JPH033322A - 液相エピタキシャル成長方法 - Google Patents
液相エピタキシャル成長方法Info
- Publication number
- JPH033322A JPH033322A JP13850289A JP13850289A JPH033322A JP H033322 A JPH033322 A JP H033322A JP 13850289 A JP13850289 A JP 13850289A JP 13850289 A JP13850289 A JP 13850289A JP H033322 A JPH033322 A JP H033322A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- epitaxial growth
- growth
- layer
- liquid phase
- solution
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 21
- 238000004943 liquid phase epitaxy Methods 0.000 title 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 28
- 239000007791 liquid phase Substances 0.000 claims abstract description 22
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 12
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims abstract description 11
- 230000002159 abnormal effect Effects 0.000 claims abstract description 9
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 4
- 239000007789 gas Substances 0.000 abstract description 4
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 230000001629 suppression Effects 0.000 abstract description 2
- 206010053759 Growth retardation Diseases 0.000 abstract 4
- 241001233061 earthworms Species 0.000 description 25
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 25
- 241000361919 Metaphire sieboldi Species 0.000 description 11
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 11
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 6
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 5
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 5
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 description 2
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 238000004090 dissolution Methods 0.000 description 1
- 239000012071 phase Substances 0.000 description 1
- 238000001556 precipitation Methods 0.000 description 1
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Liquid Deposition Of Substances Of Which Semiconductor Devices Are Composed (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、ＧａＰ化合物半導体の液相エピタキシャル成
長において、該エピタキシャル成長層表面の異常成長抑
制による溝状凹部の形成を解消する液相エピタキシャル
成長方法に関する。
長において、該エピタキシャル成長層表面の異常成長抑
制による溝状凹部の形成を解消する液相エピタキシャル
成長方法に関する。
液相エピタキシャル成長方法は、熱力学的な相平衡に基
づいた溶液からの結晶析出を利用して、結晶基板の主面
上に結晶を成長させるものであって、結晶欠陥の少ない
