JPH03279288A - シリコン原料供給装置 - Google Patents
シリコン原料供給装置Info
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- JPH03279288A JPH03279288A JP8168990A JP8168990A JPH03279288A JP H03279288 A JPH03279288 A JP H03279288A JP 8168990 A JP8168990 A JP 8168990A JP 8168990 A JP8168990 A JP 8168990A JP H03279288 A JPH03279288 A JP H03279288A
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- Pending
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- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 33
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Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
この発明は、ＣＺ法（チミクラルスキー法）単結晶製造
装置におけるシリコン原料供給装置に関する。
装置におけるシリコン原料供給装置に関する。
（従来の技術）
特開昭６２−２６０７９１号公報において、原料ホッパ
ー内のシリコン原料をゲートバルブな介して原料供給管
に、モしてルツボに送り込む装置が開示されている。
ー内のシリコン原料をゲートバルブな介して原料供給管
に、モしてルツボに送り込む装置が開示されている。
しかし、上記装置では１５０ｇｍ〜３０００用ｍ程度の
Ｓｉ粒がゲートバルブの隙間に入り込んでバルブの開閉
に支障を来たすという問題、更にはシリコン原料がモリ
ブデン等の金属製の原料ホッパーや同じく金属製の原料
供給管に接触して汚染されるという問題がある。
Ｓｉ粒がゲートバルブの隙間に入り込んでバルブの開閉
に支障を来たすという問題、更にはシリコン原料がモリ
ブデン等の金属製の原料ホッパーや同じく金属製の原料
供給管に接触して汚染されるという問題がある。
この問題を解決する手段として、ゲートバルブに代えて
栓状バルブを用いる技術（特開昭６１−１３２５８４号
公報）、そしてシリコン被覆を行う技術（特開昭６１−
２６５８９号公報）が提案されている。
栓状バルブを用いる技術（特開昭６１−１３２５８４号
公報）、そしてシリコン被覆を行う技術（特開昭６１−
２６５８９号公報）が提案されている。
（発明が解決しようとする課題）
しかし、上記手段によってもシリコン原料への汚染が不
可避である。すなわち、シリコン原料は原料ホッパー内
で原料ホッパー内面及び栓状バルブの栓全体で汚染され
る。
可避である。すなわち、シリコン原料は原料ホッパー内
で原料ホッパー内面及び栓状バルブの栓全体で汚染され
る。
本発明は、この問題を解決することを課題としてなされ
た。
た。
（課題を解決するための手段）
本発明に係るシリコン原料供給装置は、原料ホッパー内
のシリコン原料を、原料供給管を通してルツボ内に送り
込む装置であって、前記原料供給管が、シリコン製、石
英製又は管内面にシリコン層の形成されたグラファイト
製であり、前記原料ホッパーの内面がフッ化樹脂でコー
ティングされ、該原料ホッパーがシリコン製栓体を有す
るバルブを備えている。
のシリコン原料を、原料供給管を通してルツボ内に送り
込む装置であって、前記原料供給管が、シリコン製、石
英製又は管内面にシリコン層の形成されたグラファイト
製であり、前記原料ホッパーの内面がフッ化樹脂でコー
ティングされ、該原料ホッパーがシリコン製栓体を有す
るバルブを備えている。
（作 用）
シリコン原料は、内面に樹脂がコーティングされたホッ
パーからシリコン製の栓全体の存する位置を経て、内面
にシリコン又は石英の露出している原料供給管へと流れ
、ルツボへと送り込まれる。したがって、シリコン原料
はルツボに至る迄の間、全く金属と接触することがない
。
パーからシリコン製の栓全体の存する位置を経て、内面
にシリコン又は石英の露出している原料供給管へと流れ
、ルツボへと送り込まれる。したがって、シリコン原料
はルツボに至る迄の間、全く金属と接触することがない
。
（実施例）
以下、本発明を添付図面に基いて説明する。
図面は、本発明の一実施例を示す縦断面図で、単結晶製
造装置と共に示している。
造装置と共に示している。
図において、１はメインチャンバ、２は上部チャンバ、
３は下部チャンバ、４はプルチャンバであり、上記チャ
ンバ１，２．３で区画されたスペース内にルツボ５が配
され、該ルツボ５の周囲にヒータ６が、モしてヒータ６
の周囲に保温材７が配されている。８は電極、９はシリ
コン融液、１０は単結晶、１１はシートチャック、１２
はワイヤーを示す。
３は下部チャンバ、４はプルチャンバであり、上記チャ
ンバ１，２．３で区画されたスペース内にルツボ５が配
され、該ルツボ５の周囲にヒータ６が、モしてヒータ６
の周囲に保温材７が配されている。８は電極、９はシリ
コン融液、１０は単結晶、１１はシートチャック、１２
はワイヤーを示す。
そして、上記上部チャンバ２に、本発明に係るシリコン
原料供給装置が取付けられている。
原料供給装置が取付けられている。
具体的には、上部チャンバ２に原料供給管１３を挿嵌す
るための取付は孔１４を形成し、石英製の原料供給管１
３の下端なルツボ５の上方に臨ませると共に、上端を上
部チャンバ２の外（上方）に突出せしめ、この突出端部
に原料ホッパー１５の脚部１６下端を突き合せて接合し
、該突き合せ部分をカバー材１７で固定し、原料供給管
１３と原料ホッパー１５とを一体化している。１８は上
記突き合せ接触部分に配されたＯリングである。
るための取付は孔１４を形成し、石英製の原料供給管１
３の下端なルツボ５の上方に臨ませると共に、上端を上
