRの現象の観測には大き
く分けて定常法とパルス法があつて、前者は前述
のように共鳴条件を満足する連続的に加えられた
高周波エネルギーが縦核磁気緩和時間T1を通じ
て格子核に吸収されていく過程を検出するもので
ある。後者は横核磁気緩和時間T2に比べて十分
短い時間に断熱的に高周波パルスを印加し、その
後に起こるスピン系の運動を直接観測しようとす
るもので、現在NMRの技術は主としてこのパル
ス法に基づいている。このパルス法について第2
図を参照しながら説明する。
前述のように共鳴条件を満足する高周波パルス
(H1)を静磁場(z軸)に垂直な(x軸)方向に
印加すると、第2図イに示すように全磁気モーメ
ントMは回転座標系でω′=γH1の角周波数でzy面
内で回転を始める。今パルス幅をtDとするとH0
からの回転角はθ=γH1tDであり、θ=90゜となる
ようなtDをもつパルスを90゜パルスと呼ぶ。この
90゜パルス直後では磁気モーメントMは第2図ロ
のようにxy面をω0で回転していることになり、
例えばx軸においたコイルに誘導起電力を生じ
る。しかし、この信号は時間と共に減衰していく
ので、この信号を自由誘導減衰信号(FID)と呼
ぶ。FID信号をフーリエ変換すれば周波数領域で
の信号が得られる。次に第2図ハに示すように
90゜パルスからτ時間後θ=180゜になるようなパ
ルス幅の第2のパルス(180゜パルス)を加えると
ばらばらになつていた磁気モーメントがτ時間後
−y方向で再び焦点を合せて信号が観測される。
この信号をスピンエコー(SE)と呼んでいる。
このスピンエコーの強度を測定して所望の像を得
ることができる。NMRの共鳴条件は ν=γH0/2π で与えられる。ここで、νは共鳴周波数、H0は
静磁場の強さである。従つて共鳴周波数は磁場の
強さに比例することが分る。このため静磁場に線
形の磁場勾配を重畳させて、位置によつて異なる
強さの磁場を与え、共鳴周波数を変化させて位置
情報を得るNMRイメージングの方法がある。こ
の内スピンワープ法について説明する。この手法
に用いる高周波磁場及び勾配磁場印加のパルスシ
ーケンスを第3図に示す。イ図において、x、
y、z軸に夫々Gx,Gy,Gzの磁場を与え、高周
波磁場をx軸に印加する状態を示している。ロ図
は夫々の磁場を印加するタイミングを示す図であ
る。図においてRFは高周波の回転磁場で90゜パル
スと180゜パルスをx軸に印加する。Gxはx軸に
印加する固定の勾配磁場、Gyはy軸に印加する
時間によつて振幅を変化させる勾配磁場、Gzは
z軸に印加する固定の勾配磁場である。信号は
90゜パルス後のFID信号と180゜パルス後のSE信号
を示している。期間は各軸に与える勾配磁場の信
号の時期を示すために設けてある。期間1におい
て90゜パルスと勾配磁場Gz+によつてz=0を中
心とするz軸に垂直な断層撮影におけるスライス
面内のスピンが選択的に励起される。期間2の
Gz-はGz+によつて乱れたスピンの位相を元に戻
すためのものである。期間2ではGynも印加す
る。これはy方向の位置に比例してスピンの位相
をずらしてやる所謂ワープと称せられる勾配磁場
のためのもので、その強度は毎周期異なるように
制御される。期間3において180゜パルスを与えて
再び磁気モーメントを揃え、その後に現われる
SE信号を観察する。
(H1)を静磁場(z軸)に垂直な(x軸)方向に
印加すると、第2図イに示すように全磁気モーメ
ントMは回転座標系でω′=γH1の角周波数でzy面
内で回転を始める。今パルス幅をtDとするとH0
からの回転角はθ=γH1tDであり、θ=90゜となる
ようなtDをもつパルスを90゜パルスと呼ぶ。この
90゜パルス直後では磁気モーメントMは第2図ロ
のようにxy面をω0で回転していることになり、
例えばx軸においたコイルに誘導起電力を生じ
る。しかし、この信号は時間と共に減衰していく
ので、この信号を自由誘導減衰信号(FID)と呼
ぶ。FID信号をフーリエ変換すれば周波数領域で
の信号が得られる。次に第2図ハに示すように
90゜パルスからτ時間後θ=180゜になるようなパ
ルス幅の第2のパルス(180゜パルス)を加えると
ばらばらになつていた磁気モーメントがτ時間後