良質の結晶成長層が得られることから、レーザーダイオ
ード、発光ダイオードなど光デバイスを製造する場合に
多用される。
づいた溶液からの結晶析出を利用して、結晶基板の主面
上に結晶を成長させるものであって、結晶欠陥の少ない
良質の結晶成長層が得られることから、レーザーダイオ
ード、発光ダイオードなど光デバイスを製造する場合に
多用される。
しかしながら、液相エピタキシャル成長方法においては
、単結晶基板とこれに接触する溶液の温度をそのエピタ
キシャル成長過程で、該基板の全面にわたって均等な温
度に制御するのが困難であり、更に溶液の均一攪拌が困
難なために、該エピタキシャル層の成長厚さの均一性が
田なねれ易い、かかる問題点を解決するために、従来次
のような提案があった。
、単結晶基板とこれに接触する溶液の温度をそのエピタ
キシャル成長過程で、該基板の全面にわたって均等な温
度に制御するのが困難であり、更に溶液の均一攪拌が困
難なために、該エピタキシャル層の成長厚さの均一性が
田なねれ易い、かかる問題点を解決するために、従来次
のような提案があった。
例えば、特開昭６０−２０５９４号公報によれば、基板
表面と結晶学的な主面とのなす角θが、ストライブ状の
メサの方向と平行な方向における角度を０．５〜２＠、
またはこれと垂直な方向にｌＯ′とした基板を用いるこ
とによって、エピタキシャル層厚の面内分布を改善する
技術が開示されている。また、特開昭５９−２２５５１
８号公報によれば、基板の主面周縁部にドーナツ状の結
晶基板を接触設置し、主面の周縁部に端成長による突起
を生じさせない技術が開示されている。
表面と結晶学的な主面とのなす角θが、ストライブ状の
メサの方向と平行な方向における角度を０．５〜２＠、
またはこれと垂直な方向にｌＯ′とした基板を用いるこ
とによって、エピタキシャル層厚の面内分布を改善する
技術が開示されている。また、特開昭５９−２２５５１
８号公報によれば、基板の主面周縁部にドーナツ状の結
晶基板を接触設置し、主面の周縁部に端成長による突起
を生じさせない技術が開示されている。
しかしながら、主面の結晶学的方位が（１１１）に近い
ＧａＰ化合物半導体単結晶基板を用い、この上にＧａＰ
の液相エピタキシャル成長を行う際、約１１００ａの成
長を行うと、しばしばその基板の外周部に深さ３〜４μ
ｍ或いは時に１０〜５０ｔ１ｍに及ぶ細溝が形成され、
エピタキシャル成長面に複数のミミズのように複雑に曲
がりくねった表面形成が観察される（以下これをミミズ
と称する）、かかるミミズは前述したような細溝である
ので、このミミズを含む領域は、前述の光デバイスの製
造に用いることが出来ないので、解消を必要とする。
ＧａＰ化合物半導体単結晶基板を用い、この上にＧａＰ
の液相エピタキシャル成長を行う際、約１１００ａの成
長を行うと、しばしばその基板の外周部に深さ３〜４μ
ｍ或いは時に１０〜５０ｔ１ｍに及ぶ細溝が形成され、
エピタキシャル成長面に複数のミミズのように複雑に曲
がりくねった表面形成が観察される（以下これをミミズ
と称する）、かかるミミズは前述したような細溝である
ので、このミミズを含む領域は、前述の光デバイスの製
造に用いることが出来ないので、解消を必要とする。
本発明は、主面の結晶学的方位が（１１１１に近いＧａ
Ｐ化合物半導体基板にＧａＰ０液相エピタキシヤル成長
を行う際に、その成長表面にミミズが発生しないか、或
いはこの発生を著しく低減する液相エピタキシャル成長
方法を提供することを目的とする。
Ｐ化合物半導体基板にＧａＰ０液相エピタキシヤル成長
を行う際に、その成長表面にミミズが発生しないか、或
いはこの発生を著しく低減する液相エピタキシャル成長
方法を提供することを目的とする。
（課題を解決するための手段）
上記目的を達成するために、本発明においては、Ｃ；ａ
Ｐ化合物半導体基板上にエピタキシャル層を成長させる
液相エピタキシャル成長方法において、該エピタキシャ
ル成長層上に、ミミズ（異常成長抑制部分）発生の初期
段階で、該エピタキシャル成長を中断し、成長溶液を昇
温させて、該エピタキシャル成長層の一部溶解により該
ミミズ（異常成長抑制部分）を溶解除去した後、該エピ
タキシャル成長を再開するものである。
Ｐ化合物半導体基板上にエピタキシャル層を成長させる
液相エピタキシャル成長方法において、該エピタキシャ
ル成長層上に、ミミズ（異常成長抑制部分）発生の初期
段階で、該エピタキシャル成長を中断し、成長溶液を昇
温させて、該エピタキシャル成長層の一部溶解により該
ミミズ（異常成長抑制部分）を溶解除去した後、該エピ
タキシャル成長を再開するものである。
また、ミミズの成長は、成長層の厚さが約３０μｍで開
始し、成長層が約６０μｍを超えるとその除去が不能に
なるので、実際にミミズの生成を肉眼で観察せず、予め
予備テストでミミズの生成開始の厚さまたは時間を求め
、それらを基準に成長溶液の昇温、更に成長開始を行っ
てもよい。
始し、成長層が約６０μｍを超えるとその除去が不能に
なるので、実際にミミズの生成を肉眼で観察せず、予め
予備テストでミミズの生成開始の厚さまたは時間を求め
、それらを基準に成長溶液の昇温、更に成長開始を行っ
てもよい。
さらに、同じ目的を達成するための第２発明においては
