JPH03266433A - 半導体基板の表面保護方法 - Google Patents
半導体基板の表面保護方法Info
- Publication number
- JPH03266433A JPH03266433A JP6641790A JP6641790A JPH03266433A JP H03266433 A JPH03266433 A JP H03266433A JP 6641790 A JP6641790 A JP 6641790A JP 6641790 A JP6641790 A JP 6641790A JP H03266433 A JPH03266433 A JP H03266433A
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- JP
- Japan
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- semiconductor substrate
- polyvinylpyrrolidone
- water
- protective film
- soluble resin
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- Pending
Links
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Landscapes
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、半導体基板の保管・運搬の際の、半導体基板
表面の外部汚染からの保護方法に関する。
表面の外部汚染からの保護方法に関する。
従来、半導体基板または半導体素子片を長期間保管する
場合や工場間運搬を行なう場合には、その表面をクリー
ンに保つために、前記半導体基板または半導体素子片の
表面をフォトレジストで被覆する方法が用いられている
。すなわち、半導体基板の表面にスピンナ法によりフォ
トレジストを約３０００〜５０００ ｒ ｐｍで塗布し
、その後窒素雰囲気で８０〜１００℃、１５〜２０分の
ベークを行ない、膜厚的１μｍのフォトレジスト膜を半
導体基板の表面に形成し、この膜で基板表面を保護して
おった。
場合や工場間運搬を行なう場合には、その表面をクリー
ンに保つために、前記半導体基板または半導体素子片の
表面をフォトレジストで被覆する方法が用いられている
。すなわち、半導体基板の表面にスピンナ法によりフォ
トレジストを約３０００〜５０００ ｒ ｐｍで塗布し
、その後窒素雰囲気で８０〜１００℃、１５〜２０分の
ベークを行ない、膜厚的１μｍのフォトレジスト膜を半
導体基板の表面に形成し、この膜で基板表面を保護して
おった。
上述した従来の半導体基板の表面保護方法は、フォトレ
ジストを用いているので、保管又は運搬終了後に表面保
護のフォトレジスト膜を除去するためには、フォトレジ
スト除去装置及び各種の有機溶剤を使わなければならな
いという問題がある。
ジストを用いているので、保管又は運搬終了後に表面保
護のフォトレジスト膜を除去するためには、フォトレジ
スト除去装置及び各種の有機溶剤を使わなければならな
いという問題がある。
上記課題に対し本発明の半導体基板の表面保護方法は、
水溶性の樹脂膜で保護すべき半導体基板の表面を被うと
いう方法を用いる。水溶性の樹脂膜であれば、保管・運
搬終了後の処理は、水洗と乾燥装置のみで簡単に対応で
きる。
水溶性の樹脂膜で保護すべき半導体基板の表面を被うと
いう方法を用いる。水溶性の樹脂膜であれば、保管・運
搬終了後の処理は、水洗と乾燥装置のみで簡単に対応で
きる。
つぎに本発明な実施例により説明する。まず第１の実施
例としては、保護すべき半導体基板の表面を水溶性の樹
脂、−例として、ポリビニルピロリドンで被う。すなわ
ち、５ｗｔ％のポリビニルピロリドンの水溶液をスピナ
にセットされた半導体基板の表面に滴下し、３０００〜
４０００ ｒ ｐｍで回転させて、０．８〜１μｍ厚の
ポリビニルピロリドンの膜を形成し、その後窒素雰囲気
中で８０℃〜１００℃のベークを行い、硬化したポリビ
ニルピロリドンの表面保護膜を基板表面に形成する。
例としては、保護すべき半導体基板の表面を水溶性の樹
脂、−例として、ポリビニルピロリドンで被う。すなわ
ち、５ｗｔ％のポリビニルピロリドンの水溶液をスピナ
にセットされた半導体基板の表面に滴下し、３０００〜
４０００ ｒ ｐｍで回転させて、０．８〜１μｍ厚の
ポリビニルピロリドンの膜を形成し、その後窒素雰囲気
中で８０℃〜１００℃のベークを行い、硬化したポリビ
ニルピロリドンの表面保護膜を基板表面に形成する。
本発明の他の実施例としては、水溶性樹脂として、ポリ
ビニルアルコール、ポリエチレンオキサイド等を用いる
。これらの材料を用いても同様な効果を得ることができ
る。
ビニルアルコール、ポリエチレンオキサイド等を用いる
。これらの材料を用いても同様な効果を得ることができ
る。
なお、上記実施例としては、半導体基板を保護対象物と
したが、半導体素子片に対しても本発明が同じように適
用できるのはいうまでもない。
したが、半導体素子片に対しても本発明が同じように適
用できるのはいうまでもない。
〔発明の効果〕
以上説明したように本発明は、保護すべき半導体基板の
表面を水溶性の樹脂膜で被うことにより、運搬、保管後
の保護膜の除去は従来のフォトレジストの場合に必要と
した有機溶剤を使うことなく、簡単な装置による無公害
の水処理でできるから、作業工数および経費の節減に大
きな効果が得られる。
表面を水溶性の樹脂膜で被うことにより、運搬、保管後
の保護膜の除去は従来のフォトレジストの場合に必要と
した有機溶剤を使うことなく、簡単な装置による無公害
の水処理でできるから、作業工数および経費の節減に大
きな効果が得られる。
Claims (1)
- 半導体基板または半導体素子片の表面を水溶性樹脂で
被覆することにより前記半導体基板または半導体素子片
の表面を外部汚染から保護することを特徴とする半導体
基板の表面保護方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6641790A JPH03266433A (ja) | 1990-03-15 | 1990-03-15 | 半導体基板の表面保護方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6641790A JPH03266433A (ja) | 1990-03-15 | 1990-03-15 | 半導体基板の表面保護方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03266433A true JPH03266433A (ja) | 1991-11-27 |
Family
ID=13315199
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6641790A Pending JPH03266433A (ja) | 1990-03-15 | 1990-03-15 | 半導体基板の表面保護方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03266433A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002088297A (ja) * | 2000-09-11 | 2002-03-27 | Showa Denko Kk | 表面保護材 |
| US6852241B2 (en) | 2001-08-14 | 2005-02-08 | Lexmark International, Inc. | Method for making ink jet printheads |
| US8383294B2 (en) * | 2006-07-03 | 2013-02-26 | Suzanne Martin | Selective hologram formation |
-
1990
- 1990-03-15 JP JP6641790A patent/JPH03266433A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002088297A (ja) * | 2000-09-11 | 2002-03-27 | Showa Denko Kk | 表面保護材 |
| US6852241B2 (en) | 2001-08-14 | 2005-02-08 | Lexmark International, Inc. | Method for making ink jet printheads |
| US8383294B2 (en) * | 2006-07-03 | 2013-02-26 | Suzanne Martin | Selective hologram formation |
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