JPH03270070A - 配線パターンの製法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 【産業上の利用分野１ 本発明は、半導体集積回路装置の製法、特に電源線・信
号線が組をなして並設される配線パターンを有するもの
の製法に関する。

［従来の技術Ｊ 従来、半導体集積回路装置の配線パターンは、所望の回
路構成が得られる様に、半導体基板−にの金属膜をエツ
チングして形成している。

特に、２層配線を用いるマスタースライス方式の半導体
集積回路装置では２ｘ方向に組みになって並設される第
１配輸層を、またｙ方向に同様に１１５成される第２配
線層を用い、その第１配綿層と第２配線層の接続をスル
ーホール等で行なう。

［発明が解決しようとする課題１ 上述した従来のマスタースライス方式の半導体集積回路
装置（以下ゲートアレイという）では、予め用意された
ファンクションブロックを大型コンピュータにより自動
配置し、その後にファンクションブロック間の配線を自
動配線で行ない、所望の論理回路を得るという方法がと
られている。このため、第３図に示すように自動配線さ
れた部分は、配線パターンｌが、密にかたまった部分（
Ａで示す）と、ａになった部分（Ｂで示す部分）が存在
することが多くなる。この配線パターン１を金属材料の
エツチングにより形成する場合、配線の密疎によりエツ
チング速度が異なるので各部で配線幅が異なってくる。

Ｂ部分では配線幅が特に挾く、またＡ部分内でち挾い配
線幅をもつ部分が生ずる。この例ではＢ部分では、配線
片側で０．１ＬＬｍ程度のオーバーエツチングになる。

このことはサブミクロン程度の微細配線を要する半導体
集積回路装置においては決定的な欠点となっている。

すなわち、配線パターンが疎の部分では、エツチングし
て形成した配線パターンの配線幅が細くなり、断線によ
る歩留低下が発生する。この歩留低下は配線幅をより広
く設計すれば防げるが、微細配線化の点から限度がある
。

本発明の目的は、配線群に密な部分と疎な部分があって
も、−様な配線幅が（１られるようにした半導体集積回
路装置における配線パターンの製法に関する。

１課題を解決するための手段〕 本発明の製法は、電源線・信号線が組をなして並設され
る配線パターンの、各配線の近傍に、接続関係のないダ
ミー線を配置し、電源線・信号線から一定の距離をおい
て、他の電源線・信号線またはダミー線のいずれかが隣
接するように、配線パターン、ダミー線パターンを組合
せた複合パターンとして、金属膜をエツチングし配線を
形成するようにしている。

［作　　用　　Ｊ 電源線・信号綿の各線に沿って、必ず配線パターン・ダ
ミー綿パターンのいずれかの線が配置されるので、配線
パターン自体に密・疎の部分があってち、エツチング条
件を同一にすることができる。これにより配線パターン
として、様な配線幅をうることができる。

〔実施例］ 以下、図面を参照して、本発明の一実施例につき説明す
る。第１図は実施例の平面図である。この実施例は、２
層配線を用いたゲートアレイの第１配線層の配線パター
ンを示したもので、従来例として示した第３図と同一の
ものである。図中、１は配線パターンを示す、２は第２
配線層と接続するためのスルーホールを配置する部分を
示す。斜線で示した３は、本発明によるダミー線パター
ンで、各ダミー線は配線パターン１と同じ配線幅で形成
されている。

大型コンピュータにより所定の配線パターンｌを自動配
線後に、配線パターン１の各配線に沿って、あきのある
部分を埋めるようにダミ線パターン３を挿入するので、
自動配線時に配線の妨げになることはない。また、ダミ
ー線パターン３も、大型コンピュータにより自動的に挿
入できるから、このため工程が遅れるということはない
。このようにダミー線パターン３を挿入、形成した。第
１図に示すような複合パターンが、金属膜のエツチング
により半導体基板に形成される場合、その配線間隔が同
じであるから、どの部分でもそのエツチング速度は同じ
である。したがって、配線幅としてどの部分でも同一に
形成され、配線幅の細りにょる断線は生じない。

なお、スルーホールを配置するスルーホール部分２と、
となりの配線パターンｌとの間隔は、配線パターンｌ同
志の間隔より若干挾くなっているが、これは、エツチン
グ速度にはほとんど影響をあたえない。

次に、同じ配線パターンについて、ダミー線パターンを
変形して、複合パターンとした例につき第２図で説明す
る。この実施例では、ダミー綿パターン３は配線パター
ンｌと、同じ配線幅でない部分を含むようにしである。

配線２Ａは特に他の配線より離れているので、ダミー線
パターン３として、図示の３Ａのように、ダミー線をベ
タに連結したような形の部分を含むようにしている。こ
のようにすると、モニタの画像上でチエツクする場合に
５配線パターン１とダミー線パターン３との区別がっけ
やすい利点がある。なお、配線パターンの配線幅がエツ
チング条件により変わるのは、主として隣接する配線と
の間隔によるので、前実施例と本実施例とでは配線パタ
ーンの配線幅の均一性に対する効果は同一とみなすこと
ができる。

以上の実施例は、第１配緯層について説明したものであ
るが、本発明は第２配線層あるいはさらに３層配紛を用
いたゲートアレイの第３配線層にも適用できることはい
うまでもない。

なお、エツチングとしては通常用いられる化学エツチン
グの他、プラズマエツチング等積々のものがあるが、特
定のエツチング方法に限定されるものではない。

［発明の効果］ 以上説明したように、本発明によれば、配線に使用され
なかった領域にダミー線パターンを配置し、配線パター
ンとダミー線パターンとを複合したパターン構造とする
ことで、半導体基板上の金属膜をエツチングする速度を
均一化する効果を得ている。これにより配線幅が場所に
よるエツチング速度の差により細くなるという従来の欠
点を除去し、断線による歩留低下を防ぐことかできる。

また、半導体集積回路装置の信頼度の向上という効果が
ある。

【図面の簡単な説明】

第１図、第２図は本発明の第１．第２実施例のそれぞれ
の平面図、第３図は従来例のバタン平面図である。 １・・・配線パターン、 ２・・・スルーホール部分、 ３・・・ダミー線パターン。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 　電源線・信号線が組をなして並設される配線パターン
   を有する、半導体集積回路装置における配線パターンの
   製法において、 前記電源線・信号線に沿って、その近傍に電源線・信号
   線と接続関係のないダミー線を配置し、電源線・信号線
   から一定の距離をおいて、他の電源線・信号線またはダ
   ミー線のいずれかが隣接するように、配線パターン、ダ
   ミー線パターンを組合せた複合パターンとして、金属膜
   をエッチングし配線を形成することを特徴とする半導体
   集積回路装置における配線パターンの製法。