JPH0329350A - セラミツク基板 - Google Patents
セラミツク基板Info
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- JPH0329350A JPH0329350A JP1163550A JP16355089A JPH0329350A JP H0329350 A JPH0329350 A JP H0329350A JP 1163550 A JP1163550 A JP 1163550A JP 16355089 A JP16355089 A JP 16355089A JP H0329350 A JPH0329350 A JP H0329350A
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Landscapes
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野]
本発明は、低温焼成セラミック基板、とくに銀糸導体を
使用する回路基板に好適な基板用セラミック組成物に関
する。
使用する回路基板に好適な基板用セラミック組成物に関
する。
【従来の技術]
LSI実装基板の一層の高密度化、高速化に低コストで
対応できると期待されている、800〜1000℃で焼
成可能な、いわゆる低温焼成基板が従来より報告されて
いる(たとえば、エレクトロニク・セラミクス、198
5年、3月号および同、1987年、5月号)。前記の
温度範囲でセラミックスが焼成できることにより、Au
..Ags Ag/ Pd%CuSNiなどの導体が同
時焼成でき、低誘電率セラミックスと低抵抗導体とを組
み合せた多層配線が可能になる。
対応できると期待されている、800〜1000℃で焼
成可能な、いわゆる低温焼成基板が従来より報告されて
いる(たとえば、エレクトロニク・セラミクス、198
5年、3月号および同、1987年、5月号)。前記の
温度範囲でセラミックスが焼成できることにより、Au
..Ags Ag/ Pd%CuSNiなどの導体が同
時焼成でき、低誘電率セラミックスと低抵抗導体とを組
み合せた多層配線が可能になる。
このような組み合せの多層セラミック基板の製造方法a
しては、アルミナ粉末などの無機フィラーと硼珪酸系な
どのガラス粉末との混合物を有機結合剤や可塑剤および
溶剤とによりスラリー化して、これをドクターブレード
で成形してグリーンシ一トと称する柔軟なセラミックシ
一トを作り、この複数枚に上記導体を印刷し、その層間
をパイアホールで継いで多層化し、これを焼成して一体
化される。
しては、アルミナ粉末などの無機フィラーと硼珪酸系な
どのガラス粉末との混合物を有機結合剤や可塑剤および
溶剤とによりスラリー化して、これをドクターブレード
で成形してグリーンシ一トと称する柔軟なセラミックシ
一トを作り、この複数枚に上記導体を印刷し、その層間
をパイアホールで継いで多層化し、これを焼成して一体
化される。
ここで使用される導体の中でも、AgやAg/ Pdの
ような銀糸導体は、低コストであること、空気中で焼成
可能であること、従来より/%イブリ・ソドIC分野で
使用頻度が高く周辺技術とのマッチングがとれているこ
と、などの利点をもっている。
ような銀糸導体は、低コストであること、空気中で焼成
可能であること、従来より/%イブリ・ソドIC分野で
使用頻度が高く周辺技術とのマッチングがとれているこ
と、などの利点をもっている。
[発明が解決しようとする課題]
ところが、これら銀糸導体はセラミック誘電体中を拡散
しやすく、水分の存在下で直流ノくイアスを印加したと
きAgが移動、析出する(マイグレーションと称されて
いる)問題のあることが知られている。本発明者らの検
討によれば、アルミナーガラス複合系セラミックスのガ
ラスの軟化温度が高いほど、セラミックス中のAg拡散
の程度は小さくなる傾向にあったが、このような軟化温
度が高いガラスを用いると、セラミックが1000℃以
下で緻密に焼結しないという問題があった。
しやすく、水分の存在下で直流ノくイアスを印加したと
きAgが移動、析出する(マイグレーションと称されて
いる)問題のあることが知られている。本発明者らの検
討によれば、アルミナーガラス複合系セラミックスのガ
ラスの軟化温度が高いほど、セラミックス中のAg拡散
の程度は小さくなる傾向にあったが、このような軟化温
度が高いガラスを用いると、セラミックが1000℃以
下で緻密に焼結しないという問題があった。
本発明は前述のような問題点を解消するためになされた
もので、八gの拡散が無視しうるほと小さく抑制され、
かつ800〜1000℃の低温で充分焼結可能な組成物
を提供し、Ag系導体配線したセラミック基板をうろこ
とを目的としている。
もので、八gの拡散が無視しうるほと小さく抑制され、
