JPH03292390A - 液晶素子およびその製造方法ならびに液晶素子の用途 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 λ１ｎ弦五分１ 本発明は、液晶素子およびその製造方法ならびに液晶素
子の用途に関する。

１更鬼弦薫負ＩＪ 現在、法尻に使用されている液晶化合物を用いた表示デ
バイス鷹　通常はＴＮ（ツイストネマチック）モードに
よって駆動されている。

しかしながら、この方式を採用した場合、表示されてい
る画像を変えるためには、素子中における液晶化合物の
分子の位置を変える必要があるため番へ　駆動時間が長
くなり、液晶化合物の分子位置を変えるために必要とす
る電圧、すなわち消費電力も大きくなるという問題点が
ある。

強誘電性液晶化合物を用いたスイッチング素子は、ＴＮ
モードあるいはＳＴＮモードを利用したスイッチング素
子とは異なり、液晶化合物の分子の配向方向を変えるだ
けでスイッチング素子として機能させることができるた
め、スイッチング時間が非常に短縮される。さら番ミ　
強誘電性液晶化合物のもつ自発分極（Ｐｓ）と電界強度
（Ｅ）とにより与えられるＰｓＸＥの値が液晶化合物の
分子の配向方向を変えるための実効エネルギー強度であ
るので、消費電力も非常に少なくなる。そして、このよ
うな強誘電性液晶化合物は、印加電界の方向によって二
つの安定状態、すなわち双安定性を持つので、スイッチ
ングのしきい優待性も非常に良好であり、動画用の表示
デバイスなどとして用いるのに特に適している。

″における。連載 このような強誘電性液晶化合物を光スイツチング素子な
どに使用する場合、強誘電性液晶化合物には、例えば動
作温度範囲が常温付近あるいはそれ以下にあること、動
作温度幅が広いこと、スイッチング速度が大きい（速い
）ことおよびスイッチングしきい値電圧が適正な範囲内
にあることなど多くの特性が要求される。殊にこれらの
うちでも、動作温度範囲は強誘電性液晶化合物を実用化
する際に特に重要な特性である。

しかしながら、これまで知られている強誘電性液晶化合
物においては、例えば、Ｒ，Ｂ、　Ｍｅｙｅｒ、　ｅｔ
。

ａｌｌ、の論文［ジャーナル・デ・フイジーク（Ｊ、ｄ
ｅＰｈｙｓ、　）　　３６巻Ｌ−６９頁、　１９７５年
コ、田口雅明、原田隆正の論文［第１１回液晶討論会予
稿集１６８頁、　１９８５年コに記載されているように
、一般に動作温度が狭く、また動作温度範囲が広い強誘
電性液晶化合物であっても動作温度範囲が室温を含まな
い高温度域であるなど、強誘電性液晶化合物として実用
上満足できるものは得られていない。

ｉ里辺１上 本発明は、新規な液晶素子およびその製造方法ならびに
液晶素子の用途を提供することを目的としている。

さらに、詳しくは特に動作温度範囲が室温付近ないしそ
れ以下にあり、しかも動作温度幅が広く、スイッチング
速度が大きく、スイッチングしきい値電圧が適正な範囲
にあり、極めて少ない消費電力で作動する鳳　液晶物質
特性の優れた液晶素子を提供することを目的としている
。

また、本発明は、このような新規な液晶素子の製造方法
ならびに用途をも提供することを目的としている。

分」Ｉと」栗 本発明に係る液晶素子は、２枚の基板と、該２枚の基板
によって構成される間隙とからなるセル、および該セル
の間隙に充填された液晶物質より構成される液晶素子に
おいて、 少なくとも一方の基板の液晶物質と対面する面に配向制
御膜が設けられており、 そして、該液晶物質が、下記式［Ａ］で表わされるカル
ボン酸エステル化合物を含有することを特徴としている
。

・・・　［Ａ］ ただし　式［Ａ］において、Ｒ１４炭素数６〜１８のア
ルキル基　炭素数６〜１８のアルコキシ基および炭素数
６〜１８のハロゲン化アルキル基よりなる群から選ばれ
る１種の基であり、ｍは２〜１０の整数であり、Ｃｏは
不整炭素原子を表す。

また、本発明に係る液晶素子の製造方法用　２枚の基板
と、該２枚の基板によって構成される間隙とからなるセ
ル、および該セルの間隙に充填された液晶物質より構成
される液晶素子を製造するに際し 少なくとも一方の基板の液晶物質と対面する面に配向制
御膜が設けられているセルを用い、該セルの間隙に、上
記式［Ａ］で表わされるカルボン酸エステル化合物を含
む液晶物質を充填した後、該セルを該液晶物質が等方相
を示す温度以上の温度から液晶を示す温度以下の温度に
冷却することを特徴としている。

さらに、本発明に係る液晶表示装置および電気光学表示
装置は、上記の液晶素子を用いることを特徴としている
。

本発明の液晶素子は、特に液晶物質分子の配向性に優粗
　しかもコントラストが大きく、動作温度範囲が室温付
近ないしそれ以下にあり、動作温度幅が広く、スイッチ
ング速度が大きく、消費電力が少ないなど、液晶物質特
性に優れている。

本発明の液晶素子を上記のような方法で製造すると、特
に液晶物質の配向性が向上し　従ってコントラスト比が
大きく、動作温度範囲が室温付近ないしそれ以下にあり
、動作温度幅が広く、スイッチング速度が大きく、消費
電力が少ないなど、液晶特性に優れた液晶素子が得られ
る。

そして、このような液晶素子を用いることにより、動作
温度範囲が室温付近あるいはそれ以下にあり、かつ動作
温度幅が広く、スイッチング速度が大きく、消費電力が
きわめて少なく、しかも安定したコントラストが得られ
るなどの優れた特性を有する各種デバイスを得ることが
できる。

泣見曵五准避１３ 次に本発明に係る液晶素子およびその製造方法ならびに
液晶素子の用途について具体的に説明する。

まず本発明に係る液晶素子について説明する。

本発明に係る液晶素子の断面の一例を第１図に示す。

本発明に係る液晶素子は、第１図に示すように、基本的
には、２枚の透明基板１ａ、ｌｂ（以下、単に基板とも
いう）とこの２枚の基板１ａ　ｌｂによって構成される
間隙２とからなるセル３、およびこのセルの間隙２に充
填された液晶物質４より構成されている。

