JPH03288424A - 回路作製用レジスト層 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 「産業上の利用分野」 本発明は、フレキシブル配線板（ＦＰＣ）や半導体デバ
イス等を製造する際に利用されているリソグラフィー技
術で用いる回路作製用レジスト層に関する。

「従来の技術」 ＦＰＣは、ベースフィルム上に銅製の配線パターンが形
成されたものである。従来このＦＰＣをサブトラクティ
ブ法等で製造する場合は、リソグラフィー技術が利用さ
れている。すなわち、第２図に示すように、ベースフィ
ルム１上に銅茫２が貼着された銅張積層板３を出発材料
とし、この板の銅箔上にレジストを塗布して回路作製用
レジスト層４を形成し、この回路作製用レジスト層４に
マスク５を重ねて紫外線を照射したあと現像処理を施す
ことにより、第３図に示すようなレジストパターン６を
形成し、このレジストパターン６を利用して銅箔の不要
な部分のみをエツチングして除去し、配線パターンを形
成していた。

そしてこのようにＦＰＣを製造する際に用いる回路作製
用レジスト層４は、従来、−層構造であり、かつまた照
射された紫外線が深部にまで達するように出来るだけ紫
外線が透過可能なレジストによって形成されていた。

「発明が解決しようとする課題」 前記従来の回路作製用レジスト層４は紫外線が透過可能
なｅで、露光時に照射された紫外線は銅箔２の表面２ａ
に到達し、この表面２ａの凹凸によって乱反射される。

そして反射光は再び回路作製用レジスト層４に侵入して
レジストを感光させる。

このため、前記従来の回路作製用レジスト層４を用いる
と、形成されたレジストパターン６の壁面６ａは平滑で
はなく、５μｍ前後幅で乱れた状態、すなわち「ギザ」
あるいは「すそひき」と称される乱れの生じた状態とな
る。

このようなレジストパターンの壁面の乱れは、配線パタ
ーンがピッチ２００μｍ以上である場合には何等問題を
生じなかったが、配線パターンの高密度化の要請に応じ
てピッチを２００μ自未満、特にピッチ１００μ夏以下
とすると、形成される配線パターンに蛇行が生じる問題
があった。

同様の問題は、ＦＰＣをアディティブ法で製造する場合
にも存在する。アディティブ法は、ベースフィルム上に
レジストを塗布して回路作製用レジスト層を形成し、こ
の回路作製用レジスト層を露光してレジストパターンを
得、このレジストパターンの抜けた部分に鯛をメツキし
て配線パターンを形成する方法である。このアディティ
ブ法においても、前記１層構造の回路作製用レジスト層
４を用いると、露光時ベースフィルムの凹凸のある表面
で乱反射した光で回路作製用レジスト１４が再び感光さ
れ、形成されるレジストパターンの壁面が乱れる。そし
てこの状態で飼メツキを行うと、配線ピッチが狭い場合
は前記サブトラクティブ法の場合と同様に、配線パター
ンの蛇行を引き起こす。

本発明は前記事情に鑑みてなされたもので被加工面での
照射エネルギーの乱反射を防止でき、乱れの無い壁面を
有するレジストパターンを形成できる回路作製用レジス
ト層を提供することを目的とする。

「課題を解決するための手段」 本発明の回路作製用レジスト層では、照射エネルギーを
透過可能な上層の下に、該上層を透過した残りの照射エ
ネルギーを全て吸収する下層を設けることによって、前
記課題の解決を図った。

ここで照射エネルギーとは、紫外線の他、Ｘ線、電子ビ
ーム、遠紫外線、レーザ等をも含むものとする。

前記下層を形成するレジストには、この回路作製用レジ
スト層を露光する際に用いられる照射エネルギーを吸収
する能力に優れたものが用いられる。例えば、露光用光
源として紫外線を用いた場合は、公知のレジストをベー
ス（以下、ペースレジストと記す）として、これに黒糸
や素糸等の染料を配合したり反応開始剤の添加量を少な
くすることにより、紫外線消費量を多くした樹脂を配合
すると、下層用として好適なレジストを得ることができ
る。

前記下層を形成するレジストのペースレジストには、下
層の表面部分にエネルギーが照射されただけで反応が完
了するものを用いると良い。

またこのようなペースレジストとしては、照射エネルギ
ーによってラジカルを発生する開始剤等が添加されたも
のも利用できる。

この発明の回路作製用レジスト層の下層は、ごく薄く２
μｍｌ〜３μｍ程度に形成されることが望ましい。

「作用」 この発明の回路作製用レジスト層を用いると、照射エネ
ルギーの一部は上層を通過して下層に到達するが、被加
工面に達する前にこの下層で全て吸収される。

「実施例」 以下、図面を参照して本発明の回路作製用レノスト層を
詳しく説明する。なお前記従来例と同一構成部分には、
同一符号を付して説明を簡略化する。

第１図は本発明の回路作製用レジスト層の一実施例を利
用し、サブトラクティブ法でＦＰＣを製造する際の一工
程を示すものである。

ここに設けられた＠路作製用しシストＩｆＪ１０は、下
層１１と上層１２との２層構造となっている。

下層１１は、厚さは２〜３μｍに形成されている。

この下層１１をなすレノストには、紫外線を吸収する能
力に優れたレジスト、すなわち、従来より用いられてい
るレジスト（反応開始剤の添加量が多いレジスト）をペ
ースレジストとし、これに紫外線吸収能に優れた染料（
黒色染料）を混合したものが用いられている。そしてこ
の下層１１は、前記レジストをスピンコータで＃４箭２
上に塗布することにより形成されている。

上層１２は、紫外線を透過するレジストによって形成さ
れた層で、その厚さは約■０μｌである。

この上層をなすレジストには、前記下層１１をなすレジ
ストのペースレジストとして用いたものを採用した。

このような下層１１と上層１２とからなる回路作製用レ
ジスト層１０を設けると、マスク５を介して照射された
紫外線は上層１２を通過し下層１１に侵入すると、この
下層１１で吸収されて銅箔２の表面に到達するのを阻止
される。このためこの回路作製用レジスト層１０によれ
ば、銅箔２の表面２ａの凹凸による紫外線の乱反射を避
けることができ、反射光によるレジストパターンの壁面
の乱れ、即ち「ギザ」、「すそひき」等の発生を防止で
きる。そして、緻密な配線パターンを蛇行させることな
く形成できる。

またこの回路作製用レジスト層１０によれば、下層１１
を紫外線吸収能力が優れたレジストで形成することによ
り銅茫２の表面への紫外線の到達を防止したので、上層
１２の部分は完全に紫外線の露光を受ける。従ってこの
回路作製用レジスト層！０によれば、回路作製用レジス
［１０全′体としての解像度、感度の低下を回避するこ
とができる。

またこの回路作製用レジスト！１０によれば、上層１２
が従来と同様のレジストで形成されるので、露光前後の
回路作製用レジスト層］Ｏの表面の色の濃度変化は従来
と同様に生じる。従ってこの回路作製用レジスト１ｆＩ
Ｏによれば、従来と同様に回路作製用レジスト層１０の
表面を観察することにより、露光処理前後の判別を容易
に付けることができる。

またこの回路作製用レジスト層ＩＯでは、下層１１をな
すペースレジストと同一のレジストを用いて上層１２が
形成されているので、同一の原像液で処理を行うことが
できる。従ってこの回路作製用レジストＨＩＤを用いた
場合には、１回の工程で下層１１と上層１２とを同時に
原像処理でき、回路作製用レジスト層ＩＯを２Ｍ構造と
することによる原像処理工程の繁雑化を回避できる利点
がある。

なお前記実施例には、回路作製用レジスト層１０をサブ
トラクティブ法に応用してＦＰＣを製造する例を示した
が、本発明の回路作製用レジスト！Ｊ１０はアディティ
ブ法でＦＰＣを製造する際にも、さらには半導体デバイ
スを製造する際にも利用することができる。

「発明の効果ヨ 以上説明したように本発明の回路作製用レジスト層は、
照射エネルギーが透過可能な上層と、該上層を透過した
残りの照射エネルギーを完全に吸収する下層からなるも
のなので、露光時に照射されたエネルギーは上層を通過
して下層に到達すると、ここで吸収されて被加工面に到
達するのを阻止される。このため本発明の回路作製用レ
ジスト層によれば、＃４済の表面の凹凸による紫外線の
乱反射を避けることができ、反射光によるレジストパタ
ーンの壁面の乱れ、即ちＦギザコ、「すそひきコ等の発
生を防止できる。そして、緻密な配線パターンを蛇行さ
せることなく形成するために必要な平滑な壁面を有する
レジストパターンを作ることができる。

また本発明の回路作製用レジスト層によれば、下層のみ
を照射エネルギー吸収能を有するレジストで形成すれば
良いので、上層の部分は従来と同様に露光させることが
できる、従って本発明の回路作製用レノスト層によれば
、回路作製用レノスト層全体としての解像度、感度の低
下を回避することができる。

また本発明の回路作製用レジスト層によれば、上層を従
来と同様のレジストで形成できるので、露光前後の回路
作製用レジスト層の表面の色の濃度変化等は従来と同様
に生じる。従って本発明の回路作製用レジスト層によれ
ば、回路作製用レジスト層の表面を観察することにより
、従来と同様に露光処理前後の判別を行うことができる
。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の回路作製用レジスト層の一実施例を利
用してＦＰＣを製造する際の一工程を示す断面図、第２
図は従来の回路作製用レジスト層によってＦＰＣを製造
する際の一工程を示す断面図、第３図はレジストパター
ンを形成した状態を示す断面図である。 ２・・・＃ｌ箭、２ａ・・・表面、１０・・・レジスト
層、１１・・・下層、１２・・・上層。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 　被加工面の上に形成される回路作製用レジスト層であ
   って、 照射エネルギーが透過可能な上層と、該上層を透過した
   残りの照射エネルギーを完全に吸収する下層とからなる
   ことを特徴とする回路作製用レジスト層。