JPH03276739A - Tab用テープキャリアおよびその製造方法 - Google Patents
Tab用テープキャリアおよびその製造方法Info
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- JPH03276739A JPH03276739A JP7732790A JP7732790A JPH03276739A JP H03276739 A JPH03276739 A JP H03276739A JP 7732790 A JP7732790 A JP 7732790A JP 7732790 A JP7732790 A JP 7732790A JP H03276739 A JPH03276739 A JP H03276739A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/02—Details
- H05K1/09—Use of materials for the conductive, e.g. metallic pattern
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/30—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor
- H05K3/32—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits
- H05K3/34—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits by soldering
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- H05K3/3473—Plating of solder
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/38—Improvement of the adhesion between the insulating substrate and the metal
- H05K3/382—Improvement of the adhesion between the insulating substrate and the metal by special treatment of the metal
Landscapes
- Wire Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はTAB (Tape Automated B
onding)用テープキャリアおよびその製造方法、
特にIC等の高集積化に対応できる、リード部のパター
ンが微細化されたTAB用テープキャリアおよびその製
造方法に関する。
onding)用テープキャリアおよびその製造方法、
特にIC等の高集積化に対応できる、リード部のパター
ンが微細化されたTAB用テープキャリアおよびその製
造方法に関する。
TAB法は高集積ICの実装を能率よく行うために開発
された方式で、テープキャリア上でIC素子の実装を行
うものである。TAB用テープキャリアは例えば第4図
に断面図、第5図に平面図で示すように、IC素子(図
示せず)を装着するデバイスホール3および位置合わせ
等のための送り孔(パイロットホール)4が形成された
可撓性絶縁フィルム1に、銅箔2を接着剤42により接
着した後、フォトエツチングにより不要部20を除去し
て所定の配線パターンをもつインナーリード部21を有
するリード部2を形成したものである。なお第4図でw
、c、pはそれぞれ後述の導体幅、導体間隔、ピッチを
示している。TAB法においてギヤングボンディングと
呼ばれる工程で、テープキャリアのインナーリード部2
1はIC素子」二の微小電極に加熱圧着して接合される
ので、その表面は接着性のある金属(例えば金)または
低融点の金属接合剤、例えば錫、ハンダ等で被覆される
。絶縁フィルム1は一般に、厚さ70ないし125μm
、幅35mm(または70mm、140mm等)の有機
ポリイミドフィルム、ガラス強化エポキシフィルム等か
ら成る。銅箔2には厚さ18ないし35μmの圧延銅箔
、電解銅箔等が用いられる。デバイスポール3および送
り孔4は可撓性絶縁フィルム1の打ち抜き加工により形
