JPH03297153A - バンプの転写方法 - Google Patents
バンプの転写方法Info
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- JPH03297153A JPH03297153A JP2101026A JP10102690A JPH03297153A JP H03297153 A JPH03297153 A JP H03297153A JP 2101026 A JP2101026 A JP 2101026A JP 10102690 A JP10102690 A JP 10102690A JP H03297153 A JPH03297153 A JP H03297153A
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- bonding
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Classifications
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
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- H01L2224/113—Manufacturing methods by local deposition of the material of the bump connector
- H01L2224/1133—Manufacturing methods by local deposition of the material of the bump connector in solid form
- H01L2224/11334—Manufacturing methods by local deposition of the material of the bump connector in solid form using preformed bumps
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- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
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- H01L2924/11—Device type
- H01L2924/14—Integrated circuits
Landscapes
- Wire Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、ＩＣチップの電極と外部リードとの接続法の
一種であるＴＡＢ法において使用されるバンプ付きＴＡ
Ｂテープの作製において、ＴＡＢテープのリード先端部
にバンプとなる金属を転写するに際し、所定の配列パタ
ーンに従ってバンプが自動的に配列され、さらにＴＡＢ
テープのリード先端部に接合されるようにするための、
バンプの転写方法に関する。
一種であるＴＡＢ法において使用されるバンプ付きＴＡ
Ｂテープの作製において、ＴＡＢテープのリード先端部
にバンプとなる金属を転写するに際し、所定の配列パタ
ーンに従ってバンプが自動的に配列され、さらにＴＡＢ
テープのリード先端部に接合されるようにするための、
バンプの転写方法に関する。
Ｔ Ａ Ｂ （Ｔａｐｅ Ａｕｔｏｍａｔｅｄ ｂｏｎ
ｄｉｎｇ）法は、ＩＣチップの電極部へのリード配線を
、ＴＡＢテープ上にパターン化されて形成されているリ
ードの先端部分とＩＣチップの電極部とを、バンプと呼
ばれる接合用の金属突起を介して接合する方法である。
ｄｉｎｇ）法は、ＩＣチップの電極部へのリード配線を
、ＴＡＢテープ上にパターン化されて形成されているリ
ードの先端部分とＩＣチップの電極部とを、バンプと呼
ばれる接合用の金属突起を介して接合する方法である。
バンプは予めＴＡＢテープのリード側か、もしくはＩＣ
チップの電極側かのいずれかに取り付けて置き、ＴＡＢ
テープとＩＣチップの接合は、ボンディングマシンを使
って加熱・加圧されることによって行われる。
チップの電極側かのいずれかに取り付けて置き、ＴＡＢ
テープとＩＣチップの接合は、ボンディングマシンを使
って加熱・加圧されることによって行われる。
バンプをＩＣチップ側でなくＴＡＢテープのリード側に
形成しておく方法は、バンプ接合中にＩＣチップを傷め
る心配の無いことから、近年広く行われるようになって
きた。バンプ付きＴＡＢの製造方法は、リードを厚めに
作っておき、バンプになる部分だけを残して他をエツチ
ング等の方法で薄く削り取るとか、予めガラス等の基板
上にメツキで作製しておいたバンプを、リード先端部に
転写することが普通である。これらの方法の中で最も広
〈実施されているのは、Ｎａｔｉｏｎａｌ Ｔｅｃｈｎ
ｉｃａｌ Ｒｅｐｏｒｔ Ｖｏｌ、３１．Ｎｏ、３（１
９８５）、Ｐ、１１６−１２４に記載されているもので
、基板上にメツキで作製したバンプをリード先端部に転
写する方法である。ただしこの方法で作製されたバンプ
付きＴＡＢテープのバンプは形状が矩形に近いものとな
るため、バンプの高さが正確に揃っていないとＩＣチッ
プの電極との接合にバラツキが生じやすいとう欠点があ
った。またバンプをメツキで形成するために、バンプと
なる金属や合金を、メツキが簡単に行える範囲のものの
なかから選ばなければならないという制約もあった。
形成しておく方法は、バンプ接合中にＩＣチップを傷め
る心配の無いことから、近年広く行われるようになって
きた。バンプ付きＴＡＢの製造方法は、リードを厚めに
作っておき、バンプになる部分だけを残して他をエツチ
ング等の方法で薄く削り取るとか、予めガラス等の基板
上にメツキで作製しておいたバンプを、リード先端部に
転写することが普通である。これらの方法の中で最も広
〈実施されているのは、Ｎａｔｉｏｎａｌ Ｔｅｃｈｎ
ｉｃａｌ Ｒｅｐｏｒｔ Ｖｏｌ、３１．Ｎｏ、３（１
９８５）、Ｐ、１１６−１２４に記載されているもので
、基板上にメツキで作製したバンプをリード先端部に転
写する方法である。ただしこの方法で作製されたバンプ
付きＴＡＢテープのバンプは形状が矩形に近いものとな
るため、バンプの高さが正確に揃っていないとＩＣチッ
