JPH03285357A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
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- JPH03285357A JPH03285357A JP8788890A JP8788890A JPH03285357A JP H03285357 A JPH03285357 A JP H03285357A JP 8788890 A JP8788890 A JP 8788890A JP 8788890 A JP8788890 A JP 8788890A JP H03285357 A JPH03285357 A JP H03285357A
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- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims abstract description 23
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- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 abstract description 4
- 239000010703 silicon Substances 0.000 abstract description 4
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Landscapes
- Thyristors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、例えばゲートターンオフサイリスタ（以下Ｇ
ＴＯサイリスタと記す）のように半導体基板の一面上に
電気的制御のためのゲート電極を設けた半導体装置に関
する。
ＴＯサイリスタと記す）のように半導体基板の一面上に
電気的制御のためのゲート電極を設けた半導体装置に関
する。
半導体基板の一面上のゲート電極を外部の制御回路と接
続するためにはゲート取出し電極構造が必要となる。Ｇ
Ｔ○サイリスタのように、ターンオフ動作時ゲート電極
に一時的に大電流が流れるような半導体装置においては
、取出し導体とゲートＭｉ極との接触部分を広くし、ゲ
ート電流による半導体基板内の横方向の電圧降下を極力
小さくしよっとしている。第２図は、従来行われている
ＣＴｏサイリスタの組立構造の断面図を示している。
続するためにはゲート取出し電極構造が必要となる。Ｇ
Ｔ○サイリスタのように、ターンオフ動作時ゲート電極
に一時的に大電流が流れるような半導体装置においては
、取出し導体とゲートＭｉ極との接触部分を広くし、ゲ
ート電流による半導体基板内の横方向の電圧降下を極力
小さくしよっとしている。第２図は、従来行われている
ＣＴｏサイリスタの組立構造の断面図を示している。
支持板とその上に固着されたシリコン基板からなる半導
体基体ｌの主表面には、開示しないが分割配置されたカ
ソード電極とそのカソード電極をとり囲むようにゲート
電極が設けられている。カソード電極には、シリコンに
近い熱膨張係数を持つｎｏなどからなる接％！電極板２
および銅などからなるカソードボスト３が順次接触し、
半導体基体１の他面側の支持板にはアノードボスト４が
接触している。そして、ゲート引出し構造は、第３図に
拡大して示すように、シリコン基板の一面の中心部およ
び外周に近い環状部において、ゲート電極に当接するゲ
ート端子５がカソードボスト３の凹部３１に収容され、
同し凹部３１内に収容されたばね部材６によりゲート引
出し導体７を介して押圧される。凹部３１内には、ゲー
ト端子５と他の部品との絶縁を確保するための絶縁部材
８１および絶縁キャンプ８２も収容されている。ゲート
端子５は半導体基体１の中心部と外周部でゲート電極に
接触し、カソードボスト３の溝部３２を遣るゲート引出
し導体７を介して外部端子９に接続されている。なお、
カソードボスト３およびアノードボスト４は可撓的に結
合されるセラミック側壁１０と共に容器を構成する。
体基体ｌの主表面には、開示しないが分割配置されたカ
ソード電極とそのカソード電極をとり囲むようにゲート
電極が設けられている。カソード電極には、シリコンに
近い熱膨張係数を持つｎｏなどからなる接％！電極板２