この基板１ａ、ｌｂは、少なくとも一方が透明であるこ
とが必要であり、通常は、基板として、ガラスあるいは
ポリが、ボネート等の透明プラスチック等が使用される
。

このような基板１　ａ、　１　ｂが液晶物質と対面する
面には、通常は、酸化インジウム−スズ等からなる電極
５　ａ、　５　ｂが般けられている。そして、本発明に
おいて６も　基板として、上記のような基板上に透明電
極が一体的に形成された透明電極基板を使用することも
できる。

本発明の液晶素子において、上記のような基板の液晶物
質に接する少なくとも一方の面には配向制御ｌ膜が殺け
られている。したがって、本発明において、配向制御膜
は基板の一方に紋けられていればよいカζ　両者に配向
制御膜が設けられていることが好ましい。第１図には、
配向制御膜が二枚設けられた態様が示されており、この
配向制御膜は６　ａ、　６　ｂで示されている。

そして、本発明において、配向制Ｗ膜は、ポリイミド、
酸化ケイ魚　ポリビニルアルコール、ポリアミド、ポリ
エステル等の有限　無機の膜状物で、特にポリイミドフ
ィルムが好都合である。例えば好ましい態様として、配
向制御膜が一枚の場合には、この−枚の配向制御Ｍがポ
リイミドからなり、また、二枚の配向制御膜を有する場
合には、少なくとも一方がポリイミドからなり、好まし
くは両者がポリイミドからなる。

ポリイミドとしてはイミド結合を含む高分子であればよ
く、フィルム形成が可能であることが好ましい。ポリイ
ミドの具体的な例として屯　宇部興産■製ユービレック
スーＲ１日産化学工業■製サンエバー１３０、日本合成
ゴム■製　ＡＬ−１２５１、日本ポリイミド−製ケルイ
ミド６０１、日立化成工業縛製ＨＬ−１１００などがあ
る。但しこれらの具体例に限定されるわけではない。

このようく　ポリイミドはイミド結合を含む高分子を主
成分とする樹脂であるが、本発明で用いられる配向制御
Ｉ膜は、ポリイミドの特性を損なわない範囲でポリアミ
ド等の他の樹脂を含んでいてもよく、またイミド構成単
位以外の他の構成単位を含む樹脂であってもよい。

配向制御１膜の一方がポリイミド以外の物質で形成され
ている場合に、このポリイミド以外の配向制＃膜は有機
材料から形成されていてもよく、無機材料から形成され
ていてもよい。

有機材料から形成された配向制御膜として（戯例えｌｆ
、　　ポリビニルアルコール、ポリアミドイミド、ポリ
エステル、ポリが、ボネート、ポリビニルアセタール、
ポリ塩化ビニル、ポリ酢酸ビニル、ポリアミド、ポリス
チレン、シロキサンポリイミド、セルロース樹脂、メラ
ミン樹脂、ユリャ樹脂、アクリル樹脂、導電性ポリマー
なとの樹脂類からなる膜を挙げることができる。さらに
、配向制御１１ＫＩＬ　　例えば環化ゴム系フォトレジ
スト、フェノールノボラック系フォトレジスト、あるい
はポリメチルメタクリレート、エポキシ化１，４−ポリ
ブタジェンなどの電子線フォトレジストの硬化体であっ
てもよい。また、配向制御膜は、無機材料から形成され
ていてもよく、この場合に無機配向制御膜を形成する素
材の例として告　ｓｉｏ。

ＳｉＯ３、Ｇｅ０１ＡＩ、Ｏ，、Ｙ２Ｏ６、ＺｒＯ２、
Ｍ　ｇ　Ｆ２、　ＣｅＦ３を挙げることができる。

このような配向制御膜（戴　基板の液晶と接する面に、
上記のような樹脂を例えばスピンコード法などにより塗
布する方法、このように塗布した後に加熱処理する方法
、樹脂フィルムを貼着する方法、感光性樹脂を塗布した
後、エネルギー線を照射して硬化させる方法、無機材料
を蒸着する方法等のように使用する材料に対応させて種
々の方法を採用して形成することができる。

このような配向制御膜の厚さは、通常ｏ、ｏｏｓ〜０．
２５μｍ、　　好ましくは０．０１−０．１５　ｐｍの
範囲内にある。

そして、本発明においては、上記のような配向制御膜は
、それぞれの基板の液晶物質に接する面の上に、一方の
配向制御膜の規制力によって配向される液晶物質と他方
の配向制御膜の規制力によって配向される液晶物質とが
、略平行で、かつ向きが同一ないし逆になるように二枚
の配向制御膜が設けられていることが好ましいが、この
例に限らない。この配向制御膜６　ａ、　６　ｂは、液
晶物質を配向させるとの作用を有している。従って、こ
のように配向制御膜を無秩序に配置するよりも同じ向き
または逆向きに配置して液晶物質を配向処理すると、セ
ル内に注入された液晶物質の初期配向性が向上して、コ
ントラスト等に優れた液晶素子等が得られる。

さらに、本発明において、配向制御膜は、配向処理され
ていることが好ましい。ここで、配向処理と１　液晶分
子を所定の方向に配向させるための処理のことをいい、
例えばポリイミド屯　布などで一方向にこするなどして
行なうラビングにより、配向処理することができる。

本発明で使用されるセル檄　上記のように配向制御膜６
　ａ、　６　ｂが形成された二枚の基板１　ａ、　１　
ｂによって液晶物質を充填する間隙２が形成されている
。このような間隙２（戯　例えば基板１　ａ、　１　ｂ
を、その周囲にスペーサ８を介して配置することにより
形成することができる。このようにスペーサ８を配置す
ることにより、液晶物質を充填するための間隙２を確保
することができると共へ　液晶物質の漏洩を防止するこ
ともできる。なお、間隙２は、上記のような側壁を形成
するスペーサを用いて形成することができると共＆へ　
液晶物質中に所定の粒子径を有する粒子（内部スペーサ
）を配合することにより形成することもできる。

このようにして形成される間隙の幅は、通常１．５〜７
μ鳳　好ましくは１．８〜５μｍの範囲内にある。

なお、本発明の液晶素子において１　例えば光導電乳　
光遮断風　光反射膜などの各種薄膜が基板と反対側の配
向制御膜上に敗けられていてもよい。

本発明の液晶素子においては、上記のようなセルの間隙
２に液晶物質が充填されている。

本発明において使用される液晶物質（戴　下記式［Ａ］
で表わされるカルボン酸エステル化合物を含んでいる。

特に本発明において頃　式［Ａ］で表わされる液晶化合
物を単独で使用することもできるが、　式［Ａ］で表わ
される液晶化合物を少なくとも一種類含む液晶組成物で
あることが好ましい。