かつ800〜1000℃の低温で充分焼結可能な組成物
を提供し、Ag系導体配線したセラミック基板をうろこ
とを目的としている。
[課題を解決するための手段]
本発明では、アルミナ粉末とガラス粉末との混合物を用
い、その混合物に対するガラス粉末の量が35〜B5重
量%であり、ガラスの組成を重量%で、#2O3:3〜
l5、PbO:40〜52、S12O : 32〜40
、B2O3 : 2〜8の範囲として低温焼成セラミ
・ソク基板をえたものである。
い、その混合物に対するガラス粉末の量が35〜B5重
量%であり、ガラスの組成を重量%で、#2O3:3〜
l5、PbO:40〜52、S12O : 32〜40
、B2O3 : 2〜8の範囲として低温焼成セラミ
・ソク基板をえたものである。
[作 用]
上記組成とすることにより、セラミック基板中へのAg
の拡散は無視できるほどに抑えられ、800〜l000
℃の範囲で焼成させることができる。
の拡散は無視できるほどに抑えられ、800〜l000
℃の範囲で焼成させることができる。
[実施例コ
本発明のセラミック基板において、アルミナ粉末とガラ
ス粉末との混合物に対するガラス粉末量の比率は35〜
65重量%である。前記比率が35重量%未満では焼結
温度が高くなって、本来の低温焼成の目的が達成せられ
ず、65重量%をこえると焼結体の強度および耐湿性な
ど基板としての性質が劣ってくるためである。
ス粉末との混合物に対するガラス粉末量の比率は35〜
65重量%である。前記比率が35重量%未満では焼結
温度が高くなって、本来の低温焼成の目的が達成せられ
ず、65重量%をこえると焼結体の強度および耐湿性な
ど基板としての性質が劣ってくるためである。
前記ガラス粉末の組成範囲は、重量%で、N2Os:3
〜l5、PbO:40〜52、Si2O : 32〜4
0、B2Os : 2〜8の範囲である。ガラス粉末
組成範囲の限定理由はつぎの通りである。
〜l5、PbO:40〜52、Si2O : 32〜4
0、B2Os : 2〜8の範囲である。ガラス粉末
組成範囲の限定理由はつぎの通りである。
9102とPbOはガラス構造の骨格をなす酸化物であ
り、前記範囲において良好な基本的ガラスとなるのであ
るが、sto2が少なすぎると軟化温度が低くなりすぎ
て耐熱性が低下し、焼成時に基板が敷板に付着するなど
の不都合を生じ、8102が多すぎると逆に軟化温度が
高くなりすぎ、基板を充分焼結しえない状態となる。P
bOが40重量%以下ではS102とは逆にガラス軟化
温度が高くなりすぎる。
り、前記範囲において良好な基本的ガラスとなるのであ
るが、sto2が少なすぎると軟化温度が低くなりすぎ
て耐熱性が低下し、焼成時に基板が敷板に付着するなど
の不都合を生じ、8102が多すぎると逆に軟化温度が
高くなりすぎ、基板を充分焼結しえない状態となる。P
bOが40重量%以下ではS102とは逆にガラス軟化
温度が高くなりすぎる。
一方、52重量%をこえるとドクターブレード法によっ
て成形されるグリーンシ一トの表面状態がわるくなる。
て成形されるグリーンシ一トの表面状態がわるくなる。
B2O3はガラスの流動性を改善するが、2重量%以下
ではその改善がみられず、軟化温度が高くなりすぎる。
ではその改善がみられず、軟化温度が高くなりすぎる。
8重量%をこえると軟化温度が低くなりすぎ、800℃
の焼成温度でもセラミック基板が敷板に付着するように
なるとともに、Agのセラミック基板中への拡散がすす
むようになる。
の焼成温度でもセラミック基板が敷板に付着するように
なるとともに、Agのセラミック基板中への拡散がすす
むようになる。
Al2O3は3〜15重量%の範囲においてガラスの化
学的性質、とくに耐水性を向上させる。3重量%以下で
はその効果が顕著でな<、15重量%より多いとガラス
軟化温度が高くなりすぎる。
学的性質、とくに耐水性を向上させる。3重量%以下で
はその効果が顕著でな<、15重量%より多いとガラス
軟化温度が高くなりすぎる。
なお、製造上の問題として、PbOを多量に含有するガ
ラス組成のため、アルミナ粉末との混合、分散がわるく
なる傾向にあり、そのためグリーンシ一トに凹凸やすじ
などの欠陥が生じやすくなるばあいがあるが、本発明者
らは分散剤を特定することによりこの問題を解決しうる
ことも見出している。
ラス組成のため、アルミナ粉末との混合、分散がわるく
なる傾向にあり、そのためグリーンシ一トに凹凸やすじ
などの欠陥が生じやすくなるばあいがあるが、本発明者
らは分散剤を特定することによりこの問題を解決しうる
ことも見出している。
すなわち、前記ガラス粉末とアルミナ粉末との混合物l
00重量部に対して、分散剤としてオレイン酸0.3〜
1.2重量部を含有せしめ、スラリーとしたものを用い
ることによって、前記欠陥を消失させうる。
00重量部に対して、分散剤としてオレイン酸0.3〜
