JPH03246940A

JPH03246940A - 洗浄乾燥処理装置

Info

Publication number: JPH03246940A
Application number: JP4368590A
Authority: JP
Inventors: Toshihiko Sakurai; 桜井　俊彦; Masaaki Harazono; 正昭原園; Tetsuya Takagaki; 哲也高垣
Original assignee: Hitachi Ltd
Current assignee: Hitachi Ltd
Priority date: 1990-02-23
Filing date: 1990-02-23
Publication date: 1991-11-05

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】〔産業上の利用分野〕本発明は、洗浄乾燥処理技術に関し、特に、半導体集積
回路装置の製造工程で行われる半導体ウェハ（以下、単
にウェハという）の洗浄乾燥処理に適用して有効な技術
に関するものである。

〔従来の技術〕

ウェハの洗浄乾燥処理技術については、例えば株式会社
スガイ、カタログｒＳＵ−１０４、全自動レジスト剥離
等装置」やｒＳＵ−１０５、全自動ＳＩＮ膜除去装置」
に記載がある。

従来の洗浄乾燥処理は、上記カタログに記載された洗浄
乾燥処理装置のようにウェハをバッチ式に処理する方法
を採用しでいた。

バッチ式の洗浄乾燥処理装置における洗浄処理部では、
互いに隣接するウェハの主面と裏面とを対向させた状態
でカセットに収容された複数枚のウェハを洗浄槽内の薬
液に浸漬させ、各ウニ／％を一括して洗浄処理していた
。洗浄処理に際して、洗浄槽内の薬液は、反応生成物や
ウニ／％の持込み異物を除去するために、高性能フィル
タにより濾過されながら薬液処理部によって循環されて
いる。

一方、洗浄乾燥処理装置における乾燥処理部では、上記
カタログに記載された洗浄乾燥処理装置のように、ウェ
ハをスピンドライヤ一方式で一括乾燥処理したり、熱処
理前の洗浄のように高い清浄度が要求される場合は、カ
セットに収容されたリンス後の複数枚のウェハを、例え
ばイソプロピルアルコール（ＩＰＡ）等のアルコール蒸
気で満たされた乾燥槽内に挿入し、各ウニノーを一括し
て乾燥処理していた。

〔発明が解決しようとする課題〕

ところが、上記従来の技術においては以下の問題がある
ことを本発明者は見出した。

すなわち、第１に、従来は洗浄処理に際して複数枚のウ
ェハを一括して処理するので、洗浄槽内の薬液の量が多
くなり、薬液の循環効率が低下する上、薬液中のウェハ
の持込み異物や反応生成物の量も多（なり、それら異物
がウェハに再付着し易くなる問題があった。

第２に、処理枚数を増加させる観点からカセットに収容
されたウェハのピッチが非常に狭くなっているたｔ、ウ
ェハ裏面側で生成された反応生成物やウェハ裏面側に付
着した異物等が対向する別のウェハの主面側に付着し易
くなる問題があった。

第３に、ウェハの搬送時や真空吸着時にウェハの裏面に
金属が付着するが、その金属のうち、例えば銅（Ｃｕ）
のようにＳｉよりもイオン化傾向の小さい金属のイオン
は、フッ酸（ＨＦ）洗浄によってウェハのＳｉ面が露出
すると、Ｓ１面に吸着し、半導体集積回路装置の信頼性
を大幅に低下させてしまう問題があった。

第４に、従来は乾燥処理に際して、ＩＰＡ等の可燃性の
有機溶剤を加熱するので、特に防火対策等の安全性の点
において問題があった。

第５に、従来は乾燥処理に際しても複数枚のウェハを一
括して処理するので、ウニ／％の大口径化に伴ってウェ
ハおよびカセットの熱容量が大きくなる。このため、蒸
気乾燥槽内の蒸気回復時間が長くなり、乾燥処理の品質
が低下する問題があった。