・・　［Ａ］ ただｕ　式［Ａ］において、Ｒは炭素数６〜１８のアル
キル基　炭素数６〜１８のアルコキシ基および炭素数６
〜１８のハロゲン化アルキル基よりなる群から選ばれる
１種の基である。またｍは２〜１０の整数であり、Ｃｏ
は不整炭素原子を表わす。

上記式［Ａ］において、Ｒが炭素数６〜１８のアルキル
基である場合には、このようなアルキル基としては、直
鎖次　分枝状および脂環状のいずれの形態であってもよ
い力ｃ　　Ｒが直鎖状のアルキル基であるカルボン酸エ
ステルの分子は、分子がま°っ直ぐに伸びた剛直構造を
とるため、優れた液晶性を示す。このような直鎖状のア
ルキル基の具体的な例としては、ヘキシル基　へブチル
基　オクチル基　デシル基　ドデシル基　テトラデシル
五　オクタデシル基などを挙げることができる。

また、Ｒが炭素数６〜１８のハロゲン化アルキル基であ
る場合、ハロゲン化アルキル基の例としては、上記のよ
うなアルキル基の水素原子の少なくとも一部力？、　　
Ｆ、　　Ｃｌ５Ｂｒ、　　Ｉなどのハロゲン原子で置換
された基を挙げることができる。

また、Ｒが炭素数６〜１８のアルコキシ基である場合に
は、このようなアルコキシ基の例としては、上記のよう
なアルキル基を有するアルコキシ基を挙げることができ
る。このようなアルコキシ基の具体的な例としては、ヘ
キソキシ基　ヘプトキシ基　オクチルオキシ基　デシル
オキシ基　ドデシルオキシ基　テトラデシルオキシ基　
オクタデシルオキシ基を挙げることができる。

上記のようなＲを有する化合物のうちアルコキシ基を有
する化合物が特に優れた液晶性を示す。

上記式［Ａ］においてｍは２〜１ｏの整数である。従っ
て上記式［Ａ］において、 Ｃ・−（ＣＨ２）　、　−〇Ｈ。

Ｈ２ＣＨ３ で表わされる基としては、 ｍが２である　　　Ｈ −Ｃ・−（ＣＨ２）２−ＣＨ５ ＣＨ２ＣＨ。

ｍが３である Ｈ −Ｃ”　−（ＣＨａ　）３　　ＣＨ３ ＣＨ２ＣＨ３ ｍが４である −Ｄ　−（ＣＨ１２）　ａ　−ＣＨ３ ＣＨ２ＣＨ３ ｍが５である　　　Ｈ ■ −Ｃ・−（ＣＨ２）ｓ　−ＣＨ３ ＣＨ２ＣＨ３ ｍが６である　　　Ｈ −Ｃ−−（ＣＨ２）ｅ　−ＣＨ５ ＣＨ２ＣＨ３ などが挙げら瓢　これらの内ではｍが４〜６である化合
物が液晶化合物として有用であり、特にｍが４である下
記のような基を有する化合物が液晶化合物として最も有
用である。

−Ｃ−−（ＣＨｔ　）　４−ＣＨ３ ＧＨｚ　ＣＨｓ すなわち、 本発明のカルボン酸エステル化合物 では、不整炭素原子Ｃ°にエチル基およびｍが２〜１０
のアルキル基が結合している。

上記の不整炭素原子は、エステル結合でフェニレン基と
結合している。

式［Ａ］において、上記のフェニレン基としては、０−
フェニレン基、ｍ−フェニレン基、ｐ−フェニレン基を
挙げることができる。特に本発明のカルボン酸エステル
化合物を液晶化合物として使用する場合にｉ戴　　分子
自体が直線状になることが好ましく、このため、フェニ
レン基としてはｐ−フェニレン基が好ましい。

このフェニレン基は、ＣＨ，２ＣＨ２−で表わされるエ
タン結合を介してナフチレン基と結合している。

このナフチレン基としては、１．４−ナフチレン基１．
６−ナフチレン五１，７−ナフチレン五１，８−ナフチ
レン幕２．５−ナフチレン＆２，６−ナフチレン基２．
７−ナフチレン基等を挙げることができる。特に本発明
のカルボン酸エステル化合物を液晶化合物として使用す
る場合には、分子自体が直線状になることが好ましく、
このため、ナフチレン基としては２．６−ナフチレン基
が好ましい。

なお、このナフチレン基は、例え（！、炭素数１〜３程
度のアルキル基などを有していてもよく、このような置
換基を有することによってこのカルボン酸エステル化合
物の液晶特性が低下することはない。

このナフチレン基の他の一方の結合手は、上記のＲと結
合している。

上記式［Ａ］で表わされる本発明に係るカルボン酸エス
テル化合物としては、具体的には、例えば次式［１コ〜
［４コで表わされる化合物を挙げることができる。

ＣＨ２ＣＨ３［１コ ＣＨ２ＣＨ３・・・　［２］ このような不整炭素原子〇−にエチル基が結合し　かつ
ｍが２〜１０のアルキル基が結合している液晶化合物は
合成が容易であり、これらの化合物を液晶素子として用
いると、動作温度幅が広く、しかも室温付近ないしそれ
以下、たとえば氷点下の温度でもスメクチック相におい
て作動し、消費電力が少なく、スイッチング速度も大き
く、コントラストが大きい等の液晶特性に優れた素子が
得られる。一方、不整炭素原子Ｃ゛に、エチル基の代わ
りにメチル基が結合している下記式［Ａ・コで示される
液晶化合物を液晶素子に用いると、相転移温度が高く、
コントラストが劣る傾向がある。

また、プロピル基などのエチル基よりも長鎖のアルキル
基が結合している液晶化合物は、化合物の合成が困難で
あるばがりでなく、この化合物を液晶素子に用いると、
不整炭素原子Ｃ゛の剛直性が大きくなり液晶性が低下す
る傾向がある。

ＣＨ２ＣＨ３ ・・　「４」 ［Ａ・　］ 本発明のカルボン酸エステル化合物頃　公知の合成技術
を利用して製造することができる。

たとえば、本発明のカルボン酸エステル化合物１戯　以
下に示す合成経路にしたがって合成することができる。

すなわち、たとえｌ！、６−デシルオキシナフタレン−
２−カルボン酸のようなアルコキシナフタレン−カルボ
ン酸に水素化リチルムアルミニウムのような水素化剤を
作用させることにより６−デシルオキシ−２−ヒドロキ
シメチルナフタレン（Ｉ）のようなアルコキシナフタレ
ンのヒドロキシ化合物を得る。

