JPH0330298B2 - - Google Patents
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- JPH0330298B2 JPH0330298B2 JP61289530A JP28953086A JPH0330298B2 JP H0330298 B2 JPH0330298 B2 JP H0330298B2 JP 61289530 A JP61289530 A JP 61289530A JP 28953086 A JP28953086 A JP 28953086A JP H0330298 B2 JPH0330298 B2 JP H0330298B2
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
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-
- H—ELECTRICITY
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- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
-
- H—ELECTRICITY
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/181—Encapsulation
Landscapes
- Wire Bonding (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
- ing And Chemical Polishing (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、半導体素子を外部へ電気的に接続
するためのリードフレームの製造方法に関し、特
にフオトエツチング法を利用してリードの先端部
に突起電極（以下「バンプ」という）が形成され
たリードフレームを製造する方法に関する。
するためのリードフレームの製造方法に関し、特
にフオトエツチング法を利用してリードの先端部
に突起電極（以下「バンプ」という）が形成され
たリードフレームを製造する方法に関する。
半導体素子（以下、「チツプ」という）の電極
部（以下「パツド」という）と外部接続端子とな
るリードフレームのリードとを接続する従来の方
法の１つとして、第１２図に示すように、チツプ
Ｃの接続端子である各パツドＰとリードフレーム
のリードＬとをワイヤＷによつて接続することが
知られている。第１２図は、リードＬにワイヤＷ
で接続されたチツプＣを樹脂モールドＭにより封
入してパツケージングした状態を示している。
部（以下「パツド」という）と外部接続端子とな
るリードフレームのリードとを接続する従来の方
法の１つとして、第１２図に示すように、チツプ
Ｃの接続端子である各パツドＰとリードフレーム
のリードＬとをワイヤＷによつて接続することが
知られている。第１２図は、リードＬにワイヤＷ
で接続されたチツプＣを樹脂モールドＭにより封
入してパツケージングした状態を示している。
チツプのパツドとリードフレームのリードとを
接続する別の方法としては、第１１図に示すよう
に、チツプＣの各パツドＰにバンプＢを形成し、
そのバンプＢにリードフレームとリードＬを接続
する、いわゆるテープキヤリヤ方式によるインナ
ーリード・ボンデイング技術がある。
接続する別の方法としては、第１１図に示すよう
に、チツプＣの各パツドＰにバンプＢを形成し、
そのバンプＢにリードフレームとリードＬを接続
する、いわゆるテープキヤリヤ方式によるインナ
ーリード・ボンデイング技術がある。
また、リードフレームのリードの先端にバンプ
を予め突設形成しておいて、そのバンプをチプの
パツドに接続する方法も知られている。例えば、
特開昭60−130147号公報には、絶縁性基板上にバ
ンプを形成しておき、そのバンプを絶縁性基板上
からリードの先端部に転写して接合した後、その
リード先端部のバンプとチツプのパツドとを接合
する転写バンプ方式の改良案が開示されている。
を予め突設形成しておいて、そのバンプをチプの
パツドに接続する方法も知られている。例えば、
特開昭60−130147号公報には、絶縁性基板上にバ
ンプを形成しておき、そのバンプを絶縁性基板上
からリードの先端部に転写して接合した後、その
リード先端部のバンプとチツプのパツドとを接合
する転写バンプ方式の改良案が開示されている。
さらにまた、U.S.P.4510017には、リードフレ
ームのリードに直接バンプを形成してそのバンプ
をチツプのパツドに接合することにより、チツプ
のパツドとリードとを接続する技術が開示されて
いる。リードフレームのリードに直接バンプを形
成する方法として、このU.S.P.4510017に開示さ