プの電極との接合にバラツキが生じやすいとう欠点があ
った。またバンプをメツキで形成するために、バンプと
なる金属や合金を、メツキが簡単に行える範囲のものの
なかから選ばなければならないという制約もあった。
本願発明者等は先に、ＴＡＢテープのリード先端部に球
形のバンプを形成する新しい方法を、特願平１−２３４
９１７号として出願した。この方法は、バンプを配列す
べき位置に合わせて貫通穴を設けた平板の裏側を真空に
吸引しておき、上記貫通穴部分にバンプとなる金属球を
吸い寄せて仮固定した後に、ＴＡＢテープのリードと平
板上に配列・仮固定されている金属球とを重ね合わせて
接合するというものである。
形のバンプを形成する新しい方法を、特願平１−２３４
９１７号として出願した。この方法は、バンプを配列す
べき位置に合わせて貫通穴を設けた平板の裏側を真空に
吸引しておき、上記貫通穴部分にバンプとなる金属球を
吸い寄せて仮固定した後に、ＴＡＢテープのリードと平
板上に配列・仮固定されている金属球とを重ね合わせて
接合するというものである。
球形のバンプは、これまでの、ガラス基板等の上にメツ
キで形成された矩形のバンプに比べて変形しやすく、接
合の面からは有利なものである。
キで形成された矩形のバンプに比べて変形しやすく、接
合の面からは有利なものである。
しかしながらメツキによってバンプを形成する場合には
、始めから配列すべき所定の位置を特定して形成するこ
とができるのに対して、球形バンプはバラバラの状態で
作製されるため、所定の位置に如何にして能率良く配列
できるか、さらにはＴＡＢテープ上のリード部分に如何
にして容易に転写できるかが大きな問題となる。
、始めから配列すべき所定の位置を特定して形成するこ
とができるのに対して、球形バンプはバラバラの状態で
作製されるため、所定の位置に如何にして能率良く配列
できるか、さらにはＴＡＢテープ上のリード部分に如何
にして容易に転写できるかが大きな問題となる。
本発明の目的は、先の出願をさらに発展させた、バンプ
の転写・接合がより安定してかつ効率的に実現できる方
法の提供にある。さらに、前記の効率的なバンプの転写
・接合が、既存のＴＡＢボンダーを有効に活用できるよ
うな形で行えるようにする方法の提供も、本発明の目的
とした。
の転写・接合がより安定してかつ効率的に実現できる方
法の提供にある。さらに、前記の効率的なバンプの転写
・接合が、既存のＴＡＢボンダーを有効に活用できるよ
うな形で行えるようにする方法の提供も、本発明の目的
とした。
〔課題を解決するための手段〕
本発明は、
（１）貫通穴を有する平板の裏側を真空に吸引すること
によって所定の位１にバンプを配列し、しかる後にＴＡ
Ｂテープのリード上に前記の配列されたバンプを接合・
転写してバンプ付きＴＡＢテープを製造するに際して、
バンプとリードとの接合後に平板裏側部の真空を一次的
にリークした状態として、バンプを接合したリードを有
するテープを平板から引き離すことを特徴とするバンプ
の転写方法、 （２）貫通穴を有する平板の裏側を真空に吸引すること
によって所定の位置にバンプを配列し、しかる後にＴＡ
Ｂテープのリード上に前記の配列されたバンプを接合・
転写してバンプ付きＴＡＢテープを製造するに際して、
バンプを吸引すべき貫通穴の他に、バンプを吸引せずに
かつ常に開放状態にしておく小穴を設けておくことによ
り、バンプを接合したリードを有するテープを平板から
引き離しやすいようにしたことを特徴とするバンプの転
写方法、 （３）貫通穴を有する平板の裏側を真空に吸引すること
によって所定の位置にバンプを配列し、しかる後にＴＡ
Ｂテープのリード上に前記の配列されたバンプを接合・
転写してバンプ付きＴＡＢテープを製造するに際して、
バンプとリードとの接合後に平板裏側部の真空を一次的
にリークしかつ増圧状態とすることによって、バンプを
接合したリードを有するテープを平板から引き離すこと
を特徴とするバンプの転写方法、 （４）貫通穴を有する平板の裏側を真空に吸引すること
によって所定の位置にバンプを配列し、しかる後にＴＡ
Ｂテープのリード上に前記の配列されたバンプを接合・
転写してバンプ付きＴＡＢテープを製造するに際して、
平板裏側の真空室と真空排気系を結ぶ経路内に切り換え
弁を設けておき、ＴＡＢテープリードへのバンプの接合
・転写のためのボンディングマシンの動作に連動させて
、前記切り換え弁を操作することによって、真空室内を
一次的にリークするかもしくは増圧状態とした上で、バ
ンプを接合したリードを有するテープを平板から引き離
すことを特徴とするバンプの転写方法、である。
によって所定の位１にバンプを配列し、しかる後にＴＡ
Ｂテープのリード上に前記の配列されたバンプを接合・
転写してバンプ付きＴＡＢテープを製造するに際して、
バンプとリードとの接合後に平板裏側部の真空を一次的
にリークした状態として、バンプを接合したリードを有
するテープを平板から引き離すことを特徴とするバンプ
の転写方法、 （２）貫通穴を有する平板の裏側を真空に吸引すること
によって所定の位置にバンプを配列し、しかる後にＴＡ
Ｂテープのリード上に前記の配列されたバンプを接合・
転写してバンプ付きＴＡＢテープを製造するに際して、
バンプを吸引すべき貫通穴の他に、バンプを吸引せずに
かつ常に開放状態にしておく小穴を設けておくことによ
り、バンプを接合したリードを有するテープを平板から
引き離しやすいようにしたことを特徴とするバンプの転
写方法、 （３）貫通穴を有する平板の裏側を真空に吸引すること
によって所定の位置にバンプを配列し、しかる後にＴＡ
Ｂテープのリード上に前記の配列されたバンプを接合・
転写してバンプ付きＴＡＢテープを製造するに際して、
バンプとリードとの接合後に平板裏側部の真空を一次的
にリークしかつ増圧状態とすることによって、バンプを
接合したリードを有するテープを平板から引き離すこと
を特徴とするバンプの転写方法、 （４）貫通穴を有する平板の裏側を真空に吸引すること
によって所定の位置にバンプを配列し、しかる後にＴＡ
Ｂテープのリード上に前記の配列されたバンプを接合・
転写してバンプ付きＴＡＢテープを製造するに際して、
平板裏側の真空室と真空排気系を結ぶ経路内に切り換え
弁を設けておき、ＴＡＢテープリードへのバンプの接合
・転写のためのボンディングマシンの動作に連動させて
