JPH0334599A

JPH0334599A - 回路基板

Info

Publication number: JPH0334599A
Application number: JP1169597A
Authority: JP
Inventors: Yasuaki Yasumoto; 恭章安本; Nobuo Iwase; 岩瀬　暢男
Original assignee: Toshiba Corp
Current assignee: Toshiba Corp
Priority date: 1989-06-30
Filing date: 1989-06-30
Publication date: 1991-02-14

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】［発明の目的］（産業上の利用分野）本発明は、回路基板に関する。

（従来の技術）従来、薄膜配線実装モジュールに使用される薄膜回路基
板の基材としては、アルミナが主に用いられている。し
かしながら、実装される能動素子の性能向上に伴って稼
働時の素子からの発熱量が増大する傾向にあり、アルミ
ナの熱伝導率では能動素子の実装個数が制約されるとい
う問題があった。

このようなことから、アルミナに代わり高熱伝導率をも
つＢｅＯを基材とした薄膜回路基板が使用されてきたが
、かかるＢｅＯは製造時、研磨時の毒性が強いため、基
材としての応用範囲が限定されるという問題があった。

一方、ＡｊｌＮは無毒であり、ＡｊｌＮ材料の酸素濃度
低下や緻密化を促進する焼結助剤の開発等により、Ｂｅ
Ｏを上回る熱伝導率を得られることが報告されている。

このため、ＡＩＮを薄膜回路基板に応用することが徐々
に始まっており、高熱伝導率を生かした高密度実装基板
として薄膜導体の多層配線化が具体化しつつある。

前述したＡＩＮ基材を用いた薄膜回路基板としては、Ａ
ｊｌＮ基材上にＣｕ薄膜導体とＡＩＮ薄膜を交互に積層
した多層回路基板が知られている（特開昭８２−２１９
６９３号公報）。しかしながら、かかる回路基板ではＣ
ｕ薄膜導体とＡＲＮとの接合力が不十分なため、多層化
により基材表面に積層されたＣｕ薄膜導体やＡＩＩＮ薄
膜が剥離したり、Ｃｕ薄膜導体とＡＩＮ薄−膜界面の層
構造が破壊されてＣｕ薄膜導体が断線する問題があった
。

一方、単層構造の回路基板においてＡｕ／Ｐｔ／ＴＩ　
　Ａｕ／Ｐｄ／ＴＩ　　Ａｕ／ＮｉＣｒ／Ｔａ２Ｎ。

Ａｕ／Ｐｄ／Ｎ　ｉ　Ｃｒ、Ａ　ｕ／Ｐ　ｄ／Ｎ　Ｉ　
Ｃｒ／Ｔ　ａ　２　Ｎ等からなる薄膜導体を用いること
が黒用らが発表した信学会、　ＣＰ８８Ｂ−５９，１９
８８等に記載されている。

しかしながら、かかる回路基板では薄膜導体の一成分と
して貴金属を必要とするため、その応用は自ずと制限さ
れる。

なお、ＣｕはＡ　ｕ　ＳＡ　ｆ）等と同等の低抵抗率を
有し、かつ入手が容易であることから、Ｃｕ導体層の利
用は信号伝搬速度や配線ライン幅の微細化が問題となる
高速素子や高密度素子の実装に対して好ましく、ＡρＮ
基材へのＣｕ多層配線化が要望されていた。

（発明が解決しようとする課題）本発明は、上記要望を満たすべくなされたもので、Ｃｕ
をベースとした低抵抗の多層構造を有する回路パターン
をＡρＮ基材やＡｆｉＮ薄膜に対して良好に密着した高
信頼性で安価な回路基板を提供しようとするものである
。

