JPH03250582A - 分散型el素子およびその製造方法 - Google Patents
分散型el素子およびその製造方法Info
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- JPH03250582A JPH03250582A JP2046495A JP4649590A JPH03250582A JP H03250582 A JPH03250582 A JP H03250582A JP 2046495 A JP2046495 A JP 2046495A JP 4649590 A JP4649590 A JP 4649590A JP H03250582 A JPH03250582 A JP H03250582A
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Landscapes
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は分散型EL素子およびその製造方法に関し、
さらに詳しくは、低消費電力で長寿命の耐久性に優れた
分散型EL素子とその製造方法に関する。
さらに詳しくは、低消費電力で長寿命の耐久性に優れた
分散型EL素子とその製造方法に関する。
一般に、分散型EL素子における発光層は、Zns系蛍
光体を高誘電率結合剤樹脂中に分散して形成され、高誘
電率結合剤樹脂としては、シアノエチル化プルランなど
が使用されている。
光体を高誘電率結合剤樹脂中に分散して形成され、高誘
電率結合剤樹脂としては、シアノエチル化プルランなど
が使用されている。
しかしながら、この種のシアノエチル化プルランは、誘
電率が約18で、誘電率が約8のZnSとの関係で必要
とされる誘電率には及ばないため、充分な輝度が得られ
ない。
電率が約18で、誘電率が約8のZnSとの関係で必要
とされる誘電率には及ばないため、充分な輝度が得られ
ない。
そこで、PbO1ZrO,、Tie、等の強誘電体を発
光層中に混入させるなどして、輝度を向上させることが
行われている。(特開昭57−189496号) 〔発明が解決しようとする課題〕 ところが、こられPbO,ZrO□、TiO2等の強誘
電体を発光層中に混入させると、発光層を流れる電流が
増加し、単位電流光たりの輝度が低下して、消費電力が
増加するという欠点があり、寿命が短くなって充分な耐
久性が得られない。
光層中に混入させるなどして、輝度を向上させることが
行われている。(特開昭57−189496号) 〔発明が解決しようとする課題〕 ところが、こられPbO,ZrO□、TiO2等の強誘
電体を発光層中に混入させると、発光層を流れる電流が
増加し、単位電流光たりの輝度が低下して、消費電力が
増加するという欠点があり、寿命が短くなって充分な耐
久性が得られない。
この発明はかかる現状に鑑み種々検討を行った結果なさ
れたもので、高誘電率結合剤樹脂に蛍光体を分散した発
光層中に、絶縁体粉末を混合分散させることによって、
高誘電率結合剤樹脂中に流れる電流を制御し、発光効率
を向上させて、消費電力を低下させ、分散型EL素子の
寿命を長くして耐久性を向上させたものである。
れたもので、高誘電率結合剤樹脂に蛍光体を分散した発
光層中に、絶縁体粉末を混合分散させることによって、
高誘電率結合剤樹脂中に流れる電流を制御し、発光効率
を向上させて、消費電力を低下させ、分散型EL素子の
寿命を長くして耐久性を向上させたものである。
一般に、蛍光体ZnSをシアノエチル化プルランなどの
高誘電率結合剤樹脂に分散して形成される発光層は、シ
アノエチル化プルランの誘電率が約18で、誘電率が約
8のZnSより高く、しかもZnSは一般的に数十μm
の平均粒径をもつ粉体であるため、高電界を印加した時
の発光層に流れる電流は、大半が高誘電率結合剤樹脂ま
たはZnS粉末の表面層を流れる。
高誘電率結合剤樹脂に分散して形成される発光層は、シ
アノエチル化プルランの誘電率が約18で、誘電率が約
8のZnSより高く、しかもZnSは一般的に数十μm
の平均粒径をもつ粉体であるため、高電界を印加した時
の発光層に流れる電流は、大半が高誘電率結合剤樹脂ま
たはZnS粉末の表面層を流れる。
従って、シアノエチル化プルランなどの高誘電率結合剤
樹脂中に、絶縁体粉末などの低誘電率材料を混合分散さ
せると、高誘電率結合剤樹脂中を流れる電流を制御する
ことができ、消費電力を小さくして、発光効率を向上さ
せることができる。
樹脂中に、絶縁体粉末などの低誘電率材料を混合分散さ
せると、高誘電率結合剤樹脂中を流れる電流を制御する
ことができ、消費電力を小さくして、発光効率を向上さ
