JPH0325543A - Control storage recovering system - Google Patents

Control storage recovering system

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Publication number
JPH0325543A
JPH0325543A JP1160174A JP16017489A JPH0325543A JP H0325543 A JPH0325543 A JP H0325543A JP 1160174 A JP1160174 A JP 1160174A JP 16017489 A JP16017489 A JP 16017489A JP H0325543 A JPH0325543 A JP H0325543A
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JP
Japan
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semiconductor chip
error
memory
address
control
Prior art date
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Pending
Application number
JP1160174A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Yoshimiki Kitamura
悦幹 北村
Tsuyoshi Mori
森 強
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Fujitsu Ltd
Original Assignee
Fujitsu Ltd
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Filing date
Publication date
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Publication of JPH0325543A publication Critical patent/JPH0325543A/en
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  • Techniques For Improving Reliability Of Storages (AREA)

Abstract

PURPOSE:To suppress the number of input/output pins of each semiconductor chip from increasing by supplying a count value when an error is detected in another semiconductor chip to the semiconductor chip to perform address management with a universal data bus, and setting a corresponding address as the correction address of control storage by reading out from history storage. CONSTITUTION:An address to make access the control storage 40, the history storage 53 to store the count value of a counter 54 and the error flag of control information at every cycle, and the history storage 55 to store the count value of a counter 56 and the error flag of the control information at every cycle are provided. When the error is detected in the semiconductor chip 42, the count value stored at the same cycle as that of the error flag is supplied from the history storage 55 to the semiconductor chip 41 which performs the address management on the universal data bus, and the corresponding address is read out from the history storage 53, then, it is set as the correction address of the control storage 40. In such a way, it is possible to dispense with a signal line dedicated for the supply of the error flag between plural semiconductor chips, and to prevent the number of input/output pins in each semiconductor chip from increasing.

Description

【発明の詳細な説明】 〔概要〕 誤り訂正符月を付加した1.1御情報をi.lI御記憶
に格納、エラ一発牛時に誤り]正符号によって制御記憶
内の糾御情報をn正する$り御記憶復旧方式に関し、 専用のm 目線が不要で各゛f導休ブップの人出力ビン
数の増加がないことを目的とし、 tII1tiII記憶から誤り訂正符号の付加されたt
.llIll情報を読出し、複数の半導体チップに個別
に供給して夫々のIQ御を行ない、各半導体チップで該
t.lJ御情報の誤り訂正符号による誤り検出がなされ
ると該sll1御記憶のv1御情報を訂正する制御記憶
復旧方式において、該複数の半導体チップ夫々に設けら
れ、互いに同朋して該&lJ御記憶をアクセスする1サ
イクル毎にカウント動作をtiなうカウンタと、該制御
記憶のアドレス管理を行なう半導体チップに,UGJら
れ、該Il+御記憶をアクセスするアドレス及び該半導
体チップ内のカウンタのカウント値及び該゛r導休チッ
プに供給されたil1御情報の誤り検出で1成されるエ
ラーフラグ夫々を1サイクル毎に記憶する第1の履歴記
憶と、該アドレス管理を行なう半導体チップ以外の他の
半導体チップに設Uられ、該他の半尋休ブップ内のカウ
ンタのカウント値及び該他の半導体チップに供給された
ル11御情報の誤り検出で生成されるエラーノラグ夫々
を1サイクル毎に記憶する第2の履歴記憶とを有し、該
他の半導体チップで誤り検出がなされたとき該第2の履
歴記憶からエラーフラグと同一サイクルに記憶されたカ
ウント碩を読出して該複数の1!導体チップを接続する
汎用データバスにより該アドレス管理を行なう半導体チ
ップに供給し、供給されたカウント値に対応するアドレ
スを該第1の履靜記憶から読出して該制御記憶をgJ正
するための7ドレスとするよう構成する。
[Detailed Description of the Invention] [Summary] 1.1 information with an error correction mark added is i. Regarding the $ memory recovery method that corrects the control information in the control memory using a positive sign, there is no need for a dedicated line of sight, and each person's The purpose is to avoid an increase in the number of output bins, and the error correction code is added from tII1tiII memory.
.. The llIll information is read out and supplied individually to a plurality of semiconductor chips to perform respective IQ control, and each semiconductor chip reads the t. In a control memory recovery method that corrects the v1 information in the sll1 memory when an error is detected using an error correction code in the lJ information, a control memory recovery method is provided in each of the plurality of semiconductor chips and mutually synchronizes the &lJ memory. A counter that performs a counting operation for each cycle of access, and a semiconductor chip that manages addresses of the control memory are UGJ'd, and the address that accesses the memory, the count value of the counter in the semiconductor chip, and the A first history memory that stores each error flag that is generated by detecting an error in the IL1 information supplied to the idle chip for each cycle, and other semiconductor chips other than the semiconductor chip that performs address management. A second circuit is installed in the U and stores the count value of the counter in the other semi-interrupted buffer and the error norag generated by detecting an error in the control information supplied to the other semiconductor chip for each cycle. history storage, and when an error is detected in the other semiconductor chip, the count value stored in the same cycle as the error flag is read from the second history storage and the plurality of 1! 7 for supplying the address to the semiconductor chip that performs address management via a general-purpose data bus connecting the conductor chip, and reading an address corresponding to the supplied count value from the first storage memory to correct the control memory; Configure it to be a dress.

