JPH0327892A - 溶融型フラックスの製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） この発明は、溶融型フラックスの製造方法に関し、とく
に製造過程において、該フラックス中に不可避に混入す
るカーボン粒子の有利な除去を図ったものである。

（従来の技術） 通常、溶融型のフラックスは、原料を電気炉で熔解した
のち、急冷、凝固させ、ついで粉砕、篩分け過程を経て
製造されるのが一般的である。

ところで電気炉の内壁耐火物としては、マグネシアやカ
ーボン等が用いられているが、マグネシアは、酸性フラ
ックスに対しては溶損が著しいだけでなく、溶融原料の
温度を高温に保てない等の欠点があるため、溶解時間が
著しく長くなり、又炉修原単価も高くつくので、工業的
生産方法としては問題である。

このため多くはカーボン系（以下Ｃ系という）のライニ
ングを行っている。しかしながらこのＣ系ライニングに
あっては、空気との反応による酸化消耗と溶解時におけ
るライニング層の脱落が問題とされている。

これらの欠点は、炉材の改質によって、一部防止される
ことが報告（たとえば特開昭５９−１４７９８１号公報
、特開昭５９−１４７９８２号公報）されているが、そ
れでもまだ完全には防止できず、特にＣの脱落はフラッ
クスの品質確保上致命的な欠点となるため問題となって
いる。すなわち、Ｃライニングが脱落し、製品中に混入
すると、溶接時のブローホールやピ・？トの発生原因と
なり、とりわけ低入熱、高速溶接の場合に問題となる。

現在、かようなＣは、例えば取鍋に受けた溶融フラック
スの表面に浮上したＣをすくうことによって機械的に除
去しているが、この方法は極めて困難なだけでなく、作
業中、安全性の面に問題があり、何らかの対策が必要と
されている。

（発明が解決しようとする課題） この発明は、上記の問題を有利に解決するもので、溶融
原料中に混入したＣ粒子を効果的に除去することによっ
て、品質の向上のみならず、作業の安全化およず省力化
を実現できる溶融型フラックスの有利な製造方法を提案
することを目的とする。

（課題を解決するための手段） さて発明者らは、Ｃの除去試験に先立ち、フラックス中
のＣ粒子の存在形態について綿密な検討を行った。その
結果、フランクス中に存在するＣ粒子は炉壁の脱落や黒
鉛電極（特にニップルの破片）の欠落により混入したも
のであり、通常の製品の製品粒度（８メッシュ以下）で
は、フラックスとＣ粒子が単に機械的に混合された状態
となっていることが判明した。

そこで次に、溶接用フラックスはその戒分上ガラス質で
あり、Ｃ粒子とは導電性が著しく異なることに注目して
、電気的な除去分離について検討したところ、所期した
目的の達或に関し、極めて有効な手段であることの知見
を得た。

なおこのとき、他の分離手段についても種々検討したが
、例えば空気分級はフラックスの粒度範囲が広いため、
比重の小さいＣ粒子とフランクスの細粒とが分離できず
、一方磁選はフラックスの磁力が問題となり、ほんの一
部の銘柄にしか適用できなかった。

この発明は、上記の知見に立脚するものである．すなわ
ちこの発明は、熔融型フラックスの製造に際し、電気炉
にて溶解した原料を、凝固後、粉砕し、ついで静電分離
によってＣ粒子を分離除去することからなる溶融型フラ
ンクスの製造方法である。

（作　用） 従来の溶融型フラックスの製造は、第１図に↑印で示す
ような工程からなっているが、この発明では図中に嘗印
で示したように、粉砕工程後、この例では篩い工程の次
にＣ除去用の静電分離工程を新設する。

なお、製造工程が水砕の場合には、造粒、乾燥工程後に
静電分離工程を設けても良く、いずれにしても各ライン
の構造に応じて適宜に設置すればよい。

（実施例） 第２図に、この発明に従うＣ分離工程を模式的に示す。

なお実験には、帯電させた平板上に落下させる等、種々
の静電分離機のタイプの中で、接地ローターによって分
離選別する型の静電分離装置を使用した。

図中、番号ｌは解砕機、２は篩い、３はホッパ、モして
４が静電分離装置であり、この静電分離装置４は、フィ
ーダー４−１、電極４−２、ローター４−３およびプラ
シ４−４をそなえている。

第２図におけるフラックスの流れについて説明すると、
まず解砕機１で粉砕されたフラックスは篩い２で篩い分
けされ、製品粒度を満足するものはホッパ−３を介して
静電分離装置４に投入される。そしてフィーダー４−１
によってローター゛４−３の上方に導かれ、負電極４−
２によって一に滞電されつつ、十に滞電しているロータ
ー４−３上に落下する。このとき導電体であるＣ粒子は
一の電荷を失い、ローター４−３の十電荷を受け、ロー
クー４−３と同じ十となり反発し落下する。

一方、不良導体であるフラックスは、ローター４−３上
で電荷を失うことなく、ローターの十電荷と引き合い、
ローターに吸着されたままである。

そこでかような吸着フランクスが分離機の後方まで移動
してきたときに、ブラシでかき落として製品とするので
ある。

なお中間で落下するものについては別回収し、静電分離
装置で再処理する。

次に試験条件は次表１にも示すとおり、表１ 使用フラックスはＳｉｎｇ　−　ＭｇＯ　−　Ｔｉｅ２
系で、粒度は−１２メッシュ〜＋４８メッシュである。

電極一ローター間の印加電圧は直ｍ３０．ｏｏＯＶとし
、電極はローターに対し一の極とした。

上記の条件で製造したフラックスのＣ分析値を、従来法
により得たもののＣ分析値と比較して、表２に示す。

表２　フラックス中のＣ量 表３　溶接条件 同表より明らかなように、静電分離処理を施した発明品
は、従来品よりもＣ値が大幅に低減していた。

次に上記のフラックスを用い、表３に示す溶接条件で５
００ｍｍのビードを２０本作った場合に、ビード表面に
発生したビット状の凹み数について調べた結果を表４に
示す。なお表３に示した溶接条件は、Ｃの影響が明瞭に
現れる、極めて厳しい条件である。

表４より明らかなように、静電分離処理を施したものに
は欠陥が認められず、極めて良好な結果が得られた。

（発明の効果） かくしてこの発明によれば、極めて高品質の製品が得ら
れるだけでなく、操業上、溶融状態での浮遊Ｃの除去作
業が必要でなくなるので、作業の安全性が向上すると共
に省力化に役立つ。

【図面の簡単な説明】

第１図は、従来法およびこの発明法に従う処理工程を比
較して示したフローチャート、第２図は、この発明法に
従うＣ分離工程の模式図である。 １・・・解砕機　　　　　２・・・篩い３・・・ホッパ
−　　　　４・・・静電分離装置４−１・・・フィーダ
ー　　４−２・・・電極４−３・・・ローター　　　　
４−４・・・ブラシ第１図

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. １、溶融型フラックスの製造に際し、電気炉にて溶解し
   た原料を、凝固後、粉砕し、ついで静電分離によってカ
   ーボン粒子を分離除去することを特徴とする、溶融型フ
   ラックスの製造方法。