および銅などからなるカソードボスト３が順次接触し、
半導体基体１の他面側の支持板にはアノードボスト４が
接触している。そして、ゲート引出し構造は、第３図に
拡大して示すように、シリコン基板の一面の中心部およ
び外周に近い環状部において、ゲート電極に当接するゲ
ート端子５がカソードボスト３の凹部３１に収容され、
同し凹部３１内に収容されたばね部材６によりゲート引
出し導体７を介して押圧される。凹部３１内には、ゲー
ト端子５と他の部品との絶縁を確保するための絶縁部材
８１および絶縁キャンプ８２も収容されている。ゲート
端子５は半導体基体１の中心部と外周部でゲート電極に
接触し、カソードボスト３の溝部３２を遣るゲート引出
し導体７を介して外部端子９に接続されている。なお、
カソードボスト３およびアノードボスト４は可撓的に結
合されるセラミック側壁１０と共に容器を構成する。
このようなゲート引出し構造の組立は、カソードボスト
３の凹部３１の中に絶縁部材８１．ばね部材６を取付け
、次いでゲート集電電極７をカソードボスト３の凹部３
１、溝３２に挿入すると共に端部を外部引出し端子９と
結合し、さらにゲート端子５および絶縁キャップ８２を
挿入することによって行われる。
３の凹部３１の中に絶縁部材８１．ばね部材６を取付け
、次いでゲート集電電極７をカソードボスト３の凹部３
１、溝３２に挿入すると共に端部を外部引出し端子９と
結合し、さらにゲート端子５および絶縁キャップ８２を
挿入することによって行われる。
しかし、このような組立により高精度のゲート引出し構
造を得るには、組立部材の加工精度および組立作業技術
への要求がきびしく、このために、生産能率が向上せず
、製品コスト高の原因となっていた。
造を得るには、組立部材の加工精度および組立作業技術
への要求がきびしく、このために、生産能率が向上せず
、製品コスト高の原因となっていた。
本発明の目的は、上述の欠点を除去し、生産能率の向上
と製品コストの低減を可能にする簡略化されたゲート引
出し構造を有する半導体装置を提供することにある。
と製品コストの低減を可能にする簡略化されたゲート引
出し構造を有する半導体装置を提供することにある。
上記の目的を達成するためには、本発明は、容器内に収
容された半導体基板の一生表面上に設けられたゲート電
極に電気的に接続されるデー１出し導体が容器外に引出
される半導体装置において、ゲート引出し導体がほぼ一
平面上にある集電部および引き出し部と、一端がその集
電部に固着され、他端がゲート電極に接触可能のばね性
のある接触部からなるものとする。
容された半導体基板の一生表面上に設けられたゲート電
極に電気的に接続されるデー１出し導体が容器外に引出
される半導体装置において、ゲート引出し導体がほぼ一
平面上にある集電部および引き出し部と、一端がその集
電部に固着され、他端がゲート電極に接触可能のばね性
のある接触部からなるものとする。
ゲート引出し導体をゲート電極への接触部と集電部およ
び容器外への引出し部とを固着して形成することにより
、接触部分、加圧機構および集電部分が一体化され、構
造が簡略化し、ゲート端子ばね部材などの部品挿入の作
業が省略できる。
び容器外への引出し部とを固着して形成することにより
、接触部分、加圧機構および集電部分が一体化され、構
造が簡略化し、ゲート端子ばね部材などの部品挿入の作
業が省略できる。
以下、本発明の実施例を図を引用して説明する。
第１図は、本発明の一実施例のＧＴＯサイリスタを示し
、第２図、第３図と共通の部分には同一の符号が付され
ている。第１図のＧＴＯサイリスタの第２図のＧＴＯサ
イリスタの大きく異なる点は、半導体基体ｌの主表面の
中心部と外周近くの環状部におけるゲート電極との接触
が第４図に詳細に示すようにゲート引出し導体７の環状
の集電部７１と直線上の引出し部７２から突出したばね
性のある接触部７３によって行われていることである。
、第２図、第３図と共通の部分には同一の符号が付され
ている。第１図のＧＴＯサイリスタの第２図のＧＴＯサ
イリスタの大きく異なる点は、半導体基体ｌの主表面の
中心部と外周近くの環状部におけるゲート電極との接触
が第４図に詳細に示すようにゲート引出し導体７の環状
の集電部７１と直線上の引出し部７２から突出したばね
性のある接触部７３によって行われていることである。
集電部７１．引出し部７２および接触部７３は、】Ｕ厚
さのベリリウム銅から一体に形成されている。集電部７
１および引出し部７２は一平面上にあり、大部分は輻２
〜３鶴であるが、接触部７３の周りでは集電部は直径１
０鶴弱の円形にされ、この円形部の外径が、カソードボ
スト３の凹部３１に内接する絶縁部材８の内径に近い寸
法となっている。このゲート引出し導体７によって約６
５鶴の直径のソリコン基板の中心部１ケ所、外周に近い
環状部４ケ所のゲート電極からの集電が完全かつ充分に
行われる。
さのベリリウム銅から一体に形成されている。集電部７
１および引出し部７２は一平面上にあり、大部分は輻２
〜３鶴であるが、接触部７３の周りでは集電部は直径１
０鶴弱の円形にされ、この円形部の外径が、カソードボ
スト３の凹部３１に内接する絶縁部材８の内径に近い寸
法となっている。このゲート引出し導体７によって約６
５鶴の直径のソリコン基板の中心部１ケ所、外周に近い
環状部４ケ所のゲート電極からの集電が完全かつ充分に
行われる。
第１図に示したＧＴＯサイリスタを組立てるには、カソ
ードボスト３の凹部３】に絶縁部材８を挿入したあと、
絶縁部材８の中およびカソードボスト３の溝部３２の中
にゲート引出し導体７を挿入し、引出し部７２の端をセ
ラミ、り側壁１０を貫通する外部ゲート端子９と結合さ
せる。つづいて、接触電極板２．半導体基体１．アノー
ドボスト４を順次積重ね、セラミック側壁１０とカソー
ドボスト３アノードボスト４とを気密に連結することに
より組立ては終わる。
ードボスト３の凹部３】に絶縁部材８を挿入したあと、
絶縁部材８の中およびカソードボスト３の溝部３２の中
にゲート引出し導体７を挿入し、引出し部７２の端をセ
ラミ、り側壁１０を貫通する外部ゲート端子９と結合さ
せる。つづいて、接触電極板２．半導体基体１．アノー
ドボスト４を順次積重ね、セラミック側壁１０とカソー
ドボスト３アノードボスト４とを気密に連結することに
より組立ては終わる。
ゲート引出し導体７は、ベリリウム銅のほか、りん青銅
などの電気良導性のばね用材寥４から形成する。第４図
に示したゲート引出し導体７は１枚の板からプレス成形
で形成でき、最も簡略化された構造である。第５図に示
したゲート引出し導体７は、Ｓ字状のばね部材を集電部
７１にろう付あるいは溶接等で接続して接触部７３とし
たものである。
などの電気良導性のばね用材寥４から形成する。第４図
に示したゲート引出し導体７は１枚の板からプレス成形
で形成でき、最も簡略化された構造である。第５図に示
したゲート引出し導体７は、Ｓ字状のばね部材を集電部
７１にろう付あるいは溶接等で接続して接触部７３とし
たものである。
第６図に示したゲート引出し導体７は、ばね性のある接
触部７３の先端に接触板７４を固着したもので、第４図
のものよりより広い接触面積が必要な場合に通している
。第７図はより高い接触圧を必要とする場合、第８図は
形状の小さい構造の場合にそれぞれ有効なゲート引出し
導体７の例を示している。
触部７３の先端に接触板７４を固着したもので、第４図
のものよりより広い接触面積が必要な場合に通している
。第７図はより高い接触圧を必要とする場合、第８図は
形状の小さい構造の場合にそれぞれ有効なゲート引出し
導体７の例を示している。
以上、ＧＴＯサイリスタにおける本発明の実施例につい
て説明したが、ＧＴＯサイリスタに限らず、半導体基体
主表面上の複数個所で加圧、接触によりゲート電極との
接続を行う半導体装置、例えばＭＯ３型半導体装置など
においても有効に実施できる。
て説明したが、ＧＴＯサイリスタに限らず、半導体基体
主表面上の複数個所で加圧、接触によりゲート電極との
接続を行う半導体装置、例えばＭＯ３型半導体装置など
においても有効に実施できる。
本発明によれば、ゲート電極部への接触可能なばね性を
もつ接触部を集電部に固着し、ゲート弓出し導体を一体
化することにより、半導体基板の一主表面のゲート開城
の各部との均一な接続が、簡略化された組立構造によっ
て可能となった。従って、部品点数のｆｌｌ減による信
顛性の向上のほか組立作業性、生産性が向上し、コスト
低減に大きな効果が得られる。
もつ接触部を集電部に固着し、ゲート弓出し導体を一体
化することにより、半導体基板の一主表面のゲート開城
の各部との均一な接続が、簡略化された組立構造によっ
て可能となった。従って、部品点数のｆｌｌ減による信
顛性の向上のほか組立作業性、生産性が向上し、コスト
低減に大きな効果が得られる。
第１図は本発明の一実施例のＧＴＯサイリスタの断面図
、第２図は従来のＧＴＯサイリスタの断面図、第３図は
そのゲート接ＶＬｔＪＩ造部の拡大断面図、第４図は第
１図に用いたゲート引出し導体の詳細を示し、そのうち
ｔａ＋は平面図、（ｂｌは（ａｌの八−Ａ線における断
面図、第５図、第６図、第７図第８図はそれぞれ本発明
の異なる実施例のＧＴＯサイリスタに用いられるゲート
引出し導体の断面図である。 ｌ：半導体基体、２：接触電極板、３：カソードポスト
、４ニアノードボスト、７：ゲート引出し導体、７１：
集電部、７２：引出し部、７３：接触部、９：外部ゲー
ト端子、１０：セラミック側壁。 第２ｔＡ 第１図 第３図 ７３ 第４図 第５図 第７図 第８因
、第２図は従来のＧＴＯサイリスタの断面図、第３図は
そのゲート接ＶＬｔＪＩ造部の拡大断面図、第４図は第
１図に用いたゲート引出し導体の詳細を示し、そのうち
ｔａ＋は平面図、（ｂｌは（ａｌの八−Ａ線における断
面図、第５図、第６図、第７図第８図はそれぞれ本発明
の異なる実施例のＧＴＯサイリスタに用いられるゲート
引出し導体の断面図である。 ｌ：半導体基体、２：接触電極板、３：カソードポスト
、４ニアノードボスト、７：ゲート引出し導体、７１：
集電部、７２：引出し部、７３：接触部、９：外部ゲー
ト端子、１０：セラミック側壁。 第２ｔＡ 第１図 第３図 ７３ 第４図 第５図 第７図 第８因
Claims (1)
- １）容器内に収容された半導体基板の一主表面上に設け
られたゲート電極に電気的に接続されるゲート引き出し
導体が容器外に引出されるものにおいて、ゲート引出し
導体がほぼ一平面上にある集電部および引き出し部と、
一端がその集電部に固着され、他端がゲート電極へ加圧
接触可能のばね性のある接触部とからなることを特徴と
する半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8788890A JPH03285357A (ja) | 1990-04-02 | 1990-04-02 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8788890A JPH03285357A (ja) | 1990-04-02 | 1990-04-02 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03285357A true JPH03285357A (ja) | 1991-12-16 |
Family
ID=13927418
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8788890A Pending JPH03285357A (ja) | 1990-04-02 | 1990-04-02 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03285357A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2000042663A1 (fr) * | 1999-01-18 | 2000-07-20 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Dispositif a semiconducteur colle par compression |
-
1990
- 1990-04-02 JP JP8788890A patent/JPH03285357A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2000042663A1 (fr) * | 1999-01-18 | 2000-07-20 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Dispositif a semiconducteur colle par compression |
| US6465881B1 (en) | 1999-01-18 | 2002-10-15 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Compression bonded type semiconductor device |
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