〔産業上の利用分野〕[Industrial application field]

本発明はv1御記憶復旧方式に関し、誤り訂正符号をイ
1加した制御情報を制御記憶に格納、エラー発生時に誤
り訂正符月によって制御記憶内のυ161!情報を剖正
する制御記憤撹旧方式に関する。
The present invention relates to a v1 memory recovery method, in which control information with an error correction code added is stored in the control memory, and when an error occurs, the error correction code is used to store υ161! in the control memory. Concerning the old method of controlling and agitating information.

近年、副粋機の信頼性をより向上させることが求められ
、υ+W記憶に格納する制御情報に誤り訂正符gを付加
し、1ピットLラーの発生に対してU誤り詣i}符号に
よって制御記憶内の制御情報を訂.iTtることが行な
われている。このように1ピットエラーの発声時に刀正
を行な・)のは、エラーを放四するとiIIIII!l
記憶で2ビット以上の多ピットエラーが発生し荊正本可
能となるのを避けるためである。
In recent years, there has been a need to further improve the reliability of sub-equipment equipment, and an error correction code g has been added to the control information stored in the υ+W memory, and the occurrence of a 1-pit L error can be controlled using the U error correction code. Revise control information in memory. iTt is being done. In this way, when you make a 1-pit error, you can straighten your sword. l
This is to prevent multiple pit errors of 2 bits or more from occurring during storage, which could lead to errors.

ill御記憶の構成方法として分改i,I+御記憶h式
がある。このh式ではCPUを構成する複数の半導体チ
ップに対して夫々制御記憶を持ち、個別のml御を行な
う。この場合、命令の解釈及び実行を行なう単一のチッ
プで制陣記恒のアドレスを管理し、他のチップGよ制御
情報を受取るだけである。この場合、他のチップで制御
情報に1ビットエラーが発生すると、そのチップはエラ
ー情報をt.lJIII記憶のアドレスを管理している
チップに送って制御記憶のi■正を行なわさせなければ
ならない。
As a method for configuring ill memory, there are the following formulas: i, I + memory h. In this H type, each of the plurality of semiconductor chips constituting the CPU has a control memory and performs individual ML control. In this case, a single chip that interprets and executes instructions only manages the address of the command record and receives control information from other chips G. In this case, if a 1-bit error occurs in the control information in another chip, that chip transfers the error information to t. It is necessary to send the address of the IJIII memory to the chip that is managing it so that it can correct the control memory.

半導体チップのゲート数は増加しているが外部とのイン
ターノエースのための入出力ピン数はそれに見合うほど
増加しておらず、エラーイ正tよ必藍最小限の入出力ビ
ンで行なうことが必要とされている。
Although the number of gates on semiconductor chips is increasing, the number of input/output pins for interfacing with the outside has not increased commensurately, and it is necessary to use the minimum number of input/output pins. is necessary.

〔従来の技術〕[Conventional technology]

第2図は従来方式の一例のブロック図を示す。 FIG. 2 shows a block diagram of an example of a conventional method.