［発明の構成］（課題を解決するための手段）本発明の回路基板は、酸素含有量が０．００５〜３０ａ
ｔｓ％のＡＩＮ基材上に、例えばＭ、Ｎ。

（ＭはＣｒ、Ｔｉ、Ｔａ５Ｗ、Ｚｒ５Ｈｒ、Ｍｏ。

Ｎｄ５Ｎｉ、ｘｓｙは前記Ｍ％Ｎの価数で決まる整数を
示す）で表されるような金属窒化物層、前記Ｍからなる
金属層、Ｃｕ層、前記Ｍからなる金属層及び前記金属窒
化物層の多層構造を有する回路パターンと、酸素含有量
が０．００５〜３０ａｔｍ％のＡｆＩＮ薄膜とを繰り返
し設けたことを特徴とするものである。

上記ＡＩＮ基板、ＡＩＮ薄膜中の酸素含有量を限定した
のは次のような理由によるものである。

即ち、酸素含有量を０．Ｏ０５ａｔｍ％０５ａｔると回
路パターンとの境界層の内部応力緩和が不十分となり、
ＡｊｌＮ基材、薄膜ＡｊｌＮ層に対して密着性の高い回
路パターンの形成できなくなる。一方、酸素含有量が３
０ａｔｍ％を越えると前記境界層中に含まれるＡｆｌｚ
Ｏｓの割合が増大し、回路パターンがＡρＮ基材やＩＮ
薄膜から剥離し易くなるばかりか、ＡＩＮ基材やＡＩＩ
Ｎ薄膜自体の熱伝導率が低下する。このようなＡＩＮ基
材とＡＮＮ薄膜は、同一組成のものから形成することが
望ましい。

上記ＡｐＮ薄膜の厚さは、１０ｎｍ〜２０μｍの範囲と
することが望ましい。この理由は、ＡＪＮ薄膜の厚さを
１０ｎ　ｍ未満にすると回路パターンを構成する導体層
との反応層の影響を受け、回路パターン間の抵抗を十分
実用レベルに保持することが困難となり、かといってそ
の厚さが２０μｍを越えると多層化のためのスルホール
形成した後に導体層をスルホール内に形成することが困
難となる恐れがある。

上記回路パターンを構成するＭヨＮ、の金属窒化物層は
、主としてＡＩＮに対する接合層として作用する。前記
金属窒化物としては、例えばＣｒＮ５Ｔｉ　Ｎｓ　Ｎｉ
　ｓ　Ｎ２、Ｗ２　Ｎ％　Ｔａ　Ｎ等を挙げることがで
きるが、多少の化学量論比からずれてもかまわない。か
かる金属窒化物層の−厚さは、この上の金属層の線熱膨
張係数、硬度等により一概に限定できないが、５〜５０
ｎｍの範囲とすることが望ましい。この理由は、金属窒
化物層の厚さを５ｎｍ未満にすると該金属窒化物層のＡ
ＩＮ基材やＡｆＩＮ薄膜に対する密着強度が低下する恐
れがあり、かといってその厚さが５０ｎｍを越えると回
路パターンを構成する多層薄膜の内部応力分布が不均一
となり、金属窒化物層上の金属層が剥離する恐れがある
かである。

上記回路パターンを構成するＭからなる金属層は、前記
金属窒化物層とＣｕ層との密着性を図るための接合層と
して作用する。かかる金属層の厚さは、１０〜９００ｎ
　ｍの範囲とすることが望ましい。

この理由は、金属層の厚さを１０ｎｍ未満にすると金属
窒化物層とＣｕ層との密着するための強度が低下する恐
れがあり、かといってその厚さが９００ｎｍを越えると
回路パターンを構成する多層薄膜の内部応力分布が不均
一となり、該金属層上のＣｕ層が剥離する恐れがあるか
である。

上記回路パターンを構成するＣｕ層は、回路パターンの
シート抵抗を決定する上で重要なものである。かかるＣ
ｕ層の厚さは、５０ｎｍ〜５０μｍの範囲とすることが
望ましい。この理由は、５０ｎｍ未満にするとシート抵
抗が大きくなり、ライン幅を十分小さくすることが困難
となり、かといってその厚さが５０μｍを越えると内部
応力が前記金属層に対する密着強度以上となり、応力緩
和も難しくなるため回路パターンの長期信頼性を損なう
恐れがあるからである。

