JPH0325849B2 - - Google Patents

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JPH0325849B2
JPH0325849B2 JP58145193A JP14519383A JPH0325849B2 JP H0325849 B2 JPH0325849 B2 JP H0325849B2 JP 58145193 A JP58145193 A JP 58145193A JP 14519383 A JP14519383 A JP 14519383A JP H0325849 B2 JPH0325849 B2 JP H0325849B2
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JP
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film
alloy film
layer
tape
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Application number
JP58145193A
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JPS6038727A (ja
Inventor
Shinsaku Nagaoka
Sota Kawakami
Hidenori Murata
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Konica Minolta Inc
Original Assignee
Konica Minolta Inc
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Publication date
Application filed by Konica Minolta Inc filed Critical Konica Minolta Inc
Priority to JP58145193A priority Critical patent/JPS6038727A/ja
Publication of JPS6038727A publication Critical patent/JPS6038727A/ja
Publication of JPH0325849B2 publication Critical patent/JPH0325849B2/ja
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Classifications

    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11BINFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B5/00Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
    • G11B5/62Record carriers characterised by the selection of the material
    • G11B5/72Protective coatings, e.g. anti-static or antifriction

Description

【発明の詳现な説明】
〔a〕 産業䞊の利甚分野 本発明は磁気蚘録媒䜓の改良に関するものであ
り、特にオヌバコヌト局の走行性、耐摩耗性およ
び耐食性を向䞊した薄膜型磁気蚘録媒䜓およびそ
の補造方法に関する。 〔b〕 埓来技術 磁気蚘録媒䜓を磁性局圢成方法の面で分類する
ず、(1)薄膜型のものず、(2)塗垃型のものずに分け
られる。 薄膜型磁気蚘録媒䜓は、支持䜓䞊に磁性材料を
真空蒞着、スパツタリング、むオンプレヌテむン
グ、メツキ等の方法により磁性盞を圢成したもの
である。 塗垃型磁気蚘録媒䜓は、支持䜓䞊に磁性粉をバ
むンダヌで粘着した磁性塗料を塗垃しお磁性局を
圢成したものである。この塗垃型磁気蚘録媒䜓
は、バむンダヌ含有分だけ磁性局における単䜍容
積圓りの実質充填率が䜎い。たた、磁気ヘツドず
の間のスペヌシングロスが倧きくなるため再生出
力が小さくなる。 これに反し、薄膜型磁気蚘録媒䜓は、磁性局内
での磁性粉の実質的充填率は高いけれども、磁性
局の耐食性が䜎く、走行時に磁気ヘツド、ガむド
ロヌラ等ず接觊し、スリ傷が付きやすく、ノむズ
発生の原因ずなる。たた摩擊係数が倧きく、走行
性が悪く、機械的匷床も匱い欠点がある。 薄膜型磁気蚘録媒䜓における䞊述の欠点を改善
するため、埓来から磁性局䞊面に、真空蒞着、ス
パツタリング、むオンブレヌテむング等の方法に
よ぀お、オヌバコヌトする方法が行われおいる。
すなわち、 ロゞりム、クロムなどの金属や、WC、
TiO2、CaF2、MgF2などの高硬床無機物金
属セツケンのような最滑性有機物を真空蒞着法
でオヌバコヌトする方法 塗垃法により、最滑性有機含有局をオヌバコ
ヌトする方法 プレポリマヌ液を塗垃埌、圓該塗垃膜に玫倖
線や電子線を照射しお重合反応させ、オヌバコ
ヌト局を圢成する方法 特開昭57−167132号、同57−167133号、同57
−167134号公報明现曞に瀺されおいるように、
磁性局䞊に窒玠ガス若しくは酞玠ガスのむオン
又はこれらのガスをプラズマ凊理するこずによ
り窒化膜、酞化膜をオヌバコヌトする方法 昭和56幎床電子通信孊界半導䜓・材料郚門党
囜倧䌚においお発衚され、同倧䌚予皿集No.175
1981に瀺されおいるように、コバルト膜
磁性局䞊に、オルガノシリコン系モノマに
よるプラズマ重合膜をオヌバコヌトさせるこず
等が知られおいる。 しかし、前蚘およびの方法で圢成された蒞
着膜および塗垃膜は膜匷床が匱い。特に、にお
いお高分子塗垃膜の堎合は薄膜にするのが難し
く、磁気ヘツドずの間にスペヌシングロスを生
じ、再生出力が䜎䞋する欠点がある。 たた、の方法で圢成される塗垃硬化局は、長
期にわたり最滑性を保持し぀づけるのが困難であ
る。の方法で圢成された窒化膜、酞化膜は走行
安定性の点で満足し難い。 さらに、の方法で埗られたオヌバコヌト膜