せることができる。
また、消費電力を低下させることができる結果、寿命が
長くなり、耐久性が充分に向上される。
長くなり、耐久性が充分に向上される。
このように発光層中に混合分散させる絶縁体粉末として
は、SiO□、SiN、Al2O2などの絶縁体粉末が
好適なものとして使用され、使用に際しては、それぞれ
が単独で使用される他混合して使用される。使用量は、
高誘電率結合剤樹脂中を流れる電流を制御させ、消費電
力を低下させて、発光効率を向上させるため、高誘電率
結合剤樹脂に対して1〜30重量%の範囲内にするのが
好ましく、30重量%より多く含有させると誘電率が低
下し、輝度低下を招くため好ましくない。
は、SiO□、SiN、Al2O2などの絶縁体粉末が
好適なものとして使用され、使用に際しては、それぞれ
が単独で使用される他混合して使用される。使用量は、
高誘電率結合剤樹脂中を流れる電流を制御させ、消費電
力を低下させて、発光効率を向上させるため、高誘電率
結合剤樹脂に対して1〜30重量%の範囲内にするのが
好ましく、30重量%より多く含有させると誘電率が低
下し、輝度低下を招くため好ましくない。
二のような発光層で使用される蛍光体としては、たとえ
ば、ZnS、CdSなどからなる母材に、Cu、CI、
Mn、AI、Agなどの1種または2種以上の元素を発
光中心として付活した蛍光体が、いずれも好適なものと
して使用される。
ば、ZnS、CdSなどからなる母材に、Cu、CI、
Mn、AI、Agなどの1種または2種以上の元素を発
光中心として付活した蛍光体が、いずれも好適なものと
して使用される。
また、発光層に使用される高誘電率結合剤樹脂としては
、一般に分散型EL素子の発光層に使用される高誘電率
結合剤樹脂がいずれも好適に使用され、たとえば、シア
ノエチル化プルラン、シアノエチル化セルロース、シア
ノエチル化ポリビニルアルコール、シアノエチル化ヒド
ロキシセルロース、シアノエチル化サッカロース、シア
ノエチル化フェノキシ樹脂などが好ましく使用される。
、一般に分散型EL素子の発光層に使用される高誘電率
結合剤樹脂がいずれも好適に使用され、たとえば、シア
ノエチル化プルラン、シアノエチル化セルロース、シア
ノエチル化ポリビニルアルコール、シアノエチル化ヒド
ロキシセルロース、シアノエチル化サッカロース、シア
ノエチル化フェノキシ樹脂などが好ましく使用される。
さらに、絶縁体粉末、蛍光体、高誘電率結合剤樹脂等を
混合分散して、発光塗料を調製する際使用される有機溶
剤としては、ジメチルホルムアミド、ノルマルメチル2
−ピロリドン、ジメチルスルホキシド、イソホロン、ア
セトン、メチルエチルケトンなど、通常、分散型EL素
子の発光層に使用されるものがいずれも使用される。
混合分散して、発光塗料を調製する際使用される有機溶
剤としては、ジメチルホルムアミド、ノルマルメチル2
−ピロリドン、ジメチルスルホキシド、イソホロン、ア
セトン、メチルエチルケトンなど、通常、分散型EL素
子の発光層に使用されるものがいずれも使用される。
このように、絶縁体粉末を、蛍光体とともに高誘電率結
合剤樹脂に混合分散した発光層を有する分散型EL素子
の形成は、たとえば、第1図に示すように透明フィルム
l上のインジウム−スズ酸化物などからなる透明電極2
上に、絶縁体粉末3、蛍光体4、高誘電率結合剤樹脂5
および有機溶剤等を混合分散して調製された発光塗料を
塗布、乾燥して発光層6を形成し、次いで、この発光層
6上に、チタン酸バリウムなどの高誘電率無機化合物7
、高誘電率結合剤樹脂8および有@溶剤等を混合分散し
て調製された誘電塗料を塗布、乾燥して誘電層9を形成
し、さらにアルミニウム等からなる背面電極10を形成
した後、これらを防湿フィルム11で封止して形成され
る。なお、12は交流電源で、この交流電源12に透明
電極2と背面電極10が接続されて駆動される。
合剤樹脂に混合分散した発光層を有する分散型EL素子
の形成は、たとえば、第1図に示すように透明フィルム
l上のインジウム−スズ酸化物などからなる透明電極2
上に、絶縁体粉末3、蛍光体4、高誘電率結合剤樹脂5
および有機溶剤等を混合分散して調製された発光塗料を
塗布、乾燥して発光層6を形成し、次いで、この発光層
6上に、チタン酸バリウムなどの高誘電率無機化合物7
、高誘電率結合剤樹脂8および有@溶剤等を混合分散し
て調製された誘電塗料を塗布、乾燥して誘電層9を形成
し、さらにアルミニウム等からなる背面電極10を形成
した後、これらを防湿フィルム11で封止して形成され
る。なお、12は交流電源で、この交流電源12に透明
電極2と背面電極10が接続されて駆動される。
ここで、透明電極2は、従来の分散型EL素子の透明電
極と同様にして形成され、例えば、インジウム−スズ酸
化物、■nz O,、Sno□、金などからなる透明電
極2が、電子ビーム薄着法やスパッタリング法によって
形成される。
極と同様にして形成され、例えば、インジウム−スズ酸
化物、■nz O,、Sno□、金などからなる透明電
極2が、電子ビーム薄着法やスパッタリング法によって
形成される。
また、発光層6上に形成される誘電層9は、チタン酸バ
リウム、チタン酸鉛、二酸化チタンなどの高誘電率無機
化合物を、発光層6で使用する高誘電率結合剤樹脂およ
び有機溶剤とともに混合分散して誘電塗料を調製し、こ
の誘電塗料を発光層6上に塗布、乾燥して形成される。
リウム、チタン酸鉛、二酸化チタンなどの高誘電率無機
化合物を、発光層6で使用する高誘電率結合剤樹脂およ
び有機溶剤とともに混合分散して誘電塗料を調製し、こ
の誘電塗料を発光層6上に塗布、乾燥して形成される。
さらに、誘電層9上に形成される背面電極10は、従来
の分散型EL素子の背面電極と同様にして形成され、た
とえば、アルミニウム、金、モリブデン、クロム等の金
属電極、さらにSnO□、In、O,などの金属酸化物
電極が、真空薄着法や抵抗加熱法によって形成され、ま
たAI箔などを加熱圧着するなどの方法でも形成される
。
の分散型EL素子の背面電極と同様にして形成され、た
とえば、アルミニウム、金、モリブデン、クロム等の金
属電極、さらにSnO□、In、O,などの金属酸化物
電極が、真空薄着法や抵抗加熱法によって形成され、ま
たAI箔などを加熱圧着するなどの方法でも形成される
。
防湿フィルム11としては、3フツ化塩化エチレンフイ
ルムなどが使用される。
ルムなどが使用される。
次に、この発明の実施例について説明する。
実施例l
ZnS : Cuからなる蛍光体38重量部を、シアノ
エチル化プルラン19重量部およびジメチルホルムアミ
ド38重量部とともに混合分散して調製した発光体ペー
スト中に、さらに平均粒径5μmのSiO□を5重量部
添加し、混合分散して発光塗料を調製した。
エチル化プルラン19重量部およびジメチルホルムアミ
ド38重量部とともに混合分散して調製した発光体ペー
スト中に、さらに平均粒径5μmのSiO□を5重量部
添加し、混合分散して発光塗料を調製した。
次いで、この発光塗料を、第1図に示すように、透明な
ポリエステルフィルム1上に形成したインジウム−スズ
酸化物からなる透明電極2上にスクリーン印刷によって
塗布し、70°Cで24時間乾燥して、厚さ100μm
の5iOz3とZnS:Cu4とシアノエチル化プルラ
ン5とからなる発光層6を形成した。
ポリエステルフィルム1上に形成したインジウム−スズ
酸化物からなる透明電極2上にスクリーン印刷によって
塗布し、70°Cで24時間乾燥して、厚さ100μm
の5iOz3とZnS:Cu4とシアノエチル化プルラ
ン5とからなる発光層6を形成した。
一方、アルミ箔10上に、BaTiO340重量部を、
シアンエチル化プルラン20重量部およびジメチルホル
ムアミド40重量部とともに混合分散して調製した誘電
塗料を、スクリーン印刷によって塗布し、70°Cで2
4時間乾燥して、厚さ50μmのBaTi0:+ 7と
シアノエチル化プルラン8とからなる誘電層9を形成し
た。
シアンエチル化プルラン20重量部およびジメチルホル
ムアミド40重量部とともに混合分散して調製した誘電
塗料を、スクリーン印刷によって塗布し、70°Cで2
4時間乾燥して、厚さ50μmのBaTi0:+ 7と
シアノエチル化プルラン8とからなる誘電層9を形成し
た。
次に、発光層6を形成した透明なポリエステルフィルム
1と、誘電層9を形成したアルミ箔10とを、発光層6
と誘電層9とが接するように対向させて、ローラーで7
0°Cの条件で加熱圧着させた後、これらを37フ化塩
化エチレンフイルム11で覆って封止し、第1図に示す
ような分散型EL素子をつくった。
1と、誘電層9を形成したアルミ箔10とを、発光層6
と誘電層9とが接するように対向させて、ローラーで7
0°Cの条件で加熱圧着させた後、これらを37フ化塩
化エチレンフイルム11で覆って封止し、第1図に示す
ような分散型EL素子をつくった。
実施例2
ZnS : Cuからなる蛍光体35重量部を、シアノ
エチル化プルラン20重量部およびジメチルホルムアミ
ド35重量部とともに混合分散して調製した発光体ペー
スト中に、さらに平均粒径1μmのA、f、03を10
重量部添加し、混合分散して発光塗料を調製した。
エチル化プルラン20重量部およびジメチルホルムアミ
ド35重量部とともに混合分散して調製した発光体ペー
スト中に、さらに平均粒径1μmのA、f、03を10
重量部添加し、混合分散して発光塗料を調製した。
次いで、この発光塗料を、第2図に示すように、ガラス
基板la上に形成したインジウム−スズ酸化物からなる
透明電極2a上にスクリーン印刷によって塗布し、70
°Cで24時間乾燥して、厚さ100μmのAI−zo
s3aとZnS : Cu4aとシアノエチル化プルラ
ン5aとからなる発光層6aを形成した。
基板la上に形成したインジウム−スズ酸化物からなる
透明電極2a上にスクリーン印刷によって塗布し、70
°Cで24時間乾燥して、厚さ100μmのAI−zo
s3aとZnS : Cu4aとシアノエチル化プルラ
ン5aとからなる発光層6aを形成した。
さらに、シアノエチル化サッカロース20重量部をジメ
チルホルムアミド40重量部中に溶解し、これにBaT
iO2を40重量部混合分散して誘電塗料を調製し、こ
の誘電塗料をスクリーン印刷によって発光層6a上に塗
布し、70°Cで24時間乾燥して、厚さ50μmのB
aTi0+ 7aとシアノエチル化サッカロース8aと
からなる誘電層9aを形成した。
チルホルムアミド40重量部中に溶解し、これにBaT
iO2を40重量部混合分散して誘電塗料を調製し、こ
の誘電塗料をスクリーン印刷によって発光層6a上に塗
布し、70°Cで24時間乾燥して、厚さ50μmのB
aTi0+ 7aとシアノエチル化サッカロース8aと
からなる誘電層9aを形成した。
次に、この誘電層9a上に抵抗加熱蒸着法でアルミニウ
ムを蒸着して、厚さが1.5μmのアルミニウムからな
る背面電極10aを形成し、ガラス基板11aで封止し
、同時に端部をエポキシ樹脂11bで封止して、第2図
に示すような分散型EL素子をつくった。
ムを蒸着して、厚さが1.5μmのアルミニウムからな
る背面電極10aを形成し、ガラス基板11aで封止し
、同時に端部をエポキシ樹脂11bで封止して、第2図
に示すような分散型EL素子をつくった。
比較例1
実施例1における発光層の形成において、SiO□の添
加を省いた以外は実施例1と同様にして発光層を形成し
、分散型EL素子をつくった。
加を省いた以外は実施例1と同様にして発光層を形成し
、分散型EL素子をつくった。
比較例2
実施例2における発光層の形成おいて、A2□0、の添
加を省いた以外は実施例2と同様にして発光層を形成し
、分散型EL素子をつくった。
加を省いた以外は実施例2と同様にして発光層を形成し
、分散型EL素子をつくった。
各実施例および比較例で得られた分散型EL素子の透明
電極と背面電極を交流電源に接続し、200■、400
Hzのパルス波で、25℃の条件下に駆動させて、単位
電流当たりの輝度を測定し、輝度の経時変化を調べた。
電極と背面電極を交流電源に接続し、200■、400
Hzのパルス波で、25℃の条件下に駆動させて、単位
電流当たりの輝度を測定し、輝度の経時変化を調べた。
下記第1表は単位電流当たりの輝度の測定結果であり、
第3図および第4図は分散型EL素子の輝度の経時変化
をグラフで表したものである。
第3図および第4図は分散型EL素子の輝度の経時変化
をグラフで表したものである。
第1表
〔発明の効果]
上記第1表および第2図、第3図から明らかなように、
この発明で得られた分散型EL素子(実施例1および2
)は、いずれも従来の分散型EL素子(比較例1および
2)に比し、単位電流当たりの輝度が高くて、輝度の経
時変化が小さく、このことからこの発明で得られる分散
型EL素子は、消費電力が小さく、かつ寿命が長くて耐
久性に優れていることがわかる。
この発明で得られた分散型EL素子(実施例1および2
)は、いずれも従来の分散型EL素子(比較例1および
2)に比し、単位電流当たりの輝度が高くて、輝度の経
時変化が小さく、このことからこの発明で得られる分散
型EL素子は、消費電力が小さく、かつ寿命が長くて耐
久性に優れていることがわかる。
第1図はこの発明で得られた分散型EL素子の一実施例
を示す断面図、第2図は同地の実施例を示す断面図、第
3図および第4図はこの発明で得られた分散型EL素子
の輝度と経過時間との関係図1である。 1・・・透明フィルム、1a・・・ガラス基板、2,2
a・・・透明電極、3・・・5in2 (絶縁体粉末)
、3a=・AI!、z Owl (絶縁体粉末)、4
.4a−ZnS:Cu(蛍光体)、5.5a、・・・シ
アノエチル化プルラン(高誘電率結合剤樹脂)、9.9
a・・・誘電層、 10゜ 0a・・・背面電極、 1・・・防湿フ ィルム、 a・・・ガラス基板、 b・・・エポキシ 樹脂
を示す断面図、第2図は同地の実施例を示す断面図、第
3図および第4図はこの発明で得られた分散型EL素子
の輝度と経過時間との関係図1である。 1・・・透明フィルム、1a・・・ガラス基板、2,2
a・・・透明電極、3・・・5in2 (絶縁体粉末)
、3a=・AI!、z Owl (絶縁体粉末)、4
.4a−ZnS:Cu(蛍光体)、5.5a、・・・シ
アノエチル化プルラン(高誘電率結合剤樹脂)、9.9
a・・・誘電層、 10゜ 0a・・・背面電極、 1・・・防湿フ ィルム、 a・・・ガラス基板、 b・・・エポキシ 樹脂
Claims (2)
- 1.高誘電率結合剤樹脂中に蛍光体を分散させた発光層
を有する分散型EL素子において、発光層中に絶縁体粉
末を混合分散させたことを特徴とする分散型EL素子 - 2.絶縁体粉末が、SiO_2,、SiN、Al_2O
_3から選ばれるいずれか一種または二種以上の絶縁体
粉末である請求項1記載の分散型EL素子3.少なくと
も一方が透明電極である一対の電極間に、少なくとも発
光層を形成して分散型EL素子を製造するに際し、蛍光
体を高誘電率結合剤樹脂および有機溶剤とともに混合分
散させた中に、さらに絶縁体粉末を混合分散させて発光
塗料を調製し、この発光塗料を用いて発光層を形成する
ことを特徴とする分散型EL素子の製造方法4.絶縁体
粉末が、SiO_2、SiN、Al_2O_2から選ば
れるいずれか一種または二種以上の絶縁体粉末である請
求項3記載の分散型EL素子の製造方法
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2046495A JPH03250582A (ja) | 1990-02-26 | 1990-02-26 | 分散型el素子およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2046495A JPH03250582A (ja) | 1990-02-26 | 1990-02-26 | 分散型el素子およびその製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH03250582A true JPH03250582A (ja) | 1991-11-08 |
Family
ID=12748810
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2046495A Pending JPH03250582A (ja) | 1990-02-26 | 1990-02-26 | 分散型el素子およびその製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH03250582A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5653914A (en) * | 1992-12-18 | 1997-08-05 | Cambridge Display Technology Limited | Electroluminescent device comprising a chromophoric polymeric composition |
JP2005158491A (ja) * | 2003-11-26 | 2005-06-16 | Fuji Photo Film Co Ltd | 分散型エレクトロルミネッセンス素子 |
KR100880449B1 (ko) * | 2008-10-09 | 2009-01-29 | 주식회사 엔이알 | 대면적 고휘도 무기이엘시트 |
-
1990
- 1990-02-26 JP JP2046495A patent/JPH03250582A/ja active Pending
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5653914A (en) * | 1992-12-18 | 1997-08-05 | Cambridge Display Technology Limited | Electroluminescent device comprising a chromophoric polymeric composition |
JP2005158491A (ja) * | 2003-11-26 | 2005-06-16 | Fuji Photo Film Co Ltd | 分散型エレクトロルミネッセンス素子 |
KR100880449B1 (ko) * | 2008-10-09 | 2009-01-29 | 주식회사 엔이알 | 대면적 고휘도 무기이엘시트 |
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