、前記切り換え弁を操作することによって、真空室内を
一次的にリークするかもしくは増圧状態とした上で、バ
ンプを接合したリードを有するテープを平板から引き離
すことを特徴とするバンプの転写方法、である。
すなわち本発明はバンプ付きＴＡＢテープを製作する方
法を提供するものであるが、本発明によって製作された
バンプ付きＴＡＢテープは、ＴＡＢ用ボンディングマシ
ンを用いて、ＴＡＢテープのリードとＩＣチップとの間
の位置合わせを自動または手動で行った上、ボンディン
グツールによって加熱加圧されてＩＣチップの電極部に
接合するために供せられる。ＴＡＢテープ自体は１個の
ＩＣチップを搭載する部分を１コマとして、多数コマ分
がテープ上に連続的に形成された形態となっている１通
常はリードは銅に金または錫メツキが施されており、こ
れらのリードが一定のパターンを為してポリイミド等の
絶縁テープの上に並んで形成されたものである。一般に
はこれがリールに巻取られた状態で入手され、ボンディ
ングマシンにはリールのままで装着され、リールから巻
戻されたテープの一コマ分がボンディングステージ部に
乗った所で、ＩＣチップと位置合わせの上接合が行われ
る様になっている。
法を提供するものであるが、本発明によって製作された
バンプ付きＴＡＢテープは、ＴＡＢ用ボンディングマシ
ンを用いて、ＴＡＢテープのリードとＩＣチップとの間
の位置合わせを自動または手動で行った上、ボンディン
グツールによって加熱加圧されてＩＣチップの電極部に
接合するために供せられる。ＴＡＢテープ自体は１個の
ＩＣチップを搭載する部分を１コマとして、多数コマ分
がテープ上に連続的に形成された形態となっている１通
常はリードは銅に金または錫メツキが施されており、こ
れらのリードが一定のパターンを為してポリイミド等の
絶縁テープの上に並んで形成されたものである。一般に
はこれがリールに巻取られた状態で入手され、ボンディ
ングマシンにはリールのままで装着され、リールから巻
戻されたテープの一コマ分がボンディングステージ部に
乗った所で、ＩＣチップと位置合わせの上接合が行われ
る様になっている。
バンプ付きＴＡＢテープを得るためには、ＴＡＢテープ
とＩＣチップとの接合に先だって、ＴＡＢテープののり
−ド部にバンプを接合しておくことが必要である。この
場合にも、前記のＴＡＢテープとＩＣチップの電極との
間の接合の場合と同様に、加熱されたボンディングツー
ルを押し付けることによる熱圧着作用を利用することが
可能である。すなわちバンプを接合する前のＴＡＢテー
プをリールのままボンディングマシンに装着し、ボンデ
ィングステージ部分で球形バンプをリード先端部に接合
することができる。
とＩＣチップとの接合に先だって、ＴＡＢテープののり
−ド部にバンプを接合しておくことが必要である。この
場合にも、前記のＴＡＢテープとＩＣチップの電極との
間の接合の場合と同様に、加熱されたボンディングツー
ルを押し付けることによる熱圧着作用を利用することが
可能である。すなわちバンプを接合する前のＴＡＢテー
プをリールのままボンディングマシンに装着し、ボンデ
ィングステージ部分で球形バンプをリード先端部に接合
することができる。
ボンディングマシンのボンディングステージ部は、通常
はＩＣチップが仮置き固定されるポンディング受は台と
、ＴＡＢテープを押さえる枠状の固定具とからなり、両
者の相対的な位置ずれを補正する機構が組み合わされて
いる０本発明の狙いである、ボンディングマシンのこの
ような機構を有効利用してＴＡＢテープリード上にバン
プを接合する作業を行わせるためには、ボンディングス
テージ部分、特にＩＣチップを搭載するボンディング受
は台を取り去って、ここにＴＡＢテープのリードパター
ンに合致するように配列されたバンプを並べておくこと
が必要である。逆に言えば、一定のパターンに従ったバ
ンプの配列をこのボンディング受は台の上に実現させる
ことが出来さえすれば、ボンディングマシンの機構をそ
のまま利用してＴＡＢテープのリード上にバンプを転写
・接合することが可能になる。
はＩＣチップが仮置き固定されるポンディング受は台と
、ＴＡＢテープを押さえる枠状の固定具とからなり、両
者の相対的な位置ずれを補正する機構が組み合わされて
いる０本発明の狙いである、ボンディングマシンのこの
ような機構を有効利用してＴＡＢテープリード上にバン
プを接合する作業を行わせるためには、ボンディングス
テージ部分、特にＩＣチップを搭載するボンディング受
は台を取り去って、ここにＴＡＢテープのリードパター
ンに合致するように配列されたバンプを並べておくこと
が必要である。逆に言えば、一定のパターンに従ったバ
ンプの配列をこのボンディング受は台の上に実現させる
ことが出来さえすれば、ボンディングマシンの機構をそ
のまま利用してＴＡＢテープのリード上にバンプを転写
・接合することが可能になる。
バンプを一定のパターンに配列するためには先に提案し
た方法、すなわち貫通穴を有する平板の裏側を真空にし
て、平板表面にバンプを吸引して仮配列する方法が有効
である。このようにしてバンプの配列された平板部分を
ボンディングマシンのボンディング受は台に置き、ＴＡ
Ｂテープのリードとバンプとの位置合わせが行われた後
、加熱されたボンディングツールによって適当な条件で
加圧すると両者の接合が完了するが、次の段階として、
バンプの接合されたリードをＴＡＢテープごと、貫通穴
を有する平板から引き離すことが必要となる。この時、
平板の裏側がバンプを吸引した時の真空のままの状態で
あると、バンプが真空の吸引力によって引き付けられ続
けているために、ＴＡＢテープを取り出す過程で、場合
によってはせっかく接合したバンプとリード間が再び引
き剥されてしまうことになりがちである。
た方法、すなわち貫通穴を有する平板の裏側を真空にし
て、平板表面にバンプを吸引して仮配列する方法が有効
である。このようにしてバンプの配列された平板部分を
ボンディングマシンのボンディング受は台に置き、ＴＡ
Ｂテープのリードとバンプとの位置合わせが行われた後
、加熱されたボンディングツールによって適当な条件で
加圧すると両者の接合が完了するが、次の段階として、
バンプの接合されたリードをＴＡＢテープごと、貫通穴
を有する平板から引き離すことが必要となる。この時、
平板の裏側がバンプを吸引した時の真空のままの状態で