−y方向で再び焦点を合せて信号が観測される。
この信号をスピンエコー(SE)と呼んでいる。
このスピンエコーの強度を測定して所望の像を得
ることができる。NMRの共鳴条件は ν=γH0/2π で与えられる。ここで、νは共鳴周波数、H0は
静磁場の強さである。従つて共鳴周波数は磁場の
強さに比例することが分る。このため静磁場に線
形の磁場勾配を重畳させて、位置によつて異なる
強さの磁場を与え、共鳴周波数を変化させて位置
情報を得るNMRイメージングの方法がある。こ
の内スピンワープ法について説明する。この手法
に用いる高周波磁場及び勾配磁場印加のパルスシ
ーケンスを第3図に示す。イ図において、x、
y、z軸に夫々Gx,Gy,Gzの磁場を与え、高周
波磁場をx軸に印加する状態を示している。ロ図
は夫々の磁場を印加するタイミングを示す図であ
る。図においてRFは高周波の回転磁場で90゜パル
スと180゜パルスをx軸に印加する。Gxはx軸に
印加する固定の勾配磁場、Gyはy軸に印加する
時間によつて振幅を変化させる勾配磁場、Gzは
z軸に印加する固定の勾配磁場である。信号は
90゜パルス後のFID信号と180゜パルス後のSE信号
を示している。期間は各軸に与える勾配磁場の信
号の時期を示すために設けてある。期間1におい
て90゜パルスと勾配磁場Gz+によつてz=0を中
心とするz軸に垂直な断層撮影におけるスライス
面内のスピンが選択的に励起される。期間2の
Gz-はGz+によつて乱れたスピンの位相を元に戻
すためのものである。期間2ではGynも印加す
る。これはy方向の位置に比例してスピンの位相
をずらしてやる所謂ワープと称せられる勾配磁場
のためのもので、その強度は毎周期異なるように
制御される。期間3において180゜パルスを与えて
再び磁気モーメントを揃え、その後に現われる
SE信号を観察する。
以上がNMR−CTの原理であつて特にスピン
ワープ法について説明した。実際の診断において
各直交軸に印加する信号の例を第4図に示す。第
4図はマシン系のx、y、z軸を夫々スライス
軸、ワープ軸、リード軸としてスライス信号Gs、
ワープ信号Gw、リード信号GRを印加している状
態を示している。従来これらのマシン系座標軸の
各軸に印加する信号は毎ヴユー毎に全波形を例え
ば20bitで画いてメモリに記憶させ、連続的に又
は巡回式に読出させてこれをデイジタルアナログ
コンバータ(以下DAコンバータという。)でア
ナログ信号に変換してx、y、z軸に供給してい
た。又、メモリの所要量を節約するため、前記の
ように全波形をメモリに記憶させるのではなく、
1ヴユー単位にメモリに入れるが、ヴユーが終れ
ば次のヴユーでは変化する部分のみを別のメモリ
からの情報により書換える方式があつた。更に波
形の変らない固定部分と変る部分がある波形信号
を同じメモリに入れておき、時間毎に必要な部分
を別のメモリに記録されている情報によつて取出
して使う方式で、同じ波形信号は二重には書かな
い。
ワープ法について説明した。実際の診断において
各直交軸に印加する信号の例を第4図に示す。第
4図はマシン系のx、y、z軸を夫々スライス
軸、ワープ軸、リード軸としてスライス信号Gs、
ワープ信号Gw、リード信号GRを印加している状
態を示している。従来これらのマシン系座標軸の
各軸に印加する信号は毎ヴユー毎に全波形を例え
ば20bitで画いてメモリに記憶させ、連続的に又
は巡回式に読出させてこれをデイジタルアナログ
コンバータ(以下DAコンバータという。)でア
ナログ信号に変換してx、y、z軸に供給してい
た。又、メモリの所要量を節約するため、前記の
ように全波形をメモリに記憶させるのではなく、
1ヴユー単位にメモリに入れるが、ヴユーが終れ
ば次のヴユーでは変化する部分のみを別のメモリ
からの情報により書換える方式があつた。更に波
形の変らない固定部分と変る部分がある波形信号
を同じメモリに入れておき、時間毎に必要な部分
を別のメモリに記録されている情報によつて取出
して使う方式で、同じ波形信号は二重には書かな
い。
(発明が解決しようとする問題点)
上記のような従来の方式において、全波形を記
憶させる方式では膨大な量のメモリが必要であ