成される。インナーリード部21を有するリード部2は
、銅箔2を可撓性絶縁フィルム1に接着剤42により接
着した後、フォトエツチングにより不要部20を除去し
て、インナーリード部21を所定の配線パターンをもつ
ように形成される。低融点の金属接合剤で被覆するには
、従来は多くの場合、無電解錫めっきを用いていた。
された方式で、テープキャリア上でIC素子の実装を行
うものである。TAB用テープキャリアは例えば第4図
に断面図、第5図に平面図で示すように、IC素子(図
示せず)を装着するデバイスホール3および位置合わせ
等のための送り孔(パイロットホール)4が形成された
可撓性絶縁フィルム1に、銅箔2を接着剤42により接
着した後、フォトエツチングにより不要部20を除去し
て所定の配線パターンをもつインナーリード部21を有
するリード部2を形成したものである。なお第4図でw
、c、pはそれぞれ後述の導体幅、導体間隔、ピッチを
示している。TAB法においてギヤングボンディングと
呼ばれる工程で、テープキャリアのインナーリード部2
1はIC素子」二の微小電極に加熱圧着して接合される
ので、その表面は接着性のある金属(例えば金)または
低融点の金属接合剤、例えば錫、ハンダ等で被覆される
。絶縁フィルム1は一般に、厚さ70ないし125μm
、幅35mm(または70mm、140mm等)の有機
ポリイミドフィルム、ガラス強化エポキシフィルム等か
ら成る。銅箔2には厚さ18ないし35μmの圧延銅箔
、電解銅箔等が用いられる。デバイスポール3および送
り孔4は可撓性絶縁フィルム1の打ち抜き加工により形
成される。インナーリード部21を有するリード部2は
、銅箔2を可撓性絶縁フィルム1に接着剤42により接
着した後、フォトエツチングにより不要部20を除去し
て、インナーリード部21を所定の配線パターンをもつ
ように形成される。低融点の金属接合剤で被覆するには
、従来は多くの場合、無電解錫めっきを用いていた。
しかし従来のTAB用テープギヤリアでは、フォトエツ
チングで形成されるリード部の微細化は、フォトエツチ
ング後のリード部の縁の凹凸、即ち非直線性のために制
約されていた。絶縁フィルムに接着される銅箔の厚さは
通常18または35μmであるが、厚さ35μmの銅箔
の場合で、導体幅70μm、導体間隔70μm、従って
ピッチ140μmが限度であり、厚さ18μmの銅箔の
場合、導体幅50μm、導体間隔50μm、従ってピッ
チ100μmが限度であった。最近、IC素子の高集積
化がまずまず進むにつれ、TAB用テープキャリア上に
形成されるリード部のさらに微細化が強く望まれ、その
ようなTAB用テープキャリアの製造方法の実現が求め
られている。特に導体間隔60μm以下のものは従来の
方法で製造は一応可能でも、電界下での経時劣化(マイ
グレーション剛性試験)でリード部間の絶縁が低下する
ことが問題となっていた。これはリード部の直線性が悪
いために、リード部間の電界強度が局所的に大きくなる
ことが重要な要因となっている。実用的には60°C1
相対湿度90%で35Vの直流をリード間に印加して1
09Ω以上の電気抵抗を500時間以上保つことが要求
されている。圧延銅箔、電解銅箔等のインナーリード部
に無電解錫めっきの被覆をした場合はこれを達成するこ
とは困難であった。
チングで形成されるリード部の微細化は、フォトエツチ
ング後のリード部の縁の凹凸、即ち非直線性のために制
約されていた。絶縁フィルムに接着される銅箔の厚さは
通常18または35μmであるが、厚さ35μmの銅箔
の場合で、導体幅70μm、導体間隔70μm、従って
ピッチ140μmが限度であり、厚さ18μmの銅箔の
場合、導体幅50μm、導体間隔50μm、従ってピッ
チ100μmが限度であった。最近、IC素子の高集積
化がまずまず進むにつれ、TAB用テープキャリア上に
形成されるリード部のさらに微細化が強く望まれ、その
ようなTAB用テープキャリアの製造方法の実現が求め
られている。特に導体間隔60μm以下のものは従来の
方法で製造は一応可能でも、電界下での経時劣化(マイ
グレーション剛性試験)でリード部間の絶縁が低下する
ことが問題となっていた。これはリード部の直線性が悪
いために、リード部間の電界強度が局所的に大きくなる
ことが重要な要因となっている。実用的には60°C1
相対湿度90%で35Vの直流をリード間に印加して1
09Ω以上の電気抵抗を500時間以上保つことが要求
