JPH0332211A - 弾性表面波デバイス - Google Patents

弾性表面波デバイス

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Publication number
JPH0332211A
JPH0332211A JP16750289A JP16750289A JPH0332211A JP H0332211 A JPH0332211 A JP H0332211A JP 16750289 A JP16750289 A JP 16750289A JP 16750289 A JP16750289 A JP 16750289A JP H0332211 A JPH0332211 A JP H0332211A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
piezoelectric layer
electrode
solder
film
sound absorbing
Prior art date
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Pending
Application number
JP16750289A
Other languages
English (en)
Inventor
Yoshimori Fujii
藤井 義守
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Murata Manufacturing Co Ltd
Original Assignee
Murata Manufacturing Co Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Murata Manufacturing Co Ltd filed Critical Murata Manufacturing Co Ltd
Priority to JP16750289A priority Critical patent/JPH0332211A/ja
Publication of JPH0332211A publication Critical patent/JPH0332211A/ja
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  • Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 足業↓乃紐皿芳昼 本発明は、絶縁板表面に形成したインターディジタルト
ランスデューサー電極部分の上に圧電層が形成されてな
る弾性表面波フィルタ等の弾性表面波デバイスに関する
灸米生技先 上述した弾性表面波フィルタは、その左側半分を第4図
(平面図)及び第5図(第4図のa部分の断面図)に示
すように、絶縁板lの表面1aには、櫛形のインターデ
ィジタル1〜ランスデユーザー(以下IDTという)電
極2aと、広幅の端子電極部2b、2cからなる電極2
が形成され、この端子電極部2b、2cの一部を残して
その上に圧電層3が形成されており、前記端子電極部2
b2cから圧電層3の一部にわたって上側に、例えばN
iとAgとを積層した半田馴染み用電極膜4が設けられ
ている。前記圧電層3の上には一部これからはみ出して
吸音材6が形成されていると共に、吸音材6が形成され
ていない半田馴染み用電極膜4部分には半田5付けがさ
れている。尚、図示しないが表面波フィルタの右側半分
についてもほぼ同様に構成されている。そして、その外
側に樹脂膜(図示せず)が浸漬により形成される。
が  しよ゛とする ところで、このような構成の場合には、半田5付けする
ときに半田が吸音材6の上に乗り難いため、吸音材6を
避けた状態で半田5が形成され、この結果として、接着
性の余り良くないシリコンゴム等からなる吸音材6にて
、半田馴染み用電極膜4と電極2のB部分(第5図参照
)が覆われることになる。
そして、その外側を前述のようにして樹脂膜の形成を行
うと、吸音材6が接着強度の劣化により捲れて、吸音材
6の下側、つまり前記B部分に湿気が侵入する虞れがあ
った。このため、耐湿性についての信頼性を確認すべく
耐湿試験や腐食促進試験を行うと、B部分の半田馴染み
用電極膜4や電極2が腐食して、これにより電気的特性
としての挿入損失が劣化したり、最悪の場合には電極2
が断線することがあった。
本発明は、耐湿性についての信頼性向上を図って、少な
くとも電極において腐食の発生が起こりにくい構成とし
た弾性表面波デバイスを提供することを目的とする。
諜鳳玉鼻W晃81悲モ技 本発明に係る弾性表面波デノ\イスは、絶縁板表面にI
DT電極及びそれと電気的に繋がった端子電極部が形成
され、少なくどもIDT電極の上には圧電層が形成され
、他方、端子電極部の上には半田馴染み用電極膜が形成
され、更にその上には前記圧電層と隙間のない状態で半
田が41着形成され、この半田及び/又は圧電層の上に
咬合+4が形成されていることを特徴とする。
ゴ1三−−−−−−□□□月− 本発明にあっては、端子電極部の上が全域にわたって半
田と圧電層で覆われており、吸音利と直接的に接触する
ことはない。この場合、半田と圧電層は共に接着性が高
いため、半田と圧電層との境界付近からの湿気の侵入が
生じにくい。
尖−格一桝 第1図は本発明を適用した弾性表面波フィルタを示す平
面図、第2図は第1図のA部分を示す断面図である。図
中1は、例えばガラス等からなる絶縁板であり、この絶
縁板Iの表面1aには電極2が形成されており、この電
極2は所定のパターンで形成された入ノノ用IDT電極
2a及び出力用IDT電極12aと、これらに接続しで
ある広幅の端子電極部2b、2c及び12b  12c
とから構成されている。
前記表面1aの中央部にはZn○等からなる圧電層3が
形成され、この圧電層3は端子電極部2a、2b、12
a、12bの大部分を残して、内電極2aと12aのほ
ぼ全域を覆っている。なお、電極2a、12aにおける
圧電層3の非形成部分としては、端子電極部2a等の全
体としてもよい。
前記端子電極部2a、2b、1.2a  12bの上か
ら一部圧電層3にわたった部分には、例えば下側にNi
膜4b、上側にAg膜4aが積層形成された半田馴染み
用電極膜4が被せられており、この半田馴染み用電極膜
4の上部は、全域にわたって半田5付けされている。こ
の半田5は一部が前記圧電Ill 3の端部の」二に重
なるように形成するか、或いは密接するように形成する
