JPH03257176A - 硬質窒化ホウ素被覆焼結体 - Google Patents

硬質窒化ホウ素被覆焼結体

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JPH03257176A
JPH03257176A JP5340190A JP5340190A JPH03257176A JP H03257176 A JPH03257176 A JP H03257176A JP 5340190 A JP5340190 A JP 5340190A JP 5340190 A JP5340190 A JP 5340190A JP H03257176 A JPH03257176 A JP H03257176A
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JP
Japan
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boron nitride
sintered body
layer
diamond
base material
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Pending
Application number
JP5340190A
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English (en)
Inventor
Mamoru Kobata
護 木幡
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Tungaloy Corp
Original Assignee
Toshiba Tungaloy Co Ltd
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 (産業上の利用分野〉 本発明は、金属9合金、セラミックス焼結体、高密度相
窒化ホウ素基焼結体、又はダイヤモンド基焼結体でなる
基材の表面に立方晶窒化ホウ素の含有した薄い被膜を表
面に形成してなる硬質窒化ホウ素被覆焼結体に関するも
のである。
(従来の技術) 高硬度で高密度な窒化ホウ素である立方晶窒化ホウ素の
被膜を形成して、切削工具、耐摩耗工具などの工具材料
、又はヒートシンク、振動板などの電子材料に応用しよ
うという試みが行われている。その代表的なものに、特
開昭57− 95881号公報、特開昭61− 417
68号公報及び特開昭63−40800号公報がある。
(発明が解決しようとする課題) 特開昭57−95881号公報には、窒化ケイ素基焼結
体の基材の表面に立方晶窒化ホウ素の被膜を設けた被覆
セラミック工具が開示されており、特開昭61− 41
768号公報には、硬質合金、サーメット、セラミック
スの基材の表面に立方晶窒化ホウ素と六方晶窒化ホウ素
、非晶質窒化ホウ素9周期律表4a、 5a、 6a族
金属の炭化物、窒化物、ホウ化物及びi□03の少なく
とも1種との複合硬質膜を形成してなる複合工具が開示
されている。これら両公報に開示の被覆工具は、立方晶
窒化ホウ素の薄膜を合成すること自体が非常に困難であ
るにもかかわらず、基材の材質又は被膜の構成を検討す
ることによって立方晶窒化ホウ素又は立方晶窒化ホウ素
を含む被膜を形成しようとした先見性のある発明である
しかしながら、これら両公報に開示の被覆工具は、基材
と被膜との密着性が劣ること、又は被膜中の立方晶窒化
ホウ素の含有量が少なくて被膜の硬度も低く、耐摩耗性
が劣るという問題がある。
一方、特開昭63− 40800号公報には、基材表面
にダイヤモンド被覆層を形成した後、該被覆層表面に高
硬度窒化ホウ素を析出させるという高硬度窒化ホウ素の
合成法が開示されている。
同公報に開示の高硬度窒化ホウ素の合成法は、ダイヤモ
ンドと立方晶窒化ホウ素との緒特性が非常に類似してい
ること、熱膨張率の差による亀裂や内部応力による剥離
が起りにくいこと、ダイヤモンドと立方晶窒化ホウ素と
の密着性が良いこと、ダイヤモンドと立方晶窒化ホウ素
との結晶構造の同一性からダイヤモンド薄膜上には、純
粋な立方晶窒化ホウ素が生成できるということを見出し
たすばらしい発明である。しかしながら、ダイヤモンド
は、他物質でなる基材との親和性が低いこと5基材との
相互拡散が起らないこと、及び基材に比べて熱膨張率が
極端に小さいことから、特開昭63− 40800号公
報に開示の高硬度窒化ホウ素被覆材料を実用した場合、
基材とダイヤモンド薄膜との密着性が劣り、寿命が短い
という問題がある。
本発明は、上述のような問題点を解決したもので、具体
的には、高硬度で緻密な被膜を形成し、しかも基材と被
膜との密着性を向上させて、耐摩耗性及び耐剥離性を高
めた硬質窒化ホウ素被覆焼結体の提供を目的とするもの
である。
(課題を解決するための手段) 本発明者は、立方晶窒化ホウ素の含有量の多い膜質のす
ぐれた硬質窒化ホウ素の被膜を生成するための検討を行
なっていた所、 ダイヤモンドと同様にダイヤモンド状炭素の薄膜の表面
にも立方晶窒化ホウ素の含有量の多い膜質のすぐれた被
膜が生成しやすいこと、ダイヤモンド状炭素の薄膜と立
方晶窒化ホウ素の含有量の多い膜質との密着性が顕著に
すぐれていること、及びダイヤモンド状炭素の薄膜と金
属0合金、セラミックス焼結体などの基材との密着性も
著しくすぐれるという知見を得て、本発明を完成するに
至ったものである。
すなわち、本発明の硬質窒化ホウ素被覆焼結体は、金属
2合金、セラミックス焼結体、高密度相窒化ホウ素基焼
結体又はダイヤモンド基焼結体でなる基材の表面にダイ
ヤモンド状炭素の含有してなる単層又は複層の中間層と
、該中間層の表面に立方晶窒化ホウ素の含有してなる外
層とを形成したことを特徴とするものである。
本発明の硬質窒化ホウ素被覆焼結体における基材は、具
体的には、例えば周期律表4a、 fia、 6a族金
属、鉄族金属、  Aj2. Si、 Mg、 Cu、
 Mnなどの金属及びこれらの合金、また超硬合金、サ
ーメット。
鉄鋼材料などの合金、AnaOiやz「02を主成分と
する酸化物基セラミックス焼結体SiCや S!sN4
゜サイアロンを主成分とする非酸化物基セラミックス、
さらに立方晶窒化硼素、ウルツ鉱型窒化ホウ素、及び/
又はダイヤモンドを含有して高圧高温処理により得られ
る高密度相窒化ホウ素基焼結体、ダイヤモンド基焼結体
などを用いることができる。
また、中間層であるダイヤモンド状炭素とは、電気抵抗
、光透過率、硬度などの諸特性がダイヤモンドの諸特性
に近い性質を示すもので、具体的には、ラマン分光分析
した場合にダイヤモンドのラマン線であるといわれてい
る1333cm−’又は1332Cm−’のピーク(A
ビークと表わす。)、ダイヤモンドに近い硬さといわれ
ているカーボンのラマン線としての1589cm−’の
ビーク(Bビークと表わす。)、他にグラファイト、カ
ーボンとしてのラマン線ピーク15BOcm−’、 1
540cm−’、 1360cm−’1240clTl
−’その他(Cビークと表わす、)の内、AピークとB
ビークが生じる場合、AビークとCビークが生じる場合
、BビークとCビークが生じる場合、Bビークが生じる
場合又はAビークとBビークとCビークが生じる場合に
相当するものである。この中間層の膜厚は、0.1〜5
μm、好ましくは1〜3μmである。また、この中間層
が複層でなる場合は、基材側に比べて外層側にAビーク
及び/又はBビークが強く表われる形態にすることは、
特に高寿命化を達成できることから好ましいことである
この中間層の表面に形成する外層は、立方晶窒化ホウ素
のみからなる場合、又は立方晶窒化ホウ素と残り、例え
ばTiN、 ZrN、HfN、VN、 TaN、 Nb
NCrNなどの周期律表4a、 5a、 6a族金属の
窒化物、AI N  Si3N4. FeJ、 CuJ
、 MgJa、六方晶窒化ホウ素2非晶質窒化ホウ素及
びこれらの相互固溶体とが混在してなる単層又は複層か
らなるものである。
本発明の硬質窒化ホウ素被覆焼結体において2特に好ま
しい構成は、金属2合金、セラミックス焼結体、高密度
相窒化ホウ素基焼結体又はダイヤモンド基焼結体でなる
基材の表面にダイヤモンド状炭素の含有してなる単層又
は複層の中間層と、該中間層の表面に立方晶窒化ホウ素
と六方晶窒化ホウ素、非晶質窒化ホウ素、金属窒化物及
びこれらの相互固溶体の中の少なくとも1種との混在し
てなる単層又は複層の外層と、該外層の表面に立方晶窒
化ホウ素の最外層とを形成しでなるものである。
これら中間層と外層とでなる被膜、又は中間層と外層と
最外層とでなる被膜における被膜厚さは、用途により異
なるけれども0.5〜20μm程度が好ましく、特に切
削工具や耐摩耗工具の中でもドリル、エンドミル、スリ
ッターなとの鋭角な刃先を必要とする場合には、0.5
〜5μmと膜厚を薄い傾向にするのが好ましいことであ
る。
本発明の硬質窒化ホウ素被覆焼結体は、従来の基材を用
いて、この基材の表面に、例えばマイクロ波又は熱フイ
ラメント法によるプラズマ化学蒸着法(プラズマCVD
法)や物理蒸着法tPVD法)でもって被膜を形成する
ことによって得られる。
(作用) 本発明の硬質窒化ホウ素被覆焼結体は、中間層中のダイ
ヤモンドを除いた他物質が中間層と基材との密着性を高
める作用をし、しかも基材と中間層との耐剥離性を向上
する作用をしており、また中間層中のダイヤモンド及び
/又はダイヤモンドに近い硬さを有するカーボンが外層
の中の立方晶窒化ホウ素の生成を容易にするという作用
をすると共に、中間層と外層との密着性及び耐剥離性を
向上させるという作用をしているものである。
実施例 TNGN160408 (JIS規格による寸法)形状
の超硬合金の基材を熱フィラメントCVDの反応容器に
設置し、h−5%C[14雰囲気、ガス圧力30’ro
rr、基材温度850℃の条件で第1次処理を行った。
次いで、反応容器内をI X IQ−’Torrに排気
し、基材を600”Cに加熱した後、反応容器内にA「
ガス(純度5N)を導入して圧力IQ−2Torrにし
た。次に、基材に一500Vの直流電圧を印加して反応
容器内をグロー放電状態にすることにより第1次処理後
の基材表面のクリーニングを10分間行った。次いで、
反応容器内をI X 10−’Torrにした後、電子
銃(出力4に■)にて、AI2含有金属ホウ素(純度9
99%の^nB+a)を徐々に加熱蒸発させ、こハと同
時に基材方向にイオン源より水素含有窒素ガスをイオン
化して照射した。この時の反応容器内の圧力は、5Xl
O−Torrにして40分間保持して第2次処理を行っ
て、本発明品を得た。こうして得た本発明品の被膜を調
査した所5被膜厚さ25μmの中間層と被膜厚さ2.5
μmの外層とからなり、被膜硬さ5500kg/mm”
、ロックウェルのダイヤモンド圧子によるスクラッチテ
ストでは8kg荷重まで被膜の剥離が生じなかった。ま
た、xm回折及びラマン分光分析の結果、外層が立方晶
窒化ホウ素と20von%以下の六方晶窒化ホウ素及び
窒化アルミニウムとからなり、中間層が1589cm−
のラマン綿が生じているダイヤモンド状炭素からなって
いた。
比較として、TNGN160408形状の超硬合金の基
材を用いて、上述の第1次処理条件をL−1%CI。
雰囲気、ガス圧力35Torr、基材温度900”Cと
し、他の条件は上述と同様にして比較品lを得た。また
、同様の基材を用いて、第1次処理を施さずに第2処理
のみ上述と同様に行って比較品2を得た。
この比較品l及び2を同様にして調べた所、比較品lの
中間層の被膜厚さ2.0μm、外層の被膜厚さ2.5u
m、被膜硬さ5800kg/mm11.ロックウェルの
ダイヤモンド圧子によるスクラッチテストでは3kg荷
重で被膜が剥離した。また、X線回折及びラマン分光分
析の結果、中間層は1333cm川のラマン線のみ生じ
ているダイヤモンドからなり、外層は本発明品に比べて
立方晶窒化ホウ素含有量の多い傾向のものであった。一
方、比較品2の被膜は、被膜厚さ3.0gm、被膜硬さ
4[IQOkg/+m”、スクラッチテストでは3kg
荷重で被膜が剥離した。
また、X線回折の結果、被膜は本発明品に比へて立方晶
窒化ホウ素含有量の少ない傾向のものであった。
こうして得た本発明品及び比較品1.2を用いて、被削
材5KDII fHRc59.9)、切削速度30m/
min、切込み0.5mm、送り0.1m@/rev 
、切削時間20分、乾式切削の条件でもって、旋削試験
を行った結果、本発明品は、平均逃げ面摩耗量(V++
) =0.05n+mであったのに対し、比較品lは平
均逃げ面摩耗量(lie) =O,1mm 、比較品2
は平均逃げ面摩耗量(Va) =O416n+mT、本
発明品ハ正常す摩耗形D −cあったのに対し、比較品
l及び2は被膜が剥離し、基材まで摩耗している状態で
あった。
(発明の効果) 本発明の硬質窒化ホウ素被覆焼結体は、従来の硬質窒化
ホウ素被覆焼結体に比較して、基材と被膜との耐剥離性
に著しくすぐれており、耐摩耗性及び寿命が顕著に向上
するという効果があるゆこのことから、本発明の硬質窒
化ホウ素被覆焼結体は、基材の材質を、例えばAl1.
 Cu  Mo、 IN又はiN基セラミックス焼結体
、 SiC基セラミックス焼結体とすることにより、振
動板やヒートシンクとしても応用ができる産業上有用な
材料である。

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)金属,合金,セラミックス焼結体,高密度相窒化
    ホウ素基焼結体,又はダイヤモンド基焼結体でなる基材
    の表面にダイヤモンド状炭素の含有してなる単層又は複
    層の中間層と、該中間層の表面に立方晶窒化ホウ素の含
    有してなる外層とを形成したことを特徴とする硬質窒化
    ホウ素被覆焼結体。
  2. (2)上記外層が立方晶窒化ホウ素と六方晶窒化ホウ素
    ,非晶質窒化ホウ素,金属窒化物及びこれらの相互固溶
    体の中の少なくとも1種との混在してなる単層又は複層
    であることを特徴とする特許請求の範囲第1項記載の硬
    質窒化ホウ素被覆焼結体。
  3. (3)金属,合金,セラミックス焼結体,高密度相窒化
    ホウ素基焼結体,又はダイヤモンド基焼結体でなる基材
    の表面にダイヤモンド状炭素の含有してなる単層又は複
    層の中間層と、該中間層の表面に立方晶窒化ホウ素と六
    方晶窒化ホウ素,非晶質窒化ホウ素,金属窒化物の中の
    少なくとも1種との混在してなる単層又は複層の外層と
    、該外層の表面に立方晶窒化ホウ素の最外層とを形成し
    てなることを特徴とする硬質窒化ホウ素被覆焼結体。
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5597625A (en) * 1993-02-10 1997-01-28 California Institute Of Technology Low pressure growth of cubic boron nitride films
EP3176286A4 (en) * 2014-07-31 2018-01-17 Ibiden Co., Ltd. Multilayer coating member and manufacturing method of multilayer coating member

Cited By (3)

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