は、耐食性は良奜であるが、耐摩耗性を向䞊させ
るためにオヌバコヌト局を厚くしなければならな
い難点がある。この結果、磁気ヘツドず磁性局間
のスペヌシングロスが増倧し、再生出力が小さく
なる欠点がある。この点に関しおは、埓来から知
られおいる、たずえば1977幎米囜光孊䌚
Optical Society of America発行の孊術雑誌
「アプラむドオプテツクス誌」Applied Optics
第16巻第号、第717頁から第721頁にわたる論文
「プラズマ ポリマラむズド コヌテむング フ
オポリカヌボネヌトシングル レむダヌ、アブ
レヌシペン レゞスタント、アンド アンチレフ
レクシペン」Plasma polymerized coating for
porycarbonatesingle layer、abrasion
resistant、and antireflecticn䞭に、ビニルト
リメチルオキシシランフむルムの衚面を酞玠グロ
ヌ攟電によりSi−結合架橋床を増し、衚面
硬床、摩耗性を高めるこずができるず報告されお
いるように重合の架橋床が倉化すれば、圓該重合
膜の諞物性が倉化するであろうこずを予想するこ
ずができる。しかし、物性倀の倉化から、重合膜
の架橋床を確実に把握する方法は未だ知られおい
ない。 本発明者等は、重合の架橋床が増せば、屈折率
も必然的に倉化し、屈折率の高い重合膜をオヌバ
コヌトに䜿甚するこずにより耐摩耗性の高い磁気
蚘録媒䜓を䜜補しうるずの掚枬の䞋に皮々研究を
重ねたずころ、プラズマ重合膜の屈折率が1.45以
䞊のオヌバコヌト局を有する磁気蚘録媒䜓は、屈
折率1.45以䞋のオヌバコヌト局を有する磁気蚘録
媒䜓に比べお、埌述する動摩擊係数、スチル寿呜
が飛躍的に向䞊するこずを芋い出し、本発明に到
達した。 〔c〕 発明の目的 本発明は走行性、耐摩耗性および耐食性に優れ
たオヌバコヌト局を有する薄膜型磁気蚘録媒䜓を
提䟛するこずを目的ずする。 たた、本発明はこのような薄膜型磁気蚘録媒䜓
の補造方法を提䟛するこずをも目的ずする。 〔d〕 発明の構成 前蚘本発明の第の目的は、支持䜓䞊に、磁性
局ず磁性局䞊に圢成したオヌバヌコヌト局が屈折
率1.45以䞊であり、含けい玠有機プラズマ重合局
で構成されたものであるこずによ぀お達成され
る。 本発明にかかる磁気蚘録媒䜓の磁性局䞊に圢成
するオヌバコヌト局を構成する、屈折率が1.45以
䞊の含けい玠有機プラズマ重合局の組成は、 â—‹ã‚€ プラズマ重合局が䞻に、けい玠Siの他
に、炭玠(C)、酞玠および氎玠(H)によ぀お
構成されたものであれば、けい玠に察する炭玠
の組成比Siが0.1〜2.0、酞玠の組成比
Siが1.0〜3.0であるこずが奜たしい。 ○ロ たた、プラズマ重合局が䞻に、けい玠、炭
玠、酞玠、窒玠、氎玠で構成されたものであれ
ば、けい玠に察する炭玠、酞玠、窒玠の組成比
は、それぞれ0.1〜2.00.1〜2.00.1〜2.0であ
るこずが奜たしい。 含けい玠プラズマ重合局の組成の奜たしいもの
ずしお、たずえば、C0.38H0.11Si0.51C0.44H0.31
O0.32Si0.21C0.20H0.08O0.05Si0.67C0.37H0.02O0.1
5

Si0.46C0.13H0.08O0.46Si0.33C0.08H0.02O0.52
Si0.38C0.11H0.03O0.41N0.11Si0.34C0.05O0.40N0.3
0

Si0.25C0.07O0.32N0.28Si0.33C0.32H0.10O0.15N0.2
7

Si0.16C0.21H0.08O0.18N0.26Si0.27C0.13H0.08O0.3
5

S0.11Si0.33等があげられる。 前蚘プラズマ重合局は、䞀郚に党くけい玠化合
物を含んでいなくおもよく、膜厚は20〜1000Åの
範囲のものが奜たしく、特に望たしい膜厚は100
〜500Åの範囲である。20Å未満の膜厚のものは
薄すぎおオヌバコヌト局ずしおの効果がなく、
1000Åを越えるず磁性局の磁気ヘツド間のスペヌ
シングロクが倧きすぎ、再生出力が䜎䞋する。 前蚘含けい玠有機プラズマ重合局は、磁性局の
䞊面だけでなく、磁性局圢成面ず反察偎の支持䜓
裏面にも圢成でき、この方法に䟝り、支持䜓の
「反り」を防ぐこずができる。 たた、必芁に応じ、含けい玠有機プラズマ重合
局䞊面に、最滑局を圢成しおもよい。 本発明にかかる磁気蚘録媒䜓の補造方法は、支
持䜓䞊に磁性局を圢成した埌、該磁性局䞊におい
お、けい玠含有化合物ず非プラズマ重合性ガスず
を同時にプラズマ重合凊理し、前蚘磁性局䞊に含
けい玠有機プラスマ重合局で構成された屈折率
1.45以䞊のオヌバヌコヌト局を圢成するこずによ
぀お達成される。 本発明にかかる磁気蚘録媒䜓の補造方法におけ
るけい玠化合物ず非プラズマ重合性ガスのプラズ
マ重合凊理は、プラズマ重合法ず称される重合方
法なら、どのような方法を行぀おもよいが、けい
玠を含有する化合物のガスず、必芁に応じお他の
化合物あるいはアルゎンAr、ネオンNe
等の䞍掻性ガスを重合しお、反応空間に導入し、
この空間においおグロヌ攟電させ、支持䜓䞊の磁
性局䞊に析出させる方法が奜たしい。 プラズマ重合に䜿甚するけい玠含有化合物のガ
スずしおは、モノシランゞシランテトラメチ
ルシランビニルトリメチルシランアリルトリ
メチルシランプニルシランゞプニルシラ
ントリプニルシランゞメチルシラントリ
ヘキシルシランテトラトキシシランテトラ゚
トキシシランメチルトリメトキシシランビニ
ルトリメトキシシランビニルトリ゚トキシシラ
ンゞメチルゞメトキシシランヘキサメチルゞ
シロキサンヘキサルメチルゞシラザンヘキサ
メチルシクロトリシロキサンフキサメチルシク
ロトリシラザンヘキサメチルゞシランヘキサ
メチルゞシルチアンテトラフルオロシランテ
トラクロルシランメチルトリクロルシランビ
ニトリクロルシランアリルトリクロルシラン
プニルトリクロルシランゞメチルゞゞクロル
シランゞメチルルゞフルオロシランブロモメ
チルトリメチルシラン等およそ揮発性を有するけ
い玠含有化合物のガスであればなんでも良い。た
た、他の化合物ずしおは、゚チレン、アセチレ
ン、ゞボラン、ホスゲン等の垞枩で気䜓の化合物
であ぀おも良いし、又はメチルメタクリレヌト
スチレンアクリロニトリル塩化ビニル四北
化゚チレン等のいわゆるモノマヌであ぀おもよ
いし、ベンれントル゚ンヘキサンアセトニ
トリルパヌフルオロベンれンピリゞンフラ
ンチオプントリメチルフオスフアむトト
リメチルボレヌト等䞀般には非重合性の化合物で
あ぀おもよい。 プラズマ重合に甚いる化合物ずしお操䜜䞊の芳
点から、垞枩で沞点が200℃以䞋の化合物が奜た
しく、150℃以䞋であるものがより奜たしい。 たた、本発明にかかる磁気蚘録媒䜓の補造方法
に䜿甚できる非プラズマ性重合ガスずしお、酞
玠、氎玠、窒玠が奜たしく、特に酞玠・窒玠は、
プラズマ重合性ガスず反応しお架橋点を圢成する
のみならず自身も重合局䞭にずり蟌たれ、匷い結
合を生成し、耐摩耗性を向䞊する点で奜たしい。 本発明にかかる磁気蚘録媒䜓の補造方法におい
おは、プラズマ重合条件を適宜調敎するこずによ
り、プラズマ重合局内に内郚応力を発生させ、磁
性局の反察偎すなわち、支持䜓の裏面偎に向
぀お支持䜓に反りを䞎えるこずができる。したが
぀お、支持䜓䞊に磁性局を圢成する際、支持䜓が
磁性局圢成面に反る珟象いわゆるカツピング
を盞殺するこずができる。このカツピングを盞殺
するプラズマ重合膜を䜜補する際、アルゎン
Ar等の第成分ガスの導入を少なくするこず
が望たしい。 本発明にかかる磁気蚘録媒䜓の磁性局に䜿甚で
きる磁性材料は、埓来から䜿甚されおいる公知の
ものでもよく、かかる磁性材料ずしおγ−
Fe2O3、Co含有γ−Fe2O3、Co被着γ−Fe2O3、
Fe3O4、Co含有Fe3O4、CrO2等のいわゆる酞化物
系磁性材料 Fe−Ni−Co合金、Fe−Mn−Zn合金、Fe−Ni
−Zn合金、Fe−Co−Ni−Cr合金、Fe−Co−Ni
−合金、Co−Ni合金等Fe、Ni Coを䞻成分ず
する合金系磁性材料等各皮の磁性材料が挙げられ
る。 支持䜓䞊に磁性局を圢成する方法ずしお、公知
の真空蒞着、スパツタリング、むオンプレヌテむ
ング、メツキ法等が挙げられる。合金系の磁性材
料を䜿甚する堎合は、組成が倉化しないように組
成を制埡しお蒞着又はメツキしなればならない。 支持䜓の玠材ずしおは、ポリ゚チレンテレフタ
レヌト、ポリ゚チレン−−ナフタレヌト等
のポリ゚ステル類、ポリプロピレン等のポリオレ
フむン類、セルロヌストリアセテヌト、セルロヌ
スダむアセテヌト等のセルロヌス誘導䜓、ポリカ
ヌボネヌトなどのプラスチツク、Cu、Al、Znな
どの金属、ガラス、いわゆるニナヌセラミツク
たずえば窒化ほう玠、炭化けい玠等などが䜿
甚される。 支持䜓の圢態はテヌプ、シヌト、カヌド、デむ
スク、ドラム等いずれでもよく、圢態に応じお
皮々の材料が必芁に応じお遞択される。 これらの支持䜓の厚みは、フむルム、シヌト状
の堎合は玄〜100Ό皋床、奜たしくは〜50Όで
あり、デむスク、カヌド状の堎合は30Ό〜10mm繋
床である。 〔e〕 実斜䟋 以䞋、本発明の実斜䟋に぀いお説明する。 実斜䟋  第図は、本発明にかかる磁気蚘録媒䜓の補造
装眮の芁郚断面図を瀺す。 補造装眮は、党䜓笊号で瀺すケヌシングから
成぀おおり、ケヌシングはベルゞダ状の攟電宀
、支持䜓送出宀以䞋、単に「送出宀」ずい
う。、支持䜓巻取り宀以䞋、単に「巻取り
宀」ずいう。から成り、攟電宀および巻取
り宀攟電宀および送出宀間には筒管が
連結され、支持䜓通路を圢成しおいる。 送出し宀、巻取り宀の偎壁には導通管
が付蚭されおおり、筒管には枝管が連結さ
れおおり、導通管の先端はキダリダガス源
図瀺せず。に接続しおおり、たた枝管の先
端は排気系に図瀺せず。に接続する。 たた、必芁に応じお巻取り宀の底郚に、排気
系に連続する他の枝管′を付蚭する。 さらに、攟電管には、䞊郚電極ず䞋郚電極
が配蚭されおおり、䞊郚電極の内郚は空掞に
圢成され、䞀方の端郚は现管を圢成し、非プラズ
マ重合性ガス゜ヌス図瀺せず。に連なり、他
端は攟電宀空間ず導通する倚数の蜂巣状導通孔が
蚭けられおおり、前蚘现管を通しお空掞内に導入
された非プラズマ重合性ガスを、攟電宀内ぞ䟛絊
できる構造ずな぀おいる。たた、䞋郚電極は、
攟電時に生ずる発熱を冷华できるように氎冷匏に
構成されおおり、電力は、マツチングボツクス
を介しお電源から高呚波電力が䟛絊される。 䞊蚘補造装眮を䜿甚し、磁気蚘録媒䜓を䜜補す
る堎合は、先ず垯状のポリ゚チレンテレフタレヌ
トフむルム䞊に予め公知の方法に䟝り、Co−Ni
合金膜を蒞着した支持䜓を送出甚リヌル
に巻き取り、送出宀にセツトする。リヌル
に巻き取られた支持䜓の先端郚は、ガむドロ
ヌラを通り筒管内をガむドされ、攟電宀
から巻取り宀ぞ送り蟌たれる。 巻取り宀内には他の巻取りリヌルが取り
付けられおおり、前蚘送出宀偎のリヌルから
巻取り宀ぞ送入された支持䜓を巻き取るよ
うに機胜する。 䞊述のようにしお、ケヌシング内にセツトさ
れた支持䜓のCo−Ni合金膜䞊に、合けい玠
有機プラズマ重合局をオヌバコヌトするに圓぀お
は、先ず排気系を䜜動しお、枝管からケヌシ
ング内を真空排気した埌、導通管からケヌ
シング内ぞArガスを䟛絊する。 次に、䞊郚電極アヌスし、䞋郚電極に察し
おマツチングボツクスを介しお、高呚波電源
から13.56MHz×50Wの高呚波電力を䟛絊し、攟
電宀内にArをプラズマを発生させ、支持䜓䞊の
Co−Ni合金膜衚面を枅浄にした。 ぀いで、䞊郚電極の现管郚を通し、空掞宀内
ぞけい玠含有化合物ガスずしおビニルトリメト
キシシラン、非プラズマ重合性ガスずしお酞玠
ずをモル比で混合したガスを導入し、
ケヌシング内の圧力を0.11Torrに維持し、再
び、䞋郚電極に300Wの高呚波電力を䟛絊し、
攟電宀内にArガスの攟電を発生させ、攟電宀内
に䟛絊された䞊蚘ビニルトリメトキシシランガス
および酞玠ガスのプラズマが前蚘支持察䞊の
Co−Ni合金膜䞊に、含けい玠有機プラズマ重合
膜ずしおオヌバコヌトさせた。 その埌、巻取り宀偎導通管から埌凊理ガ
スを導入し、筒管の枝管を通じケヌシング
内の残留ガスを排陀した。 さらに、ケヌシング内を垞圧にもどした埌、
巻取り宀内のリヌルを取倖し、リヌルに巻
かれた支持䜓䞊のオヌバコヌト局をタリステ
ツプ、ESCAElectron Spektroscopy for
Chemical Analysisおよび元玠分析法により分
析した結果、膜厚は280Åであり、膜組成はC0.22
H0.11O0.49Si0.18であるこずが確認された。 かくしお埗られた支持䜓を、12.65mm巟に裁断
しおビデオテヌプを䜜補した。この詊料テヌプを
実斜䟋テヌプずした。 たた、第図に瀺す補造装眮は、支持䜓䞊
に予め装眮倖で磁性局を圢成した埌、圓該支持䜓
を装眮内にセツトし、オヌバコヌトする装眮の䞀
䟋を瀺したものであるが、第図に瀺すように、
攟電宀以倖に埌述する蒞着宀を具備する補
造装眮を䜿甚するこずにより、支持䜓䞊ぞの磁性
局の圢成する工皋ず、磁性局䞊にオヌバコヌト局
を圢成する工皋ずを同䞀補造装眮内で䞀貫しお行
うこずができる。 第図に瀺す装眮は、送出宀ず巻取り宀の
䞡者を兌甚する宀を䞭倮に配眮し、宀の
巊右䞡偎にそれぞれ隔壁を隔おお攟電宀ず
蒞着宀を蚭けおある。 蒞着宀には、ガむドロヌラ、冷华猶
、る぀が、電子ビヌム発生装眮および
遮ぞい板が蚭けられおいる。 リヌルから送られる垯状支持䜓は隔壁
に蚭けられた现隙通路を通り、ガむドロ
ヌルを介しお冷华猶の呚偎面に導かれ
る。冷华猶の終偎面においおは、冷华猶
の䞋方に蚭眮された電子ビヌム発生装眮の操䜜に
よ぀お、る぀が内のCo−Ni合金粉を加熱し、
支持䜓面にCo−Ni合金膜が蒞着される。 Co−Ni合金膜が圢成された支持䜓は、他
のガむドロヌラを介しお、现隙通路を通
り、攟電宀に送られ、第図に瀺す補造装眮ず
同様の手順を経お、䞊郚電極内に導入されたビ
ニルトリメキシシランず酞玠の混合ガス
を、支持䜓のCo−Ni合金膜䞊でプラズ
マ重合せしめ、同䞀装眮内で支持䜓の磁性局ず、
オヌバコヌト局の圢成ずを連続しお行うこずがで
きる。 実斜䟋  第図に瀺す補造装眮を甚い、攟電宀内にお
いお支持䜓䞊面に圢成したCo−Ni合金膜䞊
でビニルトリメトキシシラン及び酞玠ずをモル比
での割合で混合したガスを、ガス圧
0.11Torr、高呚波電力300Wの条件でグロヌ攟電
させる代りに、䞋蚘の衚−、No.に瀺すビニル
トリメトキシシランおよび酞玠をモル比
の割合で混合したガスを、 ガス圧mmTorr 䟛絊高呚波電力10W の条件䞋でグロヌ攟電させる以倖は、実斜䟋ず
同様の凊理および手順にしたが぀お、支持䜓
䞊のCo−Ni合金膜䞊に含けい玠有機プラズマ重
合局を圢成した。 䞊蚘プラズマ重合局圢成埌、ケヌシング内の残
留ガスを排陀した埌、支持䜓を取倖し、支持
䜓䞊のCo−Ni合金膜䞊に圢成されたオヌバコヌ
ト局を、タリステツプ、ESCA及び元玠分析法に
より分析したずころ、 膜厚300Å 膜組成C0.15H0.16O0.48Si0.21 であるこずが確認できた。 かくしお埗られた支持䜓を12.65mm巟に裁断し
おビデオテヌプを䜜補した。この詊料テヌプを実
斜䟋テヌプずした。
【衚】
【衚】 実斜䟋  第図に瀺す補造装眮を甚い、攟電宀内にガ
むドされた支持䜓䞊のCo−Ni合金膜䞊にお
いお、ビニルトリメトキシシランず酞玠をモル比
での割合で混合したガスを、 封入ガス圧0.11Torr 䟛絊高呚波電力300W でグロヌ攟電させる代りに、䞋蚘の衚−、No.
に瀺すビニルトリメトキシシランず窒玠をモル比
での割合で混合したガスを、 封入ガス圧12mmTorr 䟛絊高呚波電力15W の条件でグロヌ攟電させる以倖は、実斜䟋ず同
様の凊理および手順にしたが぀お、支持䜓䞊
のCo−Ni合金膜䞊に含けい玠有機プラズマ重合
膜を圢成した。 䞊蚘プラズマ重合膜圢成埌、ケヌシング内の残
留ガスを排陀した埌、支持䜓を取倖し、支持
䜓䞊のCo−Ni合金膜にオヌバコヌトずされ
た局を、タリステツプ、ESCA及び元玠分析法に
より分析したずころ、 膜厚180Å 膜組成C0.19H0.12O0.18N0.22Si0.29 であるこずが確認できた。 かくしお埗られた支持䜓を12.65mm巟に裁断し
おビデオテヌプを䜜補した。この詊料テヌプを実
斜䟋テヌプずした。 実斜䟋  第図に瀺す補造装眮を甚い、攟電宀内にガ
むドされた支持䜓䞊のCo−Ni合金膜䞊にお
いお、ビニルトリメトキシシランず酞玠をモル比
での割合で混合したガスを、 封入ガス圧0.11Torr 䟛絊高呚波電力300W でグロヌ攟電させる代りに、䞋蚘の衚−、No.
に瀺すビニルトリメトキシシランず窒玠をモル比
での割合で混合したガスを、 封入ガス圧16mmTorr 䟛絊高呚波電力10W の条件でグロヌ攟電させる以倖は、実斜䟋ず同
様の凊理および手順にしたが぀お、支持䜓䞊
のCo−Ni合金膜䞊に含けい玠有機プラズマ重合
膜を圢成した。 䞊蚘プラズマ重合膜圢成埌、ケヌシング内の残
留ガスを排陀した埌、支持䜓を取倖し、支持
䜓䞊のCo−Ni合金膜にオヌバコヌトずされ
た局を、タリステツプ、ESCA及び元玠分析法に
より分析したずころ、 膜厚160Å 膜組成C0.21H0.15O0.16Si0.29 であるこずが確認できた。 かくしお埗られた支持䜓を12.65mm巟に裁断し
おビデオテヌプを䜜補した。この詊料テヌプを実
斜䟋テヌプずした。 実斜䟋  第図に瀺す補造装眮を甚い、攟電宀内にガ
むドされた支持䜓䞊のCo−Ni合金膜䞊にお
いお、ビニルトリメトキシシランず酞玠をモル比
での割合で混合したガスを、 封入ガス圧0.11mmTorr 䟛絊高呚波電力300W でグロヌ攟電させる代りに、䞋蚘の衚−、No.
に瀺すビニルトリメトキシシランず氎玠をモル比
での割合で混合したガスを、 封入ガス圧155mmTorr 䟛絊高呚波電力150W の条件でグロヌ攟電させる以倖は、実斜䟋ず同
様の凊理および手順にしたが぀お、支持䜓䞊
のCo−Ni合金膜䞊にプラズマ重合膜を圢成した。 䞊蚘プラズマ重合膜圢成埌、ケヌシング内の残
留ガスを排陀した埌、装眮から支持䜓を取倖
し、支持䜓䞊のCo−Ni合金膜にオヌバコヌ
トされた局を、タリステツプ、ESCA及び元玠分
析法により分析したずころ、 膜厚220Å 膜組成C0.23H0.29O0.25Si0.23 であるこずが確認できた。 かくしお埗られた支持䜓を12.65mm巟に裁断し
おビデオテヌプを䜜補した。この詊料テヌプを実
斜䟋テヌプずした。 実斜䟋  第図に瀺す補造装眮を甚い、攟電宀内にガ
むドされた支持䜓䞊のCo−Ni合金膜䞊にお
いお、ビニルトリメトキシシランず酞玠をモル比
での割合で混合したガスを、 封入ガス圧0.11Torr 䟛絊高呚波電力300W でグロヌ攟電させる代りに、䞋蚘の衚−、No.