このヒドロキシ化合物（ｉ　と活性二酸化マンガンのよ
うな酸化剤とを反応させることにより６デシルオキシナ
フタレンー２−アルデヒド（ｍ）のようなアルコキシナ
フタレンアルデヒドを得る。

一方、ｐ−トルイル酸と、Ｎ−ハロコハク酸イミドなど
のハロゲン化剤とをジベンゾイルパーオキサイドのよう
な反応開始剤の存在下に反応させることにより４−（ハ
ロメチル）安息香酸（ｍ）のようなハロゲン化物を得る
。

このハロゲン化物（ｍ）とメタノールのようなアルコー
ルとのエステル化反応により、４−（ハロメチル）安息
香酸アルキルエステル（■）を得る。

この４−（ハロメチル）安息香酸アルキルエステル（ｒ
ｖ）とトリフェニルホスフィンとを反応させることによ
り、　（アルコキシカルボニルベンジル）トリフェニル
ホスホニウムハライドのようなハライド（Ｖ）を得る。

そして、前記した６−デシルオキシナフタレン−２−ア
ルデヒド（ｎ）のようなアルコキシナフタレンアルデヒ
ドと、　（アルコキシカルボニルペンシル）トリフェニ
ルホスホニウムハライド（Ｖ）のようなハライドとを反
応させることにより、エテニレン基でフェニレン基とナ
フチレン基とが結合された式（Ｖｌ）で表わされるシス
−トランス異性体混合物（Ｖｌ）を得る。

このシス−トランス異性体混合物（Ｖｌ）と水素とを、
パラジウム−が、ボンなどの水素化触媒の存在下に接触
させて、シス−トランス異性体混合物（Ｖｌ）の中心付
近にあるエテニレン基を水素化して式（■）で表わされ
る化合物を得る。

この化合物（■）と１−エチルへキサノール−１のよう
な不整炭素原子を有する一エチルアルコールとを反応さ
せることにより本発明のカルボン酸エステル化合物（■
）を得ることができる。

なお、上記方法は、本発明におけるカルボン酸エステル
化合物の製造方法の一例であり、本発明におけるカルボ
ン酸エステル化合物；戴　この製造方法によって限定さ
れるものではない。

例えば上記のようにして得られた式［Ａ］で表わされる
カルボン酸化合物が光学活性を有する場合には、このカ
ルボン酸エステル化合物は強誘電性液晶化合物としての
特性を示すようになる。

そして、たとえば上記のような方法により製造されるカ
ルボン酸エステル化合物の１　次式［■］で表わされる
化合物が特に優れた液晶特性を示す。

液晶化合物として特に優れている式［■コで表される化
合物の相転移温度を表１に示す。なお以下に示す表等に
おいて、Ｃｒｙ、　は結晶相、ＳｍＣ傘はカイラルスメ
クチックＣｌ　　ＳｍＡはスメクチックＡｌｌ５ｏは等
方性液体を表わす。

・・・［■］ 表１ 化合物　　　　　Ｃｒｙ　−ＳｍＣ＊　　ＳｍＣ＊　−
Ｉ　ｓ。

［■］　　　　　　　＜−３０’Ｃ３℃本発明における
液晶化合物中には、表１に例示したように、室温付近な
いし氷点下の広い温度範囲でスメクチック相を呈する化
合物が多い。

従東　液晶化合物を単独で使用した場合に、上記の化合
物のように、２０℃以下の温度でスメクチック相を呈す
る液晶化合物はほとんど知られていない。

そして、このようなカルボン酸エステル化合物を含有す
る本発明における液晶物質１戴　スメクチック相を示す
温度が低いだけでなく、たとえ（ｆｌこのような液晶物
質を含む本発明の液晶素子を用いて製造された光スイッ
チング素子６戴　　高速応答性にも優れている。

なお、本発明において、このようなカルボン酸エステル
化合物は単独で使用してもよいし　他の液晶化合物と混
合して使用してもよい。

本発明で使用される液晶物質法　上記のようなカルボン
酸エステル化合物［Ａ］を少なくとも一種類含有してい
る。

本発明で使用される液晶組成物において６戴　　上記の
カルボン酸エステル化合物［Ａ］を、例え戦カイラルス
メクチック液晶組成物の主剤あるいは他のスメクチック
相を呈する化合物を主剤とする液晶組成物の助剤として
使用す−ることができる。

本発明の液晶組成物において上記式［Ａ］で表される液
晶化合物とともに使用することができる液晶化合物の例
としては、（＋）−４″〜（２゛−メチルブチルオキシ
）フェニル−６−オクチルオキシナフタレン−２−カル
ボン酸エステル、４′−デシルオキシフェニル−６−（
（＋）−２°°−メチルブチルオキシ）ナフタレン−２
−カルボン酸エステル、 ＣＨ。

を挙げることができ、 のようなシッフ塩基系液晶化合物、 のようなアゾキシ系液晶化合物、 のようなビフェニル系液晶化合物、 のようなターフエノール系液晶化合物、のような安息香
酸エステル系液晶化合物、のようなシクロヘキシル系液
晶化合物、およびのようなシクロへキシルカルボン酸エ
ステル系液晶化合物、 のようなピリミジン系液晶化合物をも併用することがで
きる。

本発明で用いられる液晶化合物ｊ＆　　電圧を印加する
ことにより、光スイツチング現象を起こすので、この現
象を利用することにより、応答性の良い表示装置を作製
することができる。　（例えば特開昭５６−１０７２１
６号公黴　同５９−１１８７４４号公報参照）。

このような表示装置に使用される強誘電性液晶化合＄１
４　　カイラルスメクチックＣＭ　カイラルスメクチッ
クＦＭ　　カイラルスメクチックＣ相、カイラルスメク
チックＨ相、カイラルスメクチックＩ樵　カイラルスメ
クチックＪ相およびカイラルスメクチックに相のいずれ
かの相を示す化合物であるが、　カイラルスメクチック
Ｃ相（ＳｍＣ傘相）以外で１３　　このような液晶化合
物を用いた表示素子は一般に応答速度が遅いため、従来
では応答速度の大きいカイラルスメクチックＣ相で駆動
させることが実用上有利であるとされていたしかしなが
ら、本発明者らが既に提案したようなカイラルスメクチ
ックＡ相における表示装置の駆動法（特願昭６２−１５
７８０８号明細書参照）を利用することにより、強誘電
性液晶組成物（戴カイラルスメクチックＣ相だけでなく
、カイラルスメクチックＡ相で使用することができる。

