JPH03284841A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPH03284841A JPH03284841A JP8658290A JP8658290A JPH03284841A JP H03284841 A JPH03284841 A JP H03284841A JP 8658290 A JP8658290 A JP 8658290A JP 8658290 A JP8658290 A JP 8658290A JP H03284841 A JPH03284841 A JP H03284841A
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- semiconductor substrate
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Landscapes
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、半導体装置の製造方法に関するものであり、
特にシリコンエピタキシャル基板表面のシリコン突起除
去時の表面保護に関する。
特にシリコンエピタキシャル基板表面のシリコン突起除
去時の表面保護に関する。
従来の技術
半導体基板上に、シリコンエピタキシャル層を成長させ
る場合、半導体基板表面に付着したパーティクルにより
、シリコンエピタキシャル層表面に数ミクロン−数十ミ
クロンのシリコン突起（以下エビスパイクと称す）が発
生する。
る場合、半導体基板表面に付着したパーティクルにより
、シリコンエピタキシャル層表面に数ミクロン−数十ミ
クロンのシリコン突起（以下エビスパイクと称す）が発
生する。
このエビスパイクは、後工程にてプロキシミティ一方式
のパターニングを実施する場合、マスクと半導体基板の
間隔が数ミクロンであるため、マスクとエビスパイクが
接触し、マスクにキズが発生し、半導体基板の歩留りを
低下させていた。
のパターニングを実施する場合、マスクと半導体基板の
間隔が数ミクロンであるため、マスクとエビスパイクが
接触し、マスクにキズが発生し、半導体基板の歩留りを
低下させていた。
そこでシリコンエピタキシャル成長後、エビスパイクを
除去するプロセスが用いられた。
除去するプロセスが用いられた。
以下に従来のエビスパイクの除去方法について説明する
。
。
第２図は、従来方法における半導体基板表面に成長した
エビスパイクの除去前と除去後の様子を示したものであ
る。
エビスパイクの除去前と除去後の様子を示したものであ
る。
第２図において、１はサファイヤ板（シリコンより強度
の高い物質）、２はシリコン破砕片、３は半導体基板、
４はエビスパイクである。
の高い物質）、２はシリコン破砕片、３は半導体基板、
４はエビスパイクである。
半導体基板３上に、シリコンエピタキシャル層を成長さ
せる場合、半導体基板３表面に付着したパーティクルに
より、シリコンエピタキシャル層表面に数ミクロン−数
十ミクロンのエビスパイク４が発生する。
せる場合、半導体基板３表面に付着したパーティクルに
より、シリコンエピタキシャル層表面に数ミクロン−数
十ミクロンのエビスパイク４が発生する。
このエビスパイク４を除去するため、半導体基板３を、
サファイヤ板１に衝突させ、エビスパイク４を破砕して
いた。
サファイヤ板１に衝突させ、エビスパイク４を破砕して
いた。
発明が解決しようとする課題
ところが、破砕したエビスパイクはシリコン破砕片２と
なり、第２図に示すように隣接するチップ上までちらば
ってしまう。
なり、第２図に示すように隣接するチップ上までちらば
ってしまう。
このシリコン破砕片２は破砕された後に、水洗・ブラシ
洗浄により取り除かれるが、シリコン破砕片２により半
導体基板３表面にキズが発生したり、シリコン破砕片２
が完全に取り除けず、後工程でのパーティクル増加とな
っていた。
洗浄により取り除かれるが、シリコン破砕片２により半
導体基板３表面にキズが発生したり、シリコン破砕片２
が完全に取り除けず、後工程でのパーティクル増加とな
っていた。
本発明は、前述のようなシリコン破砕片により発生する
半導体基板表面のキズや、パーティクルの増加を防止す
る半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。
半導体基板表面のキズや、パーティクルの増加を防止す
る半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。
課題を解決するための手段
この目的を達成するために、本発明は、エビスパイクの
除去前に半導体基板表面に保護膜を形成するものである
。
除去前に半導体基板表面に保護膜を形成するものである
。
作用
このような保護膜を形成することにより、エビスパイク
を破砕した後、シリコン破砕片が半導体基板表面にちら
ばっても、半導体基板表面が保護膜にて保護されている
ため、キズは発生しない。
を破砕した後、シリコン破砕片が半導体基板表面にちら
ばっても、半導体基板表面が保護膜にて保護されている
ため、キズは発生しない。
又、保護膜を除去することで、シリコン破砕片、ダスト
等も除去され、半導体基板表面を十分に清浄化すること
ができる。
等も除去され、半導体基板表面を十分に清浄化すること
ができる。
実施例
以下、本発明の一実施例について、図面を参照しながら
説明する。
説明する。
第１図は、本発明の一実施例における半導体基板表面に
成長したエビスパイクの除去前と除去後の様子を示した
ものである。
成長したエビスパイクの除去前と除去後の様子を示した
ものである。
第１図において、１はサファイヤ板、２はシリコン破砕
片、３は半導体基板、４はエビスパイク、５は保護膜で
ある。
片、３は半導体基板、４はエビスパイク、５は保護膜で
ある。
シリコンエピタキシャル成長にて発生したエビスパイク
４は、従来同様サファイヤ板ｌに半導体基板３表面を衝
突させ破砕するが、あらかじめ半導体基板３表面に保護
膜５を形成しておく。
４は、従来同様サファイヤ板ｌに半導体基板３表面を衝
突させ破砕するが、あらかじめ半導体基板３表面に保護
膜５を形成しておく。
以下、保護膜５の形成方法とその作用について述べる。
ｑ）水又は、溶剤にて除去可能な保護膜５をエビスパイ
ク４の高さより薄くスピン塗布する。
ク４の高さより薄くスピン塗布する。