り、又、書込む手間も相当なものであつて多くの
費用を要する。第2、第3の方式は前者に比べる
とメモリ量は少ないが、主メモリを制御する別の
メモリが必要なのでメモリ量はやはり多くを必要
としている。
憶させる方式では膨大な量のメモリが必要であ
り、又、書込む手間も相当なものであつて多くの
費用を要する。第2、第3の方式は前者に比べる
とメモリ量は少ないが、主メモリを制御する別の
メモリが必要なのでメモリ量はやはり多くを必要
としている。
本発明は上記の点に鑑みてなされたもので、そ
の目的は、簡単で安価な構成のハードウエアによ
つて少ないメモリ量で書込みに必要な工数も多く
を必要とせずにスキヤンに必要な波形の信号を得
ることのできるNMR−CTのスキヤンコントロ
ーラを実現することである。
の目的は、簡単で安価な構成のハードウエアによ
つて少ないメモリ量で書込みに必要な工数も多く
を必要とせずにスキヤンに必要な波形の信号を得
ることのできるNMR−CTのスキヤンコントロ
ーラを実現することである。
(問題点を解決するための手段)
前記問題点を解決するための本発明は、核磁気
共鳴撮影装置の勾配磁場及びRFパルス波形を制
御するNMR−CT用スキヤンコントローラにお
いて、ヴユー番号をカウントして出力するヴユー
カウンタと、勾配磁場の波形の初期値を記憶する
1ヴユーの長さのベースメモリと、前記勾配磁場
の波形のヴユー毎の増分を記憶する1ヴユーの長
さの増分メモリとを有し、前記ベースメモリの出
力Aと、前記増分メモリの出力Bと、前記ヴユー
カウンタの出力であるヴユー番号nとから(A+
nB)を演算して、該(A+nB)に相当する波形
の信号を出力とするマシン系座標軸3軸分の勾配
出力制御装置を有することを特徴とするものであ
る。
共鳴撮影装置の勾配磁場及びRFパルス波形を制
御するNMR−CT用スキヤンコントローラにお
いて、ヴユー番号をカウントして出力するヴユー
カウンタと、勾配磁場の波形の初期値を記憶する
1ヴユーの長さのベースメモリと、前記勾配磁場
の波形のヴユー毎の増分を記憶する1ヴユーの長
さの増分メモリとを有し、前記ベースメモリの出
力Aと、前記増分メモリの出力Bと、前記ヴユー
カウンタの出力であるヴユー番号nとから(A+
nB)を演算して、該(A+nB)に相当する波形
の信号を出力とするマシン系座標軸3軸分の勾配
出力制御装置を有することを特徴とするものであ
る。
(作用)
Gxベースメモリから波形信号Aを読出し、Gx
増分メモリからヴユー毎の増分Bを読出し、ヴユ
ーカウンタからの現在のヴユー番号nと共に演算
器で演算してA+nBを求める。
増分メモリからヴユー毎の増分Bを読出し、ヴユ
ーカウンタからの現在のヴユー番号nと共に演算
器で演算してA+nBを求める。
(実施例)
以下に図面を参照して本発明の実施例につき詳
細に説明する。
細に説明する。
第1図は本発明の一実施例を示すブロツク図で
ある。第1図に示す回路はヴユー毎に変化する波
形、即ちスキヤン系座標軸におけるワープ軸Wに
印加する信号Gwのマシン系座標軸に対する分力
成分を出力する回路であつて、x軸用、y軸用及
びz軸用の3組の回路を備えているが、原理的に
は同じなのでx軸用のみについて説明する。図に
おいて1はヴユーカウンタで0から逐次1づつ増
加してN−1までのN個のヴユー番号nを出力す
ると共に、1ヴユー間の各ステツプのGxベース
メモリ2及びGx増分メモリ3に対する読出しア
ドレス信号を出力する。2はGxベースメモリで
時刻t=0のときのワープ信号のx軸成分Gx0を
格納している。3はGx増分メモリで1ヴユー毎
のGx0に対する増分を格納している。このGxベ
ースメモリ2及びGx増分メモリ3の内容は第6
図に示す通りである。第6図イはGxベースメモ
リ2の内容、ロはGx増分メモリ3の内容を示し
ている。第6図イにおいて、Gx0(0)は時刻
(0)におけるGx0信号、Gx0(i)は時刻iにおけ
るGx0信号で、時刻(I−1)までのIステツプ
で1つの波形を画いている。第6図ロにおける△
Gx(i)も同様に時刻iにおける増分△Gxの量を示
していてIステツプ分の信号を格納している。再
び第1図において、4は乗算器でヴユーカウンタ
1の出力とGx増分メモリ3の出力との積を求め
