JPH0329350A - セラミツク基板 - Google Patents

セラミツク基板

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Publication number
JPH0329350A
JPH0329350A JP1163550A JP16355089A JPH0329350A JP H0329350 A JPH0329350 A JP H0329350A JP 1163550 A JP1163550 A JP 1163550A JP 16355089 A JP16355089 A JP 16355089A JP H0329350 A JPH0329350 A JP H0329350A
Authority
JP
Japan
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glass
glass powder
powder
mixture
composition
Prior art date
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Pending
Application number
JP1163550A
Other languages
English (en)
Inventor
Kazuo Kawahara
河原 一雄
Kenji Toshida
賢二 利田
Yorio Kitayama
北山 順雄
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
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Publication date
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Publication of JPH0329350A publication Critical patent/JPH0329350A/ja
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  • Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野] 本発明は、低温焼成セラミック基板、とくに銀糸導体を
使用する回路基板に好適な基板用セラミック組成物に関
する。
【従来の技術] LSI実装基板の一層の高密度化、高速化に低コストで
対応できると期待されている、800〜1000℃で焼
成可能な、いわゆる低温焼成基板が従来より報告されて
いる(たとえば、エレクトロニク・セラミクス、198
5年、3月号および同、1987年、5月号)。前記の
温度範囲でセラミックスが焼成できることにより、Au
..Ags Ag/ Pd%CuSNiなどの導体が同
時焼成でき、低誘電率セラミックスと低抵抗導体とを組
み合せた多層配線が可能になる。
このような組み合せの多層セラミック基板の製造方法a
しては、アルミナ粉末などの無機フィラーと硼珪酸系な
どのガラス粉末との混合物を有機結合剤や可塑剤および
溶剤とによりスラリー化して、これをドクターブレード
で成形してグリーンシ一トと称する柔軟なセラミックシ
一トを作り、この複数枚に上記導体を印刷し、その層間
をパイアホールで継いで多層化し、これを焼成して一体
化される。
ここで使用される導体の中でも、AgやAg/ Pdの
ような銀糸導体は、低コストであること、空気中で焼成
可能であること、従来より/%イブリ・ソドIC分野で
使用頻度が高く周辺技術とのマッチングがとれているこ
と、などの利点をもっている。
[発明が解決しようとする課題] ところが、これら銀糸導体はセラミック誘電体中を拡散
しやすく、水分の存在下で直流ノくイアスを印加したと
きAgが移動、析出する(マイグレーションと称されて
いる)問題のあることが知られている。本発明者らの検
討によれば、アルミナーガラス複合系セラミックスのガ
ラスの軟化温度が高いほど、セラミックス中のAg拡散
の程度は小さくなる傾向にあったが、このような軟化温
度が高いガラスを用いると、セラミックが1000℃以
下で緻密に焼結しないという問題があった。
本発明は前述のような問題点を解消するためになされた
もので、八gの拡散が無視しうるほと小さく抑制され、
かつ800〜1000℃の低温で充分焼結可能な組成物
を提供し、Ag系導体配線したセラミック基板をうろこ
とを目的としている。
[課題を解決するための手段] 本発明では、アルミナ粉末とガラス粉末との混合物を用
い、その混合物に対するガラス粉末の量が35〜B5重
量%であり、ガラスの組成を重量%で、#2O3:3〜
l5、PbO:40〜52、S12O : 32〜40
、B2O3  : 2〜8の範囲として低温焼成セラミ
・ソク基板をえたものである。
[作 用] 上記組成とすることにより、セラミック基板中へのAg
の拡散は無視できるほどに抑えられ、800〜l000
℃の範囲で焼成させることができる。
[実施例コ 本発明のセラミック基板において、アルミナ粉末とガラ
ス粉末との混合物に対するガラス粉末量の比率は35〜
65重量%である。前記比率が35重量%未満では焼結
温度が高くなって、本来の低温焼成の目的が達成せられ
ず、65重量%をこえると焼結体の強度および耐湿性な
ど基板としての性質が劣ってくるためである。
前記ガラス粉末の組成範囲は、重量%で、N2Os:3
〜l5、PbO:40〜52、Si2O : 32〜4
0、B2Os  : 2〜8の範囲である。ガラス粉末
組成範囲の限定理由はつぎの通りである。
9102とPbOはガラス構造の骨格をなす酸化物であ
り、前記範囲において良好な基本的ガラスとなるのであ
るが、sto2が少なすぎると軟化温度が低くなりすぎ
て耐熱性が低下し、焼成時に基板が敷板に付着するなど
の不都合を生じ、8102が多すぎると逆に軟化温度が
高くなりすぎ、基板を充分焼結しえない状態となる。P
bOが40重量%以下ではS102とは逆にガラス軟化
温度が高くなりすぎる。
一方、52重量%をこえるとドクターブレード法によっ
て成形されるグリーンシ一トの表面状態がわるくなる。
B2O3はガラスの流動性を改善するが、2重量%以下
ではその改善がみられず、軟化温度が高くなりすぎる。
8重量%をこえると軟化温度が低くなりすぎ、800℃
の焼成温度でもセラミック基板が敷板に付着するように
なるとともに、Agのセラミック基板中への拡散がすす
むようになる。
Al2O3は3〜15重量%の範囲においてガラスの化
学的性質、とくに耐水性を向上させる。3重量%以下で
はその効果が顕著でな<、15重量%より多いとガラス
軟化温度が高くなりすぎる。
なお、製造上の問題として、PbOを多量に含有するガ
ラス組成のため、アルミナ粉末との混合、分散がわるく
なる傾向にあり、そのためグリーンシ一トに凹凸やすじ
などの欠陥が生じやすくなるばあいがあるが、本発明者
らは分散剤を特定することによりこの問題を解決しうる
ことも見出している。
すなわち、前記ガラス粉末とアルミナ粉末との混合物l
00重量部に対して、分散剤としてオレイン酸0.3〜
1.2重量部を含有せしめ、スラリーとしたものを用い
ることによって、前記欠陥を消失させうる。
実施例1〜7および比較例1〜6 まず、第1表のA−Hとなるように原料混合して、14
50〜1600℃で溶融し、急冷してガラスの塊をえ、
これを粉砕して平均粒径5岬のガラス粉末とした。また
代表的な硼珪酸ガラスとして、Si02:8C,  B
2Os  : 12、AJ2Os:2、Na2O ; 
 4、 K2O:0.2 、CaO : 0.3  (
数字は重量%)の組成で知られるコーニング7740 
(パイレックス、コーニングつぎに、前記ガラス粉末か
ら第2表にしたがって選ばれたものと平均粒径2浦のア
ルミナ粉末とを第2表の割合で混合し、これらの各粉末
混合物100重量部に対して、ポリビニルプチラール8
N量部、ジブチルフタレート5重量部、エタノールとト
ルエンの混合溶剤40重量部を加え、さらに分散剤とし
てオレイン酸を0.3〜1.2重量部の範囲内で加え、
24時間ボールミル混合を行ないスラリーを作製した。
これらのスラリーをドクターブレード法により成形し、
厚さ0.2一朧のグリーンシ一トを製造した。なおオレ
イン酸の量は別の検討結果から決定したもので、グリー
ンシ一ト表面の凹凸やすじなどの欠陥を消失させる効果
かえられる必要最少量の観点から決め、0.3重量部以
下ではその効果がみられなかった。
えられたグリーンシ一トを5CI1各に切断して5枚積
層し、ホットプレスして一体化した。このようにして作
製した試片を種々温度で焼成して、焼成基板の吸水率が
ほぼOとなり、かつ焼成収縮率が安定する焼成温度を第
2表に示すごとく見出した。
つぎに、前記5cm角のグリーンシ一ト表面に15重量
%Pd含有のAg/ Pdペーストを用いて、11間隔
、1■幅でスクリーン印刷した。このシートに他のグリ
ーンシ一ト4枚を下打ちし、積層接着して、前記焼成温
度、すなわち最適焼成温度にて焼成し配線基板をえた。
えられた各サンプルについて焼成後の導体周辺の色を観
察した結果を第2表に汁 第2表にみられるように、ガラス粉末組成Hを用いた比
較例5とガラス粉末組成P(コーニング7740)を用
いた比較例6では、Ag/ Pd導体周囲のセラミック
が黄色に変色しているのが認められた。
これに対して、本発明の組成よりなる実施例1〜7のセ
ラミック基板は800〜1000℃内の温度で銀糸導体
と同時焼成することができ、導体周囲のセラミックも黄
色に変色することはなかった。さらに、この変色部分と
変色が認められない部分とをX線マイクロアナライザー
で分析したところ、変色のないところには八gが検出さ
れなかったのに対し、変色部分には八gの存在が認めら
れ、黄色の濃さが強いはどAg濃度は高かった。したが
って導体周囲が変色しないセラミック組成物はAg拡散
性の小さい組威物であると結論できる。
比較例1、3および4はI000℃で焼成しても基板が
充分に収縮せず、導体とのマッチングがとれなかった。
比較例2および5は800℃の焼成でセラミック基板が
敷板に付着するような状態であり、比較例5の導体周囲
のセラミックは薄い黄色を呈していた。比較例6の焼成
温度は最適であったが、導体周囲は比較例5よりも濃い
黄色であった。
なお、前記実施例ではAg/Pd導体を使用したぱあい
について説明しており、実際、本発明にかかわるセラミ
ック組成は銀系導体を用いるぱあいに最適なセラミック
組成であるが、Aus Cus旧などの低温焼戊用の他
の導体とともに用いても何ら差支えない。
[発明の効果] 以上のように、本発明では特定組成範囲のガラス粉末を
特定量のアルミナ粉末と混合して、好ましくはオレイン
酸を分散剤とするグリーンシ一トを用いてセラミック基
板を製造するようにしたので、銀糸導体を用いたときの
Agの拡散が抑制され、銀糸導体の焼き付けに適した8
00〜1000℃という低温で焼成できるセラミック基
板かえられる効果がある。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)ガラス粉末とアルミナ粉末との混合物を用いたセ
    ラミック基板であって、ガラス粉末の組成が重量%表示
    で、 Al_2O_3:3〜15、 PbO:40〜52、 Si_2O:32〜40、 B_2O_3:2〜8 であり、このガラス粉末を、アルミナ粉末との混合物に
    対し35〜65重量%含有したセラミック基板。
JP1163550A 1989-06-26 1989-06-26 セラミツク基板 Pending JPH0329350A (ja)

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JP1163550A Pending JPH0329350A (ja) 1989-06-26 1989-06-26 セラミツク基板

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2012243845A (ja) * 2011-05-17 2012-12-10 Tcst Tech Co Ltd 電子部品を封止するために用いる高密度ltccパッケージ構造及びその高密度ltcc材料

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2012243845A (ja) * 2011-05-17 2012-12-10 Tcst Tech Co Ltd 電子部品を封止するために用いる高密度ltccパッケージ構造及びその高密度ltcc材料

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