JPH03257430A - 光制御デバイス - Google Patents
光制御デバイスInfo
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- JPH03257430A JPH03257430A JP5698490A JP5698490A JPH03257430A JP H03257430 A JPH03257430 A JP H03257430A JP 5698490 A JP5698490 A JP 5698490A JP 5698490 A JP5698490 A JP 5698490A JP H03257430 A JPH03257430 A JP H03257430A
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/29—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the position or the direction of light beams, i.e. deflection
- G02F1/31—Digital deflection, i.e. optical switching
- G02F1/313—Digital deflection, i.e. optical switching in an optical waveguide structure
- G02F1/3132—Digital deflection, i.e. optical switching in an optical waveguide structure of directional coupler type
Landscapes
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は光波の変調、光切り替えなどを行う光制御デバ
イスに関し、特に基板中に設けた光導波路を用いて制御
を行う導波形の光制御デバイスに関する。
イスに関し、特に基板中に設けた光導波路を用いて制御
を行う導波形の光制御デバイスに関する。
光通信システムの実用化が進むにつれ、さらに大容量や
多機能を持つ高度のシステムが求められており、高度の
光信号の発生や光伝送路の切り替え、交換などの新たな
機能の付加が必要とされている。従来の実用システムで
は光信号は直接半導体レーザや発光ダイオードの注入電
流を変調することによって得られているが、直接変調で
は緩和振動などの効果のため１０ＧＨｚ以上の高速変調
が難しいこと、波長変動が発生するためコヒーレント光
伝送方式には適用が難しいなどの欠点かある。これを解
決する手段としては、外部変調器を使用する方法があり
、特に基板中に形成した光導波路により構成した導波形
の光変調器は、小型高効玲、高速という特長がある。一
方、光伝送路の切り替えやネットワークの交換機能を得
る手段としては光スィッチが使用される。従来実用され
ている光スィッチは、プリズム ミラー、ファイバーな
どを機械的に移動させるものであり、低速であること、
信頼性が不十分、形状が大きくマトリクス化に不適等の
欠点がある。これを解決する手段と１−て開発が進めら
れているものとして光導波路を用いた導波形の光スィッ
チがあり、高速、多素子の集積化が可能及び高信頼性等
の特長がある。特にニオブ酸リチウム（Ｌｉｎｂ０３）
結晶との強誘電体材料を用いたものは、光吸収が小さく
低損失であること、大きな電気光学効果を有しているた
め高効率である等の特長があり、従来がらも方向性結合
器型光変調器・スイッチ、全反射型光スイッチ、マツハ
ツエンダ型光変調器等の種々の方式の光制御素子が報告
されている。このような導波形の光制御素子を実際の光
通信システムに適用する場合、低損失、高速性等の基本
的性能と同時に特に、動作特性の再現性における製造上
の高歩留り化が実用上不可欠である。
多機能を持つ高度のシステムが求められており、高度の
光信号の発生や光伝送路の切り替え、交換などの新たな
機能の付加が必要とされている。従来の実用システムで
は光信号は直接半導体レーザや発光ダイオードの注入電
流を変調することによって得られているが、直接変調で