このような状態の圧電層3の上には、シリコン等からな
る吸音材6が形成され、更に外側に樹脂膜(図示せず)
が浸漬により形成されている。
したがって、この構成の場合には、第2図に示すように
電極2および12の上が、全域にわたって隙間なく密着
性の高い半田5とZnO等からなる圧電層3にて覆われ
ているため、最外層の樹脂を浸漬により形成して吸音材
6の端縁が捲くれても、半田15と圧電層3の内部、つ
まり半II+馴染の用電極膜4や電極2部分への湿気の
侵入を防止することができる。このことは、4箇所ある
端子電極部2a等において、すべて同様である。
なお、上記実施例では半田5を半田馴染み用電極膜4の
全域にわたって形成しているが、本発明はこれに限らず
、第3図に示すように電極2および12を全域にわたっ
て隙間な(覆い、かつ半田5と圧電層3が一部重なる状
態で、半田馴染み用電極11u4の一部を残して半田5
を形成するようにしてもよい。この場合には、半田馴染
み用電極膜4の一部が吸音材6にて直接に覆われたり、
裸の状態となって腐食されることがあるが、他の半田馴
染み用電極膜4部分は半田5と圧電層3により覆われて
おり、また腐食部分との間の距離が長いので電極2,1
2が腐食しにくい。
また、上記実施例では半田5をその一部が圧電層3の上
となるように形成しているが、本発明はこれに限らず、
半田5の一部が圧電層3の下になるようにしてもよい。
又、上記実施例では吸音材6を圧電層3の上に形成して
いるが、この吸音材6は圧電層3と半田5とに跨がって
、或いは半田5の上に形成するようにしてもよい。
更に、上記説明では弾性表面波フィルタに本発明を適用
しているが、本発明はこのフィルタに限るものでなく、
弾性表面波デバイス一般に適用できることは勿論である
発班□□□盈来 以上詳述した如く本発明による場合には、端子電極部の
上が全域にわたって半田と圧電層で覆われており、吸音
材と直接的に接触することはなく、しかも半田と圧電層
は共に接着性が高いため、電極部分への湿気の侵入を生
ずることがなく耐湿試験や腐食促進試験を行っても従来
のように挿入損4゜ 失の悪化や断線の発生がなく、耐湿性について信頼性の
向上を図れるという優れた効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明を適用した弾性表面波フィルタを示す平
面図、第2図は第1図のA部分における断面図、第3図
は本発明の他の実施例を示す断面図、第4図は従来の弾
性表面波フィルタを部分的に示す平面図、第5図は第4
図のa部分における断面図である。 1・・・絶縁板、la・・・表面、2.12・・・電極
、2a・・・入力用IDT電極、12a・・・出力用I
DT電極、2b、2c、12b、12cm・・端子電極
部、3・・・圧電層、5・・・半田、6・・・吸音利。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)絶縁板表面にインターディジタルトランスデュー
    サー電極及びそれと電気的に繋がった端子電極部が形成
    され、少なくともインターディジタルトランスデューサ
    ー電極の上には圧電層が形成され、他方、端子電極部の
    上には半田馴染み用電極膜が形成され、更にその上には
    前記圧電層と隙間のない状態で半田が付着形成され、こ
    の半田及び/又は圧電層の上に吸音材が形成されている
    ことを特徴とする弾性表面波デバイス。
JP16750289A 1989-06-29 1989-06-29 弾性表面波デバイス Pending JPH0332211A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP16750289A JPH0332211A (ja) 1989-06-29 1989-06-29 弾性表面波デバイス

Applications Claiming Priority (1)

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JP16750289A JPH0332211A (ja) 1989-06-29 1989-06-29 弾性表面波デバイス

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Publication Number Publication Date
JPH0332211A true JPH0332211A (ja) 1991-02-12

Family

ID=15850875

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Application Number Title Priority Date Filing Date
JP16750289A Pending JPH0332211A (ja) 1989-06-29 1989-06-29 弾性表面波デバイス

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JP (1) JPH0332211A (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1043836A2 (en) * 1999-04-09 2000-10-11 Murata Manufacturing Co., Ltd. Surface acoustic wave filter

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1043836A2 (en) * 1999-04-09 2000-10-11 Murata Manufacturing Co., Ltd. Surface acoustic wave filter
US6369673B1 (en) * 1999-04-09 2002-04-09 Murata Manufacturing Co., Ltd. Surface acoustic wave filter with terminal electrode coating film
EP1043836A3 (en) * 1999-04-09 2003-03-26 Murata Manufacturing Co., Ltd. Surface acoustic wave filter

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