る回路である。5は加算器でGxベースメモリ2
と乗算器4の出力の和を求める回路、6はDAコ
ンバータで加算器5のデイジタル信号出力をアナ
ログ信号に変換する回路である。
ある。第1図に示す回路はヴユー毎に変化する波
形、即ちスキヤン系座標軸におけるワープ軸Wに
印加する信号Gwのマシン系座標軸に対する分力
成分を出力する回路であつて、x軸用、y軸用及
びz軸用の3組の回路を備えているが、原理的に
は同じなのでx軸用のみについて説明する。図に
おいて1はヴユーカウンタで0から逐次1づつ増
加してN−1までのN個のヴユー番号nを出力す
ると共に、1ヴユー間の各ステツプのGxベース
メモリ2及びGx増分メモリ3に対する読出しア
ドレス信号を出力する。2はGxベースメモリで
時刻t=0のときのワープ信号のx軸成分Gx0を
格納している。3はGx増分メモリで1ヴユー毎
のGx0に対する増分を格納している。このGxベ
ースメモリ2及びGx増分メモリ3の内容は第6
図に示す通りである。第6図イはGxベースメモ
リ2の内容、ロはGx増分メモリ3の内容を示し
ている。第6図イにおいて、Gx0(0)は時刻
(0)におけるGx0信号、Gx0(i)は時刻iにおけ
るGx0信号で、時刻(I−1)までのIステツプ
で1つの波形を画いている。第6図ロにおける△
Gx(i)も同様に時刻iにおける増分△Gxの量を示
していてIステツプ分の信号を格納している。再
び第1図において、4は乗算器でヴユーカウンタ
1の出力とGx増分メモリ3の出力との積を求め
る回路である。5は加算器でGxベースメモリ2
と乗算器4の出力の和を求める回路、6はDAコ
ンバータで加算器5のデイジタル信号出力をアナ
ログ信号に変換する回路である。
次に上記実施例の動作を第1図を用いて説明す
る。ヴユーカウンタ1は読出しアドレス信号を出
力してGxベースメモリ2及びGx増分メモリ3に
格納されている信号を読出すと共に0から始まる
ヴユー番号nを乗算器4に入力する。一方Gx増
分メモリ3からはヴユーカウンタ1からの読出し
アドレス信号によつてGx増分信号Bが読出され
て乗算器4に入力される。乗算器4は前記のヴユ
ーカウンタ1の出力nとGx増分メモリ3の出力
Bの積を計算して出力nBを加算器5に入力する。
Gxベースメモリ2は同様にヴユーカウンタ1の
読出しアドレス信号によつて読出されたGx0信号
Aを加算器5に入力し、加算器5は前記乗算器4
の出力nBとGxベースメモリ2の出力Aの和を計
算し、(A+nB)を出力してDAコンバータ6に
送る。DAコンバータ6は前記のデイジタル信号
(A+nB)をアナログ信号に変換して図示しない
勾配磁場電源に出力する。Gxベースメモリ2の
出力Aは、第6図イのGx0(0)〜Gx0(I−1)
までのIステツプから成る1ヴユーの各ステツプ
の信号であり、Gx増分メモリ3の出力Bも、第
6図ロの△Gx(0)〜△Gx(I−1)までのIス
テツプから成る1ヴユーの各ステツプの信号であ
つて、1ヴユーが終つて次のヴユーになつた時A
及びB出力はGx0(0)及び△Gx(0)から再び
繰返す。更に進んでヴユーカウンタ1の出力nが
(N−1)を出力し、加算器5から(I−1)ス
テツプのA+(N−1)Bの出力を得てスキヤン
を終る。以上のように1回の撮影の全過程におい
てGxベースメモリ2及びGx増分メモリ3の内容
は変らず、夫々のメモリには1波形及び1組の増
分データを記憶させてあるだけなので、所要メモ
リの数は少なくてすみ、従つて書込みの手間も1
回の書込みだけでよく所要工数が極めて少なくて
すむ。
る。ヴユーカウンタ1は読出しアドレス信号を出
力してGxベースメモリ2及びGx増分メモリ3に
格納されている信号を読出すと共に0から始まる
ヴユー番号nを乗算器4に入力する。一方Gx増
分メモリ3からはヴユーカウンタ1からの読出し
アドレス信号によつてGx増分信号Bが読出され
て乗算器4に入力される。乗算器4は前記のヴユ
ーカウンタ1の出力nとGx増分メモリ3の出力
Bの積を計算して出力nBを加算器5に入力する。
Gxベースメモリ2は同様にヴユーカウンタ1の
読出しアドレス信号によつて読出されたGx0信号
Aを加算器5に入力し、加算器5は前記乗算器4