従って、上記のようなカルボン酸エステル化合物を含有
している液晶組成物を用いることにより、液晶素子の液
晶温度が広くなり、さらに電気光学対応性が高速化する
。

表２に上記のようなカルボン酸エステル化合物を用いる
ことにより、液晶組成物の相転移温度が広温度域化する
例を示す。表２に示すように、カルボン酸エステル化合
物として、６−デシルオキシー２−［２−（４−（１−
エチルヘキシル）オキシカルボニルＦフェニル］エチル
−ナフタレン［Ｎコを使用し　この化合物を眉いること
により［Ｂ］として表記した液晶物質の相転移温度が広
温度域化する。

具体的には、スメクチック相から液体への相転移温度は
３２℃になるが、Ｃｒｙ−ＳｍＣ傘相の転移温度は２７
℃から一３０℃まで下がるので、相転移温度が広温度域
化する。

表２ ［Ｎコ く−３０℃ ３℃ 「Ｂコ　５０％ ［Ｂ］ ２７℃ ３０℃ ５３℃ 〈註〉上記表中、　［躍コは を表わしている。また［Ｂ］は を表わしている。

本発明で使用される液晶組成物において、上述のように
カルボン酸エステル化合物は、主剤として使用すること
もでき、また助剤として使用することもできる。すなわ
ち、本発明で使用される液晶化合物において、上記式［
Ａ］で表わされる液晶化合物の含有率は、用いられる液
晶化合物の特性、組成物の粘度、動作温度、用途などを
考慮して適宜設定することができる。特に液晶組成物に
おける液晶物質の合計重量に対し、このカルボン酸エス
テル化合物を１〜９９重量服　好ましくは５〜７５重量
部の範囲で適宜設定することができる。

なお、上記の液晶物質中には、上記のカルボン酸エステ
ル化合物および他の液晶化合物に加えて、さらに、たと
えば、電導性賦与剤および寿命向上剤など、通常の液晶
組成物に配合することができる添加剤を配合してもよい
。また色素の二色性を利用した駆動方式の液晶素子に使
用する場合には、二色性色素を配合することもできる。

本発明で用いられる液晶組成物は、上記のカルボン酸エ
ステル化合物ならびに所望により他の液晶化合物および
添加剤を混合することにより製造することができる。

本発明の液晶素子は、基本的には、上記のようなセルの
間隙に上記のカルボン酸エステル化合物を含む液晶物質
を充填することにより製造することができる。

液晶物質は、通常、溶融状態になるまで加熱さ枳　この
状態で内部が真空にされたセルの間隙に充填（注入）さ
れる。

このようにして液晶物質を充填した後、通常（戴密封す
る。

次いで、このように密封されたセルを、セル内の液晶温
度が等方相を示す温度以上の温度に加熱し　その後、こ
の液晶物質が液晶相を示す温度にまで冷却する。

そして、この冷却の際の降温速度は２℃／分以下にする
ことが好ましい。特にこの降温速度を０．１〜２．０℃
／分の範囲内にすることが好ましく、さらに０．１〜０
．５℃／分の範囲内にすることが特に好ましい。このよ
うにセルを冷却する際レミ　冷却速度を上記のようにす
ることにより、初期配向性に便法　配向欠陥のないモノ
ドメインからなる液晶相を有する液晶素子が得られる。

ここで、初期配向性とは、液晶素子に電圧の印加等を行
って液晶物質の配向ベクトルを変える前の液晶物質の配
列状態をいう。

このようにして得られる本発明の液晶素子は、コントラ
スト等が著しく便法　例えば、表面安定化強誘電性液晶
素子、ヘリカル変歪型素子、過渡散乱型素子、ゲストホ
スト型素子、垂直配向液晶素子などとして好適に使用す
ることができる。

そして、本発明に係る液晶素子を用いて各種の液晶表示
装置、および電気光学表示装置を製造することができる
。

また、本発明に係る液晶素子のうち、スメクチックを呈
する液晶組成物が充填された液晶素子は、熱書き込み型
表示素子、レーザー書き込み型液晶表示装置などの記憶
型液晶表示装置として使用することができ、このような
液晶素子を用いて液晶表示装置あるいは電気光学表示装
置を製造することができる。

さらに強誘電性を有するカルボン酸エステル化合物を含
有する液晶組成物を用いることにより、上記のような用
途の（Ｌ　　光シヤツターや液晶プリンターなどの光ス
イツチング素子、圧電素子および焦電素子等の液晶素子
として使用することができ、このような液晶素子を用い
て液晶表示装置あるいは電気光学表示装置を製造するこ
とができる。

すなわち、本発明で使用される液晶物質を用いてカイラ
ルスメクチックＣ相を形成させると、カイラルスメクチ
ックＣ相は、双安定性を示す。したがって、　２つの安
定状態間を電界反転させることにより、この液晶素子を
用いて光スイッチングおよび表示を行なうことができる
。

また、このようなカイラルスメクチックＣ相を示す強誘
電性の液晶物質は自発分極を有するから、−度電圧を印
加すると電界消去後もメモリー効果を有する。そこで、
このメモリー効果を利用すれば液晶素子に電圧を印加し
続ける必要がないので、このような液晶素子からなる表
示デイバイスでは消費電力の低減を図ることができる。

さらに、この場合、表示デイバイスのコントラストは安
定ししかも非常に鮮明になる。

また、このカイラルスメクチック液晶組成物（化合物）
を用いたスイッチング素子では、分子の配向方向を変え
るだけでスイッチングが可能であり、この場合に電界強
度の一次項が駆動に作用するため、低電圧駆動が可能に
なる。

そして、このスイッチング素子を用いれば、数十μ秒以
下の高速応答性を実現できるので、各素子の走査時間は
大幅に短縮さ汰　走査線の多い大画面のデイスプレィ（
液晶表示装置）を製造することができる。　しかも、こ
のデイスプレィは、室温あるいはそれ以下の温度におい
ても作動するので、温度コントロールのための補助手段
を用いることなく、容易に走査させることができる。

さらに、本発明の液晶素子に用いられる液晶物質は、双
安定性を示さないスメクチックＡ相においても、電界が
加わると、誘起的に分子が傾くので、この性質を利用し
て光スイッチングを行なうことができる。