あると、バンプが真空の吸引力によって引き付けられ続
けているために、ＴＡＢテープを取り出す過程で、場合
によってはせっかく接合したバンプとリード間が再び引
き剥されてしまうことになりがちである。
なお、本発明において用いている「真空」という表現は
、バンプとなる微細金属球を平板に設けた貫通穴部分に
吸引するための差圧を生じるだけの減圧状態を意味する
ものであって、実際にも小型のダイヤフラムポンプやマ
グネットポンプ、ロータリーポンプ等で容易に到達でき
る程度の真空度があれば十分にその機能は満足されるも
のである。
、バンプとなる微細金属球を平板に設けた貫通穴部分に
吸引するための差圧を生じるだけの減圧状態を意味する
ものであって、実際にも小型のダイヤフラムポンプやマ
グネットポンプ、ロータリーポンプ等で容易に到達でき
る程度の真空度があれば十分にその機能は満足されるも
のである。
本発明者等の検討によると、７０ミクロンの貫通穴２０
０個を有する平板の裏側を、ダイヤフラムポンプを利用
して大気圧に対してほぼ１気圧低い真空状態にした時に
は、接合した直径８０ミクロンのバンプ１個当たりにし
て約１ｇｆ程度の真空吸引力が作用することが確認され
た。これは、熱圧着によるバンプとリードとの間の接合
力にほぼ匹敵する。また２００個の貫通穴のある平板の
一部に、別の７０ミクロン径の貫通穴を１個だけ余分に
設け、この余分の貫通穴だけを解放した状態で、同じよ
うに２００個の貫通穴に作用する真空吸引力を測定した
ところ、バフ１１個当たり０゜Ｉｇｆ程度まで減少する
ことが判った。なお、この余分の貫通穴を解放したまま
であっても、他の２００個の貫通穴にバンプを吸引する
作業自体に特別な支障は生じなかった。
０個を有する平板の裏側を、ダイヤフラムポンプを利用
して大気圧に対してほぼ１気圧低い真空状態にした時に
は、接合した直径８０ミクロンのバンプ１個当たりにし
て約１ｇｆ程度の真空吸引力が作用することが確認され
た。これは、熱圧着によるバンプとリードとの間の接合
力にほぼ匹敵する。また２００個の貫通穴のある平板の
一部に、別の７０ミクロン径の貫通穴を１個だけ余分に
設け、この余分の貫通穴だけを解放した状態で、同じよ
うに２００個の貫通穴に作用する真空吸引力を測定した
ところ、バフ１１個当たり０゜Ｉｇｆ程度まで減少する
ことが判った。なお、この余分の貫通穴を解放したまま
であっても、他の２００個の貫通穴にバンプを吸引する
作業自体に特別な支障は生じなかった。
以上のことから、バンプを接合した後に平板の裏側を真
空状態にしたままでＴＡＢテープを取り出そうとすると
、いくつかのバンプはせっかく接合されたリードとの間
を再び引き剥がされてしまうことになるのも当然のこと
である。それを避けるためには１コマ分のバンプ転写が
終わってＴＡＢテープを送る直前の段階で、平板裏側の
真空をリークするか、少なくとも真空に引き続けながら
であっても、平板か真空室の一部に小穴を設け、これを
解放したままにしておくことが効果的であることが判っ
た。
空状態にしたままでＴＡＢテープを取り出そうとすると
、いくつかのバンプはせっかく接合されたリードとの間
を再び引き剥がされてしまうことになるのも当然のこと
である。それを避けるためには１コマ分のバンプ転写が
終わってＴＡＢテープを送る直前の段階で、平板裏側の
真空をリークするか、少なくとも真空に引き続けながら
であっても、平板か真空室の一部に小穴を設け、これを
解放したままにしておくことが効果的であることが判っ
た。
本来、真空吸引力はバンプを平板の貫通穴部分に吸引し
て仮固定するまでの間だけ、或いは平板上に配列された
バンプとＴＡＢテープのリードとの位置合わせが終わる
までの間だけ作用していればよく、両者を重ね合わせた
位置の上にボンディングツールが下降してきて加圧力を
作用し始めてしまえば、真空吸引力は不要となってしま
うものである。したがって、両者の接合が完了して１コ
マ分のＴＡＢテープを送り出す段階では、平板の裏側が
真空である必要性はまったく無くなっている訳である。
て仮固定するまでの間だけ、或いは平板上に配列された
バンプとＴＡＢテープのリードとの位置合わせが終わる
までの間だけ作用していればよく、両者を重ね合わせた
位置の上にボンディングツールが下降してきて加圧力を
作用し始めてしまえば、真空吸引力は不要となってしま
うものである。したがって、両者の接合が完了して１コ
マ分のＴＡＢテープを送り出す段階では、平板の裏側が
真空である必要性はまったく無くなっている訳である。
本発明は以上の事実ならびにそれらの事実を踏まえた考
察の結果として完成されたものである。
察の結果として完成されたものである。
真空吸引方式によってバンプを配列した後にＴＡＢテー
プのリード上に転写・接合するに際して、−旦接合され
たバンプとリード間を再び引き剥すことなく安定して効
率良く作業を進行させるためには、平板裏側の真空室を
、バンプ吸引中は当然真空にすべきであるが、ボンディ
ング過程に移る直前かボンディング過程の途中、もしく
は遅くともボンディング過程が終わってＴＡＢテープを
１コマ分送り出す直前までの間に真空をリークさせてバ
ンプが平板の下方に引かれる力を消失させておくのが有
効である。またそれより効果は薄れるが、平板もしくは
平板裏側の真空室に小穴を設け、これを常に解放したま
まにしておくことによっても、簡便ながら一応の効果を
得ることが出来る。
プのリード上に転写・接合するに際して、−旦接合され
たバンプとリード間を再び引き剥すことなく安定して効
率良く作業を進行させるためには、平板裏側の真空室を
、バンプ吸引中は当然真空にすべきであるが、ボンディ
ング過程に移る直前かボンディング過程の途中、もしく
は遅くともボンディング過程が終わってＴＡＢテープを
１コマ分送り出す直前までの間に真空をリークさせてバ
ンプが平板の下方に引かれる力を消失させておくのが有
効である。またそれより効果は薄れるが、平板もしくは
平板裏側の真空室に小穴を設け、これを常に解放したま
まにしておくことによっても、簡便ながら一応の効果を
得ることが出来る。
またボンディングに際して特にバンプの変形が大きくな
るような条件を採用した場合には、単に真空室内をリー
クするだけでなく、逆に大気圧よりプラス側の増圧状態
にすることによって平板の貫通穴を通してバンプを押し