本発明は上記課題に着目してなされたものであり、その
目的は、高清浄な洗浄処理および安全かつ高品質な乾燥
処理を施すことのできる洗浄乾燥処理技術を提供するこ
とにある。

また、本発明の他の目的は、洗浄乾燥処理装置の大形化
を抑制することのできる技術を提供することにある。

また、本発明の他の目的は、半導体集積回路装置の信頼
性を向上させることのできる技術を提供することにある
。

本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、胡
細書の記述および添付図面から明らかになるであろう。

〔課題を解決するた給の手段〕

本願において開示される発明のうち、代表的なものの概
要を簡単に説明すれば、以下のとおりである。

すなわち、請求項１記載の発明は、被処理物が収容され
たカセットを所定位置に搬入するローダと、前記被処理
物を一枚毎に洗浄する洗浄処理部と、洗浄処理後の被処
理物を不活性ガス雰囲気中において赤外線により一枚毎
に乾燥させる乾燥処理部と、乾燥処理後の被処理物の収
容されたカセットを搬出するアンローダとを備える洗浄
乾燥処理装置構造とするものである。

請求項２記載の発明は、前記洗浄処理部に被処理物を縦
置きした状態で収容する洗浄槽を設け、かつ前記洗浄槽
の上方に被処理物を洗浄槽に対して垂直方向に搬入出す
る槽内搬送手段を設けた洗浄乾燥処理装置構造とするも
のである。

請求項３言己載の発明は、前記洗浄処理部においてＨＦ
洗浄を行うための洗浄槽の前段に、塩酸洗浄を行うため
の洗浄槽を設けた洗浄乾燥処理装置構造とするものであ
る。

〔作用〕

上記した請求項１記載の発明によれば、ウニ／１等の被
処理物を枚葉洗浄処理するので、■洗浄槽を小形化する
ことができ、薬液循環回数や濾過の効率を大幅に向上さ
せることができる。そして、この結果、薬液中の反応生
成物やウエノ＼持込み異物を低減することができ、異物
の再付着を大幅に低減することができる、■ウェハ裏面
から発生した反応生成物やウェハ裏面に付着した異物が
別のウェハの主面に再付着することもない。

また、洗浄処理後のウェハ等の被処理物を不活性ガス雰
囲気中において赤外線により乾燥させるので、アルコー
ル蒸気によるウェハの乾燥処理よりも安全性が高い。

さらに、ウェハ等の被処理物を不活性ガス雰囲気中にお
いて赤外線により一枚ずつ乾燥処理するので、ウェハが
大口径化しても従来の蒸気乾燥処理のような熱容量の増
加に起因する乾燥処理の品質低下が生じないとともに、
高清浄な洗浄処理の直後に乾燥処理を施すので、従来よ
りも高品質な乾燥処理を施すことができる。

上記した請求項２記載の発明によれば、被処理物を縦置
きした状態で洗浄するので、洗浄槽が複数となっても洗
浄乾燥処理装置の大形化を抑制することができる。

上記した請求項３記載の発明によれば、例えば半導体集
積回路装置の所定の製造工程中にウェハの裏面に金属が
付着しても、その金属をＨＦ洗浄処理の前に塩酸洗浄処
理により除去することができるので、その金属イオンが
ＨＦ洗浄処理によって露出したＳｉ面に吸着してしまう
現象を防止することができる。

〔実施例〕

第１図は本発明の一実施例である洗浄乾燥処理装置の全
体斜視図、第２図（ａ）、（ｂ）は上記洗浄乾燥処理装
置のローダを示す斜視図、第３図〔ａ）、ら）は上記ロ
ーダから洗浄処理部へ被処理物を搬送する工程を説明す
る被処理物およびカセットの正面図、第４図は上記洗浄
乾燥処理装置の搬送アームおよび被処理物を示す正面図
、第５図は上記搬送アームおよび被処理物の側面図、第
６図（ａ）〜（社）は上記搬送アームによる被処理物の
保持を説明する搬送アームおよび被処理物の側面図、第
７図は上記洗浄乾燥処理装置の洗浄処理部を示す概略斜
視図、第８図は上記洗浄乾燥処理装置の乾燥処理部を示
す断面図である。