は緩和振動などの効果のため１０ＧＨｚ以上の高速変調
が難しいこと、波長変動が発生するためコヒーレント光
伝送方式には適用が難しいなどの欠点かある。これを解
決する手段としては、外部変調器を使用する方法があり
、特に基板中に形成した光導波路により構成した導波形
の光変調器は、小型高効玲、高速という特長がある。一
方、光伝送路の切り替えやネットワークの交換機能を得
る手段としては光スィッチが使用される。従来実用され
ている光スィッチは、プリズム ミラー、ファイバーな
どを機械的に移動させるものであり、低速であること、
信頼性が不十分、形状が大きくマトリクス化に不適等の
欠点がある。これを解決する手段と１−て開発が進めら
れているものとして光導波路を用いた導波形の光スィッ
チがあり、高速、多素子の集積化が可能及び高信頼性等
の特長がある。特にニオブ酸リチウム（Ｌｉｎｂ０３）
結晶との強誘電体材料を用いたものは、光吸収が小さく
低損失であること、大きな電気光学効果を有しているた
め高効率である等の特長があり、従来がらも方向性結合
器型光変調器・スイッチ、全反射型光スイッチ、マツハ
ツエンダ型光変調器等の種々の方式の光制御素子が報告
されている。このような導波形の光制御素子を実際の光
通信システムに適用する場合、低損失、高速性等の基本
的性能と同時に特に、動作特性の再現性における製造上
の高歩留り化が実用上不可欠である。
第５図（ａ）、（ｂ）は従来の光制御デバイスの一例の
平面図及び断面図である。第５図＜ａ）においてＺ軸に
垂直に切り出したニオブ酸リチウム結晶基板１の上にチ
タンを拡散して屈折率を基板よりも大きくして形成した
帯状の光導波路２及び３が形成されており、光導波路２
及び３は基板の中央部で互いに数μｍ程度まで近接し、
方向性結合器４を形成している。また、方向性結合器４
を構成する光導波路上には制御電極による光吸収を防ぐ
ためのバッファ層６を介して制御電極５が形成されてい
る。第５図（ｂ）は方向性結合器４の部分の光導波路２
，３に垂直な断面図を示している。
平面図及び断面図である。第５図＜ａ）においてＺ軸に
垂直に切り出したニオブ酸リチウム結晶基板１の上にチ
タンを拡散して屈折率を基板よりも大きくして形成した
帯状の光導波路２及び３が形成されており、光導波路２
及び３は基板の中央部で互いに数μｍ程度まで近接し、
方向性結合器４を形成している。また、方向性結合器４
を構成する光導波路上には制御電極による光吸収を防ぐ
ためのバッファ層６を介して制御電極５が形成されてい
る。第５図（ｂ）は方向性結合器４の部分の光導波路２
，３に垂直な断面図を示している。
第５図において、光導波路２に入射した入射光７は方向
性結合器４の部分を伝搬するにしたがって近接した先導
波路３へ徐々に光りエネルギーが移り、方向性結合器４
を通過後は先導波路３にほぼ１００％エネルギーが移っ
て出射光８となる。
性結合器４の部分を伝搬するにしたがって近接した先導
波路３へ徐々に光りエネルギーが移り、方向性結合器４
を通過後は先導波路３にほぼ１００％エネルギーが移っ
て出射光８となる。
一方、制御電極５に電圧を印加した場合、電気光学効果
により制御電極下の光導波路の屈折率が変化し、光導波
路２と３を伝搬する導波モードの間に位相速度の不整合
が生じ、両者の間の結合状態は変化する。
により制御電極下の光導波路の屈折率が変化し、光導波
路２と３を伝搬する導波モードの間に位相速度の不整合
が生じ、両者の間の結合状態は変化する。
上述した従来の光制御デバイスにおいて、制御電極５は
、制御電極用膜を形成後マスクを用いたりソグラヒイ法
などにより制御電極以外の制御電極用膜をエツチングに
より除去して形成する。バッファ層６及び制御電極５の
形成時には各堆積膜と下地の物質の熱膨張係数の違い及
びポアソン比等の弾性定数の違いなどにより基板に対し
て歪が発生することが知られている。この状態では、成
膜時に有していた歪量は均一に誘電体結晶基板全体に分
布するため、先導波路及び誘電体結晶基板の屈折Ｗの絶
対値は変化しても、先導波路の誘電対結晶に対する屈折
率差は成膜前後において変化しない。従って、先導波路
特性は先導波路を誘電体結晶基板に形成したときの特性
を保持しており、方向性結合器の結合状態になんら変化
を与えない。しかし、その後制御電極用膜をエツチング
することで形成された制御電極部は弾性的に不連続であ
るため、制御電極形成時に変動する歪が制御電極近傍に
不均一に集中し局在する。この歪により強誘電体結晶基
板１ではピエゾ効果及び光弾性効果などにより屈折率の
変動をもならす。従って、この屈折率変動が制御電極近
傍に形成されている先導波路近傍にも影響を与え、先導
波路特性を変化させてしまう。その結果、方向性結合器
４の結合状態は変化するため、所望の光導波結合状態が
得られないという問題を有している。なお、この結合状
態の変化量はバッファ層膜及び制御電極用膜の成形のバ
ッチ毎に変化に差があり、所望の特性を高歩留りで製造
することができなかった。
、制御電極用膜を形成後マスクを用いたりソグラヒイ法
などにより制御電極以外の制御電極用膜をエツチングに
より除去して形成する。バッファ層６及び制御電極５の
形成時には各堆積膜と下地の物質の熱膨張係数の違い及
びポアソン比等の弾性定数の違いなどにより基板に対し
て歪が発生することが知られている。この状態では、成
膜時に有していた歪量は均一に誘電体結晶基板全体に分
布するため、先導波路及び誘電体結晶基板の屈折Ｗの絶
対値は変化しても、先導波路の誘電対結晶に対する屈折
率差は成膜前後において変化しない。従って、先導波路
特性は先導波路を誘電体結晶基板に形成したときの特性
を保持しており、方向性結合器の結合状態になんら変化
を与えない。しかし、その後制御電極用膜をエツチング
することで形成された制御電極部は弾性的に不連続であ
るため、制御電極形成時に変動する歪が制御電極近傍に
不均一に集中し局在する。この歪により強誘電体結晶基
板１ではピエゾ効果及び光弾性効果などにより屈折率の
変動をもならす。従って、この屈折率変動が制御電極近
傍に形成されている先導波路近傍にも影響を与え、先導
波路特性を変化させてしまう。その結果、方向性結合器
４の結合状態は変化するため、所望の光導波結合状態が
得られないという問題を有している。なお、この結合状
態の変化量はバッファ層膜及び制御電極用膜の成形のバ
ッチ毎に変化に差があり、所望の特性を高歩留りで製造
することができなかった。
第１の本発明の光制御デバイスは、電気光学効果を有す
る誘電体結晶基板に形成された光導波路と前記誘電体結
晶基板表面に堆積されたバッファ層とこのバッファ層の
上の前記先導波路の近傍に設けられた制御電極とを含ん
で構成される光制御デバイスにおいて、前記制御電極の
近傍の前記バッファ層に所定間隔の起伏を形成する。
る誘電体結晶基板に形成された光導波路と前記誘電体結
晶基板表面に堆積されたバッファ層とこのバッファ層の
上の前記先導波路の近傍に設けられた制御電極とを含ん
で構成される光制御デバイスにおいて、前記制御電極の
近傍の前記バッファ層に所定間隔の起伏を形成する。
第２の本発明の光制御デバイスは、電気光学効果を有す
る誘電体結晶基板に形成された先導波路と該光導波路の
近傍に設けられた制御電極とを含んで構成される光制御
デバイスにおいて、前記制御電極の近傍の前記誘電体結
晶基板に所定間隔の起伏を形成する。
る誘電体結晶基板に形成された先導波路と該光導波路の
近傍に設けられた制御電極とを含んで構成される光制御
デバイスにおいて、前記制御電極の近傍の前記誘電体結
晶基板に所定間隔の起伏を形成する。
本発明の光制御デバイスは、制御電極近傍のバッファ層
に周期的に直交した編目状の凹凸が形成されている。こ
のようにバッファ層に周期的に直交した編目状の凹凸を
形成することにより制御電極を形成した後に発生する方
向性結合器の結合状態の変化を抑制することが可能とな
る。これは、制御電極用膜及びバッファ層膜の堆積時に
誘電体結晶基板に与えていた歪が制御電極形成後に光導
波路近傍に形成された制御電極近傍に集中していたのを
、制御電極部と同様な弾性的不連続領域をバッファ層に
形成することで歪を分散させる効果があるためである。
に周期的に直交した編目状の凹凸が形成されている。こ
のようにバッファ層に周期的に直交した編目状の凹凸を
形成することにより制御電極を形成した後に発生する方
向性結合器の結合状態の変化を抑制することが可能とな
る。これは、制御電極用膜及びバッファ層膜の堆積時に
誘電体結晶基板に与えていた歪が制御電極形成後に光導
波路近傍に形成された制御電極近傍に集中していたのを
、制御電極部と同様な弾性的不連続領域をバッファ層に
形成することで歪を分散させる効果があるためである。
この結果、制御電極近傍への歪の集中が低減されるため
、光導波路近傍の誘電対結晶の屈折率変化が抑圧される
。従って、光導波路特性は光導波路を誘電体結晶基板に
形成したときの特性を保持しており、方向性結合器の結
合状態になんら変化を与えない。以上のことより、本発
明の光制御デバイスは、従来に比べて設計通りの特性を
歩留り良く、常に安定して得られる。
、光導波路近傍の誘電対結晶の屈折率変化が抑圧される
。従って、光導波路特性は光導波路を誘電体結晶基板に
形成したときの特性を保持しており、方向性結合器の結
合状態になんら変化を与えない。以上のことより、本発
明の光制御デバイスは、従来に比べて設計通りの特性を
歩留り良く、常に安定して得られる。
次に、本発明について図面を参照して説明する。第１図
（ａ）、（ｂ）は本発明の第１の実施例の平面図及びＡ
−Ａ′線断面図である。
（ａ）、（ｂ）は本発明の第１の実施例の平面図及びＡ
−Ａ′線断面図である。
第１図（ａ）、（ｂ）において、Ｚ軸に垂直に切り出し
なニオブ酸リチウム結晶の基板１の上にチタンを９ｏｏ
−：ｘｘｏｏ℃で数時間熱拡散して３〜１０μｍの厚さ
にし、屈折率を大きくした帯状の光導波路２及び３が形
成されており、光導波路２及び３は基板の中央部で互い
に数μｍ程度まで近接し、方向性結合器４を形成してい
る。また、方向性結合器４を構成する光導波路２及び３
上には制御電極５による光吸収を防ぐためのバッファ層
６を介して制御電極５が形成されている。
なニオブ酸リチウム結晶の基板１の上にチタンを９ｏｏ
−：ｘｘｏｏ℃で数時間熱拡散して３〜１０μｍの厚さ
にし、屈折率を大きくした帯状の光導波路２及び３が形
成されており、光導波路２及び３は基板の中央部で互い
に数μｍ程度まで近接し、方向性結合器４を形成してい
る。また、方向性結合器４を構成する光導波路２及び３
上には制御電極５による光吸収を防ぐためのバッファ層
６を介して制御電極５が形成されている。
先導波Ｎ２に入射した入射光７は方向性結合器４を伝搬
するにしたがって近接した先導波路３へ徐々に光りエネ
ルギーが移り、方向性結合器４を通過後は光導波路３に
ほぼ１００％エネルギーが移って出射光８となる。一方
、制御電極５に電圧を印加した場合、電気光学効果によ
り制御電極５の下の光導波路２の屈折率が変化し、光導
波路２と３を伝搬する導波モードの間に位相速度の不整
合が生じ、両者の間の結合状態は変化する。凹凸部１０
ａ、制御電極５から５〜５００μｍ離れた位置からバッ
ファ層６を予め設定した間隔で編目状に起伏させて形成
する。
するにしたがって近接した先導波路３へ徐々に光りエネ
ルギーが移り、方向性結合器４を通過後は光導波路３に
ほぼ１００％エネルギーが移って出射光８となる。一方
、制御電極５に電圧を印加した場合、電気光学効果によ
り制御電極５の下の光導波路２の屈折率が変化し、光導
波路２と３を伝搬する導波モードの間に位相速度の不整
合が生じ、両者の間の結合状態は変化する。凹凸部１０
ａ、制御電極５から５〜５００μｍ離れた位置からバッ
ファ層６を予め設定した間隔で編目状に起伏させて形成
する。
なお、編目状の突起部の幅とバッファ層６を削除した溝
の幅との比率は任意である。
の幅との比率は任意である。
第２図（ａ）、（ｂ）は本発明の第２の実施例の平面図
及びＢ−Ｂ ’線断面図である。
及びＢ−Ｂ ’線断面図である。
第２図（ａ＞、（ｂ）において第１の実施例と異なる構
成は、基板１上に形成されたバッファ層６を制御電極５
から５〜５００μｍに離れた位置でかつ、予め設定され
た間隔でドツト状１円状矩形及び多角形状に起伏させて
形成する凹凸部１０ｂを有することである。
成は、基板１上に形成されたバッファ層６を制御電極５
から５〜５００μｍに離れた位置でかつ、予め設定され
た間隔でドツト状１円状矩形及び多角形状に起伏させて
形成する凹凸部１０ｂを有することである。