上げる力を作用させれば、平板からのＴＡＢテープの剥
離はより完全になる。真空室をＴＡＢテープの１コマ分
の転写完了ごとに増圧するこの方法は、平板の貫通穴周
辺に徐々に集積する付着物を清掃する効果をも合わせ持
たせることができるので、量産工程においては特に有効
である。
るような条件を採用した場合には、単に真空室内をリー
クするだけでなく、逆に大気圧よりプラス側の増圧状態
にすることによって平板の貫通穴を通してバンプを押し
上げる力を作用させれば、平板からのＴＡＢテープの剥
離はより完全になる。真空室をＴＡＢテープの１コマ分
の転写完了ごとに増圧するこの方法は、平板の貫通穴周
辺に徐々に集積する付着物を清掃する効果をも合わせ持
たせることができるので、量産工程においては特に有効
である。
さらに上記工程において、真空室と排気系との間を結ぶ
経路内の切り替え弁の切り替え操作を、ボンディング過
程における工具等のサイクル動作と連動させれば、確実
なバンプ転写をより能率的なプロセスとして実現出来る
ことになり本発明の効果は最も有効に発揮されるように
なる。
経路内の切り替え弁の切り替え操作を、ボンディング過
程における工具等のサイクル動作と連動させれば、確実
なバンプ転写をより能率的なプロセスとして実現出来る
ことになり本発明の効果は最も有効に発揮されるように
なる。
平板の貫通穴部分に真空吸引力によってバンプを吸引・
仮固定した後にＴＡＢテープのリードと位置合わせし、
ボンディングツールによってリードにバンプを転写する
に際し、バンプを転写された後のリードをＴＡＢテープ
ごとコマ送りする際に、バンプ配列に使用した平板裏側
の真空吸引力が作用し続けたままにしていると、−旦接
合したバンプとリード間が再び引き剥されることになり
がちである０本発明によれば、バンプがリードに接合さ
れた後では、バンプ配列に使用した平板裏側の真空をリ
ークするか増圧するか、または解放されたままの小穴を
設けることによって必要以上の吸引力が作用しないよう
にコントロールされることからなり、−旦接合されたバ
ンプとリードとの間が再び引き剥されることのないよう
にしてＴＡＢテープを送り出すことが出来る。
仮固定した後にＴＡＢテープのリードと位置合わせし、
ボンディングツールによってリードにバンプを転写する
に際し、バンプを転写された後のリードをＴＡＢテープ
ごとコマ送りする際に、バンプ配列に使用した平板裏側
の真空吸引力が作用し続けたままにしていると、−旦接
合したバンプとリード間が再び引き剥されることになり
がちである０本発明によれば、バンプがリードに接合さ
れた後では、バンプ配列に使用した平板裏側の真空をリ
ークするか増圧するか、または解放されたままの小穴を
設けることによって必要以上の吸引力が作用しないよう
にコントロールされることからなり、−旦接合されたバ
ンプとリードとの間が再び引き剥されることのないよう
にしてＴＡＢテープを送り出すことが出来る。
実施例１
第１図に示すように、適当な温度に加熱した状態で一定
の加圧力を作用させることのできるボンディングツール
の下部に位置合わせして、真空排気系２０で吸引された
真空室３を配置した。真空室３の上部はバンプを吸着す
べき位置に貫通穴７が開けられた平板２で構成されてお
り、かつ真空室３と真空排気系２０の間には切り替え弁
１０を配することにより、必要な時期に真空室３をリー
ク出来るようにした。
の加圧力を作用させることのできるボンディングツール
の下部に位置合わせして、真空排気系２０で吸引された
真空室３を配置した。真空室３の上部はバンプを吸着す
べき位置に貫通穴７が開けられた平板２で構成されてお
り、かつ真空室３と真空排気系２０の間には切り替え弁
１０を配することにより、必要な時期に真空室３をリー
ク出来るようにした。
第１図（イ）は、切り替え弁１０を通して真空室３内が
排気された状態にあり、平板の貫通穴７部分には、その
真空による吸引力によってバンプ１が吸着された状態を
示す、金メツキされた銅製リード４とポリイミドフィル
ム５が積層されたＴＡＢテープと、バンプ１が配列され
ている真空室３と、そしてボンディングツール６、の三
者の間の相対的な位置関係は、図に示さない調整機構に
よって精密にコントロールできるようにした。平板上の
貫通穴７の直径は６０μｍとし、バンプとしては８０μ
ｍの金球を、またＴＡＢテープは幅６０μｍのリード２
００本を有するものを使用した。
排気された状態にあり、平板の貫通穴７部分には、その
真空による吸引力によってバンプ１が吸着された状態を
示す、金メツキされた銅製リード４とポリイミドフィル
ム５が積層されたＴＡＢテープと、バンプ１が配列され
ている真空室３と、そしてボンディングツール６、の三
者の間の相対的な位置関係は、図に示さない調整機構に
よって精密にコントロールできるようにした。平板上の
貫通穴７の直径は６０μｍとし、バンプとしては８０μ
ｍの金球を、またＴＡＢテープは幅６０μｍのリード２
００本を有するものを使用した。
４５０°Ｃに加熱したボンディングツールを降下させて
、１０ｇｆ／リードの加圧力を加えると、各リード４と
バンプ１との間の接合が行われたく第１図（ロ））。こ
こで第１図（ハ）のように切り替え弁１０を操作して、
真空室３が大気圧になるようにした。次に真空室３を下
降させると、バンプ１は貫通穴７を離れてリード４に完
全に転写された（第１図（ニ））０以上でＴＡＢテープ
１コマ分のバンプ転写が完了したので、再び切り替え弁
１０を操作して真空室３内を排気し、バンプ吸着工程に
戻った上で次のサイクルに移行することができる。
、１０ｇｆ／リードの加圧力を加えると、各リード４と
バンプ１との間の接合が行われたく第１図（ロ））。こ
こで第１図（ハ）のように切り替え弁１０を操作して、
真空室３が大気圧になるようにした。次に真空室３を下
降させると、バンプ１は貫通穴７を離れてリード４に完
全に転写された（第１図（ニ））０以上でＴＡＢテープ
１コマ分のバンプ転写が完了したので、再び切り替え弁
１０を操作して真空室３内を排気し、バンプ吸着工程に
戻った上で次のサイクルに移行することができる。
なお上記過程中、ボンディングが終わった後に切り替え
弁１０の操作をせずに、真空室３を排気し続けたままで
下降させてテープを取り外そうとした場合には、バンプ
が平板２の貫通穴に吸引され続けているために、−度接
合したり一部４とバンプ１の間の接合が剥離されてしま
い、半数以上のバンプが貫通穴７上に吸着されたまま残
るか周辺に飛び散るかしてしまう場合が時として発生し
だのに対し、本発明の場合にはそのような不都合はまっ
たく発生せず、きわめて安定した転写を行うことができ
た。
弁１０の操作をせずに、真空室３を排気し続けたままで
下降させてテープを取り外そうとした場合には、バンプ
が平板２の貫通穴に吸引され続けているために、−度接
合したり一部４とバンプ１の間の接合が剥離されてしま
い、半数以上のバンプが貫通穴７上に吸着されたまま残
るか周辺に飛び散るかしてしまう場合が時として発生し
だのに対し、本発明の場合にはそのような不都合はまっ
たく発生せず、きわめて安定した転写を行うことができ
た。
また本実施例においては、真空室３をリークする時期は
かなりの幅で変化させても正常な転写作業に支障を生じ
ないことが確認された。第１図（イ）の状態、すなわち
貫通穴７上のバンプ１とリードとの位置合わせが済みボ
ンディングツールが下降に移る前の状態で切り替え弁１
０を作動させて真空室をリークさせた場合でも、いった
ん平板２上に配列されたバンプ１が動いてしまうことは
無く、すべてのバンプがリードの適正位置に転写された
。つまり切り替え弁１０を操作するタイミングは、配列
されたバンプとＴＡＢテープの位置合わせが完了してか
ら、ボンディングが終わってＴＡＢテープを引き離す迄
の間であれば任意である。
かなりの幅で変化させても正常な転写作業に支障を生じ
ないことが確認された。第１図（イ）の状態、すなわち
貫通穴７上のバンプ１とリードとの位置合わせが済みボ
ンディングツールが下降に移る前の状態で切り替え弁１
０を作動させて真空室をリークさせた場合でも、いった
ん平板２上に配列されたバンプ１が動いてしまうことは
無く、すべてのバンプがリードの適正位置に転写された
。つまり切り替え弁１０を操作するタイミングは、配列
されたバンプとＴＡＢテープの位置合わせが完了してか
ら、ボンディングが終わってＴＡＢテープを引き離す迄
の間であれば任意である。
実施例２
実施例１の場合と同様の装置を用いたが、第２図に示す
ように、貫通穴７を有する平板２の裏側真空室３の一部
に常時解放されている小穴８を設けた代わりに、真空室
３と真空排気系２０の間の切り替え弁は設置しなかった
。実施例１の場合と同様に、平板上の貫通穴フの直径は
６０μｍとし、バンプとしては８０ｐｍの金球を、また
ＴＡＢテープは幅６０μｍのリード２００本を有するも
のを使用した。
ように、貫通穴７を有する平板２の裏側真空室３の一部
に常時解放されている小穴８を設けた代わりに、真空室
３と真空排気系２０の間の切り替え弁は設置しなかった
。実施例１の場合と同様に、平板上の貫通穴フの直径は
６０μｍとし、バンプとしては８０ｐｍの金球を、また
ＴＡＢテープは幅６０μｍのリード２００本を有するも
のを使用した。
第２図（イ）は、平板２の貫通穴部分７にバンプ１を吸
着させた後、ＴＡＢテープのポリイミドフィルム５上に
形成されているリード４とともにボンディングツール６
の下方に配し、図に示されていない位置合わせ機構によ
ってリード４とバンプ１の間の位置合わせが終わった状
態を示している。小穴８は解放されているが、微細なサ
イズのバンプ１は支障なく平板２の貫通穴７に吸着され
た。
着させた後、ＴＡＢテープのポリイミドフィルム５上に
形成されているリード４とともにボンディングツール６
の下方に配し、図に示されていない位置合わせ機構によ
ってリード４とバンプ１の間の位置合わせが終わった状
態を示している。小穴８は解放されているが、微細なサ
イズのバンプ１は支障なく平板２の貫通穴７に吸着され
た。
次に第２図（ロ）のように、４５０’Ｃに加熱したボン
ディングツール６を下降させて、各リード当り１０ｇｆ
の加圧力で圧着を行った。ボンディングツールを元の待
機位置に戻した（第２図（ハ））後、真空室３を押し下
げて平板２とＴＡＢテープとを引き離した。すべてのバ
ンプが第２図（ニ）のようにテープのリード側に転写さ
れたので、ＴＡＢテープを１コマ分送った後、平板２の
貫通穴７に次のバンプを吸着して第２図（イ）の工程に
戻った。
ディングツール６を下降させて、各リード当り１０ｇｆ
の加圧力で圧着を行った。ボンディングツールを元の待
機位置に戻した（第２図（ハ））後、真空室３を押し下
げて平板２とＴＡＢテープとを引き離した。すべてのバ
ンプが第２図（ニ）のようにテープのリード側に転写さ
れたので、ＴＡＢテープを１コマ分送った後、平板２の
貫通穴７に次のバンプを吸着して第２図（イ）の工程に
戻った。
実施例３
実施例１の装置（第１図）に増圧機構を組み込んで、第
３図に示すような配置とした。第３図で３０は出口圧力
を０．５気圧に調整した圧搾空気ボンベを示し、２５は
圧搾空気の通路を開閉するための弁である。平板２、貫
通穴７およびバンプ１のサイズ、使用したＴＡＢテープ
等はすべて実施例１と同じである。
３図に示すような配置とした。第３図で３０は出口圧力
を０．５気圧に調整した圧搾空気ボンベを示し、２５は
圧搾空気の通路を開閉するための弁である。平板２、貫
通穴７およびバンプ１のサイズ、使用したＴＡＢテープ
等はすべて実施例１と同じである。
バンプとＴＡＢテープとの位置合わせ（第３図（イ））
からボンディングツールを下降さセてバンプとリード間
の接合を行うまで（第３図（ロ））の操作も、実施例１
の場合とまったく同じである。但し本実施例の場合には
、ボンディングツールの加熱温度は４２０’Ｃ、ボンデ
ィング加圧力は１５ｇｆ／リードとした。ボンディング
ツールが待機位置に戻るために上昇し始めると同時に、
切り替え弁ＩＯを操作して、真空室３と真空排気系２０
との経路を遮断し、圧搾空気ボンベ３０への経路に切り
替えた（第３図（ハ））。次に圧搾空気の開閉弁２５を
開けて、真空室３に空気を導入した。
からボンディングツールを下降さセてバンプとリード間
の接合を行うまで（第３図（ロ））の操作も、実施例１
の場合とまったく同じである。但し本実施例の場合には
、ボンディングツールの加熱温度は４２０’Ｃ、ボンデ
ィング加圧力は１５ｇｆ／リードとした。ボンディング
ツールが待機位置に戻るために上昇し始めると同時に、
切り替え弁ＩＯを操作して、真空室３と真空排気系２０
との経路を遮断し、圧搾空気ボンベ３０への経路に切り
替えた（第３図（ハ））。次に圧搾空気の開閉弁２５を
開けて、真空室３に空気を導入した。
この場合には真空室３を下降させるまでもなく、ＴＡＢ
テープのリードはすべてのバンプを転写したままで平板
から自然に引き離された。
テープのリードはすべてのバンプを転写したままで平板
から自然に引き離された。
実施例４
ボンディングツール６の側面に突起１２を取り付け、ボ
ンディングツールが下降した際に前記突起１２によって
動作するスイッチ１３と制御器１４によって、真空室３
と真空排気系２０を結ぶ経路上に配置された切り替え弁
ＩＩを自動的に切り替えられるようにした。ここではス
イッチ１３が突起１２で押されている間は、切り替え弁
１１が第４図（ロ）のように真空室３をリークするよう
になり、突起１２がスイッチ１３から離れると第４図（
イ）のように真空室３が真空排気系２０につながるよう
に動作させることにした。
ンディングツールが下降した際に前記突起１２によって
動作するスイッチ１３と制御器１４によって、真空室３
と真空排気系２０を結ぶ経路上に配置された切り替え弁
ＩＩを自動的に切り替えられるようにした。ここではス
イッチ１３が突起１２で押されている間は、切り替え弁
１１が第４図（ロ）のように真空室３をリークするよう
になり、突起１２がスイッチ１３から離れると第４図（
イ）のように真空室３が真空排気系２０につながるよう
に動作させることにした。
平板２の貫通穴部分７にバンプを吸着した真空室３がセ
ットされ、ＴＡＢテープのり一部４と位置合わせされる
までの間はボンディングツール６は上部の待機位置に停
止しているので、この間、切り替え弁１１は真空室３を
真空排気系２０の方向に開いた状態になっている（第４
図（イ））。
ットされ、ＴＡＢテープのり一部４と位置合わせされる
までの間はボンディングツール６は上部の待機位置に停
止しているので、この間、切り替え弁１１は真空室３を
真空排気系２０の方向に開いた状態になっている（第４
図（イ））。
次にボンディングツール６が下降してボンディング工程
に入ると、ボンディングツール６の側面に付けられた突
起１２がスイッチ１３を動作させ、制御器１４を通して
、切り替え弁１１が真空排気系を遮断すると共に真空室
３の内部に大気を導入するように切り替わる（第４図（
ロ））、、ボンディングツール６が上昇し始めてから再
び切り替え弁１１が動作して真空室３の排気が開始され
る前に、真空室３を下降させてバンプの転写されたリー
ド４を有するＴＡＢテープを平板２から引き離した。合
計２００個のバンプすべてがリード側に転写されて、良
好な接合状態が得られた。
に入ると、ボンディングツール６の側面に付けられた突
起１２がスイッチ１３を動作させ、制御器１４を通して
、切り替え弁１１が真空排気系を遮断すると共に真空室
３の内部に大気を導入するように切り替わる（第４図（
ロ））、、ボンディングツール６が上昇し始めてから再
び切り替え弁１１が動作して真空室３の排気が開始され
る前に、真空室３を下降させてバンプの転写されたリー
ド４を有するＴＡＢテープを平板２から引き離した。合
計２００個のバンプすべてがリード側に転写されて、良
好な接合状態が得られた。
実施例５
先の実施例４において切り替え弁】１の一方の口に、出
力を０．５気圧に減圧した窒素ガスポンベ３１からの配
管を電磁弁２６を介して接続した（第５図）、この電磁
弁２６もスイッチ１３からの信号を受けた制御器１４に
よって自動的に動作するようにし、ここではボンディン
グツールの下降によって切り替え弁１１が動作してから
２秒後に電磁弁２６が動作して、ポンベ３１からの窒素
ガスが真空室３へ送り込まれるように制御器１４を設定
した。そしてボンディングツールが上昇して突起１２が
スイッチ１３の接点から離れると、切り替え弁１１と１
を磁弁２６が共に元に戻って、真空室３の内部は再び排
気されるようにした。
力を０．５気圧に減圧した窒素ガスポンベ３１からの配
管を電磁弁２６を介して接続した（第５図）、この電磁
弁２６もスイッチ１３からの信号を受けた制御器１４に
よって自動的に動作するようにし、ここではボンディン
グツールの下降によって切り替え弁１１が動作してから
２秒後に電磁弁２６が動作して、ポンベ３１からの窒素
ガスが真空室３へ送り込まれるように制御器１４を設定
した。そしてボンディングツールが上昇して突起１２が
スイッチ１３の接点から離れると、切り替え弁１１と１
を磁弁２６が共に元に戻って、真空室３の内部は再び排
気されるようにした。
次にこの装置の動作について説明する。ボンディングツ
ール６が待機位置にある時には、切り替え弁１１は真空
室３と真空排気系２０をつなぐ位置にあり、かつ電磁弁
２６は閉の状態を保っている。ボンディングツール６が
下降して突起１２がスイッチ１３を押し始めると、切り
替え弁１１は真空室３を真空排気系２０から切り離して
窒素ガスボンへ３１につなげるように作動する。但しこ
の段階ではｔ磁弁２６は窒素ガスボンベ３１との間を遮
断したままになっているので、真空室３の内部は真空に
近い状態が保たれている。この間に４００’Ｃに加熱さ
れたボンディングツールは下降を続け、各リードに平均
１５ｇｆの加圧力を０゜５秒間だけ与えるようにして接
触し、リードとパン１間の圧着接合を行った。
ール６が待機位置にある時には、切り替え弁１１は真空
室３と真空排気系２０をつなぐ位置にあり、かつ電磁弁
２６は閉の状態を保っている。ボンディングツール６が
下降して突起１２がスイッチ１３を押し始めると、切り
替え弁１１は真空室３を真空排気系２０から切り離して
窒素ガスボンへ３１につなげるように作動する。但しこ
の段階ではｔ磁弁２６は窒素ガスボンベ３１との間を遮
断したままになっているので、真空室３の内部は真空に
近い状態が保たれている。この間に４００’Ｃに加熱さ
れたボンディングツールは下降を続け、各リードに平均
１５ｇｆの加圧力を０゜５秒間だけ与えるようにして接
触し、リードとパン１間の圧着接合を行った。
制御器１４からの信号により、ボンディングツールが上
昇中にｔ磁弁２６が作動して真空室３の内部が増圧状態
（第５図（ロ））となり、バンプを接合したリードを自
然な状態で押し上げて、ＴＡＢテープを初期設定位置に
戻すことができた。
昇中にｔ磁弁２６が作動して真空室３の内部が増圧状態
（第５図（ロ））となり、バンプを接合したリードを自