この保護膜５により、エビスパイク４のシリコン破砕片
２は、半導体基板３表面と接触しないため、半導体基板
３表面のキズの発生が防止できる。
２は、半導体基板３表面と接触しないため、半導体基板
３表面のキズの発生が防止できる。
又、エビスパイク破砕後、保護膜５を水又は溶剤により
除去すれば、シリコン破砕片も同時に除去でき、パーテ
ィクルの増加も防止できる。
除去すれば、シリコン破砕片も同時に除去でき、パーテ
ィクルの増加も防止できる。
Ｑ）半導体基板３上に数千への熱酸化膜を形成し、この
熱酸化膜を保護膜５として用いる。
熱酸化膜を保護膜５として用いる。
この熱酸化膜により、エビスパイク４のシリコン破砕片
２は、半導体基板３表面と接触しないため、半導体基板
３表面のキズの発生が防止できる。
２は、半導体基板３表面と接触しないため、半導体基板
３表面のキズの発生が防止できる。
又、シリコン破砕片２は破砕後の洗浄にである程度は取
り除けるが、熱酸化膜をフッ酸にて除去すればシリコン
破砕片２を完全に除去でき、パーティクルの増加も防止
できる。
り除けるが、熱酸化膜をフッ酸にて除去すればシリコン
破砕片２を完全に除去でき、パーティクルの増加も防止
できる。
（３）塗布法、ＣＶＤ法等により、不純物拡散源となる
ガラス層を数千へ形成し、このガラス層を保護膜５とし
て用いる。そして半導体基板３中に不純物拡散層を形成
した後、エビスパイク４を破砕する。
ガラス層を数千へ形成し、このガラス層を保護膜５とし
て用いる。そして半導体基板３中に不純物拡散層を形成
した後、エビスパイク４を破砕する。
このガラス層により、エビスパイク４のシリコン破砕片
２は、半導体基板３表面と接触しないため、半導体基板
３表面のキズの発生が防止できる。
２は、半導体基板３表面と接触しないため、半導体基板
３表面のキズの発生が防止できる。
又、ガラス層は不純物層形成後除去するため、シリコン
破砕片２も同時に除去でき、パーティクルの増加も防止
できる。
破砕片２も同時に除去でき、パーティクルの増加も防止
できる。
発明の効果
以上のように本発明によれば、エビスパイク除去の際に
あらかじめ半導体基板表面に保護膜を形成することで、
半導体基板表面のキズ発生や、後工程でのパーティクル
増加を防止でき、半導体装置の歩留りを向上させること
ができる。
あらかじめ半導体基板表面に保護膜を形成することで、
半導体基板表面のキズ発生や、後工程でのパーティクル
増加を防止でき、半導体装置の歩留りを向上させること
ができる。
第１図は本発明の一実施例の半導体装置の製造方法にお
ける半導体基板表面に成長したエビスパイクの除去前と
除去後の様子を示す断面図、第２図は従来の半導体装置
の製造方法における半導体基板に成長したエビスパイク
の除去前と除去後の様子を示す断面図である。 １・・・・・・サファイヤ板、２・・・・・・シリコン
破砕片、３・・・・・・半導体基板、４・・・・・・エ
ビスパイク、５・・・・・・保護膜。
ける半導体基板表面に成長したエビスパイクの除去前と
除去後の様子を示す断面図、第２図は従来の半導体装置
の製造方法における半導体基板に成長したエビスパイク
の除去前と除去後の様子を示す断面図である。 １・・・・・・サファイヤ板、２・・・・・・シリコン
破砕片、３・・・・・・半導体基板、４・・・・・・エ
ビスパイク、５・・・・・・保護膜。
Claims (4)
- （１）半導体基板にシリコンエピタキシャル成長層を形
成する工程と、前記シリコンエピタキシャル成長層表面
に保護膜を形成する工程と、前記シリコンエピタキシャ
ル成長層表面に発生したシリコン突起を破砕する工程と
、前記シリコン突起を破砕後前記保護膜を除去する工程
とを備えたことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - （２）保護膜として水又は溶剤にて除去可能な保護膜を
塗布形成することを特徴とする特許請求の範囲第１項記
載の半導体装置の製造方法。 - （３）保護膜として熱酸化膜を形成することを特徴とす
る特許請求の範囲第１項記載の半導体装置の製造方法。 - （４）保護膜として塗布法、ＣＶＤ法等により、ガラス
層を形成することを特徴とする特許請求の範囲第１項記
載の半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8658290A JPH03284841A (ja) | 1990-03-30 | 1990-03-30 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8658290A JPH03284841A (ja) | 1990-03-30 | 1990-03-30 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03284841A true JPH03284841A (ja) | 1991-12-16 |
Family
ID=13891003
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8658290A Pending JPH03284841A (ja) | 1990-03-30 | 1990-03-30 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03284841A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2024004680A1 (ja) * | 2022-06-27 | 2024-01-04 | 信越半導体株式会社 | 接合型発光素子ウェーハ及びその製造方法 |
-
1990
- 1990-03-30 JP JP8658290A patent/JPH03284841A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2024004680A1 (ja) * | 2022-06-27 | 2024-01-04 | 信越半導体株式会社 | 接合型発光素子ウェーハ及びその製造方法 |
| JP2024003708A (ja) * | 2022-06-27 | 2024-01-15 | 信越半導体株式会社 | 接合型発光素子ウェーハ及びその製造方法 |
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