1.2重量部を含有せしめ、スラリーとしたものを用い
ることによって、前記欠陥を消失させうる。
実施例1〜7および比較例1〜6
まず、第1表のA−Hとなるように原料混合して、14
50〜1600℃で溶融し、急冷してガラスの塊をえ、
これを粉砕して平均粒径5岬のガラス粉末とした。また
代表的な硼珪酸ガラスとして、Si02:8C, B
2Os : 12、AJ2Os:2、Na2O ;
4、 K2O:0.2 、CaO : 0.3 (
数字は重量%)の組成で知られるコーニング7740
(パイレックス、コーニングつぎに、前記ガラス粉末か
ら第2表にしたがって選ばれたものと平均粒径2浦のア
ルミナ粉末とを第2表の割合で混合し、これらの各粉末
混合物100重量部に対して、ポリビニルプチラール8
N量部、ジブチルフタレート5重量部、エタノールとト
ルエンの混合溶剤40重量部を加え、さらに分散剤とし
てオレイン酸を0.3〜1.2重量部の範囲内で加え、
24時間ボールミル混合を行ないスラリーを作製した。
50〜1600℃で溶融し、急冷してガラスの塊をえ、
これを粉砕して平均粒径5岬のガラス粉末とした。また
代表的な硼珪酸ガラスとして、Si02:8C, B
2Os : 12、AJ2Os:2、Na2O ;
4、 K2O:0.2 、CaO : 0.3 (
数字は重量%)の組成で知られるコーニング7740
(パイレックス、コーニングつぎに、前記ガラス粉末か
ら第2表にしたがって選ばれたものと平均粒径2浦のア
ルミナ粉末とを第2表の割合で混合し、これらの各粉末
混合物100重量部に対して、ポリビニルプチラール8
N量部、ジブチルフタレート5重量部、エタノールとト
ルエンの混合溶剤40重量部を加え、さらに分散剤とし
てオレイン酸を0.3〜1.2重量部の範囲内で加え、
24時間ボールミル混合を行ないスラリーを作製した。
これらのスラリーをドクターブレード法により成形し、
厚さ0.2一朧のグリーンシ一トを製造した。なおオレ
イン酸の量は別の検討結果から決定したもので、グリー
ンシ一ト表面の凹凸やすじなどの欠陥を消失させる効果
かえられる必要最少量の観点から決め、0.3重量部以
下ではその効果がみられなかった。
厚さ0.2一朧のグリーンシ一トを製造した。なおオレ
イン酸の量は別の検討結果から決定したもので、グリー
ンシ一ト表面の凹凸やすじなどの欠陥を消失させる効果
かえられる必要最少量の観点から決め、0.3重量部以
下ではその効果がみられなかった。
えられたグリーンシ一トを5CI1各に切断して5枚積
層し、ホットプレスして一体化した。このようにして作
製した試片を種々温度で焼成して、焼成基板の吸水率が
ほぼOとなり、かつ焼成収縮率が安定する焼成温度を第
2表に示すごとく見出した。
層し、ホットプレスして一体化した。このようにして作
製した試片を種々温度で焼成して、焼成基板の吸水率が
ほぼOとなり、かつ焼成収縮率が安定する焼成温度を第
2表に示すごとく見出した。
つぎに、前記5cm角のグリーンシ一ト表面に15重量
%Pd含有のAg/ Pdペーストを用いて、11間隔
、1■幅でスクリーン印刷した。このシートに他のグリ
ーンシ一ト4枚を下打ちし、積層接着して、前記焼成温
度、すなわち最適焼成温度にて焼成し配線基板をえた。
%Pd含有のAg/ Pdペーストを用いて、11間隔
、1■幅でスクリーン印刷した。このシートに他のグリ
ーンシ一ト4枚を下打ちし、積層接着して、前記焼成温
度、すなわち最適焼成温度にて焼成し配線基板をえた。
えられた各サンプルについて焼成後の導体周辺の色を観
察した結果を第2表に汁 第2表にみられるように、ガラス粉末組成Hを用いた比
較例5とガラス粉末組成P(コーニング7740)を用
いた比較例6では、Ag/ Pd導体周囲のセラミック
が黄色に変色しているのが認められた。
察した結果を第2表に汁 第2表にみられるように、ガラス粉末組成Hを用いた比
較例5とガラス粉末組成P(コーニング7740)を用
いた比較例6では、Ag/ Pd導体周囲のセラミック
が黄色に変色しているのが認められた。
これに対して、本発明の組成よりなる実施例1〜7のセ
ラミック基板は800〜1000℃内の温度で銀糸導体
と同時焼成することができ、導体周囲のセラミックも黄
色に変色することはなかった。さらに、この変色部分と
変色が認められない部分とをX線マイクロアナライザー
で分析したところ、変色のないところには八gが検出さ
れなかったのに対し、変色部分には八gの存在が認めら
れ、黄色の濃さが強いはどAg濃度は高かった。したが
って導体周囲が変色しないセラミック組成物はAg拡散
性の小さい組威物であると結論できる。
ラミック基板は800〜1000℃内の温度で銀糸導体
と同時焼成することができ、導体周囲のセラミックも黄
色に変色することはなかった。さらに、この変色部分と