以下、本実施例の洗浄乾燥処理装置１を第１図〜第８図
により説明する。

第１図に示す本実施例の洗浄乾燥処理装置ｌは、ウェハ
（被処理物）２を一枚毎に洗浄、乾燥処理する枚葉洗浄
乾燥処理装置であり、ローダ３と、洗浄処理部４と、薬
液供給部５と、乾燥処理部６と、アンローダ７と、クリ
ーンエア供給部８と、制御部９と、搬送アーム１０〜１
３とを有している。

ローダ３は、例えば２５枚のウェハ２が収容されたカセ
ット１４を所定位置に搬入する機構であり、その上部に
は回転テーブル（連続処理機構）３ａが設けられ、２カ
セット分のウエノ＼２を連続的に処理できる構造となっ
ている。すなわち、ローダ３は、例えば第２図（ａ）、
ら）に示すように、つエバ搬送側Ａのカセット１４が空
になると、回転テーブル３ａを水平面内において１８０
度回転させてカセット供給側Ｂのウェハ入すのカセット
１４を、ウェハ搬送側Ａに自動的に配置する構造となっ
ている。

また、ローダ３は、そのカセット供給側已に設けられた
図示しないウェハ整列機構により、カセ７）供給側已に
載置されたカセット１４内の全てのウェハ２を、その各
々のオリエンテーションフラットが揃うように整列させ
る構造となっている。

さらに、ローダ３のウェハ搬送側Ａには、例えばフッ素
樹脂製のブツシャ１５　（第１図参照）が設けられてい
る。また、ウェハ搬送側Ａのカセット１４の上方には、
例えばフッ素樹脂製のガイド１６が設けられている。ブ
ツシャ１５は、例えば第３図（ａ）、　（ｂ）に示すよ
うに、カセット１４内の全てのウェハ２をガイド１６に
沿って上昇させて搬送アーム１０（第１図参照）による
ウェハ２の取り出しを容易にさせるようになっている。

搬送アーム１０は、ウェハ２のチッピングを防止するた
ｔｌ例えばフッ素樹脂からなる。搬送アーム１０は、第
４図および第５図に示すように、支持部１０ａに固定さ
れ上下動が可能なアーム部１０ｂと、アーム部１０ｂの
上下動をガイドするガイド部１０ｃとを有している。そ
して、アーム部１０ｂの先端には、ウェハ２をチャック
する爪部１０ｄが設けられている。また、ガイド部１０
Ｃには、保持ａｌＯｅ、１０ｅが設けられている。

すなわち、搬送アーム１０は、第６図に示すように、ウ
ェハ２の保持に際して、搬送アーム１０全体を移動させ
てアーム部１０ｂをウェハ２の裏面側に近接させた後（
第６図（ａ））、アーム部１０ｂのみを上昇させ（第６
図（ｂ））、アーム部１０ｂの先端の爪部１０ｄと保持
部１０ｅ、１０ｅとによりウェハ２を挟み込むようにし
てウェハ２を保持しく第６図（Ｃ））、そのまま搬送ア
ーム１０全体を上昇させて、ウェハ２を垂直に立てた状
態で洗浄処理部４に一枚ずつ搬送できる構造となってい
る（第６図（６））。

本実施例の洗浄乾燥処理装置１における洗浄処理部４に
は、例えば第７図に示すように、縦長の洗浄槽４ａ〜４
ｅが設けられている。

洗浄槽４ａ〜４ｅは、その各々に設けられた槽内ガイド
１７によってウェハ２を一枚ずつ縦置きした状態で収容
できる構造となっている。

第一の洗浄槽４ａは、薬液等の注入されていない受渡し
槽となっている。これは、ウェハ２を上ｌ己した搬送ア
ーム１０により第一の洗浄槽４ａに収容する際、搬送ア
ーム１０が薬液等により濡れてしまうことを防止するた
めである。

第二の洗浄槽４ｂは、例えば塩酸（ＨＣｊり洗浄を行う
ための槽となっている。この洗浄槽４ｂにおいては、洗
浄に際してデイツプ式あるいはウェハ２の裏面のみをン
ヤヮーで洗浄する方式が採用されており、いずれの場合
もＨＣＩ溶液は循環濾過される構造となっている。ここ
で、後述するＨＦ洗浄用の洗浄槽４ｃの前段に、Ｈ（ｌ
洗浄用の洗浄槽４ｂを設けた理由は、例えば半導体集積
回路装置の所定の製造工程中にウェハ２の裏面側に付着
したＣｕ等の金属をＨｃｌ溶液により除去することによ
り、その金属イオンが、ＨＦ洗浄により露出したＳ１面
に付着してしまう現象を防止するためである。

第三の洗浄槽４Ｃは、例えばＨＦ洗浄を行うための槽と
なっている。この洗浄槽４Ｃにおいて、ＨＦ溶液は、オ
ーバーフロー循環濾過が行われており、エツチング面の
バラツキを低減するため、洗浄槽４Ｃの底面および内壁
面より供給されている。

第四、第五の洗浄槽４ｄ、４ｅは、例えば水洗浄を行う
ための槽となっている。これら洗浄槽４ｄ、４ｅにおい
ては、例えば３１／分程度の割合で超純水が供給され、
ウェハ２の表面の残留薬液の除去が行われるようになっ
ている。

このように、各洗浄槽４ｂ〜４ｅは、１枚分のウェハ２
を洗浄するための薬液、あるいは純水を循環濾過あるい
は供給すれば良いので、その効率を大幅に向上できる構
造となっている。

ところで、上記搬送アーム１０により洗浄槽４ａに収容
されたウェハ２は、搬送アーム（槽内搬送手段）１１に
よって、例えばタクト方式により洗浄槽４ａから洗浄槽
４ｅに順に搬送されるようになっている。

搬送アーム１１は、例えば搬送アーム１ｏと同一構造の
アームが５つ連接されて構成されており、各々のアーム
が連動する構造となっている。搬送アーム１１における
アーム部は、ウェハ２のチッピングを防止するたｔｌ例
えばフッ素樹脂からなり、その他の部分は、脱着の容易
性および剛性を持たせるため、例えばアルミニウム（Ａ
Ｉ）等の金属にフッ素樹脂が被覆されてなる。

洗浄処理部４の後段には、乾燥処理部６が設けられてい
る。すなわち、本実施例の洗浄乾燥処理装置１において
は、洗浄処理の直後に乾燥処理を行える構造となってい
る。

洗浄処理後のウェハ２は、搬送アーム１１により、例え
ば石英等からなる搬送アーム（室内搬送手段）１２上に
載置され、この搬送アーム１２により、第８図に示すよ
うに、乾燥処理部６の乾燥室６ａ内に搬入比されるよう
になっている。

乾燥室６ａは、例えば石英等からなり、その上部には、
不活性ガス供給口が形成され、下部にはウェハ人出口が
形成されている。乾燥室６ａの一方側には、加熱室６ｂ
が設けられている。また、乾燥室６ａを挟んで加熱室６
ｂの対向面側には、加熱室６Ｃが設けられている。

加熱室６ｂ内には、短波長赤外線ランプ（第一の赤外線
ランプ二以下、近赤外線ランプという）６ｄが、垂直方
向に、かつ一定の間隔を置いて配設されている。近赤外
線ランプ６ｄは、例えば１゜２μｍ近傍の波長の赤外線
を放射できる構造になっている。近赤外線ランプ６ｄは
、乾燥処理に際してウェハ２の主面側に位置するように
なっており、放射される赤外線は、ウェハ２の主面のみ
を加熱し、その主面に付着した水分を瞬時に蒸発させる
ように作用する。

一方、加熱室６ｃ内には、乾燥室６ａ内に対して例えば
窒素（Ｎ２）ガス等の不活性ガスを供給するためのガス
供給管６ｅが蛇行配設されている。

また、加熱室６Ｃ内には、中波長赤外線ランプ（第二の
赤外線ランプ二以下、中赤外線ランプという）６ｆが、
垂直方向に、かつ一定の間隔を置いて配設されている。

中赤外線ランプ６ｆは、例えば２．５μｍ近傍の波長の
赤外線を放射できる構造となっている。中赤外線ランプ
６ｆは、乾燥処理に際してウェハ２の裏面側に位置する
ようになっており、放射される赤外線は、ウェハ２を透
過してウェハ２の主面側の段差部に付着した水分を蒸発
させるように作用する。また、中赤外線ランプ６ｆは、
ガス供給管６ｅに隣接して配設されており、放射される
赤外線は、その管６ｅ内の不活性ガスを予め加熱するよ
うにも作用する。

このような乾燥処理部６において、ウェハ２の乾燥処理
を行うには、例えば次のようにする。

すなわち、まず、中赤外線ランプ６ｆを点灯した後、Ｎ
２　ガスをガス供給管６ｅに導入する。ガス供給管６ｅ
内に導入されたＮ２　ガスは、中赤外線ランプ６ｆの発
光熱を受けて加熱され、乾燥室６ａの上部の不活性ガス
供給口から乾燥室６ａ内に流下する。

次いで、この状態のまま近赤外線ランプ６ｄを点灯した
後、搬送アーム１２に載置されたウェハ２を、その主面
を近赤外線ランプ６ｄ側に向けた状態で乾燥室６ａ内に
挿入する。すると、乾燥室６ａ内に挿入されたウェハ２
の表面は、中赤外線ランプ６ｆおよび近赤外線ランプ６
ｄにより急速に加熱されるので、その表面に付着した水
分が瞬時に蒸発する。

ウェハ２を乾燥室６ａ内に一定時間静止後、搬送アーム
１２を乾燥室６ａ外−・引出し、乾燥処理後のウェハ２
を搬送アーム１２から取り出して別のウェハ２の乾燥処
理を行う。

乾燥処理後のウェハ２は、搬送アーム１３によってアン
ローダ７のカセット１４内に収容されるようになってい
る。搬送アーム１３の構造および各部の構成材料は、第
４図および第５図で示した搬送アーム１０と同一である
。

アンローダ７は、ローダ３と同じく、その上部に回転テ
ーブル７ａが設けられており、２カセット分のウェハ２
を連続的に処理できる構造になっている。

このように本゛実施例によれば、以下の効果を得ること
が可能となる。

（１）、ウェハ２を枚葉洗浄処理するので、■洗浄槽４
ａ〜４ｅを小形化することができ、薬液循環回数や濾過
の効率を大幅に向上させることができる。

そして、この結果、各洗浄槽４ｂ〜４ｅ内の薬液中の反
応生成物やウェハ２の持込み異物を低減することができ
、異物の再付着を大幅に低減することができる、■ウェ
ハ２の裏面から発生した反応生成物やウェハ２の裏面に
付着した異物が別のウェハ２の主面に付着することもな
い。

（２）、ＨＦ洗浄用の洗浄槽４ｃの前段に、Ｈｃｐ洗浄
用の洗浄槽４ｂを配置したことにより、半導体集積回路
装置の所定の製造工程中にウェハ２の裏面に金属が付着
しても、その金属をＨＦ洗浄処理の前にＨＣ１洗浄処理
により除去することができるので、その金属イオンがＨ
Ｆ洗浄処理によって露出したＳ】面に吸着してしまう現
象を防止することが可能となる。

（３）、ウェハ２を縦置きした状態で洗浄するので、洗
浄槽４ａ〜４ｅが複数となっても洗浄乾燥処理装置１の
大形化を抑制することが可能となる。

（４）、洗浄処理後のウェハ２をＮ２　ガス雰囲気中に
おいて赤外線により乾燥処理するので、アルコール蒸気
によるウェハ２の乾燥処理よりも安全性が高い。

（５）、洗浄処理後のウェハ２をＮ２　ガス雰囲気中に
おいて赤外線により一枚ずつ乾燥処理するので、ウェハ
２が大口径化しても従来の蒸気乾燥処理のような熱容量
の増加に起因する乾燥処理の品質低下が生じないととも
に、高清浄な洗浄処理の直後に乾燥処理を施すので、従
来よりも高品質な乾燥処理を施すことが可能となる。

（６）、上記（１）、　（２）、　（４）、　（５）に
より、高清浄な洗浄処理および安全かつ高品質な乾燥処
理を施すことができるので、高集積化された半導体集積
回路装置の信頼性を向上させることが可能となる。

以上、本発明者によってなされた発明を実施例に基づき
具体的に説明したが、本発明は前記実施例に限定される
ものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可
能であることはいうまでもない。

例えば前記実施例の洗浄処理部においては、受渡し槽、
ＨＣβ洗浄槽、ＨＦ洗浄槽、水洗洗浄槽を順に設けた場
合について説明したが、これに限定されるものではなく
種々変更可能であり、例えば受渡し槽、アンモニア（Ｎ
Ｈ，ＯＨ）と過酸化水素（ＨｚＯ２）と水との混合液が
注入された洗浄槽、水洗洗浄槽を順に設けても良い。こ
の場合、有機物の洗浄に有効である。また、他の例とし
て、受渡し槽、上記混合液の洗浄槽、ＨＦ洗浄槽、水洗
洗浄槽を順に設けても良い。

以上の説明では、主として本発明者によってなされた発
明をその利用分野であるウェハの洗浄、乾燥処理に適用
した場合について説明したが、これに限定されるもので
はなく、例えば磁気ディスクや液晶用のガラス板等の他
の被処理物の洗浄乾燥処理に適用することができる。

〔発明の効果〕

本願において開示される発明のうち、代表的なものによ
って得られる効果を簡単に説明すれば、下記のとおりで
ある。

（１）、すなわち、請求項１記載の発明によれば、例え
ばウェハ等の被処理物を枚葉洗浄処理するので、■洗浄
槽を小形化することができ、薬液循環回数や濾過の効率
を大幅に向上させることができる。

そして、この結果、薬液中の反応生成物やウェハの持込
み異物を低減することができ、異物の再付着を大幅に低
減することができる、■ウェハ裏面から発生した反応生
成物やウェハ裏面に付着した異物が別のウェハの主面に
付着することもない。

また、洗浄処理後にウェハ等の被処理物を不活性ガス雰
囲気中において赤外線により一枚毎に乾燥させるので、
アルコール蒸気によるウェハの乾燥処理よりも安全性が
高い。

これらの結果、高清浄な洗浄処理および安全かつ高品質
な乾燥処理を施すことのできる洗浄乾燥処理技術を提供
することが可能となる。

（２）、！求項２記載の発明によれば、被処理物を縦置
きした状態で洗浄するので、洗浄槽が複数となっても洗
浄乾燥処理装置の大形化を抑制することができる。

（３）、請求項３記載の発明によれば、例えば半導体集
積回路装置の所定の製造工程中にウェハの裏面に金属が
付着しても、その金属をＨＦ洗浄工程の前にＨＣβ洗浄
工程により除去することができるので、その金属イオン
がＨＦ洗浄処理によって露出したＳ１面に吸着してしま
う現象を防止することができる。

（４）、上記した（１）、　（３）により、半導体集積
回路装置の信頼性を向上させる二とができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の一実施例である洗浄乾燥処理装置の全
体斜視図、第２図（ａ）、ら）は上記洗浄乾燥処理装置のローダを
示す斜視図、第３図（ａ）、　（ｂ）は上記ローダから洗浄処理部へ
被処理物を搬送する工程を説明する被処理物およびカセ
ットの正面図、第４図は上記洗浄乾燥処理装置の搬送アームおよび被処
理物を示す正面図、第５図は上記搬送アームおよび被処理物の側面図、第６図（ａ）〜（ｄ）は上記搬送アームによる被処理物
の保持を説明する搬送アームおよび被処理物の側面図、第７図は上記洗浄乾燥処理装置の洗浄処理部を示す概略
斜視図、第８図は上記洗浄乾燥処理装置の乾燥処理部を示す断面
図である。１・・・洗浄乾燥処理装置、２・・・ウエノ・・（被処
理物）、３・・・ローダ、３ａ、？ｃｌ・・・回転テー
ブル（連続処理機構）、４・・・洗浄処理部、４ａ〜４
ｅ・・・洗浄槽、５・・・薬液供給部、６・・・乾燥処
理部、６ａ・・・乾燥室、５ｂ、６ｃ・・・加熱室、６
ｄ・・・近赤外線ランプ、６ｅ・・・ガス供給管、６ｆ
・・・中赤外線ランプ、７・・・アンローダ、８・・・
クリーンエア供給部、９・・・制御部、１０．１３・・
・搬送アーム、１０ａ・・・支持部、１０ｂ・・・アー
ム部、１０ｃ・・・ガイド部、１０ｄ・・・爪部、１０
ｅ・・・保持部、１１・・・搬送アーム（槽内搬送手段
）、１２・・・搬送アーム（室内搬送手段）、１４・・
・カセット、１５・・・ブツシャ、１６・・・ガイド、
１７・・・槽内ガイド、Ａ・・・ウェハ搬送側、Ｂ・・
・カセット供給側。

Claims

【特許請求の範囲】１、被処理物が収容されたカセットを所定位置に搬入す
るローダと、前記被処理物を一枚毎に洗浄する洗浄槽を
有する洗浄処理部と、洗浄処理後の被処理物を不活性ガ
ス雰囲気中において赤外線により一枚毎に乾燥させる乾
燥処理部と、乾燥処理後の被処理物の収容されたカセッ
トを搬出するアンローダとを備えることを特徴とする洗
浄乾燥処理装置。２、前記洗浄処理部に、被処理物を縦置きした状態で収
容する洗浄槽を設け、かつ前記洗浄処理部の上方に被処
理物を洗浄槽に対して垂直方向に搬入出する槽内搬送手
段を設けたことを特徴とする請求項１記載の洗浄乾燥処
理装置。３、前記洗浄処理部においてフッ酸洗浄を行うための洗
浄槽の前段に、塩酸洗浄を行うための洗浄槽を設けたこ
とを特徴とする請求項１記載の洗浄乾燥処理装置。４、前記洗浄処理部の洗浄槽の前段に薬液の供給されて
いない受渡し槽を設けたことを特徴とする請求項１記載
の洗浄乾燥処理装置。５、前記ローダおよびアンローダに、２カセット以上の
カセットを連続的に処理する連続処理機構を設けたこと
を特徴とする請求項１記載の洗浄乾燥処理装置。６、前記乾燥処理部が、挿入された被処理物を囲むよう
に形成された乾燥室と、前記乾燥室に被処理物を垂直方
向に搬入出させる室内搬送手段と、前記被処理物の主面
側に配設された第一の赤外線ランプと、前記被処理物の
裏面側に配設され、かつ前記第一の赤外線ランプより長
波長の赤外線を発生する第二の赤外線ランプと、前記乾
燥室に供給する不活性ガスを予め加熱する予熱手段とを
備えることを特徴とする請求項１記載の洗浄乾燥処理装
置。７、前記第一の赤外線ランプから放射される赤外線の波
長が、約１．２μｍ近傍であることを特徴とする請求項
６記載の洗浄乾燥処理装置。８、前記第二の赤外線ランプから放射される赤外線の波
長が、約２．５μｍ近傍であることを特徴とする請求項
６記載の洗浄乾燥処理装置。