JPH03253018A - 露光装置 - Google Patents
露光装置Info
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- JPH03253018A JPH03253018A JP2049583A JP4958390A JPH03253018A JP H03253018 A JPH03253018 A JP H03253018A JP 2049583 A JP2049583 A JP 2049583A JP 4958390 A JP4958390 A JP 4958390A JP H03253018 A JPH03253018 A JP H03253018A
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70058—Mask illumination systems
- G03F7/70066—Size and form of the illuminated area in the mask plane, e.g. reticle masking blades or blinds
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
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- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
- G03F7/70858—Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
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- G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
- G03F7/70858—Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature
- G03F7/70883—Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature of optical system
- G03F7/70891—Temperature
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F9/00—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
- G03F9/70—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
この発明は、マスク等の原版の像を半導体ウニ八等の被
露光基板上に高精度に焼付転写する露光装置に関する。
露光基板上に高精度に焼付転写する露光装置に関する。
［従来の技術］
半導体集積回路は、近年、ますます高集積化が進められ
ており、それを製造するための露光装置（アライナ）も
転写精度のより高いものか要求されている。例えば、２
５６メガビツトＤＲＡＭクラスの集積回路ては、線幅０
．２５ミクロン程度のパターンの焼付を可能にする露光
装置か必要となる。
ており、それを製造するための露光装置（アライナ）も
転写精度のより高いものか要求されている。例えば、２
５６メガビツトＤＲＡＭクラスの集積回路ては、線幅０
．２５ミクロン程度のパターンの焼付を可能にする露光
装置か必要となる。
このような超微細パターン焼付用の露光装置として軌道
放射光（ＳＯＲ−Ｘ線）を利用していわゆるプロキシミ
ティ露光を行なうものが提案されている。
放射光（ＳＯＲ−Ｘ線）を利用していわゆるプロキシミ
ティ露光を行なうものが提案されている。
この軌道放射光は、水平方向に均一なシートビーム状で
あるため、面を露光するために、■マスクとウェハとを
鉛直方向に移動して水平方向のシートビーム状Ｘ線で面
走査するスキャン露光方式、 ■シートビーム状Ｘ線を揺動ミラーで反射してマスクと
ウェハ上を鉛直方向に走査するスキャンミラー露先方式
、および ■反射面が凸状に加工されたＸ線ミラーによって水平方
向のシートビーム状Ｘ線を鉛直方向に発散させて露光領
域全体に同時に照射する一括露光方式 等か提案されている。
あるため、面を露光するために、■マスクとウェハとを
鉛直方向に移動して水平方向のシートビーム状Ｘ線で面
走査するスキャン露光方式、 ■シートビーム状Ｘ線を揺動ミラーで反射してマスクと
ウェハ上を鉛直方向に走査するスキャンミラー露先方式
、および ■反射面が凸状に加工されたＸ線ミラーによって水平方
向のシートビーム状Ｘ線を鉛直方向に発散させて露光領
域全体に同時に照射する一括露光方式 等か提案されている。
本発明者等は、この−括露光方式に係るＸ線露光装置を
発案し、先に特願昭６３−７１０４０号として出願した
。
発案し、先に特願昭６３−７１０４０号として出願した
。
ところて、Ｘ線露光装置においては、以下のような問題
がある。すなわち、紫外線はクロム等の紫外線反射性薄
膜によりほぼ１００％遮断することかてきる。このため
、紫外線等を露光光とする従来の露光装置ではマスク表
面の露光領域外を露光領域内のパターンの遮断部と同様
にクロム等のパターン材料て覆うたけてウェハ上の非所
望領域の露光を防止することかできた。しかしながら、
Ｘ線露光装置の場合、露光領域内のマスクパターンのＸ