されている。圧延銅箔、電解銅箔等のインナーリード部
に無電解錫めっきの被覆をした場合はこれを達成するこ
とは困難であった。
また、導体幅を60μm以下とした場合、無電解錫めっ
きを用いる上リード部銅層のビール強度が著しく低下す
る欠点がある。さらに、無電解錫めっきで被覆されたイ
ンナーリード部は、熱や水分に対し不安定で、表面の化
学変化による変色等を生し易かった。
きを用いる上リード部銅層のビール強度が著しく低下す
る欠点がある。さらに、無電解錫めっきで被覆されたイ
ンナーリード部は、熱や水分に対し不安定で、表面の化
学変化による変色等を生し易かった。
従って本発明の目的は、電界下での経時劣化でリード部
間の絶縁が低下することなく、リード部が微細化された
、TAB用テープキャリアを提供することである。
間の絶縁が低下することなく、リード部が微細化された
、TAB用テープキャリアを提供することである。
本発明の他の目的は、リード部が充分なビール強度を有
し、熱や水分に対しても安定な、リード部が微細化され
たTAB用テープキャリアを提供することである。
し、熱や水分に対しても安定な、リード部が微細化され
たTAB用テープキャリアを提供することである。
本発明の今一つの目的は、リード部が微細化されても電
界下での経時でリード部間の絶縁が低下せず、充分なビ
ール強度を有し、熱や水分に対しても安定なリード部を
有する、TAB用テープキャリアを製造する方法を、提
供することである。
界下での経時でリード部間の絶縁が低下せず、充分なビ
ール強度を有し、熱や水分に対しても安定なリード部を
有する、TAB用テープキャリアを製造する方法を、提
供することである。
上記目的を達成するため本発明では、TAB用テープキ
ャリアの絶縁フィルム上に接着する金属層に、無酸素銅
圧延箔を低粗面化した銅箔(以下、低粗面化無酸素銅箔
と言う)を用い、パターン形成後金属層を低融点金属で
被覆するのに錫またはハンダ電気めっきを用いた。なお
、以下本明細書では錫電気めっきを含めてハンダ電気め
っきと言つ。
ャリアの絶縁フィルム上に接着する金属層に、無酸素銅
圧延箔を低粗面化した銅箔(以下、低粗面化無酸素銅箔
と言う)を用い、パターン形成後金属層を低融点金属で
被覆するのに錫またはハンダ電気めっきを用いた。なお
、以下本明細書では錫電気めっきを含めてハンダ電気め
っきと言つ。
低粗面化無酸素銅箔は接着剤に接する面の平均深さRa
が0.4μmを超えない表面粗さを有することが望まし
い。無酸素銅は、一般に酸素含有量がlOppm以下、
銅純度99.99%以上の銅を言い、公知の方法、例え
ば特開昭60−244054号、特開昭64−1193
2号等に記載された方法により得ることができる。低粗
面化無酸素銅箔は、無酸素銅圧延箔を交流電解法で電解
低粗面化処理することにより得られる。交流電解法の通
常の条件を用いて所要の表面粗さを得ることができる。
が0.4μmを超えない表面粗さを有することが望まし
い。無酸素銅は、一般に酸素含有量がlOppm以下、
銅純度99.99%以上の銅を言い、公知の方法、例え
ば特開昭60−244054号、特開昭64−1193
2号等に記載された方法により得ることができる。低粗
面化無酸素銅箔は、無酸素銅圧延箔を交流電解法で電解
低粗面化処理することにより得られる。交流電解法の通
常の条件を用いて所要の表面粗さを得ることができる。
接着性と耐蝕性向上のためには、さらにジンククロメ−
) (ZnCrO4)処理を施したものが好ましい。
) (ZnCrO4)処理を施したものが好ましい。
絶縁フィルム、金属層すなわち銅箔を接着するための接
着剤、接着方法、フォトエツチング、ハンダの電気めっ
きについては、従来公知の材料および方法を用いること
ができる。
着剤、接着方法、フォトエツチング、ハンダの電気めっ
きについては、従来公知の材料および方法を用いること
ができる。
パターン形成は通常の方法で行えるが、後に表面にハン
ダ電気めっきを施す際に銅箔のリード部自体を電気めっ
き電極として利用する都合上、幾つかのリードに共通に
通電するためそれらを仮に連結する導電性の仮連結部を
設けることが好ましく、この場合パターン中に仮連結部
を含める点のみが通常と異なる。この仮連結部は、フォ
トエツチング後に金型により打ち抜いて除去する。この
打ち抜きは、IC素子との接合前にインラインで行うこ
とができ、コスト上の負担は無視できる程度である。各
リード部が電気的に独立すれば、仮連結部の一部は絶縁
フィルム上に残ってもよい。
ダ電気めっきを施す際に銅箔のリード部自体を電気めっ
き電極として利用する都合上、幾つかのリードに共通に
通電するためそれらを仮に連結する導電性の仮連結部を
設けることが好ましく、この場合パターン中に仮連結部
を含める点のみが通常と異なる。この仮連結部は、フォ
トエツチング後に金型により打ち抜いて除去する。この
打ち抜きは、IC素子との接合前にインラインで行うこ
とができ、コスト上の負担は無視できる程度である。各
リード部が電気的に独立すれば、仮連結部の一部は絶縁
フィルム上に残ってもよい。
ハンダ電気めっきに用いるハンダは、全部が錫から成っ
てもよく、鉛を5ないし90%含む錫鉛合金でもよい。
てもよく、鉛を5ないし90%含む錫鉛合金でもよい。
ハンダ電気めっきはリード部全体でなく必要な部分のみ
に施してもよい。
に施してもよい。
本発明では表面を低粗面化した無酸素銅圧延箔を用いる
ことにより、導体リード部の縁(側面)の直線性が改良
される。これは、絶縁フィルムとの間の接着剤層への銅
の食い込みが少ないため、銅層のエツチングが容易とな
り、エツチングが短時間で完了するので、リード部側面
の工・ンチングが適度に制御され、凹凸が少なくなるも
のと思われる。導体リード部の縁の直線性の向上により
、リード部間の電界強度が局所的に大きくなることが防
がれるから、電界下での経時によるリード部間の絶縁劣
化が生じ難くなる。
ことにより、導体リード部の縁(側面)の直線性が改良
される。これは、絶縁フィルムとの間の接着剤層への銅
の食い込みが少ないため、銅層のエツチングが容易とな
り、エツチングが短時間で完了するので、リード部側面
の工・ンチングが適度に制御され、凹凸が少なくなるも
のと思われる。導体リード部の縁の直線性の向上により
、リード部間の電界強度が局所的に大きくなることが防
がれるから、電界下での経時によるリード部間の絶縁劣
化が生じ難くなる。
またハンダ被覆のために電気めっきを用いたことにより
、無電解錫めっきの場合に比べて、電界下での経時によ
るリード部間の絶縁劣化もさらに減少し、また熱や水分
に対して変色等の変化を生じない。これは無電解錫めっ
きのような高温(60°Cないし80°C)の硫酸また
は有機酸を含む浴でなく、低温の穏和な浴を用いるため
と思われる。
、無電解錫めっきの場合に比べて、電界下での経時によ
るリード部間の絶縁劣化もさらに減少し、また熱や水分
に対して変色等の変化を生じない。これは無電解錫めっ
きのような高温(60°Cないし80°C)の硫酸また
は有機酸を含む浴でなく、低温の穏和な浴を用いるため
と思われる。
一般的傾向として、低粗面化された銅箔はビール強度(
接着層との間の接着強度)が低下し、また幅および長さ
方向での表面粗さの均一性が得られない欠点が見られる
が、無酸素銅箔を交流電解法で電解低粗面化処理するこ
とにより、平均深さがRa=0.2〜0.4μmの範囲
の充分均一な粗さを得ることができる。ビール強度に関
しては、ビール強度の低下が少ないハンダ電気めっきを
用いるので、実用上充分なビール強度(150°C10
時間放置後で0.8 Kg/cm2以上)をもつ銅導体
層(リード部)を得ることができる。ハンダ電気めっき
を用いると無電解錫めっきよりビール強度の低下が少な
いのは、低温の穏和な浴を用いるため、銅箔(リード部
)と接着剤層との界面へのめっき薬品の浸透が少なくな
るからであろう。
接着層との間の接着強度)が低下し、また幅および長さ
方向での表面粗さの均一性が得られない欠点が見られる
が、無酸素銅箔を交流電解法で電解低粗面化処理するこ
とにより、平均深さがRa=0.2〜0.4μmの範囲
の充分均一な粗さを得ることができる。ビール強度に関
しては、ビール強度の低下が少ないハンダ電気めっきを
用いるので、実用上充分なビール強度(150°C10
時間放置後で0.8 Kg/cm2以上)をもつ銅導体
層(リード部)を得ることができる。ハンダ電気めっき
を用いると無電解錫めっきよりビール強度の低下が少な
いのは、低温の穏和な浴を用いるため、銅箔(リード部
)と接着剤層との界面へのめっき薬品の浸透が少なくな
るからであろう。
さらに無電解錫めっきでは、用いる薬品が高価(めっき
液12当たり約3000円)で、しかもめっき浴の寿命
が短い(2日間)ためめっき工程に関するコストが高か
ったのに対し、電気めっきを用いる本発明ではめっき工
程のコストが遥かに安くなる。
液12当たり約3000円)で、しかもめっき浴の寿命
が短い(2日間)ためめっき工程に関するコストが高か
ったのに対し、電気めっきを用いる本発明ではめっき工
程のコストが遥かに安くなる。
以下、実施例により本発明をさらに詳細に説明する。
〔実施例1〕
厚さ35μmの銅導体層を有するリード幅40μm1リ
ード間隔40μmのTABテープキャリアの例について
述べる。
ード間隔40μmのTABテープキャリアの例について
述べる。
本例で得られたTABテープキャリアは、厚さ75μm
、幅35mmのポリイミド絶縁フィルム上0 にエポキシ接着剤を介して厚さ35μmの銅箔が接着さ
れたものである。銅箔は、銅純度99.99%以」二、
酸素含有量0.001%(10ppm)以下の銅から成
り、表面粗さが平均深さRa=0.4μmの、低粗面化
無酸素銅箔である。銅箔の表面には、接着性と耐蝕性向
上のためにジンククロメート処理(厚さ0.05μm)
を施しである。パターンに従って形成された銅層の上に
は、錫80%と鉛20%から成る厚さ0.8μmのハン
ダ電気めっきが施されている。TABテープキャリアは
4方向に配列された、全部で200のビンを有する。
、幅35mmのポリイミド絶縁フィルム上0 にエポキシ接着剤を介して厚さ35μmの銅箔が接着さ
れたものである。銅箔は、銅純度99.99%以」二、
酸素含有量0.001%(10ppm)以下の銅から成
り、表面粗さが平均深さRa=0.4μmの、低粗面化
無酸素銅箔である。銅箔の表面には、接着性と耐蝕性向
上のためにジンククロメート処理(厚さ0.05μm)
を施しである。パターンに従って形成された銅層の上に
は、錫80%と鉛20%から成る厚さ0.8μmのハン
ダ電気めっきが施されている。TABテープキャリアは
4方向に配列された、全部で200のビンを有する。
このTABテープキャリアは次のようにして製造した。
無酸素銅圧延箔を、交流電解法により商用周波数、電圧
1.5V、電流密度2A/dm2で、硫酸と硫酸銅を含
む電解液中で電解粗面化処理した後、ジンククロメート
処理を施した低粗面化無酸素銅箔を、ポリイミド絶縁フ
ィルム」二にエポキシ接着剤を用いて接着した。塩化第
二銅エツチング浴を用いすさ方向での表面粗さの均一性
が得ら1 れない欠点が見られるが、無酸素銅箔を交流電解法で電
解低粗面化処理することにより、平均深さ2の本数を縦
5木、横4本として示しである。実際には縦60本、横
40本のリードがある)の銅層を絶縁フィルム1上に形
成した。銅層は、リード部2と仮連結部2aとから成る
。パターン形成後、仮連結部2aをめっき用電源の端子
に接続し、析出物の錫と鉛の重量比が8:2となる組成
の、錫および鉛の硼弗化物から成る公知のハンダ電気め
っき浴中で、温度30°Cで、上記銅箔の全面に厚さ0
.8μmのハンダ電気めっきを施した。電気めっき終了
後、第1図(A)に示した打ち抜き部2bの部分を金型
で打ち抜いて除去し、第1図(B)に示すTABテープ
キャリアを得た。第1図(A)、 (B)で3はデバイ
スポール、4は送り孔(パイコシ1〜ホール)である。
1.5V、電流密度2A/dm2で、硫酸と硫酸銅を含
む電解液中で電解粗面化処理した後、ジンククロメート
処理を施した低粗面化無酸素銅箔を、ポリイミド絶縁フ
ィルム」二にエポキシ接着剤を用いて接着した。塩化第
二銅エツチング浴を用いすさ方向での表面粗さの均一性
が得ら1 れない欠点が見られるが、無酸素銅箔を交流電解法で電
解低粗面化処理することにより、平均深さ2の本数を縦
5木、横4本として示しである。実際には縦60本、横
40本のリードがある)の銅層を絶縁フィルム1上に形
成した。銅層は、リード部2と仮連結部2aとから成る
。パターン形成後、仮連結部2aをめっき用電源の端子
に接続し、析出物の錫と鉛の重量比が8:2となる組成
の、錫および鉛の硼弗化物から成る公知のハンダ電気め
っき浴中で、温度30°Cで、上記銅箔の全面に厚さ0
.8μmのハンダ電気めっきを施した。電気めっき終了
後、第1図(A)に示した打ち抜き部2bの部分を金型
で打ち抜いて除去し、第1図(B)に示すTABテープ
キャリアを得た。第1図(A)、 (B)で3はデバイ
スポール、4は送り孔(パイコシ1〜ホール)である。
比較のため、同じ無酸素銅から成るが表面粗さがRa=
0.8μmの標準粗面化無酸素銅圧延箔および電解銅箔
をそれぞれ用いてTABテープキャリアを製造した。そ
れぞれ比較例1および比較例2 2とする。本発明および各比較例で製造されたTABテ
ープキャリアについて、リードの縁の周期の長いうねり
および周期の小さい凹凸を観察した結果を、第1表に示
す。第1表でうねりはリードの長さ5mm(5000μ
m)の区間内での凹凸の最も高い部分から最も低い部分
までの深さ、凹凸は凸部と隣合う四部との高さの差を意
味し、それぞれ第2図に示すAHAXおよびBMAXに
相当する。
0.8μmの標準粗面化無酸素銅圧延箔および電解銅箔
をそれぞれ用いてTABテープキャリアを製造した。そ
れぞれ比較例1および比較例2 2とする。本発明および各比較例で製造されたTABテ
ープキャリアについて、リードの縁の周期の長いうねり
および周期の小さい凹凸を観察した結果を、第1表に示
す。第1表でうねりはリードの長さ5mm(5000μ
m)の区間内での凹凸の最も高い部分から最も低い部分
までの深さ、凹凸は凸部と隣合う四部との高さの差を意
味し、それぞれ第2図に示すAHAXおよびBMAXに
相当する。
第1表
第1表から明らかなように、低粗面化無酸素銅圧延箔を
用いたことにより、リード側面のうねりおよび周期の小
さい凹凸が明らかに小さくなり、す■ なわちり一ドの直線性が向上している。電解銅箔の場合
には、うねり、凹凸とも非常に大きい。
用いたことにより、リード側面のうねりおよび周期の小
さい凹凸が明らかに小さくなり、す■ なわちり一ドの直線性が向上している。電解銅箔の場合
には、うねり、凹凸とも非常に大きい。
また比較のため低粗面化無酸素銅箔に、ハンダ電気めっ
きの代わりに無電解錫めっき(硫酸系めっき浴を用い、
温度80°C)を施したものを製造した。これを比較例
3とする。本発明により製造したTAB用テープキャリ
アと無電解錫めっきを用いた比較例3について、リード
部の諸性能、すなわちビール強度、耐熱試験後ビール強
度、マイグレーション耐性、PCT耐性を第2表に比較
して示した。各めっき前のビール強度も併せて示した。
きの代わりに無電解錫めっき(硫酸系めっき浴を用い、
温度80°C)を施したものを製造した。これを比較例
3とする。本発明により製造したTAB用テープキャリ
アと無電解錫めっきを用いた比較例3について、リード
部の諸性能、すなわちビール強度、耐熱試験後ビール強
度、マイグレーション耐性、PCT耐性を第2表に比較
して示した。各めっき前のビール強度も併せて示した。
マイグレーション耐性は、リード部間に35Vの直流電
圧を印加して温度60°C1相対湿度90%の恒温恒湿
槽中に放置したとき、リード部間の絶縁抵抗が109Ω
以下となる時間(hr)である。PCT耐性は12ピC
(2気圧飽和蒸気)の水蒸気缶中に40時時間−た後、
導体パターンを観察しハンダめっきの変色(黒灰色化)
を観察した結果を示す。耐熱試験後ビール強度は、15
0°Cの大気中に10時間放置した後測定した4 ビール強度を示す。
圧を印加して温度60°C1相対湿度90%の恒温恒湿
槽中に放置したとき、リード部間の絶縁抵抗が109Ω
以下となる時間(hr)である。PCT耐性は12ピC
(2気圧飽和蒸気)の水蒸気缶中に40時時間−た後、
導体パターンを観察しハンダめっきの変色(黒灰色化)
を観察した結果を示す。耐熱試験後ビール強度は、15
0°Cの大気中に10時間放置した後測定した4 ビール強度を示す。
第2表
第2表から明らかなように、本発明により製造されたT
ABテープキャリアは、無電解錫めっきを用いた比較例
3に比し、4種すべての特性において格段に優れている
。マイグレーション耐性は前述の実用的要求水準(50
0時間以上)を満たしている。
ABテープキャリアは、無電解錫めっきを用いた比較例
3に比し、4種すべての特性において格段に優れている
。マイグレーション耐性は前述の実用的要求水準(50
0時間以上)を満たしている。
〔実施例2〕
銅箔の厚さを18μmとした以外は上記実施例1、比較
例1および比較例2と同じ材料および加工方法を用いて
、リード幅とリード間隔を各々5 10μm間隔で変えてTAB用テープキャリアを製造し
た。リン脱酸銅箔に無電解錫めっきを施したものも同様
に製造した。
例1および比較例2と同じ材料および加工方法を用いて
、リード幅とリード間隔を各々5 10μm間隔で変えてTAB用テープキャリアを製造し
た。リン脱酸銅箔に無電解錫めっきを施したものも同様
に製造した。
上記第2表のような緒特性を評価し、実用可能なリード
幅およびリード間隔を求めた。その結果を第3図に示す
。第3図で■は本発明によるもの、■はRa=0.8μ
mの標準粗面化無酸素銅圧延箔にハンダ電気めっきした
もの、■は電解銅箔またはリン脱酸銅箔に無電解錫めっ
きを施した従来法の結果を示している。第3図に示され
るように、銅箔の厚さを18μmとした場合本発明によ
ると、リード幅最小20μm、リード間隔最小20μm
のリード部をもつ実用的なTABテープキャリアが得ら
れる。標準粗面化無酸素銅圧延箔ではリード幅、リード
間隔とも30μmが実用的な限界であった。電解銅箔ま
たはリン脱酸銅箔に無電解錫めっきを施した従来品では
、リード幅、リード間隔とも50μmが実用的な限界で
あった。
幅およびリード間隔を求めた。その結果を第3図に示す
。第3図で■は本発明によるもの、■はRa=0.8μ
mの標準粗面化無酸素銅圧延箔にハンダ電気めっきした
もの、■は電解銅箔またはリン脱酸銅箔に無電解錫めっ
きを施した従来法の結果を示している。第3図に示され
るように、銅箔の厚さを18μmとした場合本発明によ
ると、リード幅最小20μm、リード間隔最小20μm
のリード部をもつ実用的なTABテープキャリアが得ら
れる。標準粗面化無酸素銅圧延箔ではリード幅、リード
間隔とも30μmが実用的な限界であった。電解銅箔ま
たはリン脱酸銅箔に無電解錫めっきを施した従来品では
、リード幅、リード間隔とも50μmが実用的な限界で
あった。
本発明のTAB用テープキャリアおよびその製6
遣方法によると、電界下での経時劣化でリード部間の絶
縁が低下することなしに、リード部を従来より微細化(
例えば、銅箔の厚さが35μmでリード部間隔が60μ
m以下)できるから、TAB法で製造されるIC素子の
一層の高集積化が可能になる。しかも、ビール強度の低
下が抑制され、熱や水分に対して安定になる。まためっ
き工程のコストの低下により、製造コストが安くなる。
縁が低下することなしに、リード部を従来より微細化(
例えば、銅箔の厚さが35μmでリード部間隔が60μ
m以下)できるから、TAB法で製造されるIC素子の
一層の高集積化が可能になる。しかも、ビール強度の低
下が抑制され、熱や水分に対して安定になる。まためっ
き工程のコストの低下により、製造コストが安くなる。
第1図(A)、(B)は本発明によるTAB用テープキ
ャリアの一実施例の説明図、第2図はリードの縁のうね
りおよび凹凸の定義を示す略図、第3図は実用可能なリ
ード幅およびリード間隔の範囲を示すグラフ、第4図は
従来のTAB用テープキャリアの断面図、第5図は従来
のTAB用テープキャリアの平面図である。 符号の説明 1−−−−一絶縁フィルム 2−−−〜−−−リード部 2 a−−−−御飯連結部 7 2 b−−−−−−打ち抜き部 3−−−−−デバイスホール 4−−−−−−一送り孔(パイロットホール)20−−
−−−−一エッチングによる除去部分21−−−−−−
−インナーリード部 42−・・・接着剤
ャリアの一実施例の説明図、第2図はリードの縁のうね
りおよび凹凸の定義を示す略図、第3図は実用可能なリ
ード幅およびリード間隔の範囲を示すグラフ、第4図は
従来のTAB用テープキャリアの断面図、第5図は従来
のTAB用テープキャリアの平面図である。 符号の説明 1−−−−一絶縁フィルム 2−−−〜−−−リード部 2 a−−−−御飯連結部 7 2 b−−−−−−打ち抜き部 3−−−−−デバイスホール 4−−−−−−一送り孔(パイロットホール)20−−
−−−−一エッチングによる除去部分21−−−−−−
−インナーリード部 42−・・・接着剤
Claims (2)
- (1)絶縁フィルム上に接着され、パターン形成された
金属層と、その表面の少なくとも一部に施された錫また
はハンダ層から成るTAB用テープキャリアにおいて、 前記金属層は平均深さRaが0.4μmを超えない表面
粗さをもつ低粗面化した無酸素銅圧延箔であり、 前記錫またはハンダ層は電気めっきにより施された錫ま
たはハンダ層であることを特徴とする、TAB用テープ
キャリア。 - (2)絶縁フィルム上に、平均深さR_aが0.4μm
を超えない表面粗さになるように交流電解法により低粗
面化された無酸素銅圧延箔を接着し、前記無酸素銅圧延
箔に所定のパターンを形成し、前記無酸素銅圧延箔のパ
ターン上に錫またはハンダのめっき層を電気めっき法に
より施すことを特徴とするTAB用テープキャリアの製