の出力nBとGxベースメモリ2の出力Aの和を計
算し、(A+nB)を出力してDAコンバータ6に
送る。DAコンバータ6は前記のデイジタル信号
(A+nB)をアナログ信号に変換して図示しない
勾配磁場電源に出力する。Gxベースメモリ2の
出力Aは、第6図イのGx0(0)〜Gx0(I−1)
までのIステツプから成る1ヴユーの各ステツプ
の信号であり、Gx増分メモリ3の出力Bも、第
6図ロの△Gx(0)〜△Gx(I−1)までのIス
テツプから成る1ヴユーの各ステツプの信号であ
つて、1ヴユーが終つて次のヴユーになつた時A
及びB出力はGx0(0)及び△Gx(0)から再び
繰返す。更に進んでヴユーカウンタ1の出力nが
(N−1)を出力し、加算器5から(I−1)ス
テツプのA+(N−1)Bの出力を得てスキヤン
を終る。以上のように1回の撮影の全過程におい
てGxベースメモリ2及びGx増分メモリ3の内容
は変らず、夫々のメモリには1波形及び1組の増
分データを記憶させてあるだけなので、所要メモ
リの数は少なくてすみ、従つて書込みの手間も1
回の書込みだけでよく所要工数が極めて少なくて
すむ。
尚、本発明は上記実施例に限定されるものでは
ない。例えばデイジタル信号をDAコンバータで
アナログ信号とした後、アナログの乗算器と加算
器で演算してもよい。又、クロツク発振器を別に
設けてその出力クロツクにより読み出しを行つて
もよい。
ない。例えばデイジタル信号をDAコンバータで
アナログ信号とした後、アナログの乗算器と加算
器で演算してもよい。又、クロツク発振器を別に
設けてその出力クロツクにより読み出しを行つて
もよい。
(発明の効果)
以上詳細に説明したように、本発明によれば、
少ないメモリ量で、従つて書込み工数も少なくて
必要な勾配磁場の波形が得られるようになつた。
少ないメモリ量で、従つて書込み工数も少なくて
必要な勾配磁場の波形が得られるようになつた。
第1図は本発明の一実施例のブロツク図、第2
図はNMR−CTの磁場のパルスシーケンスを示
す図で、イは直交座標軸と信号との関係を示す
図、ロは各信号の波形とタイミングを示す図、第
3図はスピンワープ法に用いる高周波磁場及び勾
配磁場印加のパルスシーケンスを示す図で、イは
x、y、z軸に夫々Gx、Gy、Gzの磁場を与え、
高周波磁場をx軸に印加する状態を示す図、ロは
夫々の磁場を印加するタイミングを示す図、第4
図はスライス面とスキヤン系座標軸及びマシン系
座標軸の関係を示す図、第5図はスキヤン系座標
軸に印加する磁場のパルスシーケンスを示す図、
第6図は第1図のGxベースメモリ2及びGx増分
メモリ3の内容を示す図である。 1……ヴユーカウンタ、2……Gxベースメモ
リ、3……Gx増分メモリ、4……乗算器、5…
…加算器、6……DAコンバータ。
図はNMR−CTの磁場のパルスシーケンスを示
す図で、イは直交座標軸と信号との関係を示す
図、ロは各信号の波形とタイミングを示す図、第
3図はスピンワープ法に用いる高周波磁場及び勾
配磁場印加のパルスシーケンスを示す図で、イは
x、y、z軸に夫々Gx、Gy、Gzの磁場を与え、
高周波磁場をx軸に印加する状態を示す図、ロは
夫々の磁場を印加するタイミングを示す図、第4
図はスライス面とスキヤン系座標軸及びマシン系
座標軸の関係を示す図、第5図はスキヤン系座標
軸に印加する磁場のパルスシーケンスを示す図、
第6図は第1図のGxベースメモリ2及びGx増分
メモリ3の内容を示す図である。 1……ヴユーカウンタ、2……Gxベースメモ
リ、3……Gx増分メモリ、4……乗算器、5…
…加算器、6……DAコンバータ。
Claims (1)
- 1 核磁気共鳴断層撮影装置の勾配磁場及びRF
パルス波形を制御する核磁気共鳴断層撮影装置用
スキヤンコントローラにおいて、ヴユー番号をカ
ウントして出力するヴユーカウンタと、勾配磁場
の波形の初期値を記憶する1ヴユーの長さのベー
スメモリと、前記勾配磁場の波形のヴユー毎の増
分を記憶する1ヴユーの長さの増分メモリとを有
し、前記ベースメモリの出力Aと、前記増分メモ
リの出力Bと、前記ヴユーカウンタの出力である
ヴユー番号nとから(A+nB)を演算して、該
(A+nB)に相当する波形の信号を出力とするマ