線遮断部分に用いられる金やクロム等の吸収体材料は線
巾０２５μｍの場合厚さが充分にとれないために僅かな
がらＸ線を透過する。実際の例ではこの部分の透過率は
数％になる。このため、マスク表面の露光領域外を露光
領域内のマスクパターン部のＸ線遮断部と同様に金やク
ロム等のパターン材料て覆ったたけでは、ウェハ上の所
望てない部分まで露光されてしまう。例えは、第５図Ｂ
のようにＭｃ部を回路パターンのある露光領域とし、Ｍ
２をＭＣ部のＸ線遮断部と同等の厚さをもつ金、クロム
等の吸収材料で覆った露光領域外パターンとし、点線Ｍ
Ａで示す中の部分をＸ線照射領域とする。このような場
合、第５図Ａに示すウェハにおいて、ショットＳｏは周
囲のショットＳ１〜Ｓ８を露光する際にも第５図Ｂに示
すマスクの露光領域外パターンＭＭを透過するＸ線によ
り露光される。例えば、第５図ＡのショットＳ。の中心
の斜線部は、周囲のショットＳ２、Ｓ４、Ｓ５およびＳ
７を露光する際の計４回非所望の露光を受ける。露光領
域内で、このように照射量が不均一になると、転写精度
が損なわれる。
がある。すなわち、紫外線はクロム等の紫外線反射性薄
膜によりほぼ１００％遮断することかてきる。このため
、紫外線等を露光光とする従来の露光装置ではマスク表
面の露光領域外を露光領域内のパターンの遮断部と同様
にクロム等のパターン材料て覆うたけてウェハ上の非所
望領域の露光を防止することかできた。しかしながら、
Ｘ線露光装置の場合、露光領域内のマスクパターンのＸ
線遮断部分に用いられる金やクロム等の吸収体材料は線
巾０２５μｍの場合厚さが充分にとれないために僅かな
がらＸ線を透過する。実際の例ではこの部分の透過率は
数％になる。このため、マスク表面の露光領域外を露光
領域内のマスクパターン部のＸ線遮断部と同様に金やク
ロム等のパターン材料て覆ったたけでは、ウェハ上の所
望てない部分まで露光されてしまう。例えは、第５図Ｂ
のようにＭｃ部を回路パターンのある露光領域とし、Ｍ
２をＭＣ部のＸ線遮断部と同等の厚さをもつ金、クロム
等の吸収材料で覆った露光領域外パターンとし、点線Ｍ
Ａで示す中の部分をＸ線照射領域とする。このような場
合、第５図Ａに示すウェハにおいて、ショットＳｏは周
囲のショットＳ１〜Ｓ８を露光する際にも第５図Ｂに示
すマスクの露光領域外パターンＭＭを透過するＸ線によ
り露光される。例えば、第５図ＡのショットＳ。の中心
の斜線部は、周囲のショットＳ２、Ｓ４、Ｓ５およびＳ
７を露光する際の計４回非所望の露光を受ける。露光領
域内で、このように照射量が不均一になると、転写精度
が損なわれる。
この問題を解決する方法の一つとして、マスク上にパタ
ーニングされる金やクロム等の露光領域外パターンＭＭ
部位の膜厚を厚くすることが考えられる。しかし、厚さ
が不均一であることに起因する応力により、歪が発生し
、露光領域内のパターンの寸法精度を悪化させてしまう
。
ーニングされる金やクロム等の露光領域外パターンＭＭ
部位の膜厚を厚くすることが考えられる。しかし、厚さ
が不均一であることに起因する応力により、歪が発生し
、露光領域内のパターンの寸法精度を悪化させてしまう
。
一方、四辺をマスクパターンとは別体の遮光体で囲んて
アパーチャを形成し、露光光を、このアパーチャを介し
てマスク上の露光領域へのみ照射するように構成した露
光装置か提案されている。
アパーチャを形成し、露光光を、このアパーチャを介し
てマスク上の露光領域へのみ照射するように構成した露
光装置か提案されている。
このアパーチャを形成する遮光体は充分な厚みを持たせ
ることができ、このようなアパーチャをＸ線露光装置に
適用すれは、露光領域外へのＸ線囮射を無視し得る程度
に低減することがてきる。
ることができ、このようなアパーチャをＸ線露光装置に
適用すれは、露光領域外へのＸ線囮射を無視し得る程度
に低減することがてきる。
また、このようなアパーチャを有する露光装置の１つと
して、前記遮光体とマスクおよびウェハの相対位置を検
出するためのアライメント光学系とを２軸ステージに搭
載してこれらをマスクおよびウニへ面と平行な面内でＸ
Ｙ力方向移動可能に構成したものも知られている。この
装置は、遮光体およびアライメント光学系を任意の位置
に設定することができるため、種々のショット（または
半導体チップ）サイズに対応てきる。また、遮光体移動
用のステージとアライメント光学系移動用のステージと
を兼用することにより、装置の構成の簡略化および軽量
化を図っている。
して、前記遮光体とマスクおよびウェハの相対位置を検
出するためのアライメント光学系とを２軸ステージに搭
載してこれらをマスクおよびウニへ面と平行な面内でＸ
Ｙ力方向移動可能に構成したものも知られている。この
装置は、遮光体およびアライメント光学系を任意の位置
に設定することができるため、種々のショット（または
半導体チップ）サイズに対応てきる。また、遮光体移動
用のステージとアライメント光学系移動用のステージと
を兼用することにより、装置の構成の簡略化および軽量
化を図っている。
しかしなから、この装置においては、アライメント光学
系をそのアライメント光学系か配置される露光領域の辺
に平行な方向（以下、横方向という）へ移動する際、遮
光体も横方向へ移動するのて、遮光体の取付精度が厳し
くなったり、アパーチャ設定速度か遅くなる等の不都合
があった。また、アライメント光学系の設定位置にかか
わらず露光領域外への露光光を遮断するためには、遮光
体の横方向の寸法をアパーチャの１辺の最大長より少な
くともアライメント光学系の横方向へのストロークだけ