れているのは、メツキ処理とエツチング処理とを
組み合わせた方法である。すなわち、その形成方
法は、金属薄板の両面にそれぞれフオトレジスト
膜を形成し、所要のパターンを焼き付けて、それ
を現像した後、後記エツチング液に安定な金属
を、バンプ部に対応する部分等にメツキする工
程、第２回目のフオトレジストを塗布し、所要の
パターンを焼き付けて現像した後、エツチング液
でエツチングする工程、エツチング処理により金
属薄板に形成された凹部に絶縁性材料を充填する
工程、続いて金属薄板の両面からエツチングする
工程等から成つている。
ームのリードに直接バンプを形成してそのバンプ
をチツプのパツドに接合することにより、チツプ
のパツドとリードとを接続する技術が開示されて
いる。リードフレームのリードに直接バンプを形
成する方法として、このU.S.P.4510017に開示さ
れているのは、メツキ処理とエツチング処理とを
組み合わせた方法である。すなわち、その形成方
法は、金属薄板の両面にそれぞれフオトレジスト
膜を形成し、所要のパターンを焼き付けて、それ
を現像した後、後記エツチング液に安定な金属
を、バンプ部に対応する部分等にメツキする工
程、第２回目のフオトレジストを塗布し、所要の
パターンを焼き付けて現像した後、エツチング液
でエツチングする工程、エツチング処理により金
属薄板に形成された凹部に絶縁性材料を充填する
工程、続いて金属薄板の両面からエツチングする
工程等から成つている。
上述した従来の、チツプのパツドとリードフレ
ームのリードとの接続方法のうち、第１２図に例
示したワイヤボンデイング法においては、チツプ
の集積度の増大により、チツプの外部との接続端
子の個数も増大し、外部のリード端子とチツプの
パツドとの間を細線で１本ずつ接続することは、
生産性、作業性、信頼性が低く、また強度上から
も問題があり、さらに近年の小型・薄型化の要求
にも応えられない。
ームのリードとの接続方法のうち、第１２図に例
示したワイヤボンデイング法においては、チツプ
の集積度の増大により、チツプの外部との接続端
子の個数も増大し、外部のリード端子とチツプの
パツドとの間を細線で１本ずつ接続することは、
生産性、作業性、信頼性が低く、また強度上から
も問題があり、さらに近年の小型・薄型化の要求
にも応えられない。
また、第１１図に例示した、チツプのパツドに
バンプを突設してそのバンプとリードとを接合す
る方法においては、チツプの各パツドにそれぞれ
バンプを形成する工程を必要とするため、チツプ
のコストが高くなること、全てのチツプについて
そのパツドにバンプが突設されているものではな
いから適用できる範囲が限定されること、等とい
つた問題点がある。
バンプを突設してそのバンプとリードとを接合す
る方法においては、チツプの各パツドにそれぞれ
バンプを形成する工程を必要とするため、チツプ
のコストが高くなること、全てのチツプについて
そのパツドにバンプが突設されているものではな
いから適用できる範囲が限定されること、等とい
つた問題点がある。
次の、リードの先端部にバンプを付設してその
バンプをチツプのパツドに接合する方法、例えば
特開昭60−130147号公報に記載されている転写バ
ンプ方式は、絶縁性基板上の、チツプのパツドと
対応した位置にバンプを形成する工程、そのバン
プをリードに接合し、絶縁性基板上から剥離して
転写する工程等といつた非常に面倒で煩わしい工
程を経る必要がある。
バンプをチツプのパツドに接合する方法、例えば
特開昭60−130147号公報に記載されている転写バ
ンプ方式は、絶縁性基板上の、チツプのパツドと
対応した位置にバンプを形成する工程、そのバン
プをリードに接合し、絶縁性基板上から剥離して
転写する工程等といつた非常に面倒で煩わしい工
程を経る必要がある。
最後のU.S.P.4510017に記載された方法も、上
記したようにメツキ処理工程、２度のエツチング
処理工程、絶縁性材料の充填工程といつたような
極めて複雑な一連の工程を必要とする点で問題が
ある。
記したようにメツキ処理工程、２度のエツチング
処理工程、絶縁性材料の充填工程といつたような
極めて複雑な一連の工程を必要とする点で問題が
ある。
この発明は、従来方法における上記諸問題点を
解決するためになされたものであつて、比較的簡
単な一連の工程により、U.S.P.4510017に記載さ
れているような、リードに直接バンプを形成する
ことができるリードフレームの製造方法を提供す
ることを技術的課題とする。
解決するためになされたものであつて、比較的簡
単な一連の工程により、U.S.P.4510017に記載さ
れているような、リードに直接バンプを形成する
ことができるリードフレームの製造方法を提供す
ることを技術的課題とする。
この発明は、次の各工程を経てリードフレーム
を製造することにより上記課題を達成した。すな
わち、この発明に係るリードフレームの製造方法