、主面の結晶学的方位が（１１１）面に対し、８′以下
のオフアングルを有する基板を用いることによってミミ
ズの発生を抑制するものである。
、主面の結晶学的方位が（１１１）面に対し、８′以下
のオフアングルを有する基板を用いることによってミミ
ズの発生を抑制するものである。
本発明の課題解決手段としてのエピタキシャル成長層の
一部溶解によるミミズ発生防止手段は、オフアングルさ
れた基板と併用してもよいことは勿論である。
一部溶解によるミミズ発生防止手段は、オフアングルさ
れた基板と併用してもよいことは勿論である。
ミミズ領域は、エピタキシャル成長が抑制されており、
このため、ミミズを構成する細溝の深さが太き（なると
、エピタキシャル成長表面層のｐｎ接合に一部欠陥を生
じたり、また該接合近傍の発光が不充分となったり、更
に、発光ダイオード製作時に、エピタキシャル成長表面
層への電掻けけに際し、そのオーミック性及びボンダビ
リティ等に対し悪影響を及ぼす、従って、ミミズが完全
にないことが必要であるが、発光ダイオードの発光面積
は、エピタキシャル成長層の全表面積に対して著しく小
さいので、ミミズが成る程度エピタキシャル成長層上に
あっても、主として製造コストの点から許容される。本
願発明者の経験によれば、この許容されるミミズの発生
した面積は全エピタキシャル層表面積の５％程度と見ら
れる。
このため、ミミズを構成する細溝の深さが太き（なると
、エピタキシャル成長表面層のｐｎ接合に一部欠陥を生
じたり、また該接合近傍の発光が不充分となったり、更
に、発光ダイオード製作時に、エピタキシャル成長表面
層への電掻けけに際し、そのオーミック性及びボンダビ
リティ等に対し悪影響を及ぼす、従って、ミミズが完全
にないことが必要であるが、発光ダイオードの発光面積
は、エピタキシャル成長層の全表面積に対して著しく小
さいので、ミミズが成る程度エピタキシャル成長層上に
あっても、主として製造コストの点から許容される。本
願発明者の経験によれば、この許容されるミミズの発生
した面積は全エピタキシャル層表面積の５％程度と見ら
れる。
（発明の背景）
従来法による主面が結晶学的方位（１１１）に近いＧａ
Ｐ化合物半導体単結晶基板上のＧａＰ液相エピタキシャ
ル成長層の表面に発生するミミズの発生状況について添
付図面に基づいて説明しておく、第１図及び第２図はエ
ピタキシャル層りを示したもので、ミミズＭは第１図及
び第２図の（１）〜（Ｖｌ）の各段階を経て成長してい
くものと考えられる。（りは液相エピタキシャル成長の
初期の段階でエピタキシャル成長縞ρが生成してくる。
Ｐ化合物半導体単結晶基板上のＧａＰ液相エピタキシャ
ル成長層の表面に発生するミミズの発生状況について添
付図面に基づいて説明しておく、第１図及び第２図はエ
ピタキシャル層りを示したもので、ミミズＭは第１図及
び第２図の（１）〜（Ｖｌ）の各段階を経て成長してい
くものと考えられる。（りは液相エピタキシャル成長の
初期の段階でエピタキシャル成長縞ρが生成してくる。
（■）ではエピタキシャル層の成長とともに上記成長縞
ｌも成長し、そのステップも強くなる。 （ＩＩＩ）
ではエピタキシャル層の成長とともに上記成長縞２は二
重線ｍになる。（■）ではエピタキシャル層はさらに成
長し、上記二重ｐｍは白ミミズＭと称される状態まで成
長する。この白ミミズＭはいまだ溝が浅いために底で反
射した光は上部に出てくるので黒くはない、これに対し
、（Ｖ）及び（Ｖｌ）は白ミミズＭがさらに成長して黒
ミミズＭと称される状態となったことを示すもので、こ
の黒ミミズＭは溝が深いために光が上部に出てくること
はなく黒く見える。第２図（Ｖ）は普通の黒ミミズＭを
平面図で示すもので、この黒ミミズＭはエピタキシャル
成長縞に沿って形成されている。第２図（Ｖｌ）は強い
黒ミミズＭを平面図で示すもので、この黒ミミズ゛Ｍは
溝がより深くかつ直線化しており、一方の結晶方位にな
らって形成されている。
ｌも成長し、そのステップも強くなる。 （ＩＩＩ）
ではエピタキシャル層の成長とともに上記成長縞２は二
重線ｍになる。（■）ではエピタキシャル層はさらに成
長し、上記二重ｐｍは白ミミズＭと称される状態まで成
長する。この白ミミズＭはいまだ溝が浅いために底で反
射した光は上部に出てくるので黒くはない、これに対し
、（Ｖ）及び（Ｖｌ）は白ミミズＭがさらに成長して黒
ミミズＭと称される状態となったことを示すもので、こ
の黒ミミズＭは溝が深いために光が上部に出てくること
はなく黒く見える。第２図（Ｖ）は普通の黒ミミズＭを
平面図で示すもので、この黒ミミズＭはエピタキシャル
成長縞に沿って形成されている。第２図（Ｖｌ）は強い
黒ミミズＭを平面図で示すもので、この黒ミミズ゛Ｍは
溝がより深くかつ直線化しており、一方の結晶方位にな
らって形成されている。
（実施例）
以下に実施例を挙げて本発明を説明するが、本発明がこ
れらの実施例に限定されるものでないことは勿論である
。
れらの実施例に限定されるものでないことは勿論である
。
以下の実施例において使用した液相エピタキシャル成長
装置を、第３図に概略的に図示した。同図において、！
は基板、２は石英製ホルダーで、基板１を上昇下降する