長くする必要があった。
系をそのアライメント光学系か配置される露光領域の辺
に平行な方向（以下、横方向という）へ移動する際、遮
光体も横方向へ移動するのて、遮光体の取付精度が厳し
くなったり、アパーチャ設定速度か遅くなる等の不都合
があった。また、アライメント光学系の設定位置にかか
わらず露光領域外への露光光を遮断するためには、遮光
体の横方向の寸法をアパーチャの１辺の最大長より少な
くともアライメント光学系の横方向へのストロークだけ
長くする必要があった。
［発明が解決しようとする課題］
この発明は、上述の従来例における問題点に鑑みてなさ
れたものて、遮光体で四辺を囲まれて形成される矩形の
アパーチャを有する露光装置であって、アパーチャ専用
ステージを必要とせず、各遮光体か横（アパーチャの辺
に平行な）方向に移動せす、遮光体のサイズかよりコン
パクトな露光装置を提供することを目的とする。
れたものて、遮光体で四辺を囲まれて形成される矩形の
アパーチャを有する露光装置であって、アパーチャ専用
ステージを必要とせず、各遮光体か横（アパーチャの辺
に平行な）方向に移動せす、遮光体のサイズかよりコン
パクトな露光装置を提供することを目的とする。
［課題を解決するための手段］
上記目的を達成するためこの発明ては、露光用照明光を
遮光して矩形の露光領域の各辺を制限する４個の遮光体
と、それぞれ２軸の移動ステージに搭載され前記露光領
域の四辺に対応する位置に配置される４個の位置ずれ検
出光学系とを具備する露光装置において、前記各２軸の
移動ステージを、露光面と平行な平面内を前記露光領域
の辺に平行な方向に移動可能な１軸ステージである第１
移動ステージと、前記第１移動ステージを搭載して露光
面と平行な平面内を前記露光領域の辺に垂直な方向に移
動可能な１軸ステージである第２移動ステージとによっ
て構成し、前記位置ずれ検出光学系を前記第１移動ステ
ージ上に、前記遮光体を前記第２移動ステージ上に搭載
したことを特徴としている。
遮光して矩形の露光領域の各辺を制限する４個の遮光体
と、それぞれ２軸の移動ステージに搭載され前記露光領
域の四辺に対応する位置に配置される４個の位置ずれ検
出光学系とを具備する露光装置において、前記各２軸の
移動ステージを、露光面と平行な平面内を前記露光領域
の辺に平行な方向に移動可能な１軸ステージである第１
移動ステージと、前記第１移動ステージを搭載して露光
面と平行な平面内を前記露光領域の辺に垂直な方向に移
動可能な１軸ステージである第２移動ステージとによっ
て構成し、前記位置ずれ検出光学系を前記第１移動ステ
ージ上に、前記遮光体を前記第２移動ステージ上に搭載
したことを特徴としている。
この発明の一つの態様においては、前記露光用照明光を
遮光する遮光体が前記位置ずれ検出用の照明光を透過す
ることを特徴としている。露光用照明光がＸ線であり、
位置ずれ検出用照明光がレーザ光等の近紫外線より長波
長の光である場合、遮光体としてはＭｇＯ，Ｙ２０３．
Ｇｄ２Ｏ３またはＰＬＺＴ等の透光性セラミクスからな
るものを用いることがてきる。
遮光する遮光体が前記位置ずれ検出用の照明光を透過す
ることを特徴としている。露光用照明光がＸ線であり、
位置ずれ検出用照明光がレーザ光等の近紫外線より長波
長の光である場合、遮光体としてはＭｇＯ，Ｙ２０３．
Ｇｄ２Ｏ３またはＰＬＺＴ等の透光性セラミクスからな
るものを用いることがてきる。
また、この発明の他の態様においては、前記遮光体か、
前記露光用照明光か照射される際、前記原版からの散乱
光か前記位置すれ検出光学系に入射するのを防ぐのに充
分な大きさを有することを特徴としている。
前記露光用照明光か照射される際、前記原版からの散乱
光か前記位置すれ検出光学系に入射するのを防ぐのに充
分な大きさを有することを特徴としている。
［作用］
上記構成によれば、第２移動ステージは、露光面と平行
な平面内を前記露光領域の辺に垂直な方向（以下、縦方
向という）にのみ移動可能である。また、第１移動ステ
ージは、露光面と平行な平面内を前記露光領域の辺に平
行な方向（横方向）に移動可能であるとともに、前記第
２移動ステージに搭載されて縦方向にも移動する。した
がって、この第１移動ステージおよびこの第１移動ステ
ージに搭載された位置ずれ検出光学系は縦横に移動可能
であるか、第２移動ステージおよびこの第２移動ステー
ジに搭載された遮光体は縦方向にしか移動てきない。
な平面内を前記露光領域の辺に垂直な方向（以下、縦方
向という）にのみ移動可能である。また、第１移動ステ
ージは、露光面と平行な平面内を前記露光領域の辺に平
行な方向（横方向）に移動可能であるとともに、前記第
２移動ステージに搭載されて縦方向にも移動する。した
がって、この第１移動ステージおよびこの第１移動ステ
ージに搭載された位置ずれ検出光学系は縦横に移動可能
であるか、第２移動ステージおよびこの第２移動ステー
ジに搭載された遮光体は縦方向にしか移動てきない。
［効果コ
この発明によれば、遮光体移動用のステージとして位置
ずれ検出光学系の移動ステージを兼用したのて、アパー
チャサイズ可変のためのアパーチャ専用ステージが要ら
ない。各遮光体を位置ずれ検出光学系の移動ステージを
構成する縦方向にのみ移動可能な第２移動ステージに搭
載したので、各遮光体が横に移動せず、遮光体等からな
るアパーチャ手段をコンパクトにすることかてきる。
ずれ検出光学系の移動ステージを兼用したのて、アパー
チャサイズ可変のためのアパーチャ専用ステージが要ら