同図中、10は制御記憶、11はアドレス管理を行なう
半導体チップ、12は他の半轡休チップである。
In the figure, 10 is a control memory, 11 is a semiconductor chip that performs address management, and 12 is another partially idle chip.

半導体ヂップ11は喘F13を介して供給されるマイク
ロプOグラムの開始マイクロアドレスをアドレスレジス
タ14にラッチし、この?イクロアドレスで制御記憶1
0をアクセスする。制御記憶10より読出されたv1卯
情報はチップ11,12夫々の誤り訂正( F C C
 )回路15.16夫々に供給され、ここで1ビットエ
ラーまでの誤り訂正がなされた制御情報が例えばv4粋
回路17.18夫々に供給される。
The semiconductor chip 11 latches the starting microaddress of the microprogram Ogram supplied via the input F13 into the address register 14, and this ? Control memory 1 with micro address
Access 0. The v1 information read from the control memory 10 is used for error correction (F C C
) The control information is supplied to each of the circuits 15 and 16, and the control information on which errors of up to 1 bit error have been corrected are supplied to, for example, each of the V4 circuits 17 and 18.

また、ECC回路15.16夫々は、1ピットIラーを
検出したとき1ビットのエラーフラグをラッチ回路19
.20にヒットし、そのシンドロームをラップ回路21
.22にセットする。ラッチ回路20の1ラーノラグは
ヂップ12から専用の信号I123を介してブツブ11
内のオア回路24に供給され、ここでラッチ回路19の
エラーフラグと共に訂正回路25及び割込み発1回路2
6に供給される。
In addition, each of the ECC circuits 15 and 16 transmits a 1-bit error flag to the latch circuit 19 when detecting 1 pit I error.
.. Hit 20 and wrap the syndrome in circuit 21
.. Set to 22. The latch circuit 20's latch circuit 20 is connected to the latch circuit 20 through a dedicated signal I123 from the zip 12 to the button 11.
The error flag is supplied to the OR circuit 24 in the latch circuit 19, and is then sent to the correction circuit 25 and the interrupt generation circuit 2 together with the error flag of the latch circuit 19.
6.

エラーフラグを供給されると、割込み発生回路26は*
’F27よりサービスプロセッυ《図示せf)に割込み
発生を通知して通常の処叩を停止させ、マイクロプログ
ラム等の介在により&+1御記憶の訂正処理を行なう。
When supplied with the error flag, the interrupt generation circuit 26 *
'F27 notifies the service processor υ (f in the figure) of the occurrence of an interrupt to stop normal processing, and performs correction processing of &+1 memory through the intervention of a microprogram or the like.

このときチップ12でエラーが発生した場合には、割込
み発生回路28によってラッチ回W122のシンドロー
ムが定義済みの汎用データバス29を介してn正回路2
5に供給され、この訂正回路25でラッチ回路21.2
2よりのシンドロームにより訂正υ;御情報が生成され
、アドレスレジスタ30に格納されている前回の7イク
0アドレス即らエラ一発生のマイク口アドレスによって
vIIl記憶10のa!I4えが行なわれる。
If an error occurs in the chip 12 at this time, the interrupt generation circuit 28 transmits the syndrome of the latch circuit W122 to the n-positive circuit 2 via the predefined general-purpose data bus 29.
This correction circuit 25 supplies the latch circuit 21.2 to the latch circuit 21.2.
Corrected due to the syndrome from 2 υ; control information is generated and stored in the address register 30. The a! of the vIIl memory 10 is determined based on the previous 7.0 address, that is, the microphone mouth address where the error occurred. I4 is performed.

なお、割込み発生回路26.28は演算回路17.18
の演算例外等の発多時に割込み発生を行ない’fa F
2 7。31より勺−ビスプロセッυに通知する。
Note that the interrupt generation circuits 26 and 28 are the arithmetic circuits 17 and 18.
'fa F
2 From 7.31, notice will be given to Ibisproset υ.