上記回路パターンの層形態を具体的に列挙すると、Ｃｒ
Ｎ／Ｃｒ／Ｃｕ１０ｒ／ＣｒＮ、　ＴＩＮ／ＴＩ／Ｃｕ
／Ｔｉ／ＴＩＮ。

Ｎｉ３Ｎ　２　／Ｎｉ／Ｃｕ／Ｎｌ／Ｎｉ３Ｎ　２　、
ＴａＮ／Ｔａ／Ｃｕ／Ｔａ／ＴａＮ。

ＺｒＮ／Ｚｒ／Ｃｕ／Ｚｒ／ＺｒＮ５Ｗ２Ｎ／Ｗ／Ｃｕ
／Ｗハ２Ｎ等を挙げることができる。

また、本発明の別の回路基板はＡＩＮ基材上に、Ｍ、Ｎ
、（ＭはＣｒ　ＳＴ　Ｉ　　Ｔ　ａ　５ＷＳＺ　ｒ　ｓ
ＨｒＳＭｏｓＮｄＳＮｉ％ｘ−、ｙは前記Ｍ、Ｎの価数
で決まる整数を示す）の金属窒化物層、前記Ｍからなる
金属層、バリア層、Ｃｕ層、バリア層、前記Ｍからなる
金属層及び前記金属窒化物層の多層構造を有する回路パ
ターンとＡＩ？Ｎ薄膜を繰り返し設けたことを特徴とす
るものである。

上記バリア層は、金属層とＣｕ層の間に配置され、金属
層の種類によりその金属がＣｕ層に拡散して抵抗率が高
くなるのを阻止する役目をする。

かかるバリア層としては、例えばＮｉ　、Ｔｉ等を挙げ
ることができ、１層又は２層以上の形態をとることがで
きる。前記バリア層の厚さは、５０〜１０００ｎ　ｍの
範囲とすることが望ましい。

上記回路パターンの層形態を具体的に列挙すると、Ｔａ
Ｎ／Ｔａ／Ｎｉ／Ｃｕ／Ｎｉ／Ｔａ／ＴａＮ、　ＺｒＮ
／Ｚｒ／Ｎｌ／Ｃｕ／Ｎｉ／Ｚｒ／ＺｒＮ、　　Ｗ２Ｎ
／Ｖ／ＴＩ／Ｎｉ／Ｃｕ／Ｎｉ／Ｔｉハ／ｗｚ　Ｎ等を
挙げることができる。

次に、本発明の回路基板の製造方法を簡単に説明する。

まず、所望の熱伝導率を有し、表面粗さが下地層や薄膜
導体層を形成するのに適した値をもつＡｆＩＮ基材を用
意する。表面粗さの調節は、焼結ＡＪＮ基材の研磨もし
くはサブミクロン粒子を原料として製造された焼結Ａｐ
Ｎ基材を用いることにより達成できる。また、ＡｆＩＮ
基材中に酸素を含有させるには原料段階で酸素を添加す
るか、該基材の焼結時に酸化物、酸素ガスを所定量添加
するか、又は基材を形成後に酸素プラズマ等で表面を酸
化する方法等を採用し得る。

次いで、前記基材上にＭ、Ｎ、の金属窒化物層を真空蒸
着法、スパッタ蒸着法等の一般的な成膜技術により形成
する。この時、必要に応じて基材温度、雰囲気、真空度
、成膜速度を調整する。金属窒化物層の成膜に先だって
基材表面を湿式洗浄法、逆スパツタ法などで充分な洗浄
を行なうが、ＡＮＮ基材は強酸、強アルカリに対して不
安定であるため、洗浄液の選定に注意が必要で、通常中
性洗浄液を用いることが望ましい。つづいて、真空を破
らずにＭからなる金属層、Ｃｕ層、Ｍからなる金属層及
び前記金属窒化物層を連続して形成するか、又はＭから
なる金属層、バリア層、Ｃｕ層、バリア層、Ｍからなる
金属層及び前記金属窒化物層を連続して形成する。