ない。各遮光体を位置ずれ検出光学系の移動ステージを
構成する縦方向にのみ移動可能な第２移動ステージに搭
載したので、各遮光体が横に移動せず、遮光体等からな
るアパーチャ手段をコンパクトにすることかてきる。
また、遮光体として露光用照明光は遮光するが、位置ず
れ検出用の照明光は透過する材質のものを用いた場合、
アパーチャ（遮光体）を位置ずれ光学系と原版との間に
配置することができる。
れ検出用の照明光は透過する材質のものを用いた場合、
アパーチャ（遮光体）を位置ずれ光学系と原版との間に
配置することができる。
このようにアパーチャを原版に近付けることによって、
照明光の入射角の変動や遮光体エツジでの回折に起因す
る露光領域制限の管理精度の低下を防止することかでき
る。
照明光の入射角の変動や遮光体エツジでの回折に起因す
る露光領域制限の管理精度の低下を防止することかでき
る。
さらに、遮光体のサイズを、露光用照明光か闇討される
際、前記原版からの散乱光が前記位置すれ検出光学系に
入射するのを防ぐのに充分な大きさのものとした場合、
位置すれ検出系を散乱Ｘ線から保護することができる。
際、前記原版からの散乱光が前記位置すれ検出光学系に
入射するのを防ぐのに充分な大きさのものとした場合、
位置すれ検出系を散乱Ｘ線から保護することができる。
［実施例］
第１図および第２図は、この発明の一実施例に係るＸ線
アライナのアパーチャ部分の構成を示す断面図および平
面図である。図において、１は転写すべき回路パターン
（露光領域）２を有するマスク、３はマスク１の回路パ
ターンを転写されるウェハ、４はマスク１が固定される
ベース、５はウェハ３を不図示のウェハステージに固定
するためのウェハチャック、６ａ〜６ｄはマスク１上お
よびウェハ３上に形成されているアライメントマークＡ
Ｍに光を照射する半導体レーザおよびこれらのマークか
らの位置ズレ情報を含む回折光等を検出するＣＣＤライ
ンセンサ等を備えたピックアップ、Ｌ ａ −Ｌ ｄは
アライメント光路である。
アライナのアパーチャ部分の構成を示す断面図および平
面図である。図において、１は転写すべき回路パターン
（露光領域）２を有するマスク、３はマスク１の回路パ
ターンを転写されるウェハ、４はマスク１が固定される
ベース、５はウェハ３を不図示のウェハステージに固定
するためのウェハチャック、６ａ〜６ｄはマスク１上お
よびウェハ３上に形成されているアライメントマークＡ
Ｍに光を照射する半導体レーザおよびこれらのマークか
らの位置ズレ情報を含む回折光等を検出するＣＣＤライ
ンセンサ等を備えたピックアップ、Ｌ ａ −Ｌ ｄは
アライメント光路である。
このＸ線アライナにおいては、ウエノ＼３か露光位置に
送り込まれた際、これらのビ・ンクア・ンフ６ａ〜６ｄ
の出力に基ついてマスク１とウエノ＼３との標準位置関
係に対する位置すれか検出され、この位置ずれ検出結果
の基ついて前記ウェハステージか駆動され、マスク１と
ウェハ３とのＺ方向の位置すれ（キャップ、平行度等）
およびＸＹθ方向の位置ずれが補正される。この位置す
れ補正の後、第１図中のＺ方向上から下に向けて、すな
わち第２図においては紙面上方から表面へ向けて露光光
、例えばＳＯＲから放射されるＸ線か照射され、マスク
１上のパターン像かウェハ３上に露光される。
送り込まれた際、これらのビ・ンクア・ンフ６ａ〜６ｄ
の出力に基ついてマスク１とウエノ＼３との標準位置関
係に対する位置すれか検出され、この位置ずれ検出結果
の基ついて前記ウェハステージか駆動され、マスク１と
ウェハ３とのＺ方向の位置すれ（キャップ、平行度等）
およびＸＹθ方向の位置ずれが補正される。この位置す
れ補正の後、第１図中のＺ方向上から下に向けて、すな
わち第２図においては紙面上方から表面へ向けて露光光
、例えばＳＯＲから放射されるＸ線か照射され、マスク
１上のパターン像かウェハ３上に露光される。
７ａ〜７ｄは露光領域２を限定するための遮光板である
。遮光板７８〜７ｄはビツクア・ンブ６ａ〜６ｄから照
射されるレーザ光は透過するか、露光光であるＸ線はほ
とんど透過しないような充分な厚さをもつ材料て作られ
ている。８ａ〜８ｄはピックアップ６ａ〜６ｄを搭載し
て露光面（ＸＹ面）と平行な平面内を露光領域２の辺２
ａ〜２ｄに平行な方向に移動可能な１軸ステージである
第１移動ステージて、第１移動ステージ８ａと８ＣはＹ
方向に、第１移動ステージ８ｂと８ｄはＸ方向に移動可
能となっている。９８〜９ｄは第１移動ステージ８ａ〜
８ｄを搭載してＸＹ面と平行な平面内を前記露光領域２
の辺２ａ〜２ｄに垂直な方向に移動可能な１軸ステージ
である第２移動ステージで、第２移動ステージ９ａと９
０はＸ方向に、第２移動ステージ９ｂと９ｄはＹ方向に
移動可能となっている。第１移動ステージ８ａと第２移
動ステージ９ａは、ピックアップ６ａをＸＹ方向に移動
するための２軸ステージを構成している。同様に、１軸
ステージ８ｂと９ｂ、８ｃと９Ｃおよび８ｄと９ｄも、
それぞれピックアップ６ｂ、６ｃおよび６ｄ移動用の２
軸ステージを構成している。
。遮光板７８〜７ｄはビツクア・ンブ６ａ〜６ｄから照
射されるレーザ光は透過するか、露光光であるＸ線はほ
とんど透過しないような充分な厚さをもつ材料て作られ
ている。８ａ〜８ｄはピックアップ６ａ〜６ｄを搭載し
て露光面（ＸＹ面）と平行な平面内を露光領域２の辺２
ａ〜２ｄに平行な方向に移動可能な１軸ステージである
第１移動ステージて、第１移動ステージ８ａと８ＣはＹ
方向に、第１移動ステージ８ｂと８ｄはＸ方向に移動可
能となっている。９８〜９ｄは第１移動ステージ８ａ〜