強誘電性液晶化合物（戯　液晶物質の構造上から１戴　
カイラルスメクチックＣ相、カイラルスメクチックＦ＆
　カイラルスメクチックＧｓ、　　カイラルスメクチッ
クＨａ　　カイラルスメクチックエ相、カイラルスメク
チックＪ相およびカイラルスメクチックに相のいずれか
の相を呈するカζ　カイラルスメクチックＣ相（Ｓ　ｍ
Ｃ＊相）以外では、このような液晶化合物を用いた表示
素子は一般に応答速度が遅いため、従来では応答速度の
大きいカイラルスメクチックＣ相で駆動させることが実
用上有利であるとされていた しかしながら、本発明者らが既に提案したようなカイラ
ルスメクチックＡ相における表示装置の駆動法およびス
メクチックＡ相で駆動させることのできる表示装置（特
願昭６２−１５７８０８号明細書参照）によれば、上記
のようなカイラルスメチックＣ相だけでなく、スメクチ
ックＡ相でも駆動させることができる。

さらを−本発明の液晶素子に用いられる液晶物質は、カ
イラルスメチックＣ相よりも高い秩序をもっているカイ
ラルスメクチクＦ相などの液晶相においても、２つ以上
の安定状態を示すので、スメクチックＡ相の場合と同様
に光スイッチングを行なうことができる。

本発明の液晶素子を用いた表示方法の例としては、具体
的には以下に示す方法を挙げることができる。

第１の方法は、本発明の液晶素子を２枚の偏光板の間に
介在させ、この液晶素子に外部電圧を印加し　強誘電性
液晶組成物の配向ベクトルを変えることにより、２枚の
偏光板と強誘電性液晶組成物の複屈折とを利用して表示
を行なう方法である。

また、本発明の液晶素子を用いた第２の表示方法は、液
晶物質として、二色性色素が配合された液晶組成物を用
い、色素の二色性を利用する方法であり、この方法は、
強誘電性液晶化合物の配向方向を変えることにより色素
による光の吸収波長を変えて表示を行う方法である。こ
の場合に使用する色素は通常二色性色素であり、このよ
うな二色性色素の例としては、アゾ色黒　ナフトキノン
色像　シアニン系色素およびアントラキノン系色素など
を挙げることができる。

なお、本発明に係る液晶素子は、上記の方法の他に、通
常利用されている各種表示方法で採用することもできる
。

また、本発明に係る液晶素子を用いて製造された表示デ
イバイスは、スタティック駆紘　単純マトリックス駆動
および複合マトリックス駆動などの電気アドレス表示　
光アドレス表示　熱アドレス表示ならびに電子ビームア
ドレス表示等の駆動方式により駆動させることができる
。

ｉ里辺力Ｊ 本発明に係る液晶素子は、不整炭素原子原子にエチル基
が結合したカルボン酸エステル化合物を含む液晶物質を
用い、配向制御膜としてポリイミドを用いているため、
動作温度幅が広く、しかも室温付近ないしそれ以下、た
とえば氷点下の温度でもスメクチック相において作動し
　消費電力が少なく、スイッチング速度も大きく、コン
トラストが大きい。

また、本発明では、前述したような方法で液晶素子を製
造しているので、上記のようへ　特に動作温度範囲が室
温付近ないしそれ以下にあり、動作温度幅の広い液晶素
子を容易に製造することができる。

さらに、このような素子を用いて製造した液晶表示装置
あるいは電気光学表示装置においては、走査時間を大幅
に短縮することができるだけでなく、室温以下の温度で
使用することもできる。

また、本発明で用いられる液晶物質は自発分極を有する
カルボン酸エステル化合物を含有することができるので
、電界消去後もメモリー効果を持つデイバイスを得るこ
とができる。

このようなデイバイスでは、消費電力が少なく、安定し
たコントラストが得られる。また、低電圧駆動も可能で
ある。このようなデイバイスは、カルボン酸エステル化
合物のスメクチック相における双安定性を利用している
ので、室温以下の温度で光スイッチングに好ましく用い
られる。