然な状態で押し上げて、ＴＡＢテープを初期設定位置に
戻すことができた。
そこでＴＡＢテープは１コマ分だけ送られて、次のコマ
がセットされて第５図（イ）の状態に戻ることによって
、リード先端へのバンプ転写作業が極めて能率的に行わ
れた。
がセットされて第５図（イ）の状態に戻ることによって
、リード先端へのバンプ転写作業が極めて能率的に行わ
れた。
本発明により、平板の貫通穴部分に真空吸引力を利用し
てバンプを配列した後にＴＡＢテープリードに転写・接
合するに際し、ボンディングツールの作用によって一旦
両者が接合された後、ＴＡＢテープを１コマ分送る過程
でバンプが真空に引き続けられていることによって再び
剥離させられるのを避けることが出来る。このためバン
プのＴＡＢテープリードへの転写・接合が極めて安定な
状態で歩留まり良く効率的に行われる。
てバンプを配列した後にＴＡＢテープリードに転写・接
合するに際し、ボンディングツールの作用によって一旦
両者が接合された後、ＴＡＢテープを１コマ分送る過程
でバンプが真空に引き続けられていることによって再び
剥離させられるのを避けることが出来る。このためバン
プのＴＡＢテープリードへの転写・接合が極めて安定な
状態で歩留まり良く効率的に行われる。
第１図は本発明の基本的な実施例を示す模式図、第２図
は簡便化した実施例を示す模式図、第３図から第５図は
本発明のより望ましい実施例を示す模式図である。 １・・・バンプ、２・・・貫通穴を有する平板、３・・
・真空室、 ４・・・ＴＡＢテープのベースフィルム、５・・・ＴＡ
Ｂテープ上のリード、 ６・・・ボンディングツール、 ７・・・平板の貫通穴、 ８・・・真空室に設けた小穴、 １０ ・・・ ｌ １ ・・・ １２・・・ １３ ・・・ ２０ ・・・ ２６ ・・・ ３０ ・・・ ３１ ・・・ 切り替え弁、 電磁式切り替え弁、 スイッチ接点用突起、 スイッチ、１４・・・制御器・ 真空排気系、２５・・・開閉弁・ 電磁式開閉弁、 圧搾空気ボンベ、 窒業ガスボンベ。
は簡便化した実施例を示す模式図、第３図から第５図は
本発明のより望ましい実施例を示す模式図である。 １・・・バンプ、２・・・貫通穴を有する平板、３・・
・真空室、 ４・・・ＴＡＢテープのベースフィルム、５・・・ＴＡ
Ｂテープ上のリード、 ６・・・ボンディングツール、 ７・・・平板の貫通穴、 ８・・・真空室に設けた小穴、 １０ ・・・ ｌ １ ・・・ １２・・・ １３ ・・・ ２０ ・・・ ２６ ・・・ ３０ ・・・ ３１ ・・・ 切り替え弁、 電磁式切り替え弁、 スイッチ接点用突起、 スイッチ、１４・・・制御器・ 真空排気系、２５・・・開閉弁・ 電磁式開閉弁、 圧搾空気ボンベ、 窒業ガスボンベ。
Claims (4)
- （１）貫通穴を有する平板の裏側を真空に吸引すること
によって所定の位置にバンプを配列し、しかる後にＴＡ
Ｂテープのリード上に前記の配列されたバンプを接合・
転写してバンプ付きＴＡＢテープを製造するに際して、
バンプとリードとの接合後に平板裏側部の真空を一次的
にリークした状態として、バンプを接合したリードを有
するテープを平板から引き離すことを特徴とするバンプ
の転写方法。 - （２）貫通穴を有する平板の裏側を真空に吸引すること
によって所定の位置にバンプを配列し、しかる後にＴＡ
Ｂテープのリード上に前記の配列されたバンプを接合・
転写してバンプ付きＴＡＢテープを製造するに際して、
バンプを吸引すべき貫通穴の他に、バンプを吸引せずに
かつ常に解放状態にしておく小穴を設けておくことによ
り、バンプを接合したリードを有するテープを平板から
引き離しやすいようにしたことを特徴とするバンプの転
写方法。 - （３）貫通穴を有する平板の裏側を真空に吸引すること
によって所定の位置にバンプを配列し、しかる後にＴＡ
Ｂテープのリード上に前記の配列されたバンプを接合・
転写してバンプ付きＴＡＢテープを製造するに際して、
バンプとリードとの接合後に平板裏側部の真空を一次的
にリークしかつ増圧状態とすることによって、バンプを
接合したリードを有するテープを平板から引き離すこと
を特徴とするバンプの転写方法。 - （４）貫通穴を有する平板の裏側を真空に吸引すること
によって所定の位置にバンプを配列し、しかる後にＴＡ
Ｂテープのリード上に前記の配列されたバンプを接合・
転写してバンプ付きＴＡＢテープを製造するに際して、
平板裏側の真空室と真空排気系を結ぶ経路内に切り換え
弁を設けておき、ＴＡＢテープリードへのバンプの接合
・転写のためのボンディングマシンの動作に連動させて
、前記切り換え弁を操作することによって、真空室内を
一次的にリークするかもしくは増圧状態とした上で、バ
ンプを接合したリードを有するテープを平板から引き離
すことを特徴とするバンプの転写方法。
Priority Applications (7)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10102690A JPH06105732B2 (ja) | 1990-04-16 | 1990-04-16 | バンプの転写方法 |
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Cited By (2)
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|---|---|---|---|---|
| JPH05198621A (ja) * | 1992-01-21 | 1993-08-06 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | フリップチップｉｃの実装装置 |
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1990
- 1990-04-16 JP JP10102690A patent/JPH06105732B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| CN111341703A (zh) * | 2020-04-07 | 2020-06-26 | 浙江大学 | 热控可编程气压式转印印章及转印方法 |
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