８ｄを搭載してＸＹ面と平行な平面内を前記露光領域２
の辺２ａ〜２ｄに垂直な方向に移動可能な１軸ステージ
である第２移動ステージで、第２移動ステージ９ａと９
０はＸ方向に、第２移動ステージ９ｂと９ｄはＹ方向に
移動可能となっている。第１移動ステージ８ａと第２移
動ステージ９ａは、ピックアップ６ａをＸＹ方向に移動
するための２軸ステージを構成している。同様に、１軸
ステージ８ｂと９ｂ、８ｃと９Ｃおよび８ｄと９ｄも、
それぞれピックアップ６ｂ、６ｃおよび６ｄ移動用の２
軸ステージを構成している。
遮光板７８〜７ｄは、それぞれ第２移動ステージ９ａ〜
９ｄに搭載されており、Ｘ線露光に先立って露光領域２
に応じたアパーチャ１０が形成される位置に設定される
。なお、アライメントマークは遮光板７ａ〜７ｄを露光
領域２に整合した状態のピックアップ６ａ〜６ｄの位置
のまま、検出し得る位置に設けることか望ましい。
９ｄに搭載されており、Ｘ線露光に先立って露光領域２
に応じたアパーチャ１０が形成される位置に設定される
。なお、アライメントマークは遮光板７ａ〜７ｄを露光
領域２に整合した状態のピックアップ６ａ〜６ｄの位置
のまま、検出し得る位置に設けることか望ましい。
このＸ線アライナによれは、ピックアップ６８〜６ｄ移
動用の各２軸ステージを、π光領域２の各辺２ａ〜２ｄ
に平行な方向（横方向）に移動可能な１軸ステージ８ａ
〜８ｄと、露光領域２の各辺２ａ〜２ｄに垂直な方向（
縦方向）に移動可能な１軸ステージ９ａ〜９ｄとて構成
し、１軸ステージ８ａ〜８ｄを１軸ステージ９ａ〜９ｄ
に搭載することによって、１軸ステージ９ａ〜９ｄの移
動方向を縦方向のみに限定した上で、露光領域を限定す
るための遮光板７ａ〜７ｄを１軸ステージ９ａ〜９ｄに
搭載している。このように、遮光板７ａ〜７ｄを移動す
るためのステージとし・てピックアップ６ａ〜６ｄ移動
用のステージを兼用することによって、アパーチャサイ
ズ可変用の専用ステージか要らなくすることかてきた。
動用の各２軸ステージを、π光領域２の各辺２ａ〜２ｄ
に平行な方向（横方向）に移動可能な１軸ステージ８ａ
〜８ｄと、露光領域２の各辺２ａ〜２ｄに垂直な方向（
縦方向）に移動可能な１軸ステージ９ａ〜９ｄとて構成
し、１軸ステージ８ａ〜８ｄを１軸ステージ９ａ〜９ｄ
に搭載することによって、１軸ステージ９ａ〜９ｄの移
動方向を縦方向のみに限定した上で、露光領域を限定す
るための遮光板７ａ〜７ｄを１軸ステージ９ａ〜９ｄに
搭載している。このように、遮光板７ａ〜７ｄを移動す
るためのステージとし・てピックアップ６ａ〜６ｄ移動
用のステージを兼用することによって、アパーチャサイ
ズ可変用の専用ステージか要らなくすることかてきた。
また、各遮光板７ａ〜７ｄを縦方向にしか移動しない側
のステージ９ａ〜９ｄに塔載することによって、第３図
に示すように、アライメントマークが露光領域２の辺２
ａ〜２ｄの端の方に形成され、ビ・ンクアップ６ａ〜６
ｄを端の方まで横方向へ移動しなければならない場合で
もステージ９ａ〜９ｄおよび遮光板７８〜７ｄは横方向
に移動しないようにすることがてき、遮光板７ａ〜７ｄ
等からなるアパーチャ装置をコンパクトにすることがで
きた。
のステージ９ａ〜９ｄに塔載することによって、第３図
に示すように、アライメントマークが露光領域２の辺２
ａ〜２ｄの端の方に形成され、ビ・ンクアップ６ａ〜６
ｄを端の方まで横方向へ移動しなければならない場合で
もステージ９ａ〜９ｄおよび遮光板７８〜７ｄは横方向
に移動しないようにすることがてき、遮光板７ａ〜７ｄ
等からなるアパーチャ装置をコンパクトにすることがで
きた。
また、遮光板７８〜７ｄとして露光用のＸ線は遮断する
か、アライメント用のレーザ光は透過する材ｉｔのもの
を用いることによって、アパーチャ（遮光板７ａ〜７ｄ
）をピックアップ６ａ〜６ｄとマスク１との間に配置す
ることができた。このようにアパーチャをマスク１に近
付けると、露光用Ｘ線の入射角の変動や遮光板７ａ〜７
ｄエツジでの回折に起因する露光領域制限の管理精度の
低下を防止することか期待される。
か、アライメント用のレーザ光は透過する材ｉｔのもの
を用いることによって、アパーチャ（遮光板７ａ〜７ｄ
）をピックアップ６ａ〜６ｄとマスク１との間に配置す
ることができた。このようにアパーチャをマスク１に近
付けると、露光用Ｘ線の入射角の変動や遮光板７ａ〜７
ｄエツジでの回折に起因する露光領域制限の管理精度の
低下を防止することか期待される。
さらに、遮光板７ａ〜７ｄが、露光用Ｘ線が照射される
際、マスク１からの散乱Ｘ線がピックアップ６８〜６ｄ
に入射するのを防ぐのて、アライメント系を散乱Ｘ線か
ら保護することができた。
際、マスク１からの散乱Ｘ線がピックアップ６８〜６ｄ
に入射するのを防ぐのて、アライメント系を散乱Ｘ線か
ら保護することができた。
第４図は、この発明の他の実施例に係るＸ線アライナの
アパーチャ部分の構成を示す。このＸ線アライナは、第
１図のものに対し、マスク１およびウェハ３に対する遮
光板７８〜７ｄとピックアップ６８〜６ｄとの位置関係
を入れ換えたものである。第４図のアライナにおいては
、遮光板７ａ〜７ｄがアライメント光路Ｌ ａ −Ｌ
ｄを遮らないので、遮光板７ａ〜７ｄの材質の自由度か
第１図のアライナの場合より高い。第４図において、１
１はアライメント光学系のベースである。
アパーチャ部分の構成を示す。このＸ線アライナは、第
１図のものに対し、マスク１およびウェハ３に対する遮
光板７８〜７ｄとピックアップ６８〜６ｄとの位置関係