次いで、前記多層導体上にポジ型又はネガ型レジストを
用いた写真蝕刻法によりレジストパターンを形成し、該
パターンをマスクとして湿式法又はドライ法によりエツ
チングして回路パターンを形成する。

次いで、前記回路パターンが形成されたＡｊ７Ｎ基材上
にＡｆｉＮ薄膜を形成する。この形成方法としては、ス
パッタ法、蒸着法、化学気相成長法を採用すればよく、
酸素を含有させる方法としてはＡｆｉＮ薄膜の形成時に
ドープするか、ＡｇＮ薄膜形成後にその表面に酸素プラ
ズマ等で酸化する方法を採用できる。つづいて、前記Ａ
ｇＮ薄膜上にポジ型又はネガ型レジストを用いた写真蝕
刻法によりレジストパターンを形成し、該パターンをマ
スクとして湿式法又はドライ法によりエツチングしてス
ルホールを形成する。

次いで、前記ＡｇＮ薄膜上に前述したのと同様な方法に
より第２層目の回路パターンの形成、第２層目のＡｇＮ
薄膜の形成等を繰り返して回路基板を製造する。前記第
２層目の回路パターン形成において、前記第一層目のＡ
、ＱＮ薄膜に開孔されたスルホール内に回路パターンを
構成する薄膜導体層が形成されて′！ｓ１、第２層目の
回路パターンが相互に結線される。

なお、必要に応じて最上層のＡｇＮ薄膜に低抗体やキャ
パシタを形成してもよい。前記低抗体としては、Ｎｉ　
Ｃｒなどの合金やＴａＮなとの窒化物を使用でき、キャ
パシタとしては鉛ペロブスカイト等の酸化物を使用でき
る。

（作用）本発明によれば、ＡｊｌＮ基材上に、Ｍ、Ｎ。

（ＭはＣｒ、Ｔｌ、Ｔａ、Ｗ、Ｚｒ、Ｈ１’ＳＭｏ、Ｎ
ｄ、Ｎｉｑｘｓｙは前記Ｍ、Ｎの価数で決まる整数を示
す）で表されるような金属窒化物層、前記Ｍからなる金
属層、Ｃｕ層、前記Ｍからなる金属層及び前記金属窒化
物層の多層構造を有する回路パターンと、ＡｊｌＮ薄膜
とを繰り返し設けることによって、低抵抗率で安価なＣ
ｕをベースとし、かつＡＩＮ基材及びＡｇＮ薄膜に対し
て密着性の高い回路パターンを有する回路基板を得るこ
とができる。

即ち、一般に薄膜導体層をＡＩＮ基材やＡρＮ薄膜に高
い密着強度で形成する場合には、薄膜導体層と基材との
格子定数、線膨脹係数の差、化学反応性の有無に左右さ
れる。このうち格子定数に注目すると、ＡＩＮ基材及び
ＡｇＮ薄膜に直接接触する回路パターンを構成するＭ、
Ｎ、で示される金属窒化物層（例えばＴＩ　Ｎ層又はＣ
ｒＮ層）はＮａ　Ｃｆｌ型立方構造をとるが、［１１１
］方向の最密面を考えた場合、六方構造となりＡＩＮの
格子定数に近い値をもつ。この場合、ＡｊｌＮの格子定
数とのミスフィツトの割合も低く、ＡＩＮ基材やＡｆＩ
Ｎ薄膜に対して強固に密着させることが可能となる。別
の金属窒化物層としてのＷ２Ｎ及び８１３Ｎ２は、化学
反応性が良好であるためＡｊｌＮ基材やＡｆｉＮ薄膜に
密着性よく、かつ安定的に形成できる。また、回路パタ
ーンを構成するＭからなる金属層は前記Ｍ、Ｎ、で示さ
れる金属窒化物層に対して充分な化学反応性を有し、か
つ該金属層はその上に積層されるＣｕ層に対しても良好
な密着性を示す。

また、ＡＩＮ基材及びＡｇＮ薄膜中に酸素を０．００５
〜３０　ａｔｓ％含有させることによって、該ＡＩＮ基
材等に直接接触する回路パターンの金属窒化物層の密着
強度を著しく向上できる。

従コて、本発明によればＣｕ層を中心にして上下にＭか
らなる金属層、Ｍ、Ｎ、で示される金属窒化物層を積層
した多層構造の回路パターンをＡｆＩＮ基材及びＡρＮ
薄膜に対して高い密着強度で設けることができるため、
使用時での薄膜導体層の剥離や断線等を防止でき、更に
Ｃｕを回路パターンのベース材料として用いることがで
きるために低抵抗化を達成でき、ひいては高速素子や高
密度素子の実装に適したＣｕ多層回路基板を得ることが
できる。

更に、Ｃｕ層とＭからなる金属層の間にバリア層を介在
することによって、金属層の種類によりその金属がＣｕ
層に拡散するのを前記バリア層で阻止できるため、安定
した低抵抗性を持つＣｕ層を有する回路パターンを備え
た回路基板を得ることができる。

（実施例）以下、本発明の実施例を図面を参照して詳細に説明する
。

実施例１まず、熱伝導率２７０Ｗ／ｍ−に１酸索含有量０．０５
ａｔｍ％のＡｆｉＮ基材を表面粗さが１５０ｎｓとなる
ようにラッピング、ポリッシングを行なった後、該基材
表面を湿式洗浄、逆スパツタを行なった。

つづいて、ＡＩＩＮ基材表面にスパッタ法により基材温
度２００℃、圧力１．０Ｐａｓパワー６００Ｗ　、ガス
種Ａｒの条件にてＣｒＮ層１５ｒｖ、Ｃｒ層５０ｎｓ。

Ｃｕ層２００ｎｓ＋、Ｃｒ層５０ｒｖＳＣｒ　Ｎ　Ｊｆ
ｉ　１５ｎｓを順次成膜した。つづいて、この多層導体
上に回路パターン形状のレジストパターンを形成し、該
レジストパターンをマイクとしてＣｒＮ層をドライエツ
チングにより、Ｃｒ層、Ｃｕ層を湿式エツチングにより
選択的に除去して第１層回路パターンを形成した。

次いで、前記第１層回路パターンを含むＡｆｉＮ基材上
にスパッタ法により熱伝導率２７０Ｗ　／　ｍ　・Ｋ　、酸素含有量０．０５ａｔｍ
％の第１層ＡρＮ薄膜を成膜した。なお、成膜条件は基
材温度１５０℃、圧力１．ＯＰａ、パワー５００Ｗ　、
ガス種Ａ　ｒ　／　Ｎ　２とした。つづいて、前記第１
ＡｆＮ薄膜上にスルボール予定部が開口されたレジスト
パターンを形成し、該レジストパターンをマスクとして
ＡＩＩＮ薄膜を選択的にドライエツチングしてスルホー
ルを開孔した。

次いで、スルホールが開孔された前記第１ＡｆＩＮ薄膜
上に前述したのと同様な方法によりＣｒＮ層１５ｎ１％
　Ｃｒ層り０ｎ＊ＳＣｕ層２００ｎｍ、　Ｃｒ層５０ｎ
−１ＣｒＮ層１５ｎｉを順次成膜し、バターニングして
多層構造を有する第２層回路パターンを形成した。この
工程において、第１層ＡＩＮ薄膜のコンタクトホール内
に前記第１層、第２層回路パターンを相互に結線する多
層構造の導体が形成された。つづいて、第２層回路パタ
ーンを含む前記第１ＡｆＩＮ薄膜上に前述したのと同様
な方法により第２層ＡＩＮ薄膜を形成し、コンタクトホ
ールを開孔した。この後、同様な方法により第３層回路
パターンの形成、第３層ＡＪ７Ｎ薄膜の形成、コンタク
トホールの開孔を行った。