は、金属薄板の両面にフオトレジスト膜を形成
し、金属薄板の表面に形成された前記各フオトレ
ジスト膜面にそれぞれ所要パターンを焼き付け、
それを現像して、金属薄板の一方の表面にリード
フレームの形状パターンの内、リードの先端領域
が先端部のバンプに対応する部分を除き、所定長
さ分だけ欠如した耐食性皮膜を、金属薄板の他方
の表面にリードフレームの形状パターンの耐食性
皮膜を、それぞれ互いに表裏で対応させて形成す
る工程と、金属薄板の一方の表面に形成された耐
食性皮膜上を耐エツチング性保護膜で完全に被覆
する工程と、金属薄板の他方の表面をエツチング
処理する工程と、金属薄板の前記一方の表面に形
成された耐食性皮膜上から前記耐エツチング性保
護膜を除去する工程と、金属薄板の両面を同時に
エツチング処理して、表面共に耐食性皮膜で被覆
されていない部分を貫通させる工程と、金属薄板
の両面から前記フオトレジスト膜を剥離する工程
とから構成されている。
を製造することにより上記課題を達成した。すな
わち、この発明に係るリードフレームの製造方法
は、金属薄板の両面にフオトレジスト膜を形成
し、金属薄板の表面に形成された前記各フオトレ
ジスト膜面にそれぞれ所要パターンを焼き付け、
それを現像して、金属薄板の一方の表面にリード
フレームの形状パターンの内、リードの先端領域
が先端部のバンプに対応する部分を除き、所定長
さ分だけ欠如した耐食性皮膜を、金属薄板の他方
の表面にリードフレームの形状パターンの耐食性
皮膜を、それぞれ互いに表裏で対応させて形成す
る工程と、金属薄板の一方の表面に形成された耐
食性皮膜上を耐エツチング性保護膜で完全に被覆
する工程と、金属薄板の他方の表面をエツチング
処理する工程と、金属薄板の前記一方の表面に形
成された耐食性皮膜上から前記耐エツチング性保
護膜を除去する工程と、金属薄板の両面を同時に
エツチング処理して、表面共に耐食性皮膜で被覆
されていない部分を貫通させる工程と、金属薄板
の両面から前記フオトレジスト膜を剥離する工程
とから構成されている。
この発明に係るリードフレームの製造方法によ
れば、金属薄板の一方の片面側が耐エツチング性
保護膜で完全に被覆された状態において金属薄板
の他方の片面側からエツチングされることによ
り、まず金属薄板の他方の表面の、リードフレー
ムに対応する部分以外の部分が板厚の1/4〜1/2程
度の深さの凹陥部となる。そして、次に行なわれ
る、金属薄板の両面側からのエツチングにより、
リードフレームに対応する部分以外の部分におい
て金属薄板が貫通するとともに、金属薄板の一方
の表面の、リードの先端部のバンプに対応する部
分がエツチングされないまま残り、その部分から
リードの所定長さ分にわたつて凹部が形成され、
その凹部以外の、リードフレームに対応する部分
はエツチングされないで残る。このようにしてリ
ードフレームが形成され、金属薄板の一方の片面
側がチツプとの対面側、すなわちコンタクト側と
なり、リードの先端部には凹部に対して突出した
バンプが形成される。
れば、金属薄板の一方の片面側が耐エツチング性
保護膜で完全に被覆された状態において金属薄板
の他方の片面側からエツチングされることによ
り、まず金属薄板の他方の表面の、リードフレー
ムに対応する部分以外の部分が板厚の1/4〜1/2程
度の深さの凹陥部となる。そして、次に行なわれ
る、金属薄板の両面側からのエツチングにより、
リードフレームに対応する部分以外の部分におい
て金属薄板が貫通するとともに、金属薄板の一方
の表面の、リードの先端部のバンプに対応する部
分がエツチングされないまま残り、その部分から
リードの所定長さ分にわたつて凹部が形成され、
その凹部以外の、リードフレームに対応する部分
はエツチングされないで残る。このようにしてリ
ードフレームが形成され、金属薄板の一方の片面
側がチツプとの対面側、すなわちコンタクト側と
なり、リードの先端部には凹部に対して突出した
バンプが形成される。
以下、図面を参照しながらこの発明の好適な実
施例について説明する。
施例について説明する。
第１図は、この発明の１実施例に係るリードフ
レームの製造方法における各処理工程を示したフ
ローチヤートであり、第２−１図ないし第２−７
図はそれぞれ、各処理工程における金属薄板の断
面の状態を完成時にリード先端領域となるべき部
分についてのみ部分的に表わした図、第３−１図
ないし第３−７図はそれぞれ、第２−１図ないし
第２−７図のＡ１−Ａ１ないしＡ７−Ａ７矢視断
面を、また第４−１図ないし第４−７図はそれぞ
れ、同じくＢ１−Ｂ１〜Ｂ７−Ｂ７矢視断面を部
分的に示した図である。
レームの製造方法における各処理工程を示したフ
ローチヤートであり、第２−１図ないし第２−７
図はそれぞれ、各処理工程における金属薄板の断
面の状態を完成時にリード先端領域となるべき部
分についてのみ部分的に表わした図、第３−１図