シン系座標軸3軸分の勾配出力制御装置を有する
ことを特徴とする核磁気共鳴断層撮影装置用スキ
ヤンコントローラ。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61019853A JPS6359944A (ja) | 1986-01-31 | 1986-01-31 | 核磁気共鳴断層撮影装置用スキヤンコントロ−ラ |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61019853A JPS6359944A (ja) | 1986-01-31 | 1986-01-31 | 核磁気共鳴断層撮影装置用スキヤンコントロ−ラ |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6359944A JPS6359944A (ja) | 1988-03-15 |
JPH0335933B2 true JPH0335933B2 (ja) | 1991-05-29 |
Family
ID=12010792
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP61019853A Granted JPS6359944A (ja) | 1986-01-31 | 1986-01-31 | 核磁気共鳴断層撮影装置用スキヤンコントロ−ラ |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6359944A (ja) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0733767Y2 (ja) * | 1989-07-27 | 1995-08-02 | 株式会社島津製作所 | Mr装置用波形発生装置 |
JP6431464B2 (ja) * | 2015-10-07 | 2018-11-28 | 株式会社日立製作所 | 磁気共鳴イメージング装置の傾斜磁場波形調整方法、および、磁気共鳴イメージング装置 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5821324A (ja) * | 1981-07-30 | 1983-02-08 | Agency Of Ind Science & Technol | 水素添加した半導体薄膜成長用金属表面基板の前処理方法 |
JPS60151548A (ja) * | 1984-01-19 | 1985-08-09 | Yokogawa Hokushin Electric Corp | 核磁気共鳴による検査方法およびその装置 |
JPS60166852A (ja) * | 1984-10-30 | 1985-08-30 | Yokogawa Hokushin Electric Corp | Nmr画像装置 |
-
1986
- 1986-01-31 JP JP61019853A patent/JPS6359944A/ja active Granted
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5821324A (ja) * | 1981-07-30 | 1983-02-08 | Agency Of Ind Science & Technol | 水素添加した半導体薄膜成長用金属表面基板の前処理方法 |
JPS60151548A (ja) * | 1984-01-19 | 1985-08-09 | Yokogawa Hokushin Electric Corp | 核磁気共鳴による検査方法およびその装置 |
JPS60166852A (ja) * | 1984-10-30 | 1985-08-30 | Yokogawa Hokushin Electric Corp | Nmr画像装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS6359944A (ja) | 1988-03-15 |
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