。３は成長用溶液、４は石英製の容器本体、５は石英製
密閉蓋、６は雰囲気ガスの入口及び出口、７はヒーター
である。
装置を、第３図に概略的に図示した。同図において、！
は基板、２は石英製ホルダーで、基板１を上昇下降する
。３は成長用溶液、４は石英製の容器本体、５は石英製
密閉蓋、６は雰囲気ガスの入口及び出口、７はヒーター
である。
実施例１
の−に る
上記石英ホルダーに、主面の結晶学的方位が（１１１）
面に対し約１０’の傾きをもつＧａＰ化合物半導体基板
（直径約２インチφ、３００μｍ）を取り付け、成長溶
液（Ｇａ中にＧａＰを３゜３重量％の割合で溶解したも
の）に浸漬し、雰囲気ガスとしては、アルゴンガスを用
いた。第４図のような温度プログラムで、その成長溶液
の加熱冷却を行った。第４図には、縦軸に濃度を示し、
横軸には時間と成長層の対応する厚さを示した。
面に対し約１０’の傾きをもつＧａＰ化合物半導体基板
（直径約２インチφ、３００μｍ）を取り付け、成長溶
液（Ｇａ中にＧａＰを３゜３重量％の割合で溶解したも
の）に浸漬し、雰囲気ガスとしては、アルゴンガスを用
いた。第４図のような温度プログラムで、その成長溶液
の加熱冷却を行った。第４図には、縦軸に濃度を示し、
横軸には時間と成長層の対応する厚さを示した。
同図に示したごとく、成長溶液温度は１０４０℃から９
３０℃迄４°Ｃ／分で冷却させ、エピタキシャル成長を
行った後に、２℃／分で昇温し、９９０″Ｃに保って一
部成長層の溶解除去を行った。
３０℃迄４°Ｃ／分で冷却させ、エピタキシャル成長を
行った後に、２℃／分で昇温し、９９０″Ｃに保って一
部成長層の溶解除去を行った。
その後、再び８５０℃まで冷却して成長させた。
溶解除去前の成長層は推定値による。前記基板の一枚当
たりのミミズを含む面積を、拡大投影機スクリーン上で
計測した０本実施例における実験は２０回繰り返した。
たりのミミズを含む面積を、拡大投影機スクリーン上で
計測した０本実施例における実験は２０回繰り返した。
その結果を第１表に示した。
実施例２
第５図に示す温度プログラムにより、実施例１と同様の
基板及び溶液を用いて、実験を１３回繰り返した。その
結果を第１表に示した。
基板及び溶液を用いて、実験を１３回繰り返した。その
結果を第１表に示した。
比較例１
第６図に示す温度プログラムにより、実験を１４回行っ
た。その結果を第１表に示した０本実験は、比較実験で
、成長中断と昇温による成長層の溶解除去は行われなか
った。
た。その結果を第１表に示した０本実験は、比較実験で
、成長中断と昇温による成長層の溶解除去は行われなか
った。
（以下余白）
第１表
第１表において、Ｘはエピタキシャル成長層（成長工程
終了後）の全面積中、ミミズを含む面積Ｘを計測し、こ
れらエピタキシャル層上のミミズ面積Ｘを、実験基板枚
数で平均したものである。
終了後）の全面積中、ミミズを含む面積Ｘを計測し、こ
れらエピタキシャル層上のミミズ面積Ｘを、実験基板枚
数で平均したものである。
ＳはＸの標準偏差であり、ｓｉｎ及びｗａｘは、Ｘ値の
最大と最小をいう、第１表に示した結果から明らかな如
く、溶融除去工程を導入することによりミミズが減少す
ることが判明する。比較例は本発明の実施例と比較して
２〜３倍もミミズの発生が大きい。
最大と最小をいう、第１表に示した結果から明らかな如
く、溶融除去工程を導入することによりミミズが減少す
ることが判明する。比較例は本発明の実施例と比較して
２〜３倍もミミズの発生が大きい。
実施例３〜７及び比較例２及び３
の の ８ １ ｌ １実施例
１とオフアングルのみ異なったＧａＰ化合物半導体単結
晶基板を用い、第６図に示した温度プログラムでエピタ
キシャル成長を行った。ここで、基板のオフアングルは
、１’１３’＋４′、５’、？’、１０’、１３’の６
種各３枚を用いた。ミミズを含む面積を同様に測定し、
その結果を第７図に示した。この結果、オフアングルが
８′以下ではミミズを含む面積を基板総面積の５％以下
（表面積では１ ｃｄ以下）にすることができた。
１とオフアングルのみ異なったＧａＰ化合物半導体単結
晶基板を用い、第６図に示した温度プログラムでエピタ
キシャル成長を行った。ここで、基板のオフアングルは
、１’１３’＋４′、５’、？’、１０’、１３’の６
種各３枚を用いた。ミミズを含む面積を同様に測定し、
その結果を第７図に示した。この結果、オフアングルが
８′以下ではミミズを含む面積を基板総面積の５％以下
（表面積では１ ｃｄ以下）にすることができた。
以上のように、本発明によれば、液相エピタキシャル成
長層の表面の渦状の形状、即ちミミズの生成を解消し、
収率の向上及び面取り工数の減少を図ることができるも
のである。
長層の表面の渦状の形状、即ちミミズの生成を解消し、
収率の向上及び面取り工数の減少を図ることができるも
のである。
第１図は液相エピタキシャル成長層の表面に発生ずるミ
ミズの発生状況を示す摘示側面説明図、第２図は第１図
の上面説明図、第３図は実施例で使用した成長装置の概
略説明図、第４図は実施例１の液相エピタキシャル成長
工程の温度プログラムを示す図面、第５図は実施例２の
液相エピタキシャル成長工程の温度プログラムを示す図
面、第６図は比較例１の液相エピタキシャル成長工程の
温度プログラムを示す図面、第７図は実施例３〜７と比
較例２及び３のオフアングルとミミズを含む面積の相関
を示す図面である。 Ｍ・・・・ミミズ、１・・・半導体基板、２−石英製ホ
ルダー
ミズの発生状況を示す摘示側面説明図、第２図は第１図
の上面説明図、第３図は実施例で使用した成長装置の概
略説明図、第４図は実施例１の液相エピタキシャル成長
工程の温度プログラムを示す図面、第５図は実施例２の
液相エピタキシャル成長工程の温度プログラムを示す図
面、第６図は比較例１の液相エピタキシャル成長工程の
温度プログラムを示す図面、第７図は実施例３〜７と比
較例２及び３のオフアングルとミミズを含む面積の相関
を示す図面である。 Ｍ・・・・ミミズ、１・・・半導体基板、２−石英製ホ
ルダー
Claims (3)
- （１）ＧａＰ化合物半導体基板上にエピタキシャル層を
成長させる液相エピタキシャル成長方法において、該エ
ピタキシャル成長層上に、異常成長抑制部分発生の初期
段階で、該エピタキシャル成長を中断し、その一部溶解
により該異常成長抑制部分を溶解除去した後、該エピタ
キシャル成長を再開することを特徴とする液相エピタキ
シャル成長方法。 - （２）前記エピタキシャル成長層が３０〜６０μｍ成長
した後に、これを溶解除去することを特徴とする請求項
（１）記載の液相エピタキシャル成長方法。 - （３）ＧａＰ化合物半導体基板上にエピタキシャル層を
成長させる液相エピタキシャル成長方法において、該基
板の主面の結晶学的方位が（１１１）面とのなす角にお
いて、８′以下であることを特徴とする液相エピタキシ
ャル成長方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1138502A JP2703340B2 (ja) | 1989-05-31 | 1989-05-31 | 液相エピタキシャル成長方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1138502A JP2703340B2 (ja) | 1989-05-31 | 1989-05-31 | 液相エピタキシャル成長方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH033322A true JPH033322A (ja) | 1991-01-09 |
| JP2703340B2 JP2703340B2 (ja) | 1998-01-26 |
Family
ID=15223625
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1138502A Expired - Fee Related JP2703340B2 (ja) | 1989-05-31 | 1989-05-31 | 液相エピタキシャル成長方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2703340B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60254714A (ja) * | 1984-05-31 | 1985-12-16 | Fujikura Ltd | 絶縁巻線 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS533063A (en) * | 1976-06-29 | 1978-01-12 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Liquid phase epitaxial growth |
| JPS5756399A (en) * | 1980-09-18 | 1982-04-03 | Toshiba Corp | Manufacture of single crystal of compound with high decomposition pressure |
| JPS57103314A (en) * | 1980-12-18 | 1982-06-26 | New Japan Radio Co Ltd | Method for liquid phase epitaxial growth |
| JPS58107628A (ja) * | 1981-12-21 | 1983-06-27 | Nec Corp | 液相エピタキシヤル成長方法 |
-
1989
- 1989-05-31 JP JP1138502A patent/JP2703340B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS533063A (en) * | 1976-06-29 | 1978-01-12 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Liquid phase epitaxial growth |
| JPS5756399A (en) * | 1980-09-18 | 1982-04-03 | Toshiba Corp | Manufacture of single crystal of compound with high decomposition pressure |
| JPS57103314A (en) * | 1980-12-18 | 1982-06-26 | New Japan Radio Co Ltd | Method for liquid phase epitaxial growth |
| JPS58107628A (ja) * | 1981-12-21 | 1983-06-27 | Nec Corp | 液相エピタキシヤル成長方法 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60254714A (ja) * | 1984-05-31 | 1985-12-16 | Fujikura Ltd | 絶縁巻線 |
| JPH047571B2 (ja) * | 1984-05-31 | 1992-02-12 | Fujikura Ltd |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2703340B2 (ja) | 1998-01-26 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3875821B2 (ja) | ＧａＮ膜の製造方法 | |
| JP4691911B2 (ja) | Ｉｉｉ−ｖ族窒化物系半導体自立基板の製造方法 | |
| JP6212203B2 (ja) | 窒化物半導体単結晶基板の製造方法 | |
| US7481881B2 (en) | Method of manufacturing GaN crystal substrate | |
| JP2010208899A (ja) | Ｉｉｉ族窒化物半導体単結晶の製造方法、及びｉｉｉ族窒化物半導体単結晶基板の製造方法 | |
| JP2003321298A (ja) | ＳｉＣ単結晶及びその製造方法，エピタキシャル膜付きＳｉＣウエハ及びその製造方法，並びにＳｉＣ電子デバイス | |
| JP5120285B2 (ja) | Ｉｉｉ−ｖ族窒化物系半導体自立基板の製造方法 | |
| JPH033322A (ja) | 液相エピタキシャル成長方法 | |
| JP5173441B2 (ja) | 化合物半導体成長用基板およびエピタキシャル成長方法 | |
| JP5811255B2 (ja) | ＩＩＩ族窒化物半導体単結晶の製造方法およびＧａＮ基板の製造方法 | |
| JP3142312B2 (ja) | 六方晶半導体の結晶成長方法 | |
| JP2013193915A (ja) | Ｉｉｉ族窒化物半導体単結晶の製造方法 | |
| JP2004035360A (ja) | ＧａＮ単結晶基板、窒化物系半導体エピタキシャル基板及びその製造方法 | |
| CN104900779B (zh) | 一种iii-v族半导体单晶衬底孔洞消除之后的表面结构及其制备方法 | |
| JP4657724B2 (ja) | エピタキシャル成長方法およびエピタキシャル成長用基板 | |
| US20150259819A1 (en) | Asteriated Substrate for Light Emitting Diodes | |
| KR20130024476A (ko) | 반도체 기판 제조방법 | |
| JP2000124142A (ja) | 半導体層の製造方法 | |
| JP2007019048A (ja) | エピタキシャル成長方法及びエピタキシャル成長用基板 | |
| JP2804959B2 (ja) | Ш−ｖ族化合物半導体のエピタキシャル成長方法 | |
| JP2013193922A (ja) | ＩＩＩ族窒化物半導体単結晶の製造方法およびＧａＮ基板の製造方法 | |
| JPS63117425A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH03256324A (ja) | 半導体結晶基板の製造方法 | |
| JPS63207119A (ja) | 気相成長方法 | |
| JPH01226790A (ja) | 液相エピタキシヤル法におけるエピ成長時の表面改善方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20071003 Year of fee payment: 10 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081003 Year of fee payment: 11 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081003 Year of fee payment: 11 |
|
| S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081003 Year of fee payment: 11 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |