JPH03246940A - 洗浄乾燥処理装置 - Google Patents

洗浄乾燥処理装置

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JPH03246940A
JPH03246940A JP4368590A JP4368590A JPH03246940A JP H03246940 A JPH03246940 A JP H03246940A JP 4368590 A JP4368590 A JP 4368590A JP 4368590 A JP4368590 A JP 4368590A JP H03246940 A JPH03246940 A JP H03246940A
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JP
Japan
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cleaning
drying
wafer
vessel
processing apparatus
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JP4368590A
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Toshihiko Sakurai
桜井 俊彦
Masaaki Harazono
正昭 原園
Tetsuya Takagaki
哲也 高垣
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Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、洗浄乾燥処理技術に関し、特に、半導体集積
回路装置の製造工程で行われる半導体ウェハ(以下、単
にウェハという)の洗浄乾燥処理に適用して有効な技術
に関するものである。
〔従来の技術〕
ウェハの洗浄乾燥処理技術については、例えば株式会社
スガイ、カタログrSU−104、全自動レジスト剥離
等装置」やrSU−105、全自動SIN膜除去装置」
に記載がある。
従来の洗浄乾燥処理は、上記カタログに記載された洗浄
乾燥処理装置のようにウェハをバッチ式に処理する方法
を採用しでいた。
バッチ式の洗浄乾燥処理装置における洗浄処理部では、
互いに隣接するウェハの主面と裏面とを対向させた状態
でカセットに収容された複数枚のウェハを洗浄槽内の薬
液に浸漬させ、各ウニ/%を一括して洗浄処理していた
。洗浄処理に際して、洗浄槽内の薬液は、反応生成物や
ウニ/%の持込み異物を除去するために、高性能フィル
タにより濾過されながら薬液処理部によって循環されて
いる。
一方、洗浄乾燥処理装置における乾燥処理部では、上記
カタログに記載された洗浄乾燥処理装置のように、ウェ
ハをスピンドライヤ一方式で一括乾燥処理したり、熱処
理前の洗浄のように高い清浄度が要求される場合は、カ
セットに収容されたリンス後の複数枚のウェハを、例え
ばイソプロピルアルコール(IPA)等のアルコール蒸
気で満たされた乾燥槽内に挿入し、各ウニノーを一括し
て乾燥処理していた。
〔発明が解決しようとする課題〕
ところが、上記従来の技術においては以下の問題がある
ことを本発明者は見出した。
すなわち、第1に、従来は洗浄処理に際して複数枚のウ
ェハを一括して処理するので、洗浄槽内の薬液の量が多
くなり、薬液の循環効率が低下する上、薬液中のウェハ
の持込み異物や反応生成物の量も多(なり、それら異物
がウェハに再付着し易くなる問題があった。
第2に、処理枚数を増加させる観点からカセットに収容
されたウェハのピッチが非常に狭くなっているたt、ウ
ェハ裏面側で生成された反応生成物やウェハ裏面側に付
着した異物等が対向する別のウェハの主面側に付着し易
くなる問題があった。
第3に、ウェハの搬送時や真空吸着時にウェハの裏面に
金属が付着するが、その金属のうち、例えば銅(Cu)
のようにSiよりもイオン化傾向の小さい金属のイオン
は、フッ酸(HF)洗浄によってウェハのSi面が露出
すると、S1面に吸着し、半導体集積回路装置の信頼性
を大幅に低下させてしまう問題があった。
第4に、従来は乾燥処理に際して、IPA等の可燃性の
有機溶剤を加熱するので、特に防火対策等の安全性の点
において問題があった。
第5に、従来は乾燥処理に際しても複数枚のウェハを一
括して処理するので、ウニ/%の大口径化に伴ってウェ
ハおよびカセットの熱容量が大きくなる。このため、蒸
気乾燥槽内の蒸気回復時間が長くなり、乾燥処理の品質
が低下する問題があった。
本発明は上記課題に着目してなされたものであり、その
目的は、高清浄な洗浄処理および安全かつ高品質な乾燥
処理を施すことのできる洗浄乾燥処理技術を提供するこ
とにある。
また、本発明の他の目的は、洗浄乾燥処理装置の大形化
を抑制することのできる技術を提供することにある。
また、本発明の他の目的は、半導体集積回路装置の信頼
性を向上させることのできる技術を提供することにある
本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、胡
細書の記述および添付図面から明らかになるであろう。
〔課題を解決するた給の手段〕
本願において開示される発明のうち、代表的なものの概
要を簡単に説明すれば、以下のとおりである。
すなわち、請求項1記載の発明は、被処理物が収容され
たカセットを所定位置に搬入するローダと、前記被処理
物を一枚毎に洗浄する洗浄処理部と、洗浄処理後の被処
理物を不活性ガス雰囲気中において赤外線により一枚毎
に乾燥させる乾燥処理部と、乾燥処理後の被処理物の収
容されたカセットを搬出するアンローダとを備える洗浄
乾燥処理装置構造とするものである。
請求項2記載の発明は、前記洗浄処理部に被処理物を縦
置きした状態で収容する洗浄槽を設け、かつ前記洗浄槽
の上方に被処理物を洗浄槽に対して垂直方向に搬入出す
る槽内搬送手段を設けた洗浄乾燥処理装置構造とするも
のである。
請求項3言己載の発明は、前記洗浄処理部においてHF
洗浄を行うための洗浄槽の前段に、塩酸洗浄を行うため
の洗浄槽を設けた洗浄乾燥処理装置構造とするものであ
る。
〔作用〕
上記した請求項1記載の発明によれば、ウニ/1等の被
処理物を枚葉洗浄処理するので、■洗浄槽を小形化する
ことができ、薬液循環回数や濾過の効率を大幅に向上さ
せることができる。そして、この結果、薬液中の反応生
成物やウエノ\持込み異物を低減することができ、異物
の再付着を大幅に低減することができる、■ウェハ裏面
から発生した反応生成物やウェハ裏面に付着した異物が
別のウェハの主面に再付着することもない。
また、洗浄処理後のウェハ等の被処理物を不活性ガス雰
囲気中において赤外線により乾燥させるので、アルコー
ル蒸気によるウェハの乾燥処理よりも安全性が高い。
さらに、ウェハ等の被処理物を不活性ガス雰囲気中にお
いて赤外線により一枚ずつ乾燥処理するので、ウェハが
大口径化しても従来の蒸気乾燥処理のような熱容量の増
加に起因する乾燥処理の品質低下が生じないとともに、
高清浄な洗浄処理の直後に乾燥処理を施すので、従来よ
りも高品質な乾燥処理を施すことができる。
上記した請求項2記載の発明によれば、被処理物を縦置
きした状態で洗浄するので、洗浄槽が複数となっても洗
浄乾燥処理装置の大形化を抑制することができる。
上記した請求項3記載の発明によれば、例えば半導体集
積回路装置の所定の製造工程中にウェハの裏面に金属が
付着しても、その金属をHF洗浄処理の前に塩酸洗浄処
理により除去することができるので、その金属イオンが
HF洗浄処理によって露出したSi面に吸着してしまう
現象を防止することができる。
〔実施例〕
第1図は本発明の一実施例である洗浄乾燥処理装置の全
体斜視図、第2図(a)、(b)は上記洗浄乾燥処理装
置のローダを示す斜視図、第3図〔a)、ら)は上記ロ
ーダから洗浄処理部へ被処理物を搬送する工程を説明す
る被処理物およびカセットの正面図、第4図は上記洗浄
乾燥処理装置の搬送アームおよび被処理物を示す正面図
、第5図は上記搬送アームおよび被処理物の側面図、第
6図(a)〜(社)は上記搬送アームによる被処理物の
保持を説明する搬送アームおよび被処理物の側面図、第
7図は上記洗浄乾燥処理装置の洗浄処理部を示す概略斜
視図、第8図は上記洗浄乾燥処理装置の乾燥処理部を示
す断面図である。
以下、本実施例の洗浄乾燥処理装置1を第1図〜第8図
により説明する。
第1図に示す本実施例の洗浄乾燥処理装置lは、ウェハ
(被処理物)2を一枚毎に洗浄、乾燥処理する枚葉洗浄
乾燥処理装置であり、ローダ3と、洗浄処理部4と、薬
液供給部5と、乾燥処理部6と、アンローダ7と、クリ
ーンエア供給部8と、制御部9と、搬送アーム10〜1
3とを有している。
ローダ3は、例えば25枚のウェハ2が収容されたカセ
ット14を所定位置に搬入する機構であり、その上部に
は回転テーブル(連続処理機構)3aが設けられ、2カ
セット分のウエノ\2を連続的に処理できる構造となっ
ている。すなわち、ローダ3は、例えば第2図(a)、
ら)に示すように、つエバ搬送側Aのカセット14が空
になると、回転テーブル3aを水平面内において180
度回転させてカセット供給側Bのウェハ入すのカセット
14を、ウェハ搬送側Aに自動的に配置する構造となっ
ている。
また、ローダ3は、そのカセット供給側已に設けられた
図示しないウェハ整列機構により、カセ7)供給側已に
載置されたカセット14内の全てのウェハ2を、その各
々のオリエンテーションフラットが揃うように整列させ
る構造となっている。
さらに、ローダ3のウェハ搬送側Aには、例えばフッ素
樹脂製のブツシャ15 (第1図参照)が設けられてい
る。また、ウェハ搬送側Aのカセット14の上方には、
例えばフッ素樹脂製のガイド16が設けられている。ブ
ツシャ15は、例えば第3図(a)、 (b)に示すよ
うに、カセット14内の全てのウェハ2をガイド16に
沿って上昇させて搬送アーム10(第1図参照)による
ウェハ2の取り出しを容易にさせるようになっている。
搬送アーム10は、ウェハ2のチッピングを防止するた
tl例えばフッ素樹脂からなる。搬送アーム10は、第
4図および第5図に示すように、支持部10aに固定さ
れ上下動が可能なアーム部10bと、アーム部10bの
上下動をガイドするガイド部10cとを有している。そ
して、アーム部10bの先端には、ウェハ2をチャック
する爪部10dが設けられている。また、ガイド部10
Cには、保持alOe、10eが設けられている。
すなわち、搬送アーム10は、第6図に示すように、ウ
ェハ2の保持に際して、搬送アーム10全体を移動させ
てアーム部10bをウェハ2の裏面側に近接させた後(
第6図(a))、アーム部10bのみを上昇させ(第6
図(b))、アーム部10bの先端の爪部10dと保持
部10e、10eとによりウェハ2を挟み込むようにし
てウェハ2を保持しく第6図(C))、そのまま搬送ア
ーム10全体を上昇させて、ウェハ2を垂直に立てた状
態で洗浄処理部4に一枚ずつ搬送できる構造となってい
る(第6図(6))。
本実施例の洗浄乾燥処理装置1における洗浄処理部4に
は、例えば第7図に示すように、縦長の洗浄槽4a〜4
eが設けられている。
洗浄槽4a〜4eは、その各々に設けられた槽内ガイド
17によってウェハ2を一枚ずつ縦置きした状態で収容
できる構造となっている。
第一の洗浄槽4aは、薬液等の注入されていない受渡し
槽となっている。これは、ウェハ2を上l己した搬送ア
ーム10により第一の洗浄槽4aに収容する際、搬送ア
ーム10が薬液等により濡れてしまうことを防止するた
めである。
第二の洗浄槽4bは、例えば塩酸(HCjり洗浄を行う
ための槽となっている。この洗浄槽4bにおいては、洗
浄に際してデイツプ式あるいはウェハ2の裏面のみをン
ヤヮーで洗浄する方式が採用されており、いずれの場合
もHCI溶液は循環濾過される構造となっている。ここ
で、後述するHF洗浄用の洗浄槽4cの前段に、H(l
洗浄用の洗浄槽4bを設けた理由は、例えば半導体集積
回路装置の所定の製造工程中にウェハ2の裏面側に付着
したCu等の金属をHcl溶液により除去することによ
り、その金属イオンが、HF洗浄により露出したS1面
に付着してしまう現象を防止するためである。
第三の洗浄槽4Cは、例えばHF洗浄を行うための槽と
なっている。この洗浄槽4Cにおいて、HF溶液は、オ
ーバーフロー循環濾過が行われており、エツチング面の
バラツキを低減するため、洗浄槽4Cの底面および内壁
面より供給されている。
第四、第五の洗浄槽4d、4eは、例えば水洗浄を行う
ための槽となっている。これら洗浄槽4d、4eにおい
ては、例えば31/分程度の割合で超純水が供給され、
ウェハ2の表面の残留薬液の除去が行われるようになっ
ている。
このように、各洗浄槽4b〜4eは、1枚分のウェハ2
を洗浄するための薬液、あるいは純水を循環濾過あるい
は供給すれば良いので、その効率を大幅に向上できる構
造となっている。
ところで、上記搬送アーム10により洗浄槽4aに収容
されたウェハ2は、搬送アーム(槽内搬送手段)11に
よって、例えばタクト方式により洗浄槽4aから洗浄槽
4eに順に搬送されるようになっている。
搬送アーム11は、例えば搬送アーム1oと同一構造の
アームが5つ連接されて構成されており、各々のアーム
が連動する構造となっている。搬送アーム11における
アーム部は、ウェハ2のチッピングを防止するたtl例
えばフッ素樹脂からなり、その他の部分は、脱着の容易
性および剛性を持たせるため、例えばアルミニウム(A
I)等の金属にフッ素樹脂が被覆されてなる。
洗浄処理部4の後段には、乾燥処理部6が設けられてい
る。すなわち、本実施例の洗浄乾燥処理装置1において
は、洗浄処理の直後に乾燥処理を行える構造となってい
る。
洗浄処理後のウェハ2は、搬送アーム11により、例え
ば石英等からなる搬送アーム(室内搬送手段)12上に
載置され、この搬送アーム12により、第8図に示すよ
うに、乾燥処理部6の乾燥室6a内に搬入比されるよう
になっている。
乾燥室6aは、例えば石英等からなり、その上部には、
不活性ガス供給口が形成され、下部にはウェハ人出口が
形成されている。乾燥室6aの一方側には、加熱室6b
が設けられている。また、乾燥室6aを挟んで加熱室6
bの対向面側には、加熱室6Cが設けられている。
加熱室6b内には、短波長赤外線ランプ(第一の赤外線
ランプ二以下、近赤外線ランプという)6dが、垂直方
向に、かつ一定の間隔を置いて配設されている。近赤外
線ランプ6dは、例えば1゜2μm近傍の波長の赤外線
を放射できる構造になっている。近赤外線ランプ6dは
、乾燥処理に際してウェハ2の主面側に位置するように
なっており、放射される赤外線は、ウェハ2の主面のみ
を加熱し、その主面に付着した水分を瞬時に蒸発させる
ように作用する。
一方、加熱室6c内には、乾燥室6a内に対して例えば
窒素(N2)ガス等の不活性ガスを供給するためのガス
供給管6eが蛇行配設されている。
また、加熱室6C内には、中波長赤外線ランプ(第二の
赤外線ランプ二以下、中赤外線ランプという)6fが、
垂直方向に、かつ一定の間隔を置いて配設されている。
中赤外線ランプ6fは、例えば2.5μm近傍の波長の
赤外線を放射できる構造となっている。中赤外線ランプ
6fは、乾燥処理に際してウェハ2の裏面側に位置する
ようになっており、放射される赤外線は、ウェハ2を透
過してウェハ2の主面側の段差部に付着した水分を蒸発
させるように作用する。また、中赤外線ランプ6fは、
ガス供給管6eに隣接して配設されており、放射される
赤外線は、その管6e内の不活性ガスを予め加熱するよ
うにも作用する。
このような乾燥処理部6において、ウェハ2の乾燥処理
を行うには、例えば次のようにする。
すなわち、まず、中赤外線ランプ6fを点灯した後、N
2 ガスをガス供給管6eに導入する。ガス供給管6e
内に導入されたN2 ガスは、中赤外線ランプ6fの発
光熱を受けて加熱され、乾燥室6aの上部の不活性ガス
供給口から乾燥室6a内に流下する。
次いで、この状態のまま近赤外線ランプ6dを点灯した
後、搬送アーム12に載置されたウェハ2を、その主面
を近赤外線ランプ6d側に向けた状態で乾燥室6a内に
挿入する。すると、乾燥室6a内に挿入されたウェハ2
の表面は、中赤外線ランプ6fおよび近赤外線ランプ6
dにより急速に加熱されるので、その表面に付着した水
分が瞬時に蒸発する。
ウェハ2を乾燥室6a内に一定時間静止後、搬送アーム
12を乾燥室6a外−・引出し、乾燥処理後のウェハ2
を搬送アーム12から取り出して別のウェハ2の乾燥処
理を行う。
乾燥処理後のウェハ2は、搬送アーム13によってアン
ローダ7のカセット14内に収容されるようになってい
る。搬送アーム13の構造および各部の構成材料は、第
4図および第5図で示した搬送アーム10と同一である
アンローダ7は、ローダ3と同じく、その上部に回転テ
ーブル7aが設けられており、2カセット分のウェハ2
を連続的に処理できる構造になっている。
このように本゛実施例によれば、以下の効果を得ること
が可能となる。
(1)、ウェハ2を枚葉洗浄処理するので、■洗浄槽4
a〜4eを小形化することができ、薬液循環回数や濾過
の効率を大幅に向上させることができる。
そして、この結果、各洗浄槽4b〜4e内の薬液中の反
応生成物やウェハ2の持込み異物を低減することができ
、異物の再付着を大幅に低減することができる、■ウェ
ハ2の裏面から発生した反応生成物やウェハ2の裏面に
付着した異物が別のウェハ2の主面に付着することもな
い。
(2)、HF洗浄用の洗浄槽4cの前段に、Hcp洗浄
用の洗浄槽4bを配置したことにより、半導体集積回路
装置の所定の製造工程中にウェハ2の裏面に金属が付着
しても、その金属をHF洗浄処理の前にHC1洗浄処理
により除去することができるので、その金属イオンがH
F洗浄処理によって露出したS】面に吸着してしまう現
象を防止することが可能となる。
(3)、ウェハ2を縦置きした状態で洗浄するので、洗
浄槽4a〜4eが複数となっても洗浄乾燥処理装置1の
大形化を抑制することが可能となる。
(4)、洗浄処理後のウェハ2をN2 ガス雰囲気中に
おいて赤外線により乾燥処理するので、アルコール蒸気
によるウェハ2の乾燥処理よりも安全性が高い。
(5)、洗浄処理後のウェハ2をN2 ガス雰囲気中に
おいて赤外線により一枚ずつ乾燥処理するので、ウェハ
2が大口径化しても従来の蒸気乾燥処理のような熱容量
の増加に起因する乾燥処理の品質低下が生じないととも
に、高清浄な洗浄処理の直後に乾燥処理を施すので、従
来よりも高品質な乾燥処理を施すことが可能となる。
(6)、上記(1)、 (2)、 (4)、 (5)に
より、高清浄な洗浄処理および安全かつ高品質な乾燥処
理を施すことができるので、高集積化された半導体集積
回路装置の信頼性を向上させることが可能となる。
以上、本発明者によってなされた発明を実施例に基づき
具体的に説明したが、本発明は前記実施例に限定される
ものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可
能であることはいうまでもない。
例えば前記実施例の洗浄処理部においては、受渡し槽、
HCβ洗浄槽、HF洗浄槽、水洗洗浄槽を順に設けた場
合について説明したが、これに限定されるものではなく
種々変更可能であり、例えば受渡し槽、アンモニア(N
H,OH)と過酸化水素(HzO2)と水との混合液が
注入された洗浄槽、水洗洗浄槽を順に設けても良い。こ
の場合、有機物の洗浄に有効である。また、他の例とし
て、受渡し槽、上記混合液の洗浄槽、HF洗浄槽、水洗
洗浄槽を順に設けても良い。
以上の説明では、主として本発明者によってなされた発
明をその利用分野であるウェハの洗浄、乾燥処理に適用
した場合について説明したが、これに限定されるもので
はなく、例えば磁気ディスクや液晶用のガラス板等の他
の被処理物の洗浄乾燥処理に適用することができる。
〔発明の効果〕
本願において開示される発明のうち、代表的なものによ
って得られる効果を簡単に説明すれば、下記のとおりで
ある。
(1)、すなわち、請求項1記載の発明によれば、例え
ばウェハ等の被処理物を枚葉洗浄処理するので、■洗浄
槽を小形化することができ、薬液循環回数や濾過の効率
を大幅に向上させることができる。
そして、この結果、薬液中の反応生成物やウェハの持込
み異物を低減することができ、異物の再付着を大幅に低
減することができる、■ウェハ裏面から発生した反応生
成物やウェハ裏面に付着した異物が別のウェハの主面に
付着することもない。
また、洗浄処理後にウェハ等の被処理物を不活性ガス雰
囲気中において赤外線により一枚毎に乾燥させるので、
アルコール蒸気によるウェハの乾燥処理よりも安全性が
高い。
さらに、ウェハ等の被処理物を不活性ガス雰囲気中にお
いて赤外線により一枚ずつ乾燥処理するので、ウェハが
大口径化しても従来の蒸気乾燥処理のような熱容量の増
加に起因する乾燥処理の品質低下が生じないとともに、
高清浄な洗浄処理の直後に乾燥処理を施すので、従来よ
りも高品質な乾燥処理を施すことができる。
これらの結果、高清浄な洗浄処理および安全かつ高品質
な乾燥処理を施すことのできる洗浄乾燥処理技術を提供
することが可能となる。
(2)、!求項2記載の発明によれば、被処理物を縦置
きした状態で洗浄するので、洗浄槽が複数となっても洗
浄乾燥処理装置の大形化を抑制することができる。
(3)、請求項3記載の発明によれば、例えば半導体集
積回路装置の所定の製造工程中にウェハの裏面に金属が
付着しても、その金属をHF洗浄工程の前にHCβ洗浄
工程により除去することができるので、その金属イオン
がHF洗浄処理によって露出したS1面に吸着してしま
う現象を防止することができる。
(4)、上記した(1)、 (3)により、半導体集積
回路装置の信頼性を向上させる二とができる。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の一実施例である洗浄乾燥処理装置の全
体斜視図、 第2図(a)、ら)は上記洗浄乾燥処理装置のローダを
示す斜視図、 第3図(a)、 (b)は上記ローダから洗浄処理部へ
被処理物を搬送する工程を説明する被処理物およびカセ
ットの正面図、 第4図は上記洗浄乾燥処理装置の搬送アームおよび被処
理物を示す正面図、 第5図は上記搬送アームおよび被処理物の側面図、 第6図(a)〜(d)は上記搬送アームによる被処理物
の保持を説明する搬送アームおよび被処理物の側面図、 第7図は上記洗浄乾燥処理装置の洗浄処理部を示す概略
斜視図、 第8図は上記洗浄乾燥処理装置の乾燥処理部を示す断面
図である。 1・・・洗浄乾燥処理装置、2・・・ウエノ・・(被処
理物)、3・・・ローダ、3a、?cl・・・回転テー
ブル(連続処理機構)、4・・・洗浄処理部、4a〜4
e・・・洗浄槽、5・・・薬液供給部、6・・・乾燥処
理部、6a・・・乾燥室、5b、6c・・・加熱室、6
d・・・近赤外線ランプ、6e・・・ガス供給管、6f
・・・中赤外線ランプ、7・・・アンローダ、8・・・
クリーンエア供給部、9・・・制御部、10.13・・
・搬送アーム、10a・・・支持部、10b・・・アー
ム部、10c・・・ガイド部、10d・・・爪部、10
e・・・保持部、11・・・搬送アーム(槽内搬送手段
)、12・・・搬送アーム(室内搬送手段)、14・・
・カセット、15・・・ブツシャ、16・・・ガイド、
17・・・槽内ガイド、A・・・ウェハ搬送側、B・・
・カセット供給側。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1、被処理物が収容されたカセットを所定位置に搬入す
    るローダと、前記被処理物を一枚毎に洗浄する洗浄槽を
    有する洗浄処理部と、洗浄処理後の被処理物を不活性ガ
    ス雰囲気中において赤外線により一枚毎に乾燥させる乾
    燥処理部と、乾燥処理後の被処理物の収容されたカセッ
    トを搬出するアンローダとを備えることを特徴とする洗
    浄乾燥処理装置。 2、前記洗浄処理部に、被処理物を縦置きした状態で収
    容する洗浄槽を設け、かつ前記洗浄処理部の上方に被処
    理物を洗浄槽に対して垂直方向に搬入出する槽内搬送手
    段を設けたことを特徴とする請求項1記載の洗浄乾燥処
    理装置。 3、前記洗浄処理部においてフッ酸洗浄を行うための洗
    浄槽の前段に、塩酸洗浄を行うための洗浄槽を設けたこ
    とを特徴とする請求項1記載の洗浄乾燥処理装置。 4、前記洗浄処理部の洗浄槽の前段に薬液の供給されて
    いない受渡し槽を設けたことを特徴とする請求項1記載
    の洗浄乾燥処理装置。 5、前記ローダおよびアンローダに、2カセット以上の
    カセットを連続的に処理する連続処理機構を設けたこと
    を特徴とする請求項1記載の洗浄乾燥処理装置。 6、前記乾燥処理部が、挿入された被処理物を囲むよう
    に形成された乾燥室と、前記乾燥室に被処理物を垂直方
    向に搬入出させる室内搬送手段と、前記被処理物の主面
    側に配設された第一の赤外線ランプと、前記被処理物の
    裏面側に配設され、かつ前記第一の赤外線ランプより長
    波長の赤外線を発生する第二の赤外線ランプと、前記乾
    燥室に供給する不活性ガスを予め加熱する予熱手段とを
    備えることを特徴とする請求項1記載の洗浄乾燥処理装
    置。 7、前記第一の赤外線ランプから放射される赤外線の波
    長が、約1.2μm近傍であることを特徴とする請求項
    6記載の洗浄乾燥処理装置。 8、前記第二の赤外線ランプから放射される赤外線の波
    長が、約2.5μm近傍であることを特徴とする請求項
    6記載の洗浄乾燥処理装置。
JP4368590A 1990-02-23 1990-02-23 洗浄乾燥処理装置 Pending JPH03246940A (ja)

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