部チャンバ２の外（上方）に突出せしめ、この突出端部
に原料ホッパー１５の脚部１６下端を突き合せて接合し
、該突き合せ部分をカバー材１７で固定し、原料供給管
１３と原料ホッパー１５とを一体化している。１８は上
記突き合せ接触部分に配されたＯリングである。
なお、上記原料供給管１３は、石英製のものに限らず、
シリコン製であっても、また、管内面にシリコン層の形
成されたグラファイト製であってもよい。
シリコン製であっても、また、管内面にシリコン層の形
成されたグラファイト製であってもよい。
そして、上記原料ホッパー１５の内面（脚部１６の内面
をも含む）にはフッ化樹脂コーティングが施されている
。このコーティング部分を符号１９で示す。
をも含む）にはフッ化樹脂コーティングが施されている
。このコーティング部分を符号１９で示す。
２０は原料ホッパー１５に取付けられた栓状のバルブで
あって、栓体２１はシリコンで形成され、バルブ２０の
駆動軸２２としては、金属製の軸の外表面にフッ化樹脂
コーティングを施したものを使用している。このコーテ
ィング部分を符号２３で示す。また、２４はシリコン原
料である。
あって、栓体２１はシリコンで形成され、バルブ２０の
駆動軸２２としては、金属製の軸の外表面にフッ化樹脂
コーティングを施したものを使用している。このコーテ
ィング部分を符号２３で示す。また、２４はシリコン原
料である。
上述の本発明に係る装置は、２回目の引上げ以降に栓状
バルブを開いてシリコン原料２４を原料ホッパー１５か
ら原料供給管１３へ、更にはルツボ５へと送り込む如く
用いられる。そしてこの際、送り込まれるシリコン原料
２４は、ルツボ５内に至るまで全く金属と接触せず、し
たがって汚染されることがない。
バルブを開いてシリコン原料２４を原料ホッパー１５か
ら原料供給管１３へ、更にはルツボ５へと送り込む如く
用いられる。そしてこの際、送り込まれるシリコン原料
２４は、ルツボ５内に至るまで全く金属と接触せず、し
たがって汚染されることがない。
因に、本発明装置を用いた場合の融液中の重金属濃度は
１０ｐｐｂａ以下であり、この数値は従来装置に依る重
金属濃度が１００〜５００ｐｐｂａであるのに比較して
著しく低い。
１０ｐｐｂａ以下であり、この数値は従来装置に依る重
金属濃度が１００〜５００ｐｐｂａであるのに比較して
著しく低い。
（発明の効果）
以上説明したように、本発明の装置に依れば、シリコン
原料を汚染させることなくルツボへと供給でき、この結
果、単結晶の品質を向上させることができる。
原料を汚染させることなくルツボへと供給でき、この結
果、単結晶の品質を向上させることができる。
図面は、本発明の一実施例を示す縦断面図である。
５・・・ルツボ １３・・・原料供給装置１５
・・・原料ホッパー １９・・・フッ化樹脂製コーティング ２０・・・バルブ ２１・・・栓体２４・・・シ
リコン原料
・・・原料ホッパー １９・・・フッ化樹脂製コーティング ２０・・・バルブ ２１・・・栓体２４・・・シ
リコン原料
Claims (1)
- 原料ホッパー内のシリコン原料を、原料供給管を通して
ルツボ内に送り込む装置であって、前記原料供給管が、
シリコン製、石英製又は管内面にシリコン層の形成され
たグラファイト製であり、前記原料ホッパーの内面がフ
ッ化樹脂でコーティングされ、該原料ホッパーがシリコ
ン製栓体を有するバルブを備えていることを特徴とする
シリコン原料供給装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8168990A JPH03279288A (ja) | 1990-03-29 | 1990-03-29 | シリコン原料供給装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8168990A JPH03279288A (ja) | 1990-03-29 | 1990-03-29 | シリコン原料供給装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03279288A true JPH03279288A (ja) | 1991-12-10 |
Family
ID=13753326
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8168990A Pending JPH03279288A (ja) | 1990-03-29 | 1990-03-29 | シリコン原料供給装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03279288A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20120156413A1 (en) * | 2009-09-30 | 2012-06-21 | Manabu Kondou | Method of preventing polysilicon from being contaminated with metals |
-
1990
- 1990-03-29 JP JP8168990A patent/JPH03279288A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20120156413A1 (en) * | 2009-09-30 | 2012-06-21 | Manabu Kondou | Method of preventing polysilicon from being contaminated with metals |
| US9828250B2 (en) * | 2009-09-30 | 2017-11-28 | Tokuyama Corporation | Method of preventing polysilicon from being contaminated with metals |
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