を入れ換えたものである。第４図のアライナにおいては
、遮光板７ａ〜７ｄがアライメント光路Ｌ ａ −Ｌ
ｄを遮らないので、遮光板７ａ〜７ｄの材質の自由度か
第１図のアライナの場合より高い。第４図において、１
１はアライメント光学系のベースである。
［発明の通用例コ
なお、上述においては、この発明をＸ線露光装置に適用
する例について説明したか、この発明は紫外光等地の露
光用照明光を用いる場合にも適用可能である。
する例について説明したか、この発明は紫外光等地の露
光用照明光を用いる場合にも適用可能である。
第１図および第２図は、この発明の一実施例に係るＸ線
アライナのアパーチャ部分の構成を示す断面図および平
面図、 第３図は、第２図における露光領域が小さく、かつアラ
イメントマークか露光領域の辺の端にある場合の平面図
、 第４図は、この発明の他の実施例に係るＸ線アライナの
アパーチャ部分の構成を示す断面図、そして 第５図ＡおよびＢは、マスクパターンによって露光領域
を限定した場合の露光状態の説明図である。 ０ アパーチャ
アライナのアパーチャ部分の構成を示す断面図および平
面図、 第３図は、第２図における露光領域が小さく、かつアラ
イメントマークか露光領域の辺の端にある場合の平面図
、 第４図は、この発明の他の実施例に係るＸ線アライナの
アパーチャ部分の構成を示す断面図、そして 第５図ＡおよびＢは、マスクパターンによって露光領域
を限定した場合の露光状態の説明図である。 ０ アパーチャ
Claims (3)
- （１）原版と被露光基板との位置ずれを検出するため矩
形の露光領域の四辺に対応する位置のそれぞれに配置さ
れる４個の位置ずれ検出光学系と、それぞれが前記位置
ずれ検出光学系のうちの１個を搭載して露光面と平行な
平面内を前記露光領域の辺に平行な方向に移動可能な１
軸ステージである４個の第１移動ステージと、 それぞれが前記位置ずれ検出光学系および第１移動ステ
ージを搭載して露光面と平行な平面内を前記露光領域の
辺に垂直な方向に移動可能な１軸ステージである４個の
第２移動ステージと、各第２移動ステージに搭載された
、露光用照明光を遮光して前記露光領域を制限する４個
の遮光体と を具備することを特徴とする露光装置。 - （２）前記遮光体が、前記露光用照明光は遮光するもの
でありながら、前記位置ずれ検出用の照明光は透過する
ことを特徴とする請求項１記載の露光装置。 - （３）前記遮光体が、前記露光用照明光が照射される際
、前記原版からの散乱光が前記位置ずれ検出光学系に入
射するのを防ぐのに充分な大きさを有することを特徴と
する請求項１記載の露光装置。
Priority Applications (7)
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|---|---|---|---|
| JP2049583A JP2860578B2 (ja) | 1990-03-02 | 1990-03-02 | 露光装置 |
| DE69126456T DE69126456T2 (de) | 1990-03-02 | 1991-02-28 | Belichtungsgerät |
| EP91301656A EP0444936B1 (en) | 1990-03-02 | 1991-02-28 | Exposure apparatus |
| EP91301657A EP0444937B1 (en) | 1990-03-02 | 1991-02-28 | Exposure apparatus |
| DE69128655T DE69128655T2 (de) | 1990-03-02 | 1991-02-28 | Belichtungsgerät |
| US07/830,449 US5150391A (en) | 1990-03-02 | 1992-02-05 | Exposure apparatus |
| US07/987,554 US5317615A (en) | 1990-03-02 | 1992-12-08 | Exposure apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2049583A JP2860578B2 (ja) | 1990-03-02 | 1990-03-02 | 露光装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03253018A true JPH03253018A (ja) | 1991-11-12 |
| JP2860578B2 JP2860578B2 (ja) | 1999-02-24 |
Family
ID=12835241
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2049583A Expired - Fee Related JP2860578B2 (ja) | 1990-03-02 | 1990-03-02 | 露光装置 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5150391A (ja) |
| EP (1) | EP0444936B1 (ja) |
| JP (1) | JP2860578B2 (ja) |
| DE (1) | DE69126456T2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5600698A (en) * | 1994-04-04 | 1997-02-04 | Canon Kabushiki Kaisha | X-ray exposure apparatus |
| WO2008056735A1 (fr) * | 2006-11-09 | 2008-05-15 | Nikon Corporation | Unité de support, système de détection de position et système d'exposition, procédé de déplacement, procédé de détection de position, procédé d'exposition, procédé d'ajustement du système de détection, et procédé de prod |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3224157B2 (ja) * | 1992-03-31 | 2001-10-29 | キヤノン株式会社 | Ｘ線マスクとその製造方法、並びに該ｘ線マスクを用いたデバイス製造方法とｘ線露光装置 |
| KR940007963A (ko) * | 1992-09-03 | 1994-04-28 | 오오가 노리오 | 판그물 및 투과형 전자현미경용 시료의 연마방법 |
| KR0139039B1 (ko) * | 1993-06-30 | 1998-06-01 | 미타라이 하지메 | 노광장치와 이것을 이용한 디바이스 제조방법 |
| US5593800A (en) * | 1994-01-06 | 1997-01-14 | Canon Kabushiki Kaisha | Mask manufacturing method and apparatus and device manufacturing method using a mask manufactured by the method or apparatus |
| JP3402750B2 (ja) * | 1994-05-25 | 2003-05-06 | キヤノン株式会社 | 位置合わせ方法及びそれを用いた素子の製造方法 |
| JPH08115872A (ja) * | 1994-10-13 | 1996-05-07 | Nikon Corp | 露光装置 |
| EP0715215B1 (en) * | 1994-11-29 | 2001-05-30 | Canon Kabushiki Kaisha | Alignment method and semiconductor exposure method |
| JP3261948B2 (ja) * | 1995-03-28 | 2002-03-04 | キヤノン株式会社 | Ｘ線露光用マスク及びそれを用いた半導体素子の製造方法 |
| JP3894509B2 (ja) * | 1995-08-07 | 2007-03-22 | キヤノン株式会社 | 光学装置、露光装置およびデバイス製造方法 |
| JP3634487B2 (ja) * | 1996-02-09 | 2005-03-30 | キヤノン株式会社 | 位置合せ方法、位置合せ装置、および露光装置 |
| TW341719B (en) * | 1996-03-01 | 1998-10-01 | Canon Kk | Surface position detecting method and scanning exposure method using the same |
| US6559465B1 (en) * | 1996-08-02 | 2003-05-06 | Canon Kabushiki Kaisha | Surface position detecting method having a detection timing determination |
| JP3337921B2 (ja) | 1996-08-23 | 2002-10-28 | キヤノン株式会社 | 投影露光装置および位置合せ方法 |
| US5917580A (en) * | 1996-08-29 | 1999-06-29 | Canon Kabushiki Kaisha | Scan exposure method and apparatus |
| JP3745167B2 (ja) | 1998-07-29 | 2006-02-15 | キヤノン株式会社 | ステージ装置、露光装置およびデバイス製造方法ならびにステージ駆動方法 |
| JP2001332490A (ja) * | 2000-03-14 | 2001-11-30 | Nikon Corp | 位置合わせ方法、露光方法、露光装置、及びデバイス製造方法 |
| US7151271B2 (en) * | 2003-10-08 | 2006-12-19 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | System and method for passing high energy particles through a mask |
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|---|---|---|---|---|
| JPH0715869B2 (ja) * | 1983-09-30 | 1995-02-22 | 株式会社日立製作所 | 軟ｘ線露光装置 |
| JPS6197918A (ja) * | 1984-10-19 | 1986-05-16 | Hitachi Ltd | Ｘ線露光装置 |
| EP0253283A3 (de) * | 1986-07-15 | 1988-07-20 | Siemens Aktiengesellschaft | Anordnung zur Belichtung von Halbleiterscheiben mittels Synchrotronstrahlung in einem Lithographiegerät |
| US4875076A (en) * | 1987-06-15 | 1989-10-17 | Canon Kabushiki Kaisha | Exposure apparatus |
| AT393334B (de) * | 1988-01-22 | 1991-09-25 | Ims Ionen Mikrofab Syst | Anordnung zur stabilisierung einer bestrahlten maske |
| JP2631485B2 (ja) * | 1988-01-28 | 1997-07-16 | キヤノン株式会社 | 位置決め装置 |
| EP0336537B1 (en) * | 1988-02-16 | 1995-12-20 | Canon Kabushiki Kaisha | Device for detecting positional relationship between two objects |
| JP2744245B2 (ja) * | 1988-03-25 | 1998-04-28 | キヤノン株式会社 | 露光装置と露光方法 |
| DE68922945T2 (de) * | 1988-09-09 | 1995-11-16 | Canon Kk | Belichtungsvorrichtung. |
| JP2805220B2 (ja) * | 1989-09-21 | 1998-09-30 | キヤノン株式会社 | 露光装置 |
-
1990
- 1990-03-02 JP JP2049583A patent/JP2860578B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1991
- 1991-02-28 DE DE69126456T patent/DE69126456T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1991-02-28 EP EP91301656A patent/EP0444936B1/en not_active Expired - Lifetime
-
1992
- 1992-02-05 US US07/830,449 patent/US5150391A/en not_active Expired - Fee Related
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| US5600698A (en) * | 1994-04-04 | 1997-02-04 | Canon Kabushiki Kaisha | X-ray exposure apparatus |
| WO2008056735A1 (fr) * | 2006-11-09 | 2008-05-15 | Nikon Corporation | Unité de support, système de détection de position et système d'exposition, procédé de déplacement, procédé de détection de position, procédé d'exposition, procédé d'ajustement du système de détection, et procédé de prod |
| US8432534B2 (en) | 2006-11-09 | 2013-04-30 | Nikon Corporation | Holding apparatus, position detection apparatus and exposure apparatus, moving method, position detection method, exposure method, adjustment method of detection system and device manufacturing method |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0444936B1 (en) | 1997-06-11 |
| DE69126456D1 (de) | 1997-07-17 |
| EP0444936A2 (en) | 1991-09-04 |
| US5150391A (en) | 1992-09-22 |
| EP0444936A3 (en) | 1991-12-11 |
| JP2860578B2 (ja) | 1999-02-24 |
| DE69126456T2 (de) | 1997-11-06 |
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| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |