JPH03247769A - プラズマｃｖｄ装置用電極装置 - Google Patents
プラズマｃｖｄ装置用電極装置Info
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- JPH03247769A JPH03247769A JP4131890A JP4131890A JPH03247769A JP H03247769 A JPH03247769 A JP H03247769A JP 4131890 A JP4131890 A JP 4131890A JP 4131890 A JP4131890 A JP 4131890A JP H03247769 A JPH03247769 A JP H03247769A
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Landscapes
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、プラズマＣＶＤ装置、特にアモルファスシリ
コン感光体ドラムの製造に適したプラズマＣ，Ｖ Ｄ装
置の電極装置に関する。
コン感光体ドラムの製造に適したプラズマＣ，Ｖ Ｄ装
置の電極装置に関する。
（従来の技術）
従来、グロー放電プラズマを利用した成膜装置に於ては
、高速で成膜処理を行うために、例えば第４図及び第５
図に見られるような、磁場によるプラズマの拘束作用を
利用するプレーナマグネトロン式のものが知られている
（特公昭５９−１５９８．２号公報）。この成膜装置
は、真空室ｄに用意した放電電極ａ内に磁石すを置き、
該電極ａから出て再びこれに戻る磁力線Ｃの近傍に高密
度のプラズマを拘束するもので、プラズマ中の電子は磁
力線Ｃに垂直な面内を回転運動するが、磁石すの組み込
まれた放電電極ａが陰極である場合は、電子は該電極ａ
と衝突する前に反発され、その結果該電極ａの近傍でサ
イクロイド運動を繰り返し、高密度のプラズマが該電極
ａの近傍に拘束されるようになる。
、高速で成膜処理を行うために、例えば第４図及び第５
図に見られるような、磁場によるプラズマの拘束作用を
利用するプレーナマグネトロン式のものが知られている
（特公昭５９−１５９８．２号公報）。この成膜装置
は、真空室ｄに用意した放電電極ａ内に磁石すを置き、
該電極ａから出て再びこれに戻る磁力線Ｃの近傍に高密
度のプラズマを拘束するもので、プラズマ中の電子は磁
力線Ｃに垂直な面内を回転運動するが、磁石すの組み込
まれた放電電極ａが陰極である場合は、電子は該電極ａ
と衝突する前に反発され、その結果該電極ａの近傍でサ
イクロイド運動を繰り返し、高密度のプラズマが該電極
ａの近傍に拘束されるようになる。
この成膜装置が、化学反応を応用した成膜装置である場
合は、該電極ａの近傍のプラズマ中で真空室ｄ内に導入
した原料ガスが分解し、活性種となって拡散により輸送
され、該電極ａと対向して設けた電極ｆ上に載せた基板
ｅに到達して薄膜に成長していく。そして、該電極ａの
近傍のプラズマ密度が高い程ガスの分解が効率的になさ
れ、基板ｅに到達する活性種の量が増え、高速成膜が実
現できる。
合は、該電極ａの近傍のプラズマ中で真空室ｄ内に導入
した原料ガスが分解し、活性種となって拡散により輸送
され、該電極ａと対向して設けた電極ｆ上に載せた基板
ｅに到達して薄膜に成長していく。そして、該電極ａの
近傍のプラズマ密度が高い程ガスの分解が効率的になさ
れ、基板ｅに到達する活性種の量が増え、高速成膜が実
現できる。
（発明が解決しようとする課題）
前記の装置では、真空室ｄに導入された原料ガスの分解
は、基板ｅと対向する電極ａの近傍で行われるため、該
電極ａの表面には基板ｅよりも厚い膜が堆積する。特に
、プラズマが集中している磁束密度の高いところでは、
非常に厚い膜が堆積するようになる。こうした膜は、成
膜を何回か繰り返すうちに剥離を起こし、その結果発生
するフレークが基板ｅに付着すると、それが中心核とな
って薄膜が成長するにつれ瘤状となり該基板ｅに堆積す
る膜の特性に悪い影響を与える不都合があった。
は、基板ｅと対向する電極ａの近傍で行われるため、該
電極ａの表面には基板ｅよりも厚い膜が堆積する。特に
、プラズマが集中している磁束密度の高いところでは、
非常に厚い膜が堆積するようになる。こうした膜は、成
膜を何回か繰り返すうちに剥離を起こし、その結果発生
するフレークが基板ｅに付着すると、それが中心核とな
って薄膜が成長するにつれ瘤状となり該基板ｅに堆積す
る膜の特性に悪い影響を与える不都合があった。
本発明は、こうした従来のプレーナマグネトロン式のプ
ラズマＣＶＤ装置の不都合を解決することを目的とする
ものである。
ラズマＣＶＤ装置の不都合を解決することを目的とする
ものである。
（課題を解決するための手段）
本発明では、上記目的を達成するため、真空室内に互い
に対向した一対の放電電極を設け、該放電電極間に供給
された分解性の原料ガスを該放電電極間で発生するプラ
ズマにより分解して一方の放電電極に取り付けた基板上
に薄膜を堆積させるプラズマＣＶＤ装置に於て、該基板
に取り付けた放電電極と対向するもう一方の放電電極の
表面に、狭い間隔て多数の凹溝を形成するようにした。
に対向した一対の放電電極を設け、該放電電極間に供給
された分解性の原料ガスを該放電電極間で発生するプラ
ズマにより分解して一方の放電電極に取り付けた基板上
に薄膜を堆積させるプラズマＣＶＤ装置に於て、該基板
に取り付けた放電電極と対向するもう一方の放電電極の
表面に、狭い間隔て多数の凹溝を形成するようにした。
該凹溝は、５ ｍｍ以下の間隔て周期的に繰り返される
Ｕ字又はＶ字状の凹溝て形成することが好ましい。
Ｕ字又はＶ字状の凹溝て形成することが好ましい。
（作 用）
対向する放電電極の一方の陽極側の電極に基板を設けて
これをアースすると共に他方の陰極側の電極に磁石を設
け、該放電電極間に例えばシランガスの分解性の原料ガ
スを導入し、陰極側の放電電極に例えば高周波電源から
通電する。
これをアースすると共に他方の陰極側の電極に磁石を設
け、該放電電極間に例えばシランガスの分解性の原料ガ
スを導入し、陰極側の放電電極に例えば高周波電源から
通電する。
これによって放電電極間にグロー放電によるプラズマが
発生し、原料ガスが分解されてその活性種が陽極側の基
板に堆積して薄膜が形成される。該プラズマは陰極側の
磁石により拘束されるので、基板への堆積と同時に陰極
側の放電電極の表面にも活性種が厚く堆積し、これが成
膜を繰り返すうちに剥離すると前記したように基板に付
着する不都合を生ずるようになるが、本発明の場合、陰
極側の放電電極の表面に狭い間隔で多数の凹溝が形成さ
れているので、その表面の面積が大きく、そこに堆積す
る薄膜の厚さが薄くなり、剥離が生じにくくなる。また
、剥離が生じた場合であっても、薄膜の厚さが薄いので
その剥離が近接する領域に伝播することが少なく、真空
室内に発生するフレークを極度に少なくすることが出来
る。
発生し、原料ガスが分解されてその活性種が陽極側の基
板に堆積して薄膜が形成される。該プラズマは陰極側の
磁石により拘束されるので、基板への堆積と同時に陰極
側の放電電極の表面にも活性種が厚く堆積し、これが成
膜を繰り返すうちに剥離すると前記したように基板に付
着する不都合を生ずるようになるが、本発明の場合、陰
極側の放電電極の表面に狭い間隔で多数の凹溝が形成さ
れているので、その表面の面積が大きく、そこに堆積す
る薄膜の厚さが薄くなり、剥離が生じにくくなる。また
、剥離が生じた場合であっても、薄膜の厚さが薄いので
その剥離が近接する領域に伝播することが少なく、真空
室内に発生するフレークを極度に少なくすることが出来
る。
（実施例）
本発明の実施例を図面第１図乃至第３図に基づき説明す
ると、第１図は、アモルファスシリコン感光体ドラムを
製造する場合のプラズマＣＶＤ装置に適用した実施例を
示し、同図に於て符号（１）は適当な真空排気手段によ
り真空化された円筒形の真空室、（２）は該真空室（１
）内に回転自在に設けられたドラム状の基板で、該ドラ
ム状の基板（２）の表面にアモルファスシリコンの薄膜
をプラズマＣＶＤにより形成するとアモルファスシリコ
ン感光体ドラムが製造される。
ると、第１図は、アモルファスシリコン感光体ドラムを
製造する場合のプラズマＣＶＤ装置に適用した実施例を
示し、同図に於て符号（１）は適当な真空排気手段によ
り真空化された円筒形の真空室、（２）は該真空室（１
）内に回転自在に設けられたドラム状の基板で、該ドラ
ム状の基板（２）の表面にアモルファスシリコンの薄膜
をプラズマＣＶＤにより形成するとアモルファスシリコ
ン感光体ドラムが製造される。
該ドラム状の基板（２）は導電体で形成され、これを接
地電位にして放電電極の一方とする。
地電位にして放電電極の一方とする。
該ドラム状の基板（２）の両側には、円弧状表面と間隔
（４）を存して、分割した半裁円筒状の２つの放電電極
（３） （３）が適当な手段により固定して設けられる
。該放電電極（３） （３）は、窪んだ円弧状表面を有
し、その内部には磁石（５）とシランガス等の原料ガス
の通路とを備え、該間隔（４）へ原料ガスを噴出するた
めの１つ若しくは複数の噴出口が該円弧状表面に設けら
れる。
（４）を存して、分割した半裁円筒状の２つの放電電極
（３） （３）が適当な手段により固定して設けられる
。該放電電極（３） （３）は、窪んだ円弧状表面を有
し、その内部には磁石（５）とシランガス等の原料ガス
の通路とを備え、該間隔（４）へ原料ガスを噴出するた
めの１つ若しくは複数の噴出口が該円弧状表面に設けら
れる。
該円弧状表面には、第２図示のように凹溝（６）の多数
本が５ ＋＋＋ｍ以下の間隔（７）を存して形成された
溝板（８）が取り付けされ、該凹溝（６）の形状は、第
２図のようなり字状に限らずＵ字状であってもよく、ま
た、該凹溝（６）は第３図のように交叉して形成しても
よい。
本が５ ＋＋＋ｍ以下の間隔（７）を存して形成された
溝板（８）が取り付けされ、該凹溝（６）の形状は、第
２図のようなり字状に限らずＵ字状であってもよく、ま
た、該凹溝（６）は第３図のように交叉して形成しても
よい。
これらの放電電極（３） （３）が、Ｒ，Ｆ電源（９）
からの通電を受けると、接地電位のドラム状の基板（２
）との間でプラズマ放電が発生し、そのプラズマは放電
電極（３） （３）の表面近傍に磁石（５）の磁界によ
り集中し、該間隔（４）に流れる原料ガス例えばシラン
ガスが該プラズマにより分解され、これにより発生する
活性種が拡散により該基板（２）の表面に堆積し、そこ
にアモルファスシリコンの膜が形成される。この場合、
プラズマは放電電極（３）の表面近傍に集中するので、
該放電電極（３）に設けた溝板（８）の表面にもアモル
ファスシリコンの膜が形成されるが、その表面は凹溝（
６）が形成されて表面積が大きいために、活性種が分散
して付着し、従って厚い膜が堆積することがなくなり、
長時間の使用でも堆積した膜がフレークとなって飛散す
ることが少なく、膜が厚くなっても膜の剥離は凹溝（６
）内に止まり周辺へ伝播することがない。
からの通電を受けると、接地電位のドラム状の基板（２
）との間でプラズマ放電が発生し、そのプラズマは放電
電極（３） （３）の表面近傍に磁石（５）の磁界によ
り集中し、該間隔（４）に流れる原料ガス例えばシラン
ガスが該プラズマにより分解され、これにより発生する
活性種が拡散により該基板（２）の表面に堆積し、そこ
にアモルファスシリコンの膜が形成される。この場合、
プラズマは放電電極（３）の表面近傍に集中するので、
該放電電極（３）に設けた溝板（８）の表面にもアモル
ファスシリコンの膜が形成されるが、その表面は凹溝（
６）が形成されて表面積が大きいために、活性種が分散
して付着し、従って厚い膜が堆積することがなくなり、
長時間の使用でも堆積した膜がフレークとなって飛散す
ることが少なく、膜が厚くなっても膜の剥離は凹溝（６
）内に止まり周辺へ伝播することがない。
比較のために、本発明の装置と従来の装置を使用して夫
々ドラム状の基板（２）上にプラズマＣＶＤにより２０
μｍのアモルファスシリコンを堆積させ、その膜中の瘤
状欠陥密度を調べたところ、本発明の装置を使用した場
合の方が従来の装置を使用した場合よりも２桁程度減少
した。
々ドラム状の基板（２）上にプラズマＣＶＤにより２０
μｍのアモルファスシリコンを堆積させ、その膜中の瘤
状欠陥密度を調べたところ、本発明の装置を使用した場
合の方が従来の装置を使用した場合よりも２桁程度減少
した。
（発明の効果）
以上のように、本発明によるときは、基板と対向する放
電電極の表面に多数の凹溝を設けるようにしたので、該
放電電極に堆積した膜が剥離しにくくなり、基板にフレ
ークとなって付着することが少なくなって基板に堆積す
る膜の欠陥の数が減少する等の効果がある。
電電極の表面に多数の凹溝を設けるようにしたので、該
放電電極に堆積した膜が剥離しにくくなり、基板にフレ
ークとなって付着することが少なくなって基板に堆積す
る膜の欠陥の数が減少する等の効果がある。
第１図は本発明の実施例の裁断側面図、第２図は第１図
の要部の拡大斜視図、第３図は本発明の他の実施例の要
部の斜視図、第４図は従来例の裁断側面図、第５図は第
４図のｖ−ｖ線に沿った平面図である。 （１）・・・真 空 室 （２）・・・基 板 （３）・・・放電電極 （６）・・・凹 溝 特開平 ３ ２４７７６９ （４）
の要部の拡大斜視図、第３図は本発明の他の実施例の要
部の斜視図、第４図は従来例の裁断側面図、第５図は第
４図のｖ−ｖ線に沿った平面図である。 （１）・・・真 空 室 （２）・・・基 板 （３）・・・放電電極 （６）・・・凹 溝 特開平 ３ ２４７７６９ （４）
Claims (2)
- １．真空室内に互いに対向した一対の放電電極を設け、
該放電電極間に供給された分解性の原料ガスを該放電電
極間で発生するプラズマにより分解して一方の放電電極
に取り付けた基板上に薄膜を堆積させるプラズマＣＶＤ
装置に於て、該基板に取り付けた放電電極と対向するも
う一方の放電電極の表面に、狭い間隔で多数の凹溝を形
成したことを特徴とするプラズマＣＶＤ装置用電極装置
。 - ２．前記凹溝は、５ｍｍ以下の間隔で周期的に繰り返さ
れるＵ字又はＶ字状の凹溝であることを特徴とする請求
項１に記載のプラズマＣＶＤ装置用電極装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4131890A JP2942899B2 (ja) | 1990-02-23 | 1990-02-23 | プラズマｃｖｄ装置用電極装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4131890A JP2942899B2 (ja) | 1990-02-23 | 1990-02-23 | プラズマｃｖｄ装置用電極装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03247769A true JPH03247769A (ja) | 1991-11-05 |
| JP2942899B2 JP2942899B2 (ja) | 1999-08-30 |
Family
ID=12605166
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4131890A Expired - Lifetime JP2942899B2 (ja) | 1990-02-23 | 1990-02-23 | プラズマｃｖｄ装置用電極装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2942899B2 (ja) |
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5718769A (en) * | 1994-03-22 | 1998-02-17 | Canon Kabushiki Kaisha | Plasma processing apparatus |
| US5932302A (en) * | 1993-07-20 | 1999-08-03 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for fabricating with ultrasonic vibration a carbon coating |
| US6835523B1 (en) | 1993-05-09 | 2004-12-28 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Apparatus for fabricating coating and method of fabricating the coating |
| KR100786275B1 (ko) * | 2006-05-22 | 2007-12-18 | 주식회사 에스에프에이 | 평면디스플레이용 화학 기상 증착장치 |
| US7648782B2 (en) | 2006-03-20 | 2010-01-19 | Tokyo Electron Limited | Ceramic coating member for semiconductor processing apparatus |
| US7767268B2 (en) | 2005-09-08 | 2010-08-03 | Tocalo Co., Ltd. | Spray-coated member having an excellent resistance to plasma erosion and method of producing the same |
| US7850864B2 (en) | 2006-03-20 | 2010-12-14 | Tokyo Electron Limited | Plasma treating apparatus and plasma treating method |
| JP2011179096A (ja) * | 2010-03-03 | 2011-09-15 | Mitsui Eng & Shipbuild Co Ltd | 薄膜形成装置 |
| US8231986B2 (en) | 2005-08-22 | 2012-07-31 | Tocalo Co., Ltd. | Spray coating member having excellent injury resistance and so on and method for producing the same |
| EP2975158A4 (en) * | 2013-03-15 | 2016-11-23 | Toray Industries | PLASMA CVD DEVICE AND PLASMA CVD PROCESS |
-
1990
- 1990-02-23 JP JP4131890A patent/JP2942899B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6835523B1 (en) | 1993-05-09 | 2004-12-28 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Apparatus for fabricating coating and method of fabricating the coating |
| US5932302A (en) * | 1993-07-20 | 1999-08-03 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for fabricating with ultrasonic vibration a carbon coating |
| US6171674B1 (en) | 1993-07-20 | 2001-01-09 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Hard carbon coating for magnetic recording medium |
| US6183816B1 (en) | 1993-07-20 | 2001-02-06 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method of fabricating the coating |
| US6468617B1 (en) | 1993-07-20 | 2002-10-22 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Apparatus for fabricating coating and method of fabricating the coating |
| US5718769A (en) * | 1994-03-22 | 1998-02-17 | Canon Kabushiki Kaisha | Plasma processing apparatus |
| US8231986B2 (en) | 2005-08-22 | 2012-07-31 | Tocalo Co., Ltd. | Spray coating member having excellent injury resistance and so on and method for producing the same |
| US8053058B2 (en) | 2005-09-08 | 2011-11-08 | Tocalo Co., Ltd. | Spray-coated member having an excellent resistance to plasma erosion and method of producing the same |
| US7767268B2 (en) | 2005-09-08 | 2010-08-03 | Tocalo Co., Ltd. | Spray-coated member having an excellent resistance to plasma erosion and method of producing the same |
| US7850864B2 (en) | 2006-03-20 | 2010-12-14 | Tokyo Electron Limited | Plasma treating apparatus and plasma treating method |
| US7648782B2 (en) | 2006-03-20 | 2010-01-19 | Tokyo Electron Limited | Ceramic coating member for semiconductor processing apparatus |
| KR100786275B1 (ko) * | 2006-05-22 | 2007-12-18 | 주식회사 에스에프에이 | 평면디스플레이용 화학 기상 증착장치 |
| JP2011179096A (ja) * | 2010-03-03 | 2011-09-15 | Mitsui Eng & Shipbuild Co Ltd | 薄膜形成装置 |
| EP2975158A4 (en) * | 2013-03-15 | 2016-11-23 | Toray Industries | PLASMA CVD DEVICE AND PLASMA CVD PROCESS |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2942899B2 (ja) | 1999-08-30 |
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