第３図＜ａ）、（ｂ）は本発明の第３の実施例の平面図
及びｃ−ｃ’線断面図である。第３図（ａ）、（ｂ）に
おいて、第１及び第２の実施例と異なる構成は、基板１
に光導波路２及び３を形成する前に予じめ設定された間
隔で起伏させたストライプ状の凹凸部１０ｃが形成され
ていることである。この凹凸部１０ｃは制御電極５から
５〜５００μｍ離れたところから制御型［ｉ５と平行に
形成される。このストライプ状の凹と凸との比は１であ
る必要はない。
及びｃ−ｃ’線断面図である。第３図（ａ）、（ｂ）に
おいて、第１及び第２の実施例と異なる構成は、基板１
に光導波路２及び３を形成する前に予じめ設定された間
隔で起伏させたストライプ状の凹凸部１０ｃが形成され
ていることである。この凹凸部１０ｃは制御電極５から
５〜５００μｍ離れたところから制御型［ｉ５と平行に
形成される。このストライプ状の凹と凸との比は１であ
る必要はない。
このようにすると、第１〜第３の実施例において、第４
図に示すように制御電極５形成前後の方向性結合器４の
結合状態、すなわち方向性結合器４の分岐比の変化特性
（本結果はＴＥ偏光に関するものである）は、本実施例
の方向性結合型光ス１０ イッチの基本的な動作では従来例と同じであるが、光制
御デバイスでは制御電極５形成前後における方向性結合
器の分岐比の変化では従来のデバイスに比べ著しく小さ
くすることができる。
図に示すように制御電極５形成前後の方向性結合器４の
結合状態、すなわち方向性結合器４の分岐比の変化特性
（本結果はＴＥ偏光に関するものである）は、本実施例
の方向性結合型光ス１０ イッチの基本的な動作では従来例と同じであるが、光制
御デバイスでは制御電極５形成前後における方向性結合
器の分岐比の変化では従来のデバイスに比べ著しく小さ
くすることができる。
なお、バッファ層６にドツト状または編目状の凹凸部を
形成する方法としては、リソグラヒビ法を用いて凹凸に
対応するマスクパターンを形成した後、イオンビームエ
ツチング法、リアクティブイオンエツチング法、リアク
ティブイオンビームエツチング法などのドライエツチン
グ法、または、エツチング液を用いたケミカルなウェッ
トエツチング法を用いてバッファ層をエツチングする方
法の他、集束イオンビームエツチング法などを用いて凹
凸部を形成する方法がある。
形成する方法としては、リソグラヒビ法を用いて凹凸に
対応するマスクパターンを形成した後、イオンビームエ
ツチング法、リアクティブイオンエツチング法、リアク
ティブイオンビームエツチング法などのドライエツチン
グ法、または、エツチング液を用いたケミカルなウェッ
トエツチング法を用いてバッファ層をエツチングする方
法の他、集束イオンビームエツチング法などを用いて凹
凸部を形成する方法がある。
また、バッファ層としてはニオブ酸リチウム結晶基板１
より屈折率が小さく、かつ、光の吸収が小さいことが望
まれ、例えば、５ｉ０２．５ｉＯＮ、 ＭｇＦ２ 、Ｓ
ｉ３ Ｎ４ 、Ａｌ２Ｏ３が用いられる。
より屈折率が小さく、かつ、光の吸収が小さいことが望
まれ、例えば、５ｉ０２．５ｉＯＮ、 ＭｇＦ２ 、Ｓ
ｉ３ Ｎ４ 、Ａｌ２Ｏ３が用いられる。
また、ニオブ酸リチウム結晶の基板にストライプ状の凹
凸を形成する方法としては、リソグラヒビ法を用いて凹
凸に対応する周期的なマスクパターンを形成した後、イ
オンビームエツチング法、リアクティブイオンエツチン
グ法、リアクティブイオンビームエツチング法などのド
ライエツチング法、または、エツチング液を用いたケミ
カルなウェットエツチング法を用いてニオブ酸リチウム
結晶基板をエツチングする方法の他、集束イオンビーム
エツチング法などを用いてストライプ状の凹凸を形成す
る方法がある。
凸を形成する方法としては、リソグラヒビ法を用いて凹
凸に対応する周期的なマスクパターンを形成した後、イ
オンビームエツチング法、リアクティブイオンエツチン
グ法、リアクティブイオンビームエツチング法などのド
ライエツチング法、または、エツチング液を用いたケミ
カルなウェットエツチング法を用いてニオブ酸リチウム
結晶基板をエツチングする方法の他、集束イオンビーム
エツチング法などを用いてストライプ状の凹凸を形成す
る方法がある。
〔発明の効果〕
以上述べたように、本発明の光制御デバイスでは、電気
光学効果を有する誘電体結晶基板に形成された光導波路
と該光導波路の近傍に設けられた制御電極とこの制御電
極に隣接して突起部を設けることにより、所望の特性の
デバイスを歩留り良く製造することができる。
光学効果を有する誘電体結晶基板に形成された光導波路
と該光導波路の近傍に設けられた制御電極とこの制御電
極に隣接して突起部を設けることにより、所望の特性の
デバイスを歩留り良く製造することができる。
第１図（ａ）、（ｂ）〜第３図（ａ＞、（ｂ）は本発明
の第１〜第３の実施例の平面図及び断面図、第４図は本
実施例を説明するための特性図、第５図（ａ）、（ｂ）
は従来の光制御デバイスの一例を示す平面図及び断面図
である。 １・・・ニオブ酸リチウム結晶の基板、２．３・・・光
導波路、４・・・方向性結合器、５・・・制御電極、６
・・・バッファ層、７・・・入射光、８，９・・・出射
光、１０ａ〜１０ｃ・・・凹凸部。
の第１〜第３の実施例の平面図及び断面図、第４図は本
実施例を説明するための特性図、第５図（ａ）、（ｂ）
は従来の光制御デバイスの一例を示す平面図及び断面図
である。 １・・・ニオブ酸リチウム結晶の基板、２．３・・・光
導波路、４・・・方向性結合器、５・・・制御電極、６
・・・バッファ層、７・・・入射光、８，９・・・出射
光、１０ａ〜１０ｃ・・・凹凸部。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、電気光学効果を有する誘電体結晶基板に形成された
光導波路と前記誘電体結晶基板表面に堆積されたバッフ
ァ層とこのバッファ層の上の前記光導波路の近傍に設け
られた制御電極とを含んで構成される光制御デバイスに
おいて、前記制御電極の近傍の前記バッファ層に所定間
隔の起伏を形成することを特徴とする光制御デバイス。 ２、電気光学効果を有する誘電体結晶基板に形成された
光導波路と該光導波路の近傍に設けられた制御電極とを
含んで構成される光制御デバイスにおいて、前記制御電
極の近傍の前記誘電体結晶基板に所定間隔の起伏を形成
することを特徴とする光制御デバイス。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5698490A JPH03257430A (ja) | 1990-03-07 | 1990-03-07 | 光制御デバイス |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5698490A JPH03257430A (ja) | 1990-03-07 | 1990-03-07 | 光制御デバイス |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03257430A true JPH03257430A (ja) | 1991-11-15 |
Family
ID=13042766
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5698490A Pending JPH03257430A (ja) | 1990-03-07 | 1990-03-07 | 光制御デバイス |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03257430A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06300994A (ja) * | 1993-04-13 | 1994-10-28 | Nec Corp | 導波形光デバイス |
-
1990
- 1990-03-07 JP JP5698490A patent/JPH03257430A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06300994A (ja) * | 1993-04-13 | 1994-10-28 | Nec Corp | 導波形光デバイス |
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