ないし第３−７図はそれぞれ、第２−１図ないし
第２−７図のＡ１−Ａ１ないしＡ７−Ａ７矢視断
面を、また第４−１図ないし第４−７図はそれぞ
れ、同じくＢ１−Ｂ１〜Ｂ７−Ｂ７矢視断面を部
分的に示した図である。
まず最初に、四二アロイや鋼等の金属薄板の表
面に対し整面、脱脂、洗浄等の各処理を施してか
ら（第１図ステツプS1）、金属薄板の両面にフオ
トレジスト液を塗布し、（同ステツプS2）、乾燥さ
せて（同ステツプS3）、第２−１図、第３−１図
及び第４−１図に示すように、金属薄板１０の両
面にフオトレジスト膜１２を均一な厚さに形成す
る。
面に対し整面、脱脂、洗浄等の各処理を施してか
ら（第１図ステツプS1）、金属薄板の両面にフオ
トレジスト液を塗布し、（同ステツプS2）、乾燥さ
せて（同ステツプS3）、第２−１図、第３−１図
及び第４−１図に示すように、金属薄板１０の両
面にフオトレジスト膜１２を均一な厚さに形成す
る。
次に、金属薄板１０の上面側のフオトレジスト
膜に、形成されたリードフレームにおいてチツプ
との対面側となるコンタクト側の所望パターンを
焼き付け、同時に金属薄板１０の下面側のフオト
レジスト膜には非コンタクト側の所望パターンを
焼き付け（同ステツプS4）、現像し（同ステツプ
S5）、水洗して（同ステツプS6）、乾燥させる（同
ステツプS7）。これらの工程により第２−２図、
第３−２図及び第４−２図に示すように、金属薄
板１０の両面にそれぞれ耐食性皮膜（レジスト）
１２′，１２″がそれぞれ被着形成される。第５図
及び第６図にそれぞれの部分平面図を示す。金属
薄板１０の上面側には、第５図に示すように、リ
ードフレームのリードの先端部に対応する部分に
耐食性皮膜１２′が島状に形成され、その部分か
らリードの所定長さ分にわたつて金属薄板１０の
表面が露呈したリードフレームの形状パターンが
描かれる。一方、金属薄板１０の下面側には、第
６図に示すように、リードフレームの形状パター
ン通りの耐食性皮膜12″が形成され、これら上下
面における各パターンは互いに対応した位置に描
かれている。また、第２−２図のＡ２−Ａ２矢視
断面から分かるように、リードフレームのリード
の非コンタクト部となる凹部を形成しようとする
位置においては、その上面側は耐食性皮膜が被着
されておらず、他方、第２−２図のＢ２−Ｂ２矢
視断面から分かるように、リード先端部のバンプ
を形成しようとする位置は、上下面とも耐食性皮
膜１２′，１２″で被覆されている。上下面とも耐
食性皮膜で被覆されないで金属薄板１０の表面が
露呈している位置は、後述する両面エツチングに
より互いに貫通する部分である。
膜に、形成されたリードフレームにおいてチツプ
との対面側となるコンタクト側の所望パターンを
焼き付け、同時に金属薄板１０の下面側のフオト
レジスト膜には非コンタクト側の所望パターンを
焼き付け（同ステツプS4）、現像し（同ステツプ
S5）、水洗して（同ステツプS6）、乾燥させる（同
ステツプS7）。これらの工程により第２−２図、
第３−２図及び第４−２図に示すように、金属薄
板１０の両面にそれぞれ耐食性皮膜（レジスト）
１２′，１２″がそれぞれ被着形成される。第５図
及び第６図にそれぞれの部分平面図を示す。金属
薄板１０の上面側には、第５図に示すように、リ
ードフレームのリードの先端部に対応する部分に
耐食性皮膜１２′が島状に形成され、その部分か
らリードの所定長さ分にわたつて金属薄板１０の
表面が露呈したリードフレームの形状パターンが
描かれる。一方、金属薄板１０の下面側には、第
６図に示すように、リードフレームの形状パター
ン通りの耐食性皮膜12″が形成され、これら上下
面における各パターンは互いに対応した位置に描
かれている。また、第２−２図のＡ２−Ａ２矢視
断面から分かるように、リードフレームのリード
の非コンタクト部となる凹部を形成しようとする
位置においては、その上面側は耐食性皮膜が被着
されておらず、他方、第２−２図のＢ２−Ｂ２矢
視断面から分かるように、リード先端部のバンプ
を形成しようとする位置は、上下面とも耐食性皮
膜１２′，１２″で被覆されている。上下面とも耐
食性皮膜で被覆されないで金属薄板１０の表面が
露呈している位置は、後述する両面エツチングに
より互いに貫通する部分である。
次に、第２−３図、第３−３図及び第４−３図
に示すように、金属薄板１０の上面側に耐食性皮
膜１２′の上から全面を被覆するように耐エツチ
ング性保護被膜１４を付着する（同ステツプS8）。
その後、耐エツチング性保護膜で保護されていな
い金属薄板１０の下面側にエツチング液を噴射
し、耐食性皮膜１２″で被覆されていない金属薄
板１０の部分を下面側からのみエツチングする
（同ステツプS9。そして、第２−４図、第３−４
図、第４−４図に示したように、金属薄板１０
が、その板厚の、例えば1/4〜1/2程度にまでエツ
チングされた時点でこの片面エツチングの処理を
終了し、必要に応じて金属薄板１０の表面を水洗
する。この片面エツチング工程により、金属薄板
１０の下面に凹陥部１６，１６′が形成される。
この後、第２−５図、第３−５図及び第４−５図
に示すように、金属薄板１０の上面側の耐エツチ
ング性保護膜を剥離してから（同ステツプS10）、
金属薄板１０の上下両面にエツチング液を吹き付
けて両面エツチング処理を行なう（同ステツプ
S11）。この両面エツチング工程により、第２−６
図、第３−６図及び第４−６図に示したように、
金属薄板１０の上面側には、凹部１８及びその凹
部１８から突出した凸部すなわちバンプ２０が形
成され、上下両面ともに耐食性皮膜１２′，１
２″で被覆されていない位置は上下方向に貫通す
る。
に示すように、金属薄板１０の上面側に耐食性皮
膜１２′の上から全面を被覆するように耐エツチ
ング性保護被膜１４を付着する（同ステツプS8）。
その後、耐エツチング性保護膜で保護されていな
い金属薄板１０の下面側にエツチング液を噴射
し、耐食性皮膜１２″で被覆されていない金属薄
板１０の部分を下面側からのみエツチングする
（同ステツプS9。そして、第２−４図、第３−４
図、第４−４図に示したように、金属薄板１０
が、その板厚の、例えば1/4〜1/2程度にまでエツ
チングされた時点でこの片面エツチングの処理を
終了し、必要に応じて金属薄板１０の表面を水洗
する。この片面エツチング工程により、金属薄板
１０の下面に凹陥部１６，１６′が形成される。
この後、第２−５図、第３−５図及び第４−５図
に示すように、金属薄板１０の上面側の耐エツチ
ング性保護膜を剥離してから（同ステツプS10）、
金属薄板１０の上下両面にエツチング液を吹き付
けて両面エツチング処理を行なう（同ステツプ
S11）。この両面エツチング工程により、第２−６
図、第３−６図及び第４−６図に示したように、
金属薄板１０の上面側には、凹部１８及びその凹
部１８から突出した凸部すなわちバンプ２０が形
成され、上下両面ともに耐食性皮膜１２′，１
２″で被覆されていない位置は上下方向に貫通す
る。
最後に、第２−７図、第３−７図及び第４−７
図に示すように、金属薄板１０の両面からそれぞ
れ耐食性皮膜を剥離し（同ステツプS12）、水洗
（同ステツプS13）、乾燥させた後（同ステツプ
S14）、リードフレーム部を切断する（同ステツプ
S15）。
図に示すように、金属薄板１０の両面からそれぞ
れ耐食性皮膜を剥離し（同ステツプS12）、水洗
（同ステツプS13）、乾燥させた後（同ステツプ
S14）、リードフレーム部を切断する（同ステツプ
S15）。
尚、前記第２−２図の状態で金属薄板１０の両
面から同時にエツチング処理してバンプ付きのリ
ードフレームを作成することも考えられるが、こ
の場合、第３−６図の１０で示される部分、すな
わち凹部１８が形成された部分のリードの板厚が
所定の値になるよう表裏両面のエツチング速度を
調製することが困難であるため実用化はされてい
ない。
面から同時にエツチング処理してバンプ付きのリ
ードフレームを作成することも考えられるが、こ
の場合、第３−６図の１０で示される部分、すな
わち凹部１８が形成された部分のリードの板厚が
所定の値になるよう表裏両面のエツチング速度を
調製することが困難であるため実用化はされてい
ない。
第７図は、完成されたリードフレームのリード
の先端部分を第２−７図における矢印Ｄ方向に見
た斜視図である。同図からも分かるように、各リ
ード２２の先端に向かつて凹部１８が形成され、
その凹部１８のさらに先端にバンプ２０が形成さ
れている。第９図に、帯状金属薄板２４にリード
フレームを形成した１例を示すが、同図のＧ部を
拡大して表わしたものに相当するのが第７図であ
る。また第８図に、上記した各工程を経ることに
よつて形成されたリードフレームのリード２２の
先端部のバンプ２０とチツプＣのパツドＰとを接
合した状態を示す。これらの図において、金属薄
板２４の厚さ、従つてリード２２の厚さｄは通常
約150μｍであり、リード２２の幅ｅは約100μｍ
である。またバンプ２０の縦及び横幅ａ及びｂ
は、共に約60μｍである。但し、バンプ２０の下
面形状は、図示例のように正方形に限定されるも
のではなく、円形等の他の形状であつてもよい。
また、凹部１８が形成されている部分のリードの
厚さｃは50〜70μｍ程度となる。尚、以上の寸法
は１例を示したものであつて各寸法は、リードの
本数、金属薄板の材質等により最適なものに設定
されることになる。
の先端部分を第２−７図における矢印Ｄ方向に見
た斜視図である。同図からも分かるように、各リ
ード２２の先端に向かつて凹部１８が形成され、
その凹部１８のさらに先端にバンプ２０が形成さ
れている。第９図に、帯状金属薄板２４にリード
フレームを形成した１例を示すが、同図のＧ部を
拡大して表わしたものに相当するのが第７図であ
る。また第８図に、上記した各工程を経ることに
よつて形成されたリードフレームのリード２２の
先端部のバンプ２０とチツプＣのパツドＰとを接
合した状態を示す。これらの図において、金属薄
板２４の厚さ、従つてリード２２の厚さｄは通常
約150μｍであり、リード２２の幅ｅは約100μｍ
である。またバンプ２０の縦及び横幅ａ及びｂ
は、共に約60μｍである。但し、バンプ２０の下
面形状は、図示例のように正方形に限定されるも
のではなく、円形等の他の形状であつてもよい。
また、凹部１８が形成されている部分のリードの
厚さｃは50〜70μｍ程度となる。尚、以上の寸法
は１例を示したものであつて各寸法は、リードの
本数、金属薄板の材質等により最適なものに設定
されることになる。
また、被加工素材である金属薄板は、リードフ
レーム１個の大きさに相当する大きさの１枚ずつ
の板材であつてもよいし、また第９図にその一部
を示したように、リードフレームの幅に相当する
幅をもつ帯状の金属薄板２４に所定のピツチで多
数のリードフレームを形成するようにしてもよ
く、この発明に係る方法は板材の大きさによつて
限定されない。尚、第９図中、孔２６はアライン
メント兼送りの用をなすためのものである。
レーム１個の大きさに相当する大きさの１枚ずつ
の板材であつてもよいし、また第９図にその一部
を示したように、リードフレームの幅に相当する
幅をもつ帯状の金属薄板２４に所定のピツチで多
数のリードフレームを形成するようにしてもよ
く、この発明に係る方法は板材の大きさによつて
限定されない。尚、第９図中、孔２６はアライン
メント兼送りの用をなすためのものである。
第１０図に、上記した第１図のステツプS5〜
S15の一連の工程を連続的に実施する装置の模式
側面図を示す。この装置における動作を次に簡単
に説明する。
S15の一連の工程を連続的に実施する装置の模式
側面図を示す。この装置における動作を次に簡単
に説明する。
フオトレジスト膜が形成され、そのフオトレジ
スト膜に所要のパターンが焼き付けられた帯状金
属板３０が図面の右方向から左方向へ水平に走行
させられる。まず、現像処理装置３２内におい
て、金属薄板の両面を被覆している各フオトレジ
スト膜の表面に上下両方向から現像液を噴射して
現像した後、水洗・乾燥処理装置３４内において
水洗及び乾燥処理が行なわれる。次に、ロール３
６に巻かれた耐エツチング性保護シート３８をそ
のロール３６から一対のローラ４０間へ送り出
す。この一対のローラ４０間に帯状金属薄板３０
と保護シート３８とを同時に通しながら加圧する
ことにより、金属薄板３０の上面側に保護シート
３８を完全に密着させて積層する。この状態で金
属薄板３０を第１エツチングチヤンバ４２内を走
行させ、金属薄板３０の下面側にエツチング液を
吹き付けて片面エツチングを行なう。第１エツチ
ングチヤンバ４２を通過し終わつた金属薄板３０
と保護シート３８とは、剥離ローラ４４の位置で
金属薄板３０の上面側から保護シート３８が剥離
され、保護シート３８はロール４６に巻き取られ
る。尚、図示例の装置におけるように、リードフ
レームのリードのコンタクト側となる面を上面側
とした方が、そのコンタクト側は図示しない搬送
ローラと接触しないことから、品質向上のために
は好ましいが、反対向きにすることも可能であ
る。
スト膜に所要のパターンが焼き付けられた帯状金
属板３０が図面の右方向から左方向へ水平に走行
させられる。まず、現像処理装置３２内におい
て、金属薄板の両面を被覆している各フオトレジ
スト膜の表面に上下両方向から現像液を噴射して
現像した後、水洗・乾燥処理装置３４内において
水洗及び乾燥処理が行なわれる。次に、ロール３
６に巻かれた耐エツチング性保護シート３８をそ
のロール３６から一対のローラ４０間へ送り出
す。この一対のローラ４０間に帯状金属薄板３０
と保護シート３８とを同時に通しながら加圧する
ことにより、金属薄板３０の上面側に保護シート
３８を完全に密着させて積層する。この状態で金
属薄板３０を第１エツチングチヤンバ４２内を走
行させ、金属薄板３０の下面側にエツチング液を
吹き付けて片面エツチングを行なう。第１エツチ
ングチヤンバ４２を通過し終わつた金属薄板３０
と保護シート３８とは、剥離ローラ４４の位置で
金属薄板３０の上面側から保護シート３８が剥離
され、保護シート３８はロール４６に巻き取られ
る。尚、図示例の装置におけるように、リードフ
レームのリードのコンタクト側となる面を上面側
とした方が、そのコンタクト側は図示しない搬送
ローラと接触しないことから、品質向上のために
は好ましいが、反対向きにすることも可能であ
る。
保護シート３８が剥離された金属薄板３０は、
第２エツチングチヤンバ４８へ搬送され、この第
２エツチングチヤンバ４８内を走行する間に両面
エツチングが行なわれる。そして次に、剥離・水
洗・脱水処理装置５０において、レジスト剥離、