〔発明が解決しようとする課題〕[Problem to be solved by the invention]

従来h式では半導体チップ11.12間に専用の信弓線
23を設けなければならずチップ数が増加するに従って
上記舎用の信号線の数も増え、半導体チップ11.12
夫々(特にヂップ11)の入出力ビン数を増加させると
いう問題があった。
In the conventional H type, a dedicated signal line 23 had to be provided between the semiconductor chips 11 and 12, and as the number of chips increased, the number of signal lines for the above structure also increased.
There was a problem in that the number of input and output bins for each (particularly the zip 11) was increased.

本発明は上記の点に嵩みなされたもので、轡用の信号線
が不要で各半導体チップの入出力ビン数の増加がない制
御記憶復旧方式を提供することを目的とする。
The present invention has been made in view of the above points, and it is an object of the present invention to provide a control memory recovery method that does not require a signal line for transfer and does not increase the number of input/output bins of each semiconductor chip.

〔課題を解決するための手段〕[Means to solve the problem]

本発明のII11部記憶複旧方式は、v41I記憶から
誤りn正符号の伺加されたυ!Illffi報を読出し
、複数の半導体チップに個別に供給して夫々のi4lJ
tlllを行ない、各半導体チップでill御情報の誤
り11正符号による誤り検出がなされるとIllI御記
憶の制御情報を1正するfill III &!憤復旧
h式において、複数の半導体チップ夫々に設けられ、互
いに同明してt#IIl記憶をアクセスする1サイクル
毎にカウント動作を行なうカウンタと、 制m記憶のアドレス怜叩を行なう半導体チップに設けら
れ、!lItl記憶をアクセスするアドレス及び半導体
チップ内のカウンタのカウント値及び半導体チップに供
給されたlI13111情報の誤り検出で生成されるエ
ラーフラグ夫々を1サイクル毎に記憶する第1の@歴記
憶と、 アドレス管理を行なう半導体チップ以外の他の半導体チ
ップに設けられ、他の半導体チップ内のカウンタのカウ
ント埴及び他の′I!導休ブツブに供給されたaill
 tll情報の誤り検出で生成されるエラーフラグ夫々
を1 +Jイクル毎に記憶する第2の履歴記憶とを看し
、 他の半尋体チップで誤り検出がなされたとき第2のII
IP!!記憶からエラーフラグと同一サイクルに記憶さ
れたカウント植を読出して複数の¥導休ブップを接続す
る汎用データバスによりアドレス管理を行なう半導体チ
ップに供給し、供給されたカウント値に対応するアドレ
スを第1の履歴記憶から読出してυl一記憶を訂正する
ためのアドレスとする。
The II11 storage duplication method of the present invention is based on υ! where an error n positive sign is added from the v41I storage. Reads the Illffi information and supplies it to multiple semiconductor chips individually to each i4lJ.
Fill III &! In the recovery method, a counter is provided on each of a plurality of semiconductor chips and performs a counting operation for each cycle of accessing the t#IIl memory in agreement with each other, and a semiconductor chip that performs address retrieval of the control memory. Provided! a first @history memory that stores, for each cycle, an address for accessing the lItl memory, a count value of a counter in the semiconductor chip, and an error flag generated by detecting an error in the lI13111 information supplied to the semiconductor chip; It is provided in a semiconductor chip other than the semiconductor chip that performs management, and the counters in the other semiconductor chips and other 'I! aill supplied to the rest area
A second history memory stores each error flag generated by error detection of tll information every 1+J cycles, and when an error is detected in another semicircular chip, the second history memory
IP! ! The count set stored in the same cycle as the error flag is read from the memory and supplied to the semiconductor chip that performs address management via a general-purpose data bus that connects multiple This is an address for reading from the history memory of 1 and correcting the memory of υl.

〔竹用〕[For bamboo]

本発明においては、他の¥導体チップで&IJI!I情
報にエラーが発生すると、そのときのカウンl−値が汎
用データバスを通してアドレスを管]!Il′tる半導
体チップに供給され、上記カウント値によって第1の膿
歴記憶よりエラー発声時の制御記憶のアドレスが読出さ
れる。このため、複数の゛F4休チップ間にエラーフラ
グを供給するの用の信弓線を設Cノる必要がなく、各半
轡休チップの人出力ビン数が増加することがない。
In the present invention, &IJI! with other ¥ conductor chips! When an error occurs in the I information, the counter l- value at that time controls the address through the general-purpose data bus]! The address of the control memory at the time of error utterance is read out from the first history memory based on the count value. Therefore, there is no need to provide a signal line for supplying error flags between a plurality of F4 off chips, and the number of human output bins for each half off chip does not increase.