次いで、最上層である第１ＡｆＮ薄膜上にスパッタ法に
よりＮｉ　Ｃｒ層５０ｎｇＳＰ　を層２０（ｌｎａを順
次成膜し、バターニングしてＮＩ　Ｃｒの低抗体、Ｎｉ
ｃｒ、／ｐｔからなる第４層回路パターンを形成した。

つづいて、ＰＣＺＭＴ層９００ｎ■を順次成膜した後、
バターニングして回路パターンの一部にオーバラップす
るＰＣＺＭＴからなる誘電体層を形成した。

ＰＣＺＭＴは（Ｐｂ　Ｃａ）　（（Ｚｎ＋／ｉ　Ｎｂ２
／ｉ　）　ｏ、　３（Ｈｇ＋／ｓ　Ｎｂ２／ｓ　）。、
ｓ　Ｔｉｏ、ｚ　）　　Ｏｓを示す。

次いで、全面にＣｒ層３０ｎ−１Ａｕ層２００ｎ−を順
次成膜した後、バターニングしてキャパシタの上部電極
を形成して、多層回路基板を製造した。

このような工程により製造された多層回路基板を第１図
に示す。図中の１は、ＡＩＮ基材であり、この基材ｌ上
にはＣｒ　Ｎ／Ｃｒ　／Ｃｕ　／Ｃｒ　／ＣｒＮからな
る多層構造の第１層回路パターン２が形成されている。

この回路パターン２を含む前記基材ｌ上にはコンタクト
ホール３を有する第１ＡｆＮ薄膜上が形成されている。

このＡｆｉＮ薄１１１４上には、多層構造の！Ｉ！２層
回路パターン５が形成されており、かつ該回路パターン
５の一部は前記コンタクトホール３内の多層導体層６を
通して前記第１層回路パターン２に接続されている。

前記第２層回路パターン　５を含む前記第１ＡｆＩＮ薄
膜上にはコンタクトホール７を有する第１ＡｆＮ薄膜上
が形成されている。このＡＩＮ薄膜８上には、多層構造
の第３層回路パターン９が形成されている。この回路パ
ターン９の一部は、前記コンタクトホール３．７内の多
層導体層８．１０を通して前記第１層回路パターン２に
接続されており、かつ前記コンタクトホール７内の多層
導体層ｌＯを通して前記第２層回路パターン５に接続さ
れている。前記第３層回路パターン９を含む前記第１Ａ
ｆＮ薄膜上にはコンタクトホール１１を有する第３層Ａ
ＩＮ薄膜１２が形成されている。このＡＩＮ薄１１１２
上には、ＮｆＣｒ／ｐｔからなる第４層回路パターン１
３、キャパシタの下部電極１４、ＮＩ　Ｃｒからなる低
抗体（図示せず）形成され、かつ前記第４層回路パター
ン１３は前記コンタクトホール１１内の多層導体層１５
を通して前記第３層回路パターン１２に接続されている
。

前記下部電極１４上の一部には、ＰＣＺＭＴからなる誘
電体層１６が形成されいる。この誘電体層１６上には、
Ｃｒ／Ａｕからなる上部電極１７が形成され、かつ前記
第３層ＡＩＮ薄膜１２に延在した上部電極１７部分は前
記コンタクトホール１１．　７内の多層導体層１０．１
８を通して前記第２層回路パターン５に接続されている
。

実施例２〜８下記第１表に示すＡＩＮ基材を用い、第１層〜第３層の
回路パターンの構成導体層、ＡＲＮ薄膜の成膜を同第１
表に示す条件にて行った以外、実施例１と同様な方法に
より　７種の多層回路基板を製造した。

参照例１．２下記第１表に示すＡｆＩＮ基材を用い、第１層〜第３層
の回路パターンの構成導体層、ＡＩＮ薄膜の成膜を同第
１表に示す条件にて行った以外、実施例１と同様な方法
により　２種の多層回路基板を製造した。

比較例下記第１表に示すＡＩＮ基材を用い、第１層〜第３層の
回路パターンの構成導体層、ＡｆＩＮ薄膜の成膜を同第
１表に示す条件にて行った以外、実施例１と同様な方法
により多層回路基板を製造した。

しかして、本実施例１〜８、参照例１．２及び比較例の
多層回路基板について第１層〜第３層の回路パターンの
主導体層（本実施例１〜８、参照例１．２ではＣｕ層、
比較例ではＡｕ層）とＡＩＮ薄膜の抵抗率を測定した。

また、前記各多層回路基板の引張り試験による第１層〜
第３層の回路パターンと基材、ＡｆｉＮ薄膜との間の密
着強度を調べた。その結果を同第１表に併記した。

第１表から明らかなように本実施例１〜８の多層回路基
板は、回路パターンの主導体層の抵抗率が低く、かつそ
れら回路パターンを挾むＡｆＩＮ薄膜の抵抗率が高く、
更に各回路パターンのＡρＮ基材及びＡｇＮ薄膜に対す
る密着強度が極めて高いことがわかる。これに対し、１
　Ｎ基材及びＩＮ薄膜中の酸素量が本発明の範囲（０，
００５〜３０ａｔｍ％）を外れる参照例１．２の多層回
路基板は各回路パターンのＡｆＩＮ基材及びＡｇＮ薄膜
に対する密着強度が不十分であることがわかる。

方、回路パターンがＮｌ／Ａｕからなる比較例の多層回
路基板は回路パターンのＡｊｌＮ基材及びＡｇＮ薄膜に
対する密着強度が不十分であり、しかも導体層としてＡ
ｕ層を用いるためコスト高となる。

［発明の効果］以上詳述した如く、本発明によればＣｕをベースとした
低抵抗の多層構造を有する回路パターンをＡｊｌＮ基材
やＡｊｌＮ薄膜に対して良好に密着でき、ひいては能動
素子等の高密度実装が可能な半導体モジュールに有用な
高信頼性で安価な回路基板を提供できる。

【図面の簡単な説明】

第１図は、本発明に係わる多層回路基板を示す断面図で
ある。ｌ・・・ＡｊｌＮ基材、２．５．９．１３・・・回路パ
ターン、４．８．１２・・・ＡＩＩＮ薄膜、３．７．１
１・・・コンタクトホール。

Claims

【特許請求の範囲】

（１）酸素含有量が０．００５〜３０ａｔｍ％の窒化ア
ルミニウム基材上に、金属Ｍ（ＭはＣｒ、Ｔｉ、Ｔａ、
Ｗ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｍｏ、Ｎｄ、Ｎｉの少なくとも１種）
の金属窒化物層、前記Ｍからなる金属層、Ｃｕ層、前記
Ｍからなる金属層及び前記金属窒化物層の多層構造を有
する回路パターンと酸素含有量が０．００５〜３０ａｔ
ｍ％の窒化アルミニウム薄膜とを繰り返し設けたことを
特徴とする回路基板。
（２）酸素含有量が０．００５〜３０ａｔｍ％の窒化ア
ルミニウム基材上に、Ｍ（ＭはＣｒ、Ｔｉ、Ｔａ、Ｗ、
Ｚｒ、Ｈｆ、Ｍｏ、Ｎｄ、Ｎｉの少なくと１種）の金属
窒化物層、前記Ｍからなる金属層、前記Ｍの拡散を防止
するバリア層、Ｃｕ層、バリア層、前記Ｍからなる金属
層及び前記金属窒化物層の多層構造を有する回路パター
ンと酸素含有量が０．００５〜３０ａｔｍ％の窒化アル
ミニウム薄膜とを繰り返し設けたことを特徴とする回路
基板。