水洗及び乾燥処理が行なわれた後、帯状金属薄板
３０を水平駆動させる一対のニツプルローラ５２
間を通つて、シヤーリング装置５４により帯状金
属薄板３０からリードフレームが切断される。
第２エツチングチヤンバ４８へ搬送され、この第
２エツチングチヤンバ４８内を走行する間に両面
エツチングが行なわれる。そして次に、剥離・水
洗・脱水処理装置５０において、レジスト剥離、
水洗及び乾燥処理が行なわれた後、帯状金属薄板
３０を水平駆動させる一対のニツプルローラ５２
間を通つて、シヤーリング装置５４により帯状金
属薄板３０からリードフレームが切断される。
尚、図示例装置のように保護シート３８を金属
薄板３０の上面側に積層する代わりに、現像処理
後に金属薄板の上面側にラツカー等の耐エツチン
グ性液体をスプレーで塗布し、それを乾燥させて
保護膜を形成するようにしてもよい。その場合に
は、金属薄板の上面側から保護膜を剥離する方法
として、図示例と同様に剥離ローラを使用して行
なう方法、あるいは保護膜で片面が被覆された状
態の金属薄板を剥離液にデイツプ処理する方法な
どがある。
薄板３０の上面側に積層する代わりに、現像処理
後に金属薄板の上面側にラツカー等の耐エツチン
グ性液体をスプレーで塗布し、それを乾燥させて
保護膜を形成するようにしてもよい。その場合に
は、金属薄板の上面側から保護膜を剥離する方法
として、図示例と同様に剥離ローラを使用して行
なう方法、あるいは保護膜で片面が被覆された状
態の金属薄板を剥離液にデイツプ処理する方法な
どがある。
この発明は以上説明したように構成されかつ作
用するので、この発明に係る方法によりリードフ
レームを製造するときは、比較的簡単な一連の工
程により、リードに直接バンプが形成されたリー
ドフレームを精度良く作ることができ、その生産
性も高い。
用するので、この発明に係る方法によりリードフ
レームを製造するときは、比較的簡単な一連の工
程により、リードに直接バンプが形成されたリー
ドフレームを精度良く作ることができ、その生産
性も高い。
第１図は、この発明の１実施例に係るリードフ
レームの製造方法における各処理工程を示したフ
ローチヤート、第２−１図ないし第２−７図はそ
れぞれ、各処理工程における金属薄板の断面の状
態を部分的に表わした断面図、第３−１図ないし
第３−７図及び第４−１図ないし第４−７図はそ
れぞれ、第２−１図ない第２−７図のＡ１−Ａ１
〜Ａ７−Ａ７及びＢ１−Ｂ１〜Ｂ７−Ｂ７各矢視
断面図、第５図及び第６図はそれぞれ、金属薄板
に耐食性皮膜が形成された状態における上面図及
び下面図、第７図は、第２−７図における矢印Ｄ
方向からリードフレームのリードの先端部分を見
た斜視図、第８図は、この発明に係る方法によつ
て製造されたリードフレームのリードの先端部に
形成されたバンプとチツプのパツドとの接合状態
を示す一部断面拡大側面図、第９図は、リードフ
レームが形成された帯状金属薄板の一部を示す斜
視図、第１０図は、この発明に係る方法を実施す
るための装置の１例を示す模式側面図であり、第
１１図及び第１２図はそれぞれ、チツプのパツド
とリードフレームのリードとを接続する従来方法
の例を示す拡大側断面図である。 １０……金属薄板、１２……フオトレジスト
膜、１２′……耐食性皮膜、１４……耐エツチン
グ性保護膜、１８……凹部、２０……突起電極
（バンプ）、２２……リード、Ｃ……半導体素子
（チツプ）、Ｐ……電極部（パツド）。
レームの製造方法における各処理工程を示したフ
ローチヤート、第２−１図ないし第２−７図はそ
れぞれ、各処理工程における金属薄板の断面の状
態を部分的に表わした断面図、第３−１図ないし
第３−７図及び第４−１図ないし第４−７図はそ
れぞれ、第２−１図ない第２−７図のＡ１−Ａ１
〜Ａ７−Ａ７及びＢ１−Ｂ１〜Ｂ７−Ｂ７各矢視
断面図、第５図及び第６図はそれぞれ、金属薄板
に耐食性皮膜が形成された状態における上面図及
び下面図、第７図は、第２−７図における矢印Ｄ
方向からリードフレームのリードの先端部分を見
た斜視図、第８図は、この発明に係る方法によつ
て製造されたリードフレームのリードの先端部に
形成されたバンプとチツプのパツドとの接合状態
を示す一部断面拡大側面図、第９図は、リードフ
レームが形成された帯状金属薄板の一部を示す斜
視図、第１０図は、この発明に係る方法を実施す
るための装置の１例を示す模式側面図であり、第
１１図及び第１２図はそれぞれ、チツプのパツド
とリードフレームのリードとを接続する従来方法
の例を示す拡大側断面図である。 １０……金属薄板、１２……フオトレジスト
膜、１２′……耐食性皮膜、１４……耐エツチン
グ性保護膜、１８……凹部、２０……突起電極
（バンプ）、２２……リード、Ｃ……半導体素子
（チツプ）、Ｐ……電極部（パツド）。
Claims (1)
- １ 金属薄板の両面にフオトレジスト膜を形成
