JPH03356B2 - - Google Patents

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JPH03356B2
JPH03356B2 JP61119112A JP11911286A JPH03356B2 JP H03356 B2 JPH03356 B2 JP H03356B2 JP 61119112 A JP61119112 A JP 61119112A JP 11911286 A JP11911286 A JP 11911286A JP H03356 B2 JPH03356 B2 JP H03356B2
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JP
Japan
Prior art keywords
silicon carbide
sulfur
reaction
carbide whiskers
whiskers
Prior art date
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Expired - Lifetime
Application number
JP61119112A
Other languages
English (en)
Other versions
JPS62278199A (ja
Inventor
Hajime Namikata
Toshiaki Jinno
Masahiro Kanda
Hitoshi Ushijima
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Yazaki Corp
Original Assignee
Yazaki Corp
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Publication date
Application filed by Yazaki Corp filed Critical Yazaki Corp
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Publication of JPS62278199A publication Critical patent/JPS62278199A/ja
Priority to US07/244,659 priority patent/US4855119A/en
Publication of JPH03356B2 publication Critical patent/JPH03356B2/ja
Granted legal-status Critical Current

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Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C30CRYSTAL GROWTH
    • C30BSINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B25/00Single-crystal growth by chemical reaction of reactive gases, e.g. chemical vapour-deposition growth
    • C30B25/005Growth of whiskers or needles
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C30CRYSTAL GROWTH
    • C30BSINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B29/00Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
    • C30B29/10Inorganic compounds or compositions
    • C30B29/36Carbides

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
  • Inorganic Fibers (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野 本発明は、炭化ケイ素ウイスカの製造方法に関
し、とくに各種複合材料用の補強材として有用な
ウイスカの製造方法に関する。 従来の技術 炭化ケイ素繊維は、耐熱性、耐酸化性に優れ、
かつ高い強度を有するために、金属やセラミツク
スあるいは樹脂材料等と組合せて種々の複合材料
を製造することが行われている。 かかる炭化ケイ素繊維を製造する方法として
は、炭素ケイ素を主な骨格成分とする有機ケイ素
高分子化合物を紡糸し、焼成し、さらに高温加熱
処理する方法(特開昭52−70122)があるが、工
程が複雑であり熱処理温度の制御が容易でない上
に繊維径の細いものは得難いという問題がある。 また炭素繊維の表面に気相熱分解法によつてケ
イ素を析出させ、これを高温で焼成して炭化ケイ
素に転換する方法(特開昭50−38700)や、イネ
科植物の灰化残渣とカーボンブラツクとを混し、
非酸化性雰囲気中で高温処理する方法(特開昭57
−209813)があるが、いづれも高温の熱処理が必
要であり、純度も低いという問題がある。 さらにまた、含ハロゲンケイ素化合物と炭化水
素とのガス状混合物を水素雰囲気下で熱分解する
方法もあるが、反応温度が高い上に生成するウイ
スカが微小すぎて複合材料に用いるとき充分な物
理特性が得られないという問題がある。 解決しようとする問題点 本発明は、従来技術によつては得ることができ
なかつたような、複合材料用の補強材として適切
な形状を有する高純度の炭化ケイ素ウイスカを提
供しようとするものであり、かかる炭化ケイ素ウ
イスカの簡便容易な製造方法を提供しようとする
ものである。 問題点を解決するための手段 かかる本発明の目的は、イオウを含有する有機
ケイ素化合物またはイオウを含有する有機ケイ素
化合物と炭化水素化合物との混合物を、還元性ま
たは不活性のキヤリヤガスの存在下に高温たとえ
ば1100〜1500℃で気相熱分解する方法によつて達
成される。 本発明において炭化ケイ素ウイスカの原料とな
るイオウを含有する有機ケイ素化合物は、炭素−
ケイ素結合を有するシランまたはシロキサンであ
り、その有機基の少くとも一部が、たとえばメル
カプト構造やチオエーテル構造などを有するイオ
ウ含有基で構成されているものである。これらの
シランまたはシロキサンに含まれる有機基の一部
は酸素または窒素などを含んでいてもよく、アル
コキシ基などであつてもよい。また、このような
シランまたはシロキサンは、ガス化が可能のもの
であることが必要であり、その限りにおいて鎖状
体または重合体であつてよい。かかる有機ケイ素
化合物としては、γ−メルカプトプロピル・トリ
メトキシシラン、γ−メルカプトプロピル・メチ
ルポリシロキサンなどが挙げられるが、これらに
限られるものではない。 本発明において有機ケイ素化合物に併せて用い
られる炭化水素化合物は、脂肪族、芳香族その他
どのようなものでもよく、イオウを含んでいるも
のも好適に使用できる。また酸素などの元素を含
んでいてもよいが、酸素含量の多いものは炭素の
反応収率を低下させるため、多量に用いることは
好ましくない。かかる炭化水素化合物としては、
たとえばメタン、エタン、プロパン、あるいはチ
オフエン、トルエンチオールなどがあげられ、こ
れらは単独に、または複数を組合せて用いること
ができるが、これらに限られるものではない。 本発明に用いる還元性または不活性のキヤリヤ
ガスとしては、水素、アルゴン等のガスが用いら
れるが、中でも水素が好適であり、また水素とア
ルゴンの混合ガスなどでもよい。またキヤリヤガ
ス中に硫化水素を混在させてもよく、有機ケイ素
化合物中のイオウ含有量が少く更に炭化水素化合
物中のイオウ含有量が少い場合には、硫化水素が
混在していると、ウイスカの生成に好都合であ
る。 前記の炭化ケイ素ウイスカの原料は、有機ケイ
素化合物30〜100容量%、好ましくは50〜100容量
%と、炭化水素化合物0〜70容量%、好ましくは
0〜50容量%とからなる。かかる原料はガス化さ
れ、キヤリヤガスと共に反応器に送られる。 本発明における熱分解反応は1100〜1500℃、好
ましくは1200〜1400℃で実施されるが、そのため
の装置としては、たとえば横型電気炉中にアルミ
ナ等の耐熱性の反応管を設けたものが用い得る。
さらに、生成物の採取し易さを考慮して、反応管
中にアルミナや黒鉛質等の耐熱性基材などを設置
するのが好ましいが、必ずしもこのような装置に
限定されるものではない。 実施例 1 横型電気炉中に内径52mmのアルミナ質反応管を
設置すると共に、その中央の反応帯域部分にアル
ミナ質の基板を定置した。 反応原料としてのイオウ含有有機ケイ素化合物
として、1分子中にジメチルシロキサン単位を
140個、メルカプトプロピル・メチルシロキサン
単位を3個の割合で含有するメルカプト変性シリ
コーン油(A)を用い、また炭化水素化合物としてベ
ンゼン(B)を用い、これらを単独にまたは混合して
反応原料を調製した。 反応帯域を1300℃に加熱し、これにキヤリヤガ
スとしての水素を120c.c./minの場合で流通させ
ながら、反応帯域の手前の約300℃の温度の帯域
に5c.c./minの割合で反応原料を供給し、2時間
反応させたのち反応原料の供給を停止し、冷却し
て生成物を採取した。 反応原料の組成およびキヤリヤガス中の硫化水
素の量と、生成物およびその量とをまとめて第1
表に示す。ただし、生成物として得られた白色の
炭化ケイ素ウイスカをSで、また炭素ウイスカを
Cで現わした。 この結果から、効率よく白色の炭化ケイ素ウイ
スカが得られることがわかる。
【表】 実施例 2 実施例1と同じ装置を用い、反応原料として実
施例1で用いたメルカプト変性シリコーン油(A)の
10分の1のメルカプト基含有量を有するメルカプ
ト変性シリコーン油のみを用い、硫化水素を供給
しないほか、実施例1と同様にして2時間反応し
た結果、平均径0.5μm、最大長さ5mmの白色炭化
ケイ素ウイスカを0.1g得た。 実施例 3 実施例1と同じ装置を用い、反応原料として、
γ−メルカプトプロピル・トリメトキシシランを
反応帯域の手前の約100℃の温度の帯域に2.5c.c./
minの割合で供給したほか、実施例2と同様にし
て2時間反応した結果、平均径0.5μm、最大長さ
2cmの白色炭化ケイ素ウイスカを0.8g得た。 発明の効果 本発明は炭化ケイ素ウイスカの新規な製造方法
であつて、純度が高くかつ各種の複合材料用の充
填補強剤として使用するに適した形状のウイスカ
を容易に得ることができるものである。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1 イオウを含有する有機ケイ素化合物またはイ
    オウを含有する有機ケイ素化合物と炭化水素化合
    物との混合物を還元性または不活性のキヤリヤガ
    スの存在下に高温で気相熱分解することを特徴と
    する炭化ケイ素ウイスカの製造方法。 2 熱分解温度が1100〜1500℃である、特許請求
    の範囲第1項記載の炭化ケイ素ウイスカの製造方
    法。
JP61119112A 1986-05-26 1986-05-26 炭化ケイ素ウイスカの製造方法 Granted JPS62278199A (ja)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP61119112A JPS62278199A (ja) 1986-05-26 1986-05-26 炭化ケイ素ウイスカの製造方法
US07/244,659 US4855119A (en) 1986-05-26 1988-09-15 Method of manufacturing silicon carbide whisker

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP61119112A JPS62278199A (ja) 1986-05-26 1986-05-26 炭化ケイ素ウイスカの製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS62278199A JPS62278199A (ja) 1987-12-03
JPH03356B2 true JPH03356B2 (ja) 1991-01-07

Family

ID=14753214

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP61119112A Granted JPS62278199A (ja) 1986-05-26 1986-05-26 炭化ケイ素ウイスカの製造方法

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US (1) US4855119A (ja)
JP (1) JPS62278199A (ja)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5087433A (en) * 1987-02-20 1992-02-11 Ibiden Co., Ltd. Method and apparatus for the production of SiC whisker
US5039501A (en) * 1990-04-12 1991-08-13 General Motors Corporation Method for growing silicon carbide whiskers

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6170013A (ja) * 1984-09-13 1986-04-10 Nikkiso Co Ltd 微細繊維の製造方法
US4552740A (en) * 1985-02-22 1985-11-12 Rockwell International Corporation Process for producing amorphous and crystalline silicon nitride

Also Published As

Publication number Publication date
JPS62278199A (ja) 1987-12-03
US4855119A (en) 1989-08-08

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