次に本発明の実施例を示す力ｆ１　　本発明はこれらの
実施例に限定されるものではない。

・・・　［■］ で表わされる６−デシルオキシー２−　［２−（４−（
（１−エチル）ヘキシル）オキシカルボニル）フェニル
コニチル−ナフタレン［■コの合り 亀上役！ ６−　デシルオキシ−２−ヒドロキシメチルナフタレン
［１コの合成 水素化リチウムアルミニウム１．０を無水ＴＨＦ５０に
懸濁した　この懸濁液へ　アルゴン雰囲気下Ｏ℃で６〜
デシルオキシナフタレン−２−カルボン酸１．　３４８
　ｇ　（４ｍｍｏｌ）の無水ＴＨＦ溶液１００ｍ１を少
しずつ滴下した　滴下後、室温に昇温し２時間撹拌を行
なった　さら＆ミ　加熱し還流下で１時間反応を続行し
た 上記のようにして１時間反応を行ない、次いで放冷した
後、反応液をエーテル１５０ｍ１で希釈狐氷浴中、飽和
硫酸ナトリウム水溶液をゆっくりと加え、過剰のＬｉＡ
ＩＨ，を分解し反応を停止させた ＬｉＡＩＨ，の分解が終了すると、白色固形物が沈澱し
九　この固形物をガラスフィルターを用いて濾別し　濾
液を無水硫酸ナトリウムで乾燥し低沸点物を留去し粗生
成物を得た この粗生成物をヘキサン／酢酸エチル混合溶媒［混合容
量比＝５；　　１］から再結晶させて、６−デシルオキ
シ−２−ヒドトキシメチルナフタレン［ｒ］１．０８ｇ
を得た　収率８５．８％ 免又貫１ ６−デシルオキシナフタレン−２−アルデヒド［ｎ］上
記のようにして得られた６−デシルオキシ−２〜ヒドロ
キシメチルナフタレン８４．（０，４３ミリモル）をク
ロロホルム１０ｍ１に溶解し、次いで活性化二酸化マン
ガン２３５Ｉｎｇ（２，５７ミリモル）の粉末を加え、
室温下激しく撹拌しながら１２時間酸化反応を行なった このように得られた反応混合物を、濾過助剤としてセラ
イトを用いて濾別し　分取された濾液を濃縮し　粗生成
物を得た この粗生成物をシリカゲル薄層クロマトグラフィー（溶
媒　ヘキサン／エーテル＝３／１　（容量））を用いて
精製して、デシルオキシナフタレン−２−アルデヒド［
ｍ］の白色結晶７２．２１＋＠を得た収率８７％ 第」」良に ４−（ブロモメチル）安息香酸［ｍ］の合成ｐ−トルイ
ル酸（Ｈｔｃ＋ｃｏｏＨ）］　３．　６　ｇ（１００ミ
リモル）、Ｎ−ブロモコハク酸イミドよびジベンゾイル
パーオキサイド１　（４１ミリモル）を四塩化炭素１２
５ｍ１中に懸濁し　強力な撹拌下に加熱し還流下（油浴
９３℃、内温７４℃）で２時間反応を行なうことにより
、黄色ミルク状の反応液が得られた この反応液を水浴で冷却し、析出した結晶物を濾取し　
この結晶物をヘキサンを用いて洗浄し島さらに、この結
晶物を水で洗浄後、エタノールで再結晶し　白色針状晶
の４−（ブロモメチル）安息香酸［田］１４．６ｇを得
へ　（収率６７７％）免±返１ ４−（ブロモメチル）安息香酸メチルエステル［ｒｖ］
の合成 りｒ−ＣＨ２−＠−ＣＯＯＣＨ３・・［ＩＶ　］４−（
ブロモメチル）安息香酸［ｍコと、メタノールとを酸性
触媒下に加熱還流してエステル化することにより４−（
ブロモメチル）安息香酸メチルエステル［ｒｖ］を得た 免）寒１ （メチルオキシカルボニルベンジル）トリフェニルホス
ホニウムボロマイド［Ｖ］の合成−Ｂｒ”　Ｐ　Ｐｈ３
−ＣＨ２＋　ＣＯＯＣＨ３・−［Ｖコ上記第４段階で合
成した４−（ブロモメチル）安息香酸メチルエステル［
■］２．６１ｇ（１１゜４ミリモル）とトリフェニルホ
スフィン３．Ｏｇ（１１，４５ミリモル）とを、ベンゼ
ン１００ｍ１に溶解し　撹拌下に還流温度まで昇温り、
、２時間反応を行なった その後、氷水を用いて冷却し　析出した結晶を吸引濾取
した 得られた結晶をベンゼンから再結晶することにより白色
結晶のホスホニウム塩［ｖ］２．４３ｇを得た　収率４
３％ 免互貫！ ［ＶＩ］の合成 第２段階で得られた６−デシルオキシナフタレン〜２−
アルデヒド［ＩＩ］　４７５．、（２，４７ミリモル）
と、ホスホニウム塩［ｖ］１２１５ｍｇ（２，４７ミリ
モル）を塩化メチレン１０ｍ１に溶解し　この溶液に水
酸化カリウム１４０■（２５ミリモル）の０．　５ｍｌ
水溶液を室温下へ　少しずつ滴下した このように水酸化カリウムを滴下することによってトリ
フェニルホスフィンオキシトが生成し反応液が乳白色に
懸濁した　滴下終了後、さらに２時間反応を続行した 反応終了後、濾過Ｌ　分取された濾液を濃縮賦装置をシ
リカゲルカラムクロマトグラフィーで精製し　シス−ト
ランス混合物［ＶＩ］を５１９．１＠を得た　収率５２
％ なお、得られた反応物の一部を取り、ゲルパーミェーシ
ョンクロマトグラフィー（ＧＰＣ）で分析したところ、
シス形とトランス形との異性体構成比は４：ｌであった 免り返１ ［■］の合成 第６段階で合成したシス−トランス混合物［ＶＩ］を、
触媒として５％パラジウム−が、ボン触媒を使用Ｌ　溶
媒としてエタノールを用いて室温下、常圧で水素をバブ
リングしながら化合物（ＶＩ）の中心部にあるオレフィ
ン性二重結合の水素化を行なっ九　Ｐｄ−Ｃ触媒を濾過
助材セライトを用いて除いた後、濾液を濃縮したところ
、目的物（■）がほぼ定量的に得られた　収率１００％
羨旦盈１ ［■コの合成 式［■〕で表わされる６−デシルオキシー２−［２−（
４−（１−エチルヘキシル）オキシカルボニル）フェニ
ルコニチル−ナフタレンの合成 第７段階で得られたエステル化合物［■コ４４６■（１
ミリモル）、１−エチルヘキサノール２６０１１１ｇ（
２ミリモル）、およびｔ−ブトキシカリウム１１、（０
，１ミリモル）をベンゼン２０ｍ１中に入汰　還流下に
２５時間反応させた　冷却後、不溶物を濾別した後、ベ
ンゼン層を水洗し　次いで濃縮しへ　得られた濃縮物を
カラムクロマトグラフィを用いて分離することにより白
色の固体　３０５ｒｎｇを得九 この固体のＦＤ−マススペクトルの値はＭ／ｅ＝５４４
であり、また第２図にこの化合物のＬＨ−ＮＭＲスペク
トルのチャートを示した　これらの分析の結果より、こ
の化合物は目的とする６〜デシルオキシ−２−［２−（
４−（１−エチルヘキシル）オキシカルボニル）フェニ
ル］エチルーナフタレン（式［■コ）であると同定した 収率５６．１モル％ 上記のようにして得られた次式［ＩＷ］で表わされるカ
ルボン酸エステル化合物［■］と、次式［Ｂ］で表わさ
れる化合物とを５０：５０の重量比で混合して本発明に
おける液晶組成物を製造し結果を表３に示す。

さらに上記式［Ｂ］で表わされる化合物の相転移温度も
表３に併せて記載する。

表３ ［■］ く−３０℃ ３℃ ［Ｂ］ ２７℃ ３０℃ ５３℃ 寡」１匹ヱ 第１図に示すようにＩＴＯ透明電極基板の内面に配向制
御方向が略平行でかつ同じ向きとなるように２毎のラビ
ングしたポリイミド（日立化成工業−製ＰＩＱ−５４０
０）からなる配向制御膜（厚さ°　１５０オングストロ
ーム）が形成されているセルに、上記式［■］で表され
るカルボン酸エステル化合物を溶融し　セルの間隙を減
圧状態にして注入した このようにして液晶化合物質を充填したセルを１００℃
まで加熱１．．１００℃で５分間保持した後、　１℃／
分の速度で２０℃まで冷却して液晶素子を製造した 得られた液晶素子のコントラストを測定したところ８で
あった セル条件 （イ）外形寸法； たて２．５ｃｍＸ横２　、２　ｃｍＸ厚さ１　、５　ｍ
ｍ（ロ）基板：厚さ０．７風　基板材質（ガラス）（ハ
）基板間距離、２μｍ （ニ）側壁寸法； たて１　、８　ｍｍＸ横０．ＩＣｍＸ厚さ２ｐｍ液晶の
評価用に用いる上記のセルは以下の方法で作成しμ ＩＴＯ透明電極膜付きのガラス基板上にポリイミド塗布
を行なった　すなわちポリイミド（日立化成工業−製、
ＰＩＱ−５４００）をスピンコード法によってＩＴ○透
明電極の上に塗布した ポリイミドはＮ−メチルピロリドンを溶媒として１．２
％に薄め２０００ｒｐｍでスピンコードしたこれを３２
５℃で３０分間加熱し　硬化させたところ１５０〜２０
０オングストロームの膜厚のポリイミド膜が作成できた
　この後、ポリイミド膜をナイロン布で一方向に擦るこ
とにより液晶配向性を与えｔら このようにして作成したポリイミド膜塗布済みガラス基
板を二枚重ね合わせて評価用セルを作成した　まず、ポ
リイミド膜を塗布したガラス基板の上に、二枚の基板の
接着とセルギャップを制御するためにエポキシ系接着剤
をシルク印刷により塗布した　エポキシ接着剤は接着主
剤（ＥＨＣ（財）製、ＬＣＢ−３０４Ｂ）、硬化剤（Ｅ
ＨＣ製、ＬＣＢ−３０４Ｂ）とセルギャップ制御のため
のビーズ（ＥＨＣ製、ＧＰ−２０）を１３０：３０：３
に混合して用い九　二枚のガラス基板のうち一枚にはエ
ポキシ系接着剤を塗布し　互いにポリイミド膜が向い合
うように貼合わせへ　これを以下の硬化条件に従って硬
化させたすなわち５０℃−１５分間、６０℃−１５分間
、７０℃−１５分間、　　８０℃−１５分間、　　１２
５℃３０分７１１７、１７０ｔｌニ一６０分１’ｌＪＴ
アル。

このように作成したセルギヤツブ約２μｍの評価用セル
を用いて液晶を評価した なお、本発明においてコントラストは直交する偏光子の
間に液晶素子を置き、この液晶素子を回転して得られる
開時および暗時の透過光強度を測定して工　（開時）／
■　（暗時）の比を算出し　求めた 夫」Ｉ外形 実施例２と同様に、液晶素子を製造しへ　ただし　ポリ
イミドからなる配向制御膜の配向制御方自重　略平行で
かつ逆向きとなるように製造した得られた液晶素子のコ
ントラストを測定したところ、　１４であった 坦淑Ｅ」 実施例２において、　［■］式で表される化合物に代え
て、次式［Ａ”］で表わされるカルボン酸エステル化合
物を用い同方法で液晶素子を製造した ３・・・セル ４・・・液晶物質 ５ａ、　５ｂ・電極（酸化インジウム−スズなど）６ａ
、６ｂ・・・配向制御膜 ８・・・スペーサ 第２図は、本発明のカルボン酸化合物［■］Ｈ１−ＮＭ
Ｒチャートである。

・・・　［Ａ・コ 得られた液晶素子のコントラストを測定したところ１．
３で、コントラストがほとんど得られなかつｔも

【図面の簡単な説明】

第１図は、本発明の液晶素子の断面を概略的に示す図で
ある。 ｌａ、　ｌｂ　・透明基板（例えばガラス、ポリが、ボ
ネート等の透明プラスチック） ２・・・セルの間隙

Claims (9)

【特許請求の範囲】
1. （１）２枚の基板と、該２枚の基板によって構成される
   間隙とからなるセル、および該セルの間隙に充填された
   液晶物質より構成される液晶素子において、 少なくとも一方の基板の液晶物質と対面する面に配向制
   御膜が設けられており、 そして、該液晶物質が、下記式［Ａ］で表わされるカル
   ボン酸エステル化合物を含有することを特徴とする液晶
   素子； ▲数式、化学式、表等があります▼・・・［Ａ］ ［ただし、式［Ａ］において、Ｒは、炭素数６〜１８の
   アルキル基、炭素数６〜１８のアルコキシ基および炭素
   数６〜１８のハロゲン化アルキル基よりなる群から選ば
   れる１種の基であり、ｍは２〜１０の整数であり、Ｃ＾
   −は不整炭素原子を表す］。
2. （２）該配向制御膜が、配向処理された配向制御膜であ
   ることを特徴とする請求項第１項記載の液晶素子。
3. （３）該液晶物質が、上記式［Ａ］において、Ｒがアル
   コキシ基であり、かつｍは４〜６の整数であるカルボン
   酸エステル化合物を含有することを特徴とする請求項第
   １項または第２項記載の液晶素子。
4. （４）該液晶物質が上記式［Ａ］で表わされるカルボン
   酸エステル化合物を１〜９９重量％含んだ液晶組成物で
   ある請求項第１項ないし第３項のいずれかに記載の液晶
   素子。
5. （５）２枚の基板と、該２枚の基板によって構成される
   間隙とからなるセル、および該セルの間隙に充填された
   液晶物質より構成される液晶素子を製造するに際し、 少なくとも一方の基板の液晶物質と対面する面に配向制
   御膜が設けられているセルを用い、該セルの間隙に、下
   記式［Ａ］で表わされるカルボン酸エステル化合物を含
   む液晶物質を充填した後、該セルを該液晶物質が等方相
   を示す温度以上の温度から液晶を示す温度以下の温度に
   冷却することを特徴とする液晶素子の製造方法。 ▲数式、化学式、表等があります▼・・・［Ａ］ ［ただし、式［Ａ］において、Ｒは、炭素数６〜１８の
   アルキル基、炭素数６〜１８のアルコキシ基および炭素
   数６〜１８のハロゲン化アルキル基よりなる群から選ば
   れる１種の基であり、ｍは２〜１０の整数であり、Ｃ＾
   −は不整炭素原子を表す］。
6. （６）該セルを、該液晶物質が等方相を示す温度以上の
   温度から２℃／分以下の降温速度で液晶を示す温度以下
   の温度に冷却することを特徴とする請求項第５項記載の
   液晶素子の製造方法。
7. （７）該配向制御膜が、配向処理された配向制御膜であ
   ることを特徴とする請求項第５項または第６項記載の液
   晶素子の製造方法。
8. （８）請求項第１項ないし請求項第４項のいずれかに記
   載の液晶素子を用いた液晶表示装置。
9. （９）請求項第１項ないし請求項第４項のいずれかに記
   載の液晶素子を用いた電気光学表示装置。