し、金属薄板の表面に形成された前記各フオトレ
ジスト膜面にそれぞれ所要パターンを焼き付け、
それを現像して、金属薄板の一方の表面にリード
フレームの形状パターンの内、リードの先端領域
が先端部の突起電極に対応する部分を除き、所定
長さ分だけ欠如した耐食性皮膜を、金属薄板の他
方の表面にリードフレームの形状パターンの耐食
性皮膜を、それぞれ互いに表裏で対応させて形成
する工程と、金属薄板の一方の表面に形成された
耐食性皮膜上を耐エツチング性保護膜で完全に被
覆する工程と、金属薄板の他方の表面をエツチン
グ処理する工程と、金属薄板の前記一方の表面に
形成された耐食性皮膜上から前記耐エツチング性
保護膜を除去する工程と、金属薄板の両面を同時
にエツチング処理して、表裏共に耐食性皮膜で被
覆されていない部分を貫通させる工程と、金属薄
板の両面から前記フオトレジスト膜を剥離する工
程とからなる、リードフレームの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61289530A JPS63142660A (ja) | 1986-12-04 | 1986-12-04 | リ−ドフレ−ムの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61289530A JPS63142660A (ja) | 1986-12-04 | 1986-12-04 | リ−ドフレ−ムの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63142660A JPS63142660A (ja) | 1988-06-15 |
| JPH0330298B2 true JPH0330298B2 (ja) | 1991-04-26 |
Family
ID=17744442
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61289530A Granted JPS63142660A (ja) | 1986-12-04 | 1986-12-04 | リ−ドフレ−ムの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63142660A (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5200025A (en) * | 1990-09-20 | 1993-04-06 | Dainippon Screen Manufacturing Co. Ltd. | Method of forming small through-holes in thin metal plate |
| JP2527840B2 (ja) * | 1990-10-24 | 1996-08-28 | 株式会社三井ハイテック | リ―ドフレ―ム |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5381074A (en) * | 1976-12-23 | 1978-07-18 | Siemens Ag | Intermediate supporting plate for supporting semiconductor contact and method of producing same |
| JPS55138864A (en) * | 1979-04-16 | 1980-10-30 | Sharp Corp | Method of fabricating semiconductor assembling substrate |
-
1986
- 1986-12-04 JP JP61289530A patent/JPS63142660A/ja active Granted
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5381074A (en) * | 1976-12-23 | 1978-07-18 | Siemens Ag | Intermediate supporting plate for supporting semiconductor contact and method of producing same |
| JPS55138864A (en) * | 1979-04-16 | 1980-10-30 | Sharp Corp | Method of fabricating semiconductor assembling substrate |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS63142660A (ja) | 1988-06-15 |
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