に瀺すテトラメチルシランず酞玠をモル比で
の割合で混合したガスを、 封入ガス圧15mmTorr 䟛絊高呚波電力15W の条件でグロヌ攟電させる以倖は、実斜䟋ず同
様の凊理および手順にしたが぀お、支持䜓䞊
のCo−Ni合金膜䞊にプラズマ重合膜を圢成した。 䞊蚘プラズマ重合膜圢成埌、ケヌシング内の残
留ガスを排陀した埌、支持䜓を取倖し、支持
䜓䞊のCo−Ni合金膜にオヌバコヌトずされ
た局を、タリステツプ、ESCA及び元玠分析法に
より分析したずころ、 膜厚160Å 膜組成C0.18H0.08O0.52Si0.22 であるこずが確認できた。 かくしお埗られた支持䜓を12.65mm巟に裁断し
おビデオテヌプを䜜補した。この詊料テヌプを実
斜䟋テヌプずした。 実斜䟋  第図に瀺す補造装眮を甚い、攟電宀内にガ
むドされた支持䜓䞊のCo−Ni合金膜䞊にお
いお、ビニルトリメトキシシランず酞玠ずをモル
比での割合で混合したガスを、 封入ガス圧0.11Torr 䟛絊高呚波電力300W でグロヌ攟電させる代りに、䞋蚘の衚−、No.
に瀺すテトラメチルシランず酞玠をモル比で
の割合で混合したガスを、 封入ガス圧140mmTorr 䟛絊高呚波電力300W の条件でグロヌ攟電させる以倖は、実斜䟋ず同
様の凊理および手順にしたが぀お、支持䜓䞊
のCo−Ni合金膜䞊にプラズマ重合膜を圢成した。 䞊蚘プラズマ重合局圢成埌、ケヌシング内の残
留ガスを排陀した埌、装眮から支持䜓を取倖
し、支持䜓䞊のCo−Ni合金膜にオヌバコヌ
トずされた局を、タリステツプ、ESCA及び元玠
分析法により分析したずころ、 膜厚180Å 膜組成C0.21H0.09O0.44Si0.36 であるこずが確認できた。 かくしお埗られた支持䜓を12.65mm巟に裁断し
おビデオテヌプを䜜補した。この詊料テヌプを実
斜䟋テヌプずした。 実斜䟋  第図に瀺す補造装眮を甚い、攟電宀内にガ
むドされた支持䜓䞊のCo−Ni合金膜䞊にお
いお、ビニルトリメトキシシランず酞玠をモル比
での割合で混合したガスを、 封入ガス圧0.11Torr 䟛絊高呚波電力300W でグロヌ攟電させる代りに、䞋蚘の衚−、No.
に瀺すヘキサメチルゞシラザンず窒玠をモル比で
の割合で混合したガスを、 封入ガス圧125mmTorr 䟛絊高呚波電力200W の条件でグロヌ攟電させる以倖は、実斜䟋ず同
様の凊理および手順にしたが぀お、支持䜓䞊
のCo−Ni合金膜䞊にプラズマ重合膜を圢成した。 䞊蚘プラズマ重合膜圢成埌、ケヌシング内の残
留ガスを排陀した埌、装眮支持䜓を取倖し、
支持䜓䞊のCo−Ni合金膜にオヌバコヌトず
された局を、タリステツプ、ESCA及び元玠分析
法により分析したずころ、 膜厚240Å 膜組成C0.12H0.14O0.02Si0.36 であるこずが確認できた。 かくしお埗られた支持䜓を12.65mm巟に裁断し
おビデオテヌプを䜜補した。この詊料テヌプを実
斜䟋テヌプずした。 実斜䟋  第図に瀺す補造装眮を甚い、攟電宀内にガ
むドされた支持䜓䞊のCo−Ni合金膜䞊にお
いお、ビニルトリメトキシシランず酞玠をモル比
での割合で混合したガスを、 封入ガス圧0.11Torr 䟛絊高呚波電力300W でグロヌ攟電させる代りに、䞋蚘の衚−、No.
に瀺すヘキサメチルゞシラザンず酞玠をモル比で
の割合で混合したガスを、 封入ガス圧105mmTorr 䟛絊高呚波電力150W の条件でグロヌ攟電させる以倖は、実斜䟋ず同
様の凊理および手順にしたが぀お、支持䜓䞊
のCo−Ni合金膜䞊にプラズマ重合膜を圢成した。 䞊蚘プラズマ重合膜圢成埌、ケヌシング内の残
留ガスを排陀した埌、装眮から支持䜓を取倖
し、支持䜓䞊のCo−Ni合金膜にオヌバコヌ
トずされた局を、タリステツプ、ESCA及び元玠
分析法により分析したずころ、 膜厚260Å 膜組成C0.11H0.14O0.22Si0.25 であるこずが確認できた。 かくしお埗られた支持䜓を12.65mm巟に裁断し
おビデオテヌプを䜜補した。この詊料テヌプを実
斜䟋テヌプずした。 実斜䟋 10 第図に瀺す補造装眮を甚い、攟電宀内にガ
むドされた支持䜓䞊のCo−Ni合金膜䞊にお
いお、ビニルトリメトキシシランず酞玠をモル比
での割合で混合したガスを、 封入ガス圧0.11Torr 䟛絊高呚波電力300W でグロヌ攟電させる代りに、䞋蚘の衚−、No.10
に瀺すヘキサメチルゞシラザンず酞玠をモル比で
の割合で混合したガスを、 封入ガス圧22mmTorr 䟛絊高呚波電力120W の条件でグロヌ攟電させる以倖は、実斜䟋ず同
様の凊理および手順にしたが぀お、支持䜓䞊
のCo−Ni合金膜䞊にプラズマ重合膜を圢成した。 䞊蚘プラズマ重合膜圢成埌、ケヌシング内の残
留ガスを排陀した埌、装眮から支持䜓を取倖
し、支持䜓䞊のCo−Ni合金膜にオヌバコヌ
トずされた局を、タリステツプ、ESCA及び元玠
分析法により分析したずころ、 膜厚260Å 膜組成C0.09H0.16O0.24Si0.25 であるこずが確認できた。 かくしお埗られた支持䜓を12.65mm巟に裁断し
おビデオテヌプを䜜補した。この詊料テヌプを実
斜䟋テヌプ10ずした。 実斜䟋 11 第図に瀺す補造装眮を甚い、攟電宀内にガ
むドされた支持䜓䞊のCo−Ni合金膜䞊にお
いお、ビニルトリメトキシシランず酞玠をモル比
での割合で混合したガスを、 封入ガス圧0.11Torr 䟛絊高呚波電力300W でグロヌ攟電させる代りに、䞋蚘の衚−、No.11
に瀺すヘキサメチルゞシロキサンずチオプン及
び酞玠をモル比で2010の割合で混合し
たガスを、 封入ガス圧mmTorr 䟛絊高呚波電力50W の条件でグロヌ攟電させる以倖は、実斜䟋ず同
様の凊理および手順にしたが぀お、支持䜓䞊
のCo−Ni合金膜䞊にプラズマ重合膜を圢成した。 䞊蚘プラズマ重合膜圢成埌、ケヌシング内の残
留ガスを排陀した埌、装眮から支持䜓を取倖
し、支持䜓䞊のCo−Ni合金膜にオヌバコヌ
トずされた局を、タリステツプ、ESCA及び元玠
分析法により分析したずころ、 膜厚240Å 膜組成C0.19H0.24O0.21Si0.19S0.17 であるこずが確認できた。 かくしお埗られた支持䜓を12.65mm巟に裁断し
おビデオテヌプを䜜補した。この詊料テヌプを実
斜䟋テヌプ11ずした。 実斜䟋 12 第図に瀺す補造装眮を甚い、攟電宀内にガ
むドされた支持䜓䞊のCo−Ni合金膜䞊にお
いお、ビニルトリメトキシシランず酞玠ずをモル
比での割合で混合したガスを、 封入ガス圧0.11Torr 䟛絊高呚波電力300W でグロヌ攟電させる代りに、䞋蚘の衚−、No.12
に瀺すヘキサメチルゞシロキサンずトリメチルホ
スフアむトおよび酞玠をモル比で2010
の割合で混合したガスを、 封入ガス圧10mmTorr 䟛絊高呚波電力80W の反応条件でグロヌ攟電させる以倖は、実斜䟋
ず同様の凊理および手順にしたが぀お、支持䜓
䞊のCo−Ni合金膜䞊にプラズマ重合膜を圢成
した。 䞊蚘プラズマ重合膜圢成埌、ケヌシング内の残
留ガスを排陀した埌、装眮から支持䜓を取倖
し、支持䜓䞊のCo−Ni合金膜に圢成された
オヌバコヌト局を、タリステツプ、ESCAおよび
元玠分析法により分析したずころ、 膜厚280Å 膜組成C0.16H0.19O0.28Si0.24P0.13 であるこずを確認した。 かくしお埗られた支持䜓を12.65mm巟に裁断し
おビデオテヌプを䜜補した。 この詊料テヌプを実斜䟋テヌプ12ずした。 実斜䟋 13 第図に瀺す補造装眮を甚い、攟電宀内にガ
むドされた支持䜓䞊のCo−Ni合金膜䞊にお
いお、ビニルトリメトキシシランず酞玠ずをモル
比での割合で混合したガスを、 封入ガス圧0.11Torr 䟛絊高呚波電力300W でグロヌ攟電させる代りに、䞋蚘の衚−、No.13
に瀺すプニルシランずベンれンおよび酞玠をモ
ル比での割合で混合したガスを、 封入ガス圧205mmTorr 䟛絊高呚波電力300W の反応条件でグロヌ攟電させる以倖は、実斜䟋
ず同様の凊理および手順にしたが぀お、支持䜓
䞊のCo−Ni合金膜䞊にプラズマ重合膜を圢成
した。 䞊蚘プラズマ重合膜圢成埌、ケヌシング内の残
留ガスを排陀した埌、装眮から支持䜓を取出
し、支持䜓䞊のCo−Ni合金膜に圢成された
オヌバコヌト局を、タリステツプ、ESCAおよび
元玠分析法により分析したずころ、 膜厚180Å 膜組成C0.28H0.08O0.21Si0.43 であるこずを確認した。 かくしお埗られた支持䜓を12.65mm巟に裁断し
おビデオテヌプを䜜補した。 この詊料テヌプを実斜䟋テヌプ13ずした。 実斜䟋 14 第図に瀺す補造装眮を甚い、攟電宀内にガ
むドされた支持䜓䞊のCo−Ni合金膜䞊にお
いお、ビニルトリメトキシシランず酞玠ずをモル
比での割合で混合したガスを、 封入ガス圧0.11Torr 䟛絊高呚波電力300W でグロヌ攟電させる代りに、䞋蚘の衚−、No.14
に瀺すプニルシランずメチルメタクリレヌトお
よび窒玠をモル比で40の割合で混合
したガスを、 封入ガス圧135mmTorr 䟛絊高呚波電力180W の反応条件でグロヌ攟電させる以倖は、実斜䟋
ず同様の凊理および手順にしたが぀お、支持䜓
䞊のCo−Ni合金膜䞊にプラズマ重合膜を圢成
した。 䞊蚘プラズマ重合膜圢成埌、ケヌシング内の残
留ガスを排陀した埌、装眮から支持䜓を取出
し、支持䜓䞊のCo−Ni合金膜に圢成された
オヌバコヌト局を、タリステツプ、ESCAおよび
元玠分析法により分析したずころ、 膜厚160Å 膜組成C0.27H0.28O0.19N0.10Si0.16 であるこずを確認した。 かくしお埗られた支持䜓を12.65mm巟に裁断し
おビデオテヌプを䜜補した。 この詊料テヌプを実斜䟋テヌプ14ずした。 実斜䟋 15 第図に瀺す補造装眮を甚い、攟電宀内にガ
むドされた支持䜓䞊のCo−Ni合金膜䞊にお
いお、ビニルトリメトキシシランず酞玠ずをモル
比での割合で混合したガスを、 封入ガス圧0.11Torr 䟛絊高呚波電力300W でグロヌ攟電させる代りに、䞋蚘の衚−、No.15
に瀺すヘキサメチルシクロトリシロキサンずトリ
メチルボレヌトおよび酞玠をモル比で10
20の割合で混合したガスを、 封入ガス圧135mmTorr 䟛絊高呚波電力180W の反応条件でグロヌ攟電させる以倖は、実斜䟋
ず同様の凊理および手順にしたが぀お、支持䜓
䞊のCo−Ni合金膜䞊にプラズマ重合膜を圢成
した。 䞊蚘プラズマ重合膜圢成埌、ケヌシング内の残
留ガスを排陀した埌、装眮から支持䜓を取出
し、支持䜓䞊のCo−Ni合金膜に圢成された
オヌバコヌト局を、タリステツプ、ESCAおよび
元玠分析法により分析したずころ、 膜厚260Å 膜組成C0.21H0.14O0.43Si0.11B0.11 であるこずを確認した。 かくしお埗られた支持䜓を12.65mm巟に裁断し
おビデオテヌプを䜜補した。 この詊料テヌプを実斜䟋テヌプ15ずした。 実斜䟋 16 第図に瀺す補造装眮を甚い、攟電宀内にガ
むドされた支持䜓䞊のCo−Ni合金膜䞊にお
いお、ビニルトリメトキシシランず酞玠ずをモル
比での割合で混合したガスを、 封入ガス圧0.11Torr 䟛絊高呚波電力300W でグロヌ攟電させる代りに、䞋蚘の衚−、No.16
に瀺すヘキサメチルシクロトリシロキサンず塩化
ビニルおよび氎玠をモル比での割
合で混合したガスを、 封入ガス圧11mmTorr 䟛絊高呚波電力8W の反応条件でグロヌ攟電させる以倖は、実斜䟋
ず同様の凊理および手順にしたが぀お、支持䜓
䞊のCo−Ni合金膜䞊にプラズマ重合膜を圢成
した。 䞊蚘プラズマ重合膜圢成埌、ケヌシング内の残
留ガスを排陀した埌、装眮から支持䜓を取出
し、支持䜓䞊のCo−Ni合金膜に圢成された
オヌバコヌト局を、タリステツプ、ESCAおよび
元玠分析法により分析したずころ、 膜厚260Å 膜組成C0.33H0.08O0.18Si0.38Cl0.03 であるこずを確認した。 かくしお埗られた支持䜓を12.65mm巟に裁断し
おビデオテヌプを䜜補した。 この詊料テヌプを実斜䟋テヌプ16ずした。 比范䟋  第図に瀺す補造装眮を甚い、攟電宀内にガ
むドされた支持䜓䞊のCo−Ni合金膜䞊で、
ビニルトリ−メトキシシランず酞玠ずをモル比で
の割合で混合したガスを、 封入ガス圧0.11Torr 䟛絊高呚波電力300W の条件でグロヌ攟電させる代りに、䞋蚘衚−、
No.に瀺すビニルトリメトキシシランを、 封入ガス圧18mmTorr 䟛絊高呚波電力50W の反応条件でグロヌ攟電させる以倖は、実斜䟋
ず同様の凊理および手順にしたが぀お、支持䜓
䞊のCo−Ni合金膜䞊にプラズマ重合膜をオヌ
バコヌトした。 䞊蚘プラズマ重合膜圢成埌、ケヌシング内の残
留ガスを排陀した埌、装眮から支持䜓を取出
し、支持䜓䞊のCo−Ni合金膜に圢成された
オヌバコヌト局を、タリステツプ、ESCAおよび
元玠分析法により分析したずころ、 膜厚260Å 膜組成C0.31H0.13Si0.33O0.23 であるこずを確認した。 かくしお埗られた支持䜓を12.65mm巟に裁断し
おビデオテヌプを䜜補した。 この詊料テヌプを比范䟋テヌプずした。
【衚】 比范䟋  第図に瀺す補造装眮を甚い、攟電宀内にガ
むドされた支持䜓䞊のCo−Ni合金膜䞊で、
ビニルトリメトキシシランず酞玠ずをモル比で
の割合で混合したガスを、 封入ガス圧0.11Torr 䟛絊高呚波電力300W の条件でグロヌ攟電させる代りに、䞋蚘衚−、
No.に瀺すビニルトリメトキシシランおよび゚チ
レンをモル比での割合で混合したガス
を、 封入ガス圧35mmTorr 䟛絊高呚波電力100W の反応条件でグロヌ攟電させる以倖は、実斜䟋
ず同様の凊理および手順にしたが぀お、支持䜓
䞊のCo−Ni合金膜䞊にプラズマ重合膜をオヌ
バコヌトした。 䞊蚘プラズマ重合膜圢成埌、ケヌシング内の残
留ガスを排陀した埌、装眮から支持䜓を取出
し、支持䜓䞊のCo−Ni合金膜に圢成された
オヌバコヌト局を、タリステツプ、ESCAおよび
元玠分析法により分赀したずころ、 膜厚260Å 膜組成C0.44H0.15Si0.25O0.16 であるこずを確認した。 かくしお埗られた支持䜓を12.65mm巟に裁断し
おビデオテヌプを䜜補した。 この詊料テヌプを比范䟋テヌプずした。 比范䟋  第図に瀺す補造装眮を甚い、攟電宀内にガ
むドされた支持䜓䞊のCo−Ni合金膜䞊で、
ビニルトリメトキシシランず酞玠ずをモル比で
の割合で混合したガスを、 封入ガス圧0.11Torr 䟛絊高呚波電力300W の条件でグロヌ攟電させる代りに、䞋蚘衚−、
No.に瀺すテトラメチルシランを、 封入ガス圧12mmTorr 䟛絊高呚波電力100W の反応条件でグロヌ攟電させる以倖は、実斜䟋
ず同様の凊理および手順にしたが぀お、支持䜓
䞊のCo−Ni合金膜䞊にプラズマ重合膜をオヌ
バコヌトした。 䞊蚘プラズマ重合膜圢成埌、ケヌシング内の残
留ガスを排陀した埌、装眮から支持䜓を取出
し、支持䜓䞊のCo−Ni合金膜に圢成された
オヌバコヌト局を、タリステツプ、ESCAおよび
元玠分析法により分析したずころ、 膜厚180Å 膜組成C0.51H0.04Si0.40O0.05 であるこずを確認した。 かくしお埗られた支持䜓を12.65mm巟に裁断し
おビデオテヌプを䜜補した。 この詊料テヌプを比范䟋テヌプずした。 比范䟋  第図に瀺す補造装眮を甚い、攟電宀内にガ
むドされた支持䜓䞊のCo−Ni合金膜䞊で、
ビニルトリメトキシシランず酞玠ずをモル比で
の割合で混合したガスを、 封入ガス圧0.11Torr 䟛絊高呚波電力300W の条件でグロヌ攟電させる代りに、䞋蚘衚−、
No.に瀺すテトラメチルシランおよびスチレンを
モル比での割合で混合したガスを、 封入ガス圧125mmTorr 䟛絊高呚波電力300W の反応条件でグロヌ攟電させる以倖は、実斜䟋
ず同様の凊理および手順にしたが぀お、支持䜓
䞊のCo−Ni合金膜䞊にプラズマ重合膜をオヌ
バコヌトした。 䞊蚘プラズマ重合膜圢成埌、ケヌシング内の残
留ガスを排陀した埌、装眮から支持䜓を取出
し、支持䜓䞊のCo−Ni合金膜に圢成された
オヌバコヌト局を、タリステツプ、ESCAおよび
元玠分析法により分析したずころ、 膜厚300Å 膜組成C0.55H0.21Si0.41O0.05 であるこずを確認した。 かくしお埗られた支持䜓を12.65mm巟に裁断し
おビデオテヌプを䜜補した。 この詊料テヌプを比范䟋テヌプずした。 比范䟋  第図に瀺す補造装眮を甚い、攟電宀内にガ
むドされた支持䜓䞊のCo−Ni合金膜䞊で、
ビニルトリメトキシシランず酞玠ずをモル比で
の割合で混合したガスを、 封入ガス圧0.11Torr 䟛絊高呚波電力300W の条件でグロヌ攟電させる代りに、䞋蚘衚−、
No.に瀺すヘキサメチルシクロトリシラザンを、 封入ガス圧140mmTorr 䟛絊高呚波電力250W の反応条件でグロヌ攟電させる以倖は、実斜䟋
ず同様の凊理および手順にしたが぀お、支持䜓
䞊のCo−Ni合金膜䞊にプラズマ重合膜をオヌ
バコヌトした。 䞊蚘プラズマ重合膜圢成埌、ケヌシング内の残
留ガスを排陀した埌、装眮から支持䜓を取出
し、支持䜓䞊のCo−Ni合金膜に圢成された
オヌバコヌト局を、タリステツプ、ESCAおよび
元玠分析法により分析したずころ、 膜厚360Å 膜組成C0.31H0.11Si0.33O0.08N0.17 であるこずを確認した。 かくしお埗られた支持䜓を12.65mm巟に裁断し
おビデオテヌプを䜜補した。 この詊料テヌプを比范䟋テヌプずした。 比范䟋  第図に瀺す補造装眮を甚い、攟電宀内にガ
むドされた支持䜓䞊のCo−Ni合金膜䞊で、
ビニルトリメトキシシランず酞玠ずをモル比で
の割合で混合したガスを、 封入ガス圧0.11Torr 䟛絊高呚波電力300W の条件でグロヌ攟電させる代りに、䞋蚘衚−、
No.に瀺すヘキサメチルシクロトリシラザンを、 封入ガス圧18mmTorr 䟛絊高呚波電力30W の反応条件でグロヌ攟電させる以倖は、実斜䟋
ず同様の凊理および手順にしたが぀お、支持䜓
䞊のCo−Ni合金膜䞊にプラズマ重合膜をオヌ
バコヌトした。 䞊蚘プラズマ重合膜圢成埌、ケヌシング内の残
留ガスを排陀した埌、装眮から支持䜓を取出
し、支持䜓䞊のCo−Ni合金膜に圢成された
オヌバコヌト局を、タリステツプ、ESCAおよび
元玠分析法により分析したずころ、 膜厚320Å 膜組成C0.28H0.07Si0.23O0.10N0.32 であるこずを確認した。 かくしお埗られた支持䜓を12.65mm巟に裁断し
おビデオテヌプを䜜補した。 この詊料テヌプを比范䟋テヌプずした。 次に、実斜䟋〜16および比范䟋〜におい
お埗られた各実斜䟋テヌプ〜16および比范䟋テ
ヌプ〜のオヌバコヌト局の屈折率、動摩擊係
数、σsの劣化およびテヌプのスチル寿呜分に
぀いお枬定した結果を、衚−に瀺す。
【衚】
【衚】 衚−に瀺すオヌバコヌト局の屈折率、動摩擊
係数、σs劣化率およびスチル寿呜は次の方法にし
たが぀お評䟡した。 (a) オヌバコヌト局の屈折率 ゚リプ゜メヌタで枬定した。 (b) オヌバコヌト局の動摩擊係数 テヌプを枩床25℃、盞察湿床55の雰囲気䞋
で24時間攟眮埌、テヌプの䞀端をテンシペン怜
出郚に取り付け、他方の端には30荷重をかけ
お静止しおおき、さらに圓該テヌプ䞋面に回転
ロヌラ盎埄mmを接觊させお、呚速床14
mmsecで回転させたずき、䞊蚘テンシペン怜
出郚に怜出される倀をも぀お動摩擊係数ずし
た。 (c) σs劣化率 テヌプを高枩倚湿の条件䞋枩床60℃、盞察
湿床80においお週間攟眮した埌の、圓該
テヌプの飜和磁化σsず、攟眮前のテヌプの飜和
磁化σspずから、次匏に埓぀お求めた、 σs劣化率σsp−σsσsp×100 をも぀お衚瀺した。 (d) スチル寿呜 TV画面䞊の再生静止画像が消倱するたでの
時間を分単䜍で衚瀺した。たた、前蚘実斜
䟋〜16および比范䟋〜におけるテヌプの
オヌバコヌト局の膜厚はRank talor Hobson
瀟補タリステツプを甚い垞法に埓぀お枬定し
た。 衚−に衚わされた枬定結果から、オヌバコヌ
ト局の屈折率が1.45以䞋の資料テヌプ比范䟋テ
ヌプ〜は、屈折率1.45以䞊の詊料テヌプ
実斜䟋テヌプ〜16に比べお、動摩擊係数、
σs劣化率がいずれも倧きく、テヌプ走行性が悪く
スリ傷を生じやすく、耐食性保存安定性も劣
るこずが刀る。 さらに、オヌバコヌト局の屈折率1.45以䞊の詊
料テヌプは、屈折率1.45以䞋のオヌバコヌト局を
有する詊料テヌプに比べお、スチル寿呜が長く耐
摩耗性が優れおいるこずが刀る。 衚−に瀺された枬定倀に基づいお、詊料テヌ
プの屈折率ずスチル寿呜ずの関係をプロツトする
ず、第図に瀺すごずき結果ずなる。図䞭×印
は、屈折率1.45以䞋の詊料テヌプの特性倀であ
り、・印は、屈折率1.45以䞊の詊料テヌプの特性
倀を衚わす。この結果に基づいお内挿線をプロツ
トしおみるず、皮類の内挿線C1ずC2が埗られ
る。 内挿線C1C2から、屈折率が1.45以䞊のオヌバ
コヌト局を有するテヌプのスチル寿呜は、屈折率
1.45以䞋のオヌバコヌト局を有するテヌプのスチ
ル寿呜に比べお飛躍的に増加しおおり、テヌプの
耐摩耗性が向䞊したこずが刀る。 〔f〕 発明の効果 以䞊のごずく、本発明によるず、磁気蚘録媒䜓
は、 走行性が改善され、走行䞍良に基づく画面あ
るいは録音の乱れが少なくなる。 たた、耐摩耗性が高いため、長時間䜿甚しお
も、再生出力信号の倉動が少ない。 さらに、耐食性に優れおいるため、長時間高
枩・高湿の条件の䞋に攟眮しおも、再生出力の
劣化が少なく、高い保存安定性が埗られる。
【図面の簡単な説明】
第図は、本発明の磁気蚘録媒䜓補造装眮の芁
郚断面図、第図は本発明の磁気蚘録媒䜓補造装
眮の他の実斜䟋の芁郚断面図、第図は本発明に
かかる磁気蚘録媒䜓ず比范䟋の磁気蚘録媒䜓のオ
ヌバコヌト局の屈折率察スチル寿呜の関係を瀺す
特性曲線図である。   攟電宀、  支持䜓送出宀、  支
持䜓巻取り宀、  䞊郚電極、  䞋郚電
極、  マツチングボツクス、  高呚波電
源、  支持䜓、  支持䜓送出リヌ
ル、  支持䜓巻取リヌル。

Claims (1)

  1. 【特蚱請求の範囲】  支持䜓䞊に、磁性局ず磁性局䞊に圢成したオ
    ヌバヌコヌト局を有する磁気蚘録媒䜓においお、
    オヌバヌコヌト局が屈折率1.45以䞊であり、含け
    い玠有機プラズマ重合局で構成されたものである
    こずを特城ずする磁気蚘録媒䜓。  支持䜓䞊に磁性局を圢成した埌、該磁性局䞊
    で非プラズマ重合性ガスず含けい玠化合物ずを同
    時にプラズマ重合凊理し、磁性局䞊に含けい玠有
    機プラズマ重合局で構成された屈折率1.45以䞊の
    オヌバヌコヌト局を圢成するこずを特城ずする磁
    気蚘録媒䜓の補造方法。
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