(突施例〕 第1図は本発明方式の一実施例のブロック図を示す。(Sudden example) FIG. 1 shows a block diagram of an embodiment of the method of the present invention.

同図中、40は!ll御記憶、41はアドレス管理を1
1なう半導体チップ、42は他の半導体チップである。
In the same figure, 40 is! ll remember, 41 is address management 1
1 is a semiconductor chip, and 42 is another semiconductor chip.

半導体チップ41は喘J”43を介して供給されるマイ
ク口プログラムの開始マイクロアドレスをアドレスレジ
スタ44にラッチし、このマイクロアドレスでilHD
記憶40をアクセスする。
The semiconductor chip 41 latches the start microaddress of the microphone program supplied through the input terminal 43 in the address register 44, and uses this microaddress to start the ilHD.
Access memory 40.

lIIIti記憶40より読出されたυ111l情報は
チップ41.42夫々の誤り訂正(FCC)回路45.
46夫々に供給され、ここで1ビットエラーまでの誤り
訂正がなされた制御情報が例えば演1[@路47.48
夫々に供給される。
The υ111l information read from the lIIIti memory 40 is sent to the error correction (FCC) circuits 45 .
For example, the control information supplied to each of
provided to each.

また、FCC回路45.46夫々は1ビットエラーを検
出したとき1ビットのエラーフラグをラッチ回路49.
50にセットし、そのシンド[I−ムをラップ回路51
.52にセットする。
Furthermore, when each of the FCC circuits 45 and 46 detects a 1-bit error, the 1-bit error flag is transferred to the latch circuit 49 .
50 and wrap the sind [I-m] in the wrap circuit 51.
.. Set to 52.

チップ41内の履歴記憶53にはアドレスレジスタ44
よりの7イク0アドレス、及び電源投入時にリセットさ
れた後シスアムクロックの1 +Jイクル毎にカウント
を行なうカウンタ54のカウント給、及びラッヂ回路4
9よりのエラーフラグ人々が供給され、履歴記憶534
これらの履歴情報をサイクル毎に順次記憶する。なお、
マイクロアドレスはシステムクロックの1+lイクル毎
に変化する。またチップ42内のWM歴記155は電源
投入時にリセットされた後システムクロツクの1り゛イ
クル毎にカウントを行なうカウンタ56のカウント値〈
カウンタ54のカウント値と同一)及びラッチ回路50
よりのエラーフラグの履歴情報をサイクル毎に順次記憶
する。
The history memory 53 in the chip 41 includes an address register 44.
7 and 0 addresses, and a count supply for a counter 54 that counts every 1+J cycles of the system clock after being reset at power-on, and a latch circuit 4.
Error flag people from 9 are supplied and history memory 534
This history information is stored sequentially for each cycle. In addition,
The microaddress changes every 1+1 cycles of the system clock. In addition, the WM history 155 in the chip 42 is reset when the power is turned on, and then the count value of the counter 56 is counted every cycle of the system clock.
(same as the count value of the counter 54) and the latch circuit 50
History information of error flags is sequentially stored for each cycle.

履歴記憶53.55夫々は少なくとも1ステップの?イ
ク[1命令の実行に要するサイクル数だけの履歴情報を
記憶するだけの容量を有しており、履歴記憶53.55
夫々に記憶されるエラーノラグは割込み発生回路57.
58にも供給される。
Historical memory 53.55 each of at least one step? [It has a capacity to store history information equal to the number of cycles required to execute one instruction, and has a history storage capacity of 53.55
The error nolag stored in each interrupt generation circuit 57.
58 is also supplied.

割込み発生回路57.58夫々は演算回路47.48夫
々における演算例外の発1時に割込み発生を行ない、ま
たTラーノラグが供給された場合、そのマイク口命令の
全サイクルが終了して次のマイクロ命令に移行する前に
υ1込み発生を行ない、端子61.62よりサービスプ
0セツリにこの割込み発住を通知する,, チップ41でiilllKI情報の1ビットエラーが発
生した場合にはυ1込み発住により囮歴記憶53よりI
ラーフラグの立っているサイクルのマイクロアドレスが
続出されて11正回路63に供給され、またラップ回路
51にラッチされていた1ビットエラ一発1時のシンド
ロームが5I正回路63に供給される。I’i}回路6
3番よこのシンドロームによって訂正fIll til
l情報を生成し、マイクロアドレスと共に訓御記憶40
に供給して制御記憶40のよ換えを行なう。
Each of the interrupt generation circuits 57 and 58 generates an interrupt when an arithmetic exception occurs in each of the arithmetic circuits 47 and 48, and when a T runo lag is supplied, all cycles of the microphone instruction are completed and the next microinstruction is started. Before transitioning to , υ1 inclusive generation is performed, and this interrupt generation is notified to the service program through terminals 61 and 62. If a 1-bit error occurs in the illllKI information in chip 41, υ1 inclusive generation is performed. From decoy history memory 53 I
The microaddresses of the cycles in which the error flag is set are successively output and supplied to the 11 positive circuit 63, and the 1 bit error 1 o'clock syndrome latched in the wrap circuit 51 is supplied to the 5I positive circuit 63. I'i}circuit 6
Corrected by No. 3 Yokono Syndrome fIll til
l information is generated and stored in the instruction memory 40 along with the microaddress.
The control memory 40 is replaced.

ヂップ42でf,II III情報の1ビットエラーが
発生した場合には割込み発生によりブップ42の履歴記
憶よりエラーフラグの立っているサイクルのカウント植
が読出されて定義済みの汎用データバス64aを通して
コ正回路63に供給され、またラップ回路52にラッヂ
されていた1ビット1ラー発1時のシンドl]一ムが定
残済みの汎用データバス64bを通して訂正回路63に
供給される.1訂正11路63は上記シンド0−ムによ
ってW1正l+l * ffi報を1成すると共に、履
歴記憶55から供給されたカウント{直を同一のカウン
ト値を持つ履歴記憶53の?イク口アドレスを読出して
i.ll御記憶40に供給し、制御記憶40の訳換えを
行なう。
If a 1-bit error occurs in the f, II, or III information in the dip 42, an interrupt is generated, and the count code of the cycle in which the error flag is set is read from the history memory of the dip 42, and is read out through the predefined general-purpose data bus 64a. The 1-bit, 1-error, 1-o'clock synd.l], supplied to the positive circuit 63 and latched to the wrap circuit 52, is supplied to the correction circuit 63 through the fixed general-purpose data bus 64b. The 1 correction 11 path 63 generates the W1 positive l+l*ffi information by the above-mentioned syndrome 0-m, and also converts the count supplied from the history memory 55 to the ? of the history memory 53 having the same count value. Read out the ejaculation address and i. ll is supplied to the control memory 40, and the translation of the control memory 40 is performed.

このように、他の゛f導休Jツプ42からアドレス管理
を行なう半導体チップ41へカウント値及びシンドロー
ムは既に定義済みの汎用データバス64a,64bを介
して供給されるため、従来エラ一ノラグを世給するため
に設LJていた専用の信8線23の必要がなく、他の半
導体チップ41.42の入出力ビン数の増加を防止でき
る。
In this way, since the count value and syndrome are supplied from the other ゛f conduction jump 42 to the semiconductor chip 41 that performs address management via the already defined general-purpose data buses 64a and 64b, conventional errors and errors can be avoided. There is no need for the dedicated communication line 23 that was installed to supply the LJ, and an increase in the number of input/output bins of the other semiconductor chips 41, 42 can be prevented.

〔発明の効果) 上述の如く、本発明の2IlIlIIl&l!憶也旧方
式によれば、複数の半導体チップ間でエラーフラグ供給
のための専用の信号線が不要で、各′P導休チップの人
出力ビン数の増加がなく、実用上きわめてh用である,
, を示す。
[Effects of the Invention] As mentioned above, 2IlIlIIl&l! of the present invention. According to the old method, there is no need for a dedicated signal line for supplying error flags between multiple semiconductor chips, there is no increase in the number of output bins for each 'P-deactivated chip, and it is extremely practical for h-use. be,
, is shown.

