JPH0328759U - - Google Patents

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JPH0328759U
JPH0328759U JP8869889U JP8869889U JPH0328759U JP H0328759 U JPH0328759 U JP H0328759U JP 8869889 U JP8869889 U JP 8869889U JP 8869889 U JP8869889 U JP 8869889U JP H0328759 U JPH0328759 U JP H0328759U
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image reading
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semiconductor substrate
hole
conductivity type
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【図面の簡単な説明】
第１図ａは本考案に係る画像読み取り装置の一
実施例を示す要部平面図、第１図ｂは同じく要部
断面図、第２図は従来の画像読み取り装置を示す
断面図、第３図は他の従来の画像読み取り装置を
示す断面図である。 １……半導体基板、３……センサ部、６……透
孔、７……導電材料。

Claims (1)

  1. 【実用新案登録請求の範囲】 (1) 一導電型不純物を含有する半導体基板の所
    定部分に逆導電型不純物を含有する領域を形成し
    てセンサ部を形成して成る画像読み取り装置にお
    いて、前記センサ部を構成する半導体基板の表面
    側から裏面側に貫通する光照射用の透孔を形成し
    たことを特徴とする画像読み取り装置。 (2) 前記透孔の内壁面を遮光材料で被覆したこ
    とを特徴とする請求項(1)に記載の画像読み取り
    装置。 (3) 前記半導体基板表面の透孔周縁部あるいは
    周辺部に逆導電型不純物を混入せしめたことを特
    徴とする請求項(1)及び(2)に記載の画像読み取り
    装置。
JP8869889U 1989-07-27 1989-07-27 Pending JPH0328759U (ja)

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