変色が認められない部分とをX線マイクロアナライザー
で分析したところ、変色のないところには八gが検出さ
れなかったのに対し、変色部分には八gの存在が認めら
れ、黄色の濃さが強いはどAg濃度は高かった。したが
って導体周囲が変色しないセラミック組成物はAg拡散
性の小さい組威物であると結論できる。
比較例1、3および4はI000℃で焼成しても基板が
充分に収縮せず、導体とのマッチングがとれなかった。
充分に収縮せず、導体とのマッチングがとれなかった。
比較例2および5は800℃の焼成でセラミック基板が
敷板に付着するような状態であり、比較例5の導体周囲
のセラミックは薄い黄色を呈していた。比較例6の焼成
温度は最適であったが、導体周囲は比較例5よりも濃い
黄色であった。
敷板に付着するような状態であり、比較例5の導体周囲
のセラミックは薄い黄色を呈していた。比較例6の焼成
温度は最適であったが、導体周囲は比較例5よりも濃い
黄色であった。
なお、前記実施例ではAg/Pd導体を使用したぱあい
について説明しており、実際、本発明にかかわるセラミ
ック組成は銀系導体を用いるぱあいに最適なセラミック
組成であるが、Aus Cus旧などの低温焼戊用の他
の導体とともに用いても何ら差支えない。
について説明しており、実際、本発明にかかわるセラミ
ック組成は銀系導体を用いるぱあいに最適なセラミック
組成であるが、Aus Cus旧などの低温焼戊用の他
の導体とともに用いても何ら差支えない。
[発明の効果]
以上のように、本発明では特定組成範囲のガラス粉末を
特定量のアルミナ粉末と混合して、好ましくはオレイン
酸を分散剤とするグリーンシ一トを用いてセラミック基
板を製造するようにしたので、銀糸導体を用いたときの
Agの拡散が抑制され、銀糸導体の焼き付けに適した8
00〜1000℃という低温で焼成できるセラミック基
板かえられる効果がある。
特定量のアルミナ粉末と混合して、好ましくはオレイン
酸を分散剤とするグリーンシ一トを用いてセラミック基
板を製造するようにしたので、銀糸導体を用いたときの
Agの拡散が抑制され、銀糸導体の焼き付けに適した8
00〜1000℃という低温で焼成できるセラミック基
板かえられる効果がある。
Claims (1)
- (1)ガラス粉末とアルミナ粉末との混合物を用いたセ
ラミック基板であって、ガラス粉末の組成が重量%表示
で、 Al_2O_3:3〜15、 PbO:40〜52、 Si_2O:32〜40、 B_2O_3:2〜8 であり、このガラス粉末を、アルミナ粉末との混合物に
対し35〜65重量%含有したセラミック基板。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1163550A JPH0329350A (ja) | 1989-06-26 | 1989-06-26 | セラミツク基板 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1163550A JPH0329350A (ja) | 1989-06-26 | 1989-06-26 | セラミツク基板 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0329350A true JPH0329350A (ja) | 1991-02-07 |
Family
ID=15776030
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1163550A Pending JPH0329350A (ja) | 1989-06-26 | 1989-06-26 | セラミツク基板 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0329350A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2012243845A (ja) * | 2011-05-17 | 2012-12-10 | Tcst Tech Co Ltd | 電子部品を封止するために用いる高密度ltccパッケージ構造及びその高密度ltcc材料 |
-
1989
- 1989-06-26 JP JP1163550A patent/JPH0329350A/ja active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JP2012243845A (ja) * | 2011-05-17 | 2012-12-10 | Tcst Tech Co Ltd | 電子部品を封止するために用いる高密度ltccパッケージ構造及びその高密度ltcc材料 |
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