VI訂出願人 株式会社VI revision applicant Co., Ltd.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of drawings]

弟1図は本発明方式の一実施例のブロック図、第2図は
従来方式の一例のブロック図である。 図において、 40は制御記憶、 41.42は半導体チップ、 45.46Gi誤り帛正O路 53,55は履歴記憶、 54.564カウンタ、 57.58は刈込み発1゛回路、 634j1正回路、 64a.64bは汎用データバス (ECC回路〉
FIG. 1 is a block diagram of an embodiment of the method of the present invention, and FIG. 2 is a block diagram of an example of the conventional method. In the figure, 40 is a control memory, 41.42 is a semiconductor chip, 45.46 Gi error correction O path 53, 55 is a history memory, 54.564 counter, 57.58 is a pruning generator 1 circuit, 634j1 is a positive circuit, 64a .. 64b is a general-purpose data bus (ECC circuit)

Claims (1)

【特許請求の範囲】 制御記憶(40)から誤り訂正符号の付加された制御情
報を読出し、複数の半導体チップ(41、42)に個別
に供給して夫々の制御を行ない、各半導体チップ(41
、42)で該制御情報の誤り訂正符号による誤り検出が
なされると該制御記憶(40)の制御情報を訂正する制
御記憶復旧方式において、 該複数の半導体チップ(41、42)夫々に設けられ、
互いに同期して該制御記憶(40)をアクセスする1サ
イクル毎にカウント動作を行なうカウンタ(54、56
)と、 該制御記憶(40)のアドレス管理を行なう半導体チッ
プ(41)に設けられ、該制御記憶(40)をアクセス
するアドレス及び該半導体チップ(41)内のカウンタ
(54)のカウント値及び該半導体チップ(41)に供
給された制御情報の誤り検出で生成されるエラーフラグ
夫々を1サイクル毎に記憶する第1の履歴記憶(53)
と、該アドレス管理を行なう半導体チップ(41)以外
の他の半導体チップ(42)に設けられ、該他の半導体
チップ(42)内のカウンタ(56)のカウント値及び
該他の半導体チップ(42)に供給された制御情報の誤
り検出で生成されるエラーフラグ夫々を1サイクル毎に
記憶する第2の履歴記憶(55)とを有し、 該他の半導体チップ(42)で誤り検出がなされたとき
該第2の履歴記憶(55)からエラーフラグと同一サイ
クルに記憶されたカウント値を読出して該複数の半導体
チップ(41、42)を接続する汎用データバスにより
該アドレス管理を行なう半導体チップ(41)に供給し
、供給されたカウント値に対応するアドレスを該第1の
履歴記憶(53)から読出して該制御記憶(40)を訂
正するためのアドレスとすることを特徴とする制御記憶
復旧方式。
[Scope of Claims] Control information to which an error correction code has been added is read from a control memory (40), and is individually supplied to a plurality of semiconductor chips (41, 42) to control each semiconductor chip (41, 42).
, 42), in which the control information in the control memory (40) is corrected when an error is detected using an error correction code in the control information; ,
Counters (54, 56) perform a counting operation for each cycle of accessing the control memory (40) in synchronization with each other.
), and is provided in a semiconductor chip (41) that manages addresses of the control memory (40), and includes an address for accessing the control memory (40), a count value of a counter (54) in the semiconductor chip (41), and a first history memory (53) that stores each cycle of error flags generated upon error detection of control information supplied to the semiconductor chip (41);
and the count value of the counter (56) in the other semiconductor chip (42) and the other semiconductor chip (42) provided in the other semiconductor chip (42) than the semiconductor chip (41) that performs address management. ) and a second history memory (55) that stores each error flag generated by detecting an error in the control information supplied to the semiconductor chip (55) for each cycle. A semiconductor chip that reads out a count value stored in the same cycle as the error flag from the second history memory (55) and manages the address using a general-purpose data bus that connects the plurality of semiconductor chips (41, 42). (41), and reads an address corresponding to the supplied count value from the first history memory (53) and uses it as an address for correcting the control memory (40). Recovery method.
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