造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP7732790A JPH0828404B2 (ja) | 1990-03-27 | 1990-03-27 | Tab用テープキャリアおよびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP7732790A JPH0828404B2 (ja) | 1990-03-27 | 1990-03-27 | Tab用テープキャリアおよびその製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH03276739A true JPH03276739A (ja) | 1991-12-06 |
JPH0828404B2 JPH0828404B2 (ja) | 1996-03-21 |
Family
ID=13630844
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP7732790A Expired - Fee Related JPH0828404B2 (ja) | 1990-03-27 | 1990-03-27 | Tab用テープキャリアおよびその製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0828404B2 (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
GB2257714A (en) * | 1991-07-16 | 1993-01-20 | Nippon Cmk Kk | Treated copper foil for copper laminated board of printed wiring board |
US6316288B1 (en) * | 1997-03-21 | 2001-11-13 | Seiko Epson Corporation | Semiconductor device and methods of manufacturing film camera tape |
US20230171882A1 (en) * | 2020-04-27 | 2023-06-01 | Lg Innotek Co., Ltd. | Circuit board |
-
1990
- 1990-03-27 JP JP7732790A patent/JPH0828404B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
GB2257714A (en) * | 1991-07-16 | 1993-01-20 | Nippon Cmk Kk | Treated copper foil for copper laminated board of printed wiring board |
US6316288B1 (en) * | 1997-03-21 | 2001-11-13 | Seiko Epson Corporation | Semiconductor device and methods of manufacturing film camera tape |
US6627994B2 (en) | 1997-03-21 | 2003-09-30 | Seiko Epson Corporation | Semiconductor device and film carrier tape |
US20230171882A1 (en) * | 2020-04-27 | 2023-06-01 | Lg Innotek Co., Ltd. | Circuit board |
EP4145963A4 (en) * | 2020-04-27 | 2023-10-18 | LG Innotek Co., Ltd. | CIRCUIT BOARD |
US12063737B2 (en) | 2020-04-27 | 2024-08-13 | Lg Innotek Co., Ltd. | Circuit board |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0828404B2 (ja) | 1996-03-21 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |