JPH03244608A - メタクリル系共重合体の製造法及び光デイスク基板 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、メタクリル系共重合体及び光ディスク基板に
関する。

〔従来の技術〕

レーザー光線のスポットビームを光ディスクにあて、光
ディスクの微細なピットによって記録された信号を反射
又は透過光量を検出することにより画像や音響を再生す
る方式、あるいは光ディスクの光学的性質の変化により
情報を記録再生する方式は、高密度化・大容量化ができ
、ランダムアクセスに優れるなどの特長を有し、広く使
われ始めている。

このような光ディスクは、通常、レーザー光線が光ディ
スク基板を透過する構造となっているので、光ディスク
基板は透明であるうえに、情報の記録・再生の誤差を小
さくするため、光学的に均質であることが強く求められ
る。

現在、光ディスク基板材料として、メタクリル樹脂がビ
デオディスク用基板に、ポリカーボネート樹脂がコンパ
クトディスク用基板に用いられている。

これらの光ディスク基板は、量産性の観点から通常、射
出成形により製造されている。

光ディスク基板を成形するに際し、樹脂の流動及び冷却
過程において分子配向が生じると、複屈折が発生するが
、レーザー光線が光ディスク基板を通過する場合、複屈
折が大きいと、情報の再生などに悪影響を与える。

複屈折は光弾性感度と成形品中の応力歪の積であるため
、光弾性感度の大きいポリカーボネートは、成形基板の
複屈折が大きくなりやすい。そのため、より高密度化が
求められる光ディスクや高いＣ／Ｎ比を求められる光デ
ィスクの基板には適さないという問題がある。

射出成形が可能で複屈折が小さい材料としては、メタク
リル樹脂しかないのが現状である。一方、ディスク基板
の吸湿率が大きいと、吸湿による寸法変化で基板の反り
が生じたり、記録膜を劣化させたりする。このため、吸
湿の大きい従来のメタクリル樹脂は、上記の問題を生じ
るという欠点を有している。

また、光ディスク基板の耐熱性が低いと、光ディスク基
板表面に転写されたトラッキング時の案内溝（グループ
）が変形しやすくなる。

従来のメタクリル樹脂基板は、６０〜７０℃で案内溝の
変形を生じ、環境信頼性に欠けるという問題もある。そ
のため、光ディスク用として、複屈折が小さく、吸湿率
が小さく、耐熱性の高い基板が求められている。

〔発明が解決しようとする課題〕

これらの問題を解決するため、従来二つの方向からの検
討がなされてきた。一つは、ポリカーボネート樹脂の欠
点である複屈折性を改善する（光弾性係数を小さくする
）方法である。他の一つは、既存のメタクリル樹脂の欠
点である高吸湿性・低耐熱性をメタクリル酸メチルと他
の低吸湿性・高耐熱性上ツマ−との共重合により改善す
る方法である。

ポリカーボネート樹脂の複屈折性を改善する方法として
は、特開昭６１−２６８７２５号公報、特開昭６３−９
５２２７号公報、特開昭６３−１５４７３０号公報、特
開昭６３−８９５２７号公報などに示されているように
、ポリカーボネート樹脂の骨格を種々変える方法がある
。このようなポリカーボネート樹脂の光弾性係数は、ビ
スフェノールＡを樹脂骨格に有する汎用のポリカーボネ
ートの光弾性係数よりも小さくなるが、それでも、ポリ
メタクリル酸メチルの光弾性係数より数十倍大きく、光
ディスクとした場合には満足できるものとは言い難い。

また、特開昭６１−１０８６１７号公報及び特開昭６３
−９０５５５号公報に提案されているように、主分極ポ
リカーボネートの主分極率差の符号と異なるポリマーを
構成できるモノマーとのブロック共重合体とすることや
主分極ポリカーボネートの主分極率差の符号と異なるポ
リマーとのブレンドにより複屈折を小さくする方法があ
る。しかし、この場合、ミクロ的に見て光ディスク基板
全面にわたって、複屈折が均一であるとは言い難い 一方、メタクリル樹脂の吸湿性を低下させる方法として
、特開昭５８−５３１８号公報、特開昭５８−１３６２
５号公報及び特開昭６１−１９５１４７号公報で提案さ
れているように、メタクリル酸シクロヘキシルをメタク
リル酸メチルと共重合する方法がある。しかし、メタク
リル酸シクロヘキシルを用いるため耐熱性が低下すると
いう問題がある。

また、耐熱性を上げる目的で、特開昭６１９５０１１号
公報及び特開昭６３−９０５２０号公報に提案されてい
るように、メタクリル酸メチルをＮ−置換マレイミドと
共重合する方法がある。

しかし、この場合は吸湿性及び複屈折のどちらかが大き
くなり、問題となる。

また、特開昭５９−２２７９０９号公報、特開昭６０−
１３３３５号公報及び特開昭６０９９１１１号公報では
、エステル部の炭素数が８〜２０個の脂環式炭化水素を
有するメタクリル酸エステルをメタクリル酸メチルと共
重合することによって耐熱性及び低吸湿性を向上させる
方法が提案されている。しかし、これらの樹脂は、熱分
解しやすく、複屈折を非常に小さくするためあるいはグ
ループの転写性を高めるために成形温度を高くするとい
う手段が採れないという問題がある。

成形温度を高めると、樹脂の熱分解により多くの揮発性
物質が発生し、記録膜の劣化や密着性不良の原因となる
。

本発明は、このような事情に鑑みてなされたものであり
、吸湿時の基板の反りが小さく、形状安定性に優れ、複
屈折が小さく、低吸湿性で、耐熱性及び透明性に優れ、
しかも、揮発性物質の少ないメタクリル系樹脂の製造法
及び光ディスク基板の提供を目的とする。

〔課題を解決するための手段〕

本発明は、 （ａ）Ｎ−置換マレイミド５〜３０重量％、（ｂ）エス
テル部に炭素数が少なくとも７の脂環式炭化水素基を有
するメタクリル酸エステル１５〜４０重量％、 （ｃ）メタクリル酸メチル８０〜４０重量％及び（ｄ）
共重合可能な不飽和単量体０〜１０重量％を総量が１０
０重量％となるようにして共重合することを特徴とする
メタクリル系共重合体の製造法に関する。

また、本発明は、この製造法により得られたメタクリル
系共重合体からなる光ディスク基板に関する。

本発明によって得られるメタクリル系共重合体は、前記
のように（ａ）、（ｂ）、（ｃ）及び（ｄ）成分を共重
合して得られるものであるが、（ａ）成分のＮ−置換マ
レイミドとしては、例えば、Ｎエチルマレイミド、Ｎ−
イソプロピルマレイミド、Ｎ−ブチルマレイミド、Ｎ−
シクロヘキシルマレイミド、Ｎ−フェニルマレイミド、
Ｎ−メチルフェニルマレイミド、Ｎ−メトキシフェニル
マレイミドなどが挙げられる。これらのうちＮ−シクロ
ヘキシルマレイミドが好ましい。（ａ）ｔｊ、分のＮ−
置換マレイミドは、５〜３０重量％の割合で使用するこ
とが必要である。この量が５重量％未満では熱分解温度
の向上が見られない。また、３０重量％を超えると、機
械的強度の低下が著しくディスク基板に適さないものと
なる。

（ｂ）成分のエステル部の炭素数が少なくとも７の脂環
式炭化水素基を有するメタクリル酸エステルとしては、
例えば、メタクリル酸ノルボルニル、メタクリル酸ボル
ニル、メタクリル酸イソボルニル、メタクリル酸トリシ
クロデシル、メタクリル酸シクロドデシル、メタクリル
酸フェンチル、メタクリル酸ｌ−メンチル、メタクリル
酸アダマンチルなどが挙げられる。これらのうち、メタ
クリル酸ノルボルニル及びメタクリル酸トリシクロデシ
ルが好ましい。（ｂ）成分は、共重合体中に１５〜４０
重量％の量で使用される。（ｂ）成分が１５重量％未満
であると、低吸湿化の効果が小さく、また、４０重量％
を超えると、熱分解温度の低下及び機械的強度の低下を
生じる。また、脂環式炭化水素基の炭素数が７未満であ
ると、ガラス転移温度Ｔｇの低い、劣ったものとなる。

該炭素数は２０を超えても特に利点はない。

本発明において、（ｃ）ｔｃ分のメタクリル酸メチルは
４０〜８０重景％の割合で使用される。メタクリル酸メ
チルが４０重景％未満であると、機械強度及び熱分解温
度の低下を生じ、８０重量％を超えると、低吸湿化の効
果が小さく、熱分解温度の向上が見られない。

（ｄ）成分の共重合可能な不飽和単量体としては、不飽
和脂肪酸エステル、芳香族ビニル化合物、シアン化ビニ
ル化合物、不飽和脂肪酸及びその誘導体などがある。

不飽和脂肪酸エステルとしては、例えばアクリル酸メチ
ル、アクリル酸エチル、アクリル酸ブチル、アクリル酸
２−エチルヘキシル等のアクリル酸アルキルエステル、
アクリル酸フェニル、アクリル酸ベンジル、アクリル酸
ナフチル等のアクリル［’香族エステル、アクリル酸フ
ルオロフェニル、アクリル酸クロロフェニル、アクリル
酸ブロモフェニル、アクリル酸フルオロベンジル、アク
リル酸クロロベンジル、アクリル酸ブロモベンジル等の
アクリル酸置換芳香族エステル、アクリル酸フルオロメ
チル、アクリル酸フルオロエチル、アクリル酸クロロエ
チル、アクリル酸ブロモエチル等のアクリル酸ハロゲン
化アルキルエステル、アクリル酸ヒドロキシアルキルエ
ステル、アクリル酸グリシジル、アクリル酸エチレング
リコールエステル、アクリル酸ポリエチレングリコール
エステル、アクリル酸アルキルアミノアルキルエステル
、アクリル酸シアノアルキルエステル等のアクリル酸エ
ステル、メタクリル酸メチル、メタクリル酸エチル、メ
タクリル酸ブチル、メタクリル酸２−エチルヘキシル等
のメタクリル酸アルキルエステル、メタクリル酸フェニ
ル、メタクリル酸ベンジル、メタクリル酸ナフチル等の
メタクリル酸芳香族エステル、メタクリル酸フルオロフ
ェニル、メタクリル酸クロロフェニル、メタクリル酸ブ
ロモフェニル、メタクリル酸フルオロベンジル、メタク
リル酸クロロベンジル、メタクリル酸ブロモベンジル等
のメタクリル酸置換芳香族エステル、メタクリル酸フル
オロメチル、メタクリル酸フルオロエチル、メタクリル
酸クロロエチル、メタクリル酸ブロモエチル等のメタク
リル酸ハロゲン化アルキルエステル、メタクリル酸ヒド
ロキシアルキルエステル、メタクリル酸グリシジル、メ
タクリル酸エチレングリコールエステル、メタクリル酸
ポリエチレングリコールエステル、メタクリル酸アルキ
ルアごノアルキルエステル、メタクリル酸シアノアルキ
ルエステル等のメタクリル酸エステル、α−フルオロア
クリル酸エステル、α−クロロアクリル酸エステル、α
−シアノアクリル酸エステル等のα−置換アクリル酸エ
ステル、マレイン酸、無水マレイン酸、フマル酸等の不
飽和酸などがある。

芳香族ビニル化合物としては、スチレン又はα−メチル
スチレン、α−エチルスチレン、α−フルオロスチレン
、α−クロルスチレン等のα−置換スチレン、フルオロ
スチレン、クロルスチレン、ブロモスチレン、メチルス
チレン、ブチルスチレン、メトキシスチレン等の核置換
スチレンがある。

シアン化ビニル化合物としては、アクリロニトリル、メ
タクリロニトリルなどがある。

不飽和脂肪酸及びその誘導体としては、アクリル酸、メ
タクリル酸、アクリルアミド、メタクリルアミド、Ｎ−
ジメチルアクリルアミド、Ｎ−ジエチルアクリルアミド
、Ｎ−ジメチルメタクリルアミド、Ｎ−ジエチルメタク
リルアミド等の（メタ）アクリルアミド類、アクリル酸
カルシウム、メタクリル酸カルシウム、アクリル酸バリ
ウム、メタクリル酸バリウム、アクリル酸鉛、メタクリ
ル酸鉛、アクリル酸すず、メタクリル酸すず、アクリル
酸亜鉛、メタクリル酸亜鉛等のアクリル酸又はメタクリ
ル酸の金属塩などがある。

これらの共重合可能な単量体（ｄ）のうち、その単独重
合体のガラス転移温度が４０″Ｃ以上のものが好ましい
。

（ｄ）ｔｃ分の共重合可能な単量体を使用する場合、そ
の使用量は多くとも１０！ｉｆ％とする。この量が１０
重量％を超えると、機械強度及び熱分解温度の低下を生
じ、また、低吸湿化の効果が小さく、熱分解温度の向上
が見られない。

以上、（ａ）、（ｂ）、（ｃ）及び（ｄ）成分として示
した単量体の他に、曲げ弾性率を高くする観点から架橋
性の単量体を他の特性を損なわない範囲で併用すること
ができる。

架橋性の単量体としては、例えばジビニルベンゼン、ジ
アリルフタレート、トリアリルイソシアネート、フタル
アリルイソシアネート等の多官能性ヒニル、アリル化合
物、トリメチルプロピルトリ　（メタ）アクリレート、
１．６−ヘキサンシオールジ（メタ）アクリレート、ネ
オペンチルグリコールジ（メタ）アクリレート、ノルボ
ルニルジ（メタ）アクリレート、トリシクロデシルジ（
メタ）アクリレート等の多官能（メタ）アクリレートな
どが挙げられる。

本発明における共重合の方法としては、ラジカル重合や
イオン重合等の公知の方法が適用できる。

例えば、重合開始剤の存在下で塊状重合、溶液重合、懸
濁重合などの方法で共重合できる。

重合に用いる開始剤としては、例えば、過酸化ベンゾイ
ル、過酸化ラウロイル、ジ−ｔ−ブチルペルオキシへキ
サヒドロテレフタレート、ｔ−ブチルペルオキシ−２−
エチルヘキサノエート、１゜１−ジ−ｔ−ブチルペルオ
キシ−３，３，５−トリメチルシクロヘキサン等の有機
過酸化物、アブビスイソブチロニトリル、アゾビス−４
−メトキシ−２，４−ジメチルバレロニトリル、アゾビ
スシクロへキサノン−１−カルボニトリル、アゾジベン
ゾイル等のアゾ化合物、過硫酸カリウム、過硫酸アンモ
ニウムに代表される水溶性触媒及び過酸化物あるいは過
硫酸塩と還元剤の組合わせによるレドックス触媒など、
通常のラジカル重合に使用できるものはいずれも使用で
きる。重合触媒はモノマーの総量に対して０．０１〜１
０重蓋％の範囲で使用されることが好ましい。重合調節
剤としてのメルカプタン系化合物、チオグリコール、四
臭化炭素、α−メチルスチレンダイマーなどを分子Ｎ調
節のために必要に応して添加することができる。

重合温度はＯ〜２００　”Ｃの間で適宜選択するのが好
ましく、５０〜１２０″Ｃがより好ましい。

溶液重合における溶媒としては、ベンゼン、トルエン、
キシレン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケト
ン、酢酸エチル、酢酸ブチル、ジクロルエチレンなどが
使用できる。

懸濁重合は、水性媒体中で行われ、懸濁剤及び必要に応
じ懸濁助剤が添加される。懸濁剤としては、ポリビニル
アルコール、メチルセルロース、ポリアクリルアミド等
の水溶性高分子、燐酸カルシウム、ピロ燐酸マグネシウ
ム等の難溶性無機物質などがあり、水溶性高分子はモノ
マーの総量に対して０．０３〜１重量％及び難溶性無機
物質は七ツマ−の総量に対して０．０５〜０．５重量％
使用することが好ましい。

懸濁助剤としては、ドデシルベンゼンスルホン酸ナトリ
ウム等の陰イオン界面活性剤がある。懸濁剤として難溶
性無機′ｊｊｙＪ質を使用する場合は、懸濁助剤を併用
することが好ましい。懸濁助剤は七ツマ−（単量体）の
総量に対して０．００１〜０．０２重量％使用すること
が好ましい。

本発明のメタクリル系共重合体は、その分子量について
特に限定されるものではないが、耐熱性及び機械的強度
の観点から、重量平均分子量（標準ポリスチレン換算）
が１０．０００〜１．０００，０００の範囲のものが好
ましく、この範囲のものは成形材料として使用する場合
により好ましい。

また、本発明のメタクリル系共重合体は、光ディスク基
板に用いる場合において優れた低吸湿性を維持する観点
からは、メタクリル系共重合体の元素分析による分子中
の炭素原子の比率が少なくとも６０重量％であることが
好ましい。

本発明の光ディスク基板を製造する場合には、上記共重
合体の他に、本発明の目的を阻害しない範囲で他の重合
体やゴムを混合して使用しても良く、また、酸化防止剤
、耐候性安定剤、離型剤、滑剤などの添加剤を使用して
も良い。

本発明の光ディスク基板の製造に用いる共重合体は、そ
のガラス転移温度が少なくとも１１０℃であることが好
ましく、少なくとも１２０℃であることかより好ましい
、１１０℃未満では基板のグループが熱で変形しやすい
。

本発明の共重合体から光ディスク基板を作る方法として
は、公知の方法が適用でき、例えば、射出成形法、射出
圧縮成形法、ブレス成形法、キャスト法などがある。ま
た、本発明の光ディスク基板に記録層を設けた光ディス
クを作成する場合は、一般には光ディスク基板に例えば
非晶質レアーメタルの層などを真空蒸着法、スパッタリ
ング法、イオンブレーティング法などによって形成させ
たり、あるいはレーザーによって熱的に分解や融解する
有機化合物の層を蒸着や塗布法により形成させることが
できる。さらに、必要に応じて保護層や反射層の形成を
行って光ディスクを製造することができる。

また、光ディスク基板上にエンハンス層としてＳｉＮ層
やＳ　ｉ　Ｏを層を、記録層として希土類−遷移金属系
フェリ磁性層、更に保護層としてＳｉＮ膜やＳ　ｉ　Ｏ
ｚ膜を形成させることにより製造することもできる。

本発明のメタクリル系共重合体を用いた光ディスクにお
けるメタクリル系樹脂の曲げ弾性率は、少なくとも３０
０００　ｋｇ／ｃｄであることが好ましい０弾性率が３
００００ｋｇ／ｃｄ未満のメタクリル系共重合体を用い
た光ディスク基板は、吸湿時の体積膨張率が大きく、基
板の反り角度が大きく、劣ったものとなる。曲げ弾性率
の上限は、特に制限はないが、通常５００００ｋｇ／Ｃ
４程度である。

メタクリル系共重合体のガラス転移温度（Ｔｇ）が少な
くとも１１０℃であることが好ましく、少なくとも１２
０℃であることがより好ましい。ガラス転移温度の上限
は、特に制限はないが、通常１６０″Ｃ程度である。１
１０℃未満では、耐熱性が低く、金属系記録膜（例えば
ＴｂＦｅＣｏ系）などを光ディスク基板にスパッタリン
グする際、光ディスク基板のピットやグループの変形が
生しる１頃向がある。

メタクリル系共重合体の飽和吸湿率は、多くとも１．６
％であることが好ましい、飽和吸湿率の下限は、特に制
限はないが、通常、０．２％程度である。飽和吸湿率が
１．６％を超えるメタクリル系共重合体を用いた光ディ
スクは、反り角度が大きくなりやすい。

また、以上のようにして得られたメタクリル系共重合体
の曲げ弾性率をさらに高くする観点から、該メタクリル
系共重合体を第一級アミンと反応させ、メタクリル系共
重合体中にメタクリルイミド構造単位を与えることがで
きる。第一級アミンとしては、例えば、メチルアミン、
エチルアミン、ｎ−プロピルアミン、１ｓｏ−プロピル
アミン、ブチルアミン、ヘキシルアミン、シクロヘキシ
ルアミン、アニリン、０−トルイジン、Ｐ−トルイジン
、ｐ−クロロアニリン、２，４．６−ドリクロロアニリ
ン、α−ナフチルアミン、β−ナフチルアミン、ベンジ
ルアミンなどが挙げられる。

〔実施例〕

次に、実施例により本発明の詳細な説明する。

以下、部は重量部を示す。

実施例１ 光ディスク基板用メタクリル系共重合体の製造撹拌機及
び邪魔板を備えた内容積３０Ｉ！、のステンレススチー
ル製反応器中で脱イオン水１５ｋｇに懸濁安定剤として
ヒドロキシセルロース３０ｇ、ポリメタクリル酸水溶液
２５ｇ及びリン酸二水素ナトリウム４０ｇを溶解し、反
応器内を２１７分の流量の窒素ガスで３０−０間置換し
、溶存酸素がｌＯ■／ｌ以下になったことを確認した。

次に、メタクリル酸ノルボルニル　２５００ｇメタクリ
ル酸メチル　　　　　６０００ｇシクロヘキシルマレイ
ミド　　１５００ｇ重合開始剤として 過酸化ラウロイル　　　　　　　　４０ｇｔｅｒｔ−ブ
チルペルオキシ２−エチ ルヘキサネート　　　　　　　　　　１０ｇ分子量調置
割として ｎ−オクチルメルカプタン　　　　２５ｇを２０１のフ
ラスコ中に入れ、撹拌しなから２１／分の流量の窒素ガ
スで約３０分間置換し、モノマー中の溶存酸素が２Ｍｌ
／Ｉｌ以下になったことを確認した後、水系を仕込んだ
３０ｆｆｉの反応器へ投人した。

次に、反応器内を７０″Ｃで約３時間保った後、１２０
℃まで昇温させ、１時間保ち、その後、冷却した。得ら
れたビーズ状の共重合体を水洗・脱水した後、９０″Ｃ
の乾燥群中に３６時間放置した。

乾燥後のビーズ約２ｋｇを機械強度測定用試験片及び吸
質率測定用試験片の作成に用いた。

曲げ強度はＡＳＴＭ　Ｄ　　６４Ｂに準拠して測定した
。

吸湿率は、４０Ｘ５０Ｘ２ｍｍの試験片を射出成形法に
より作成し、乾燥し、その重量を測定した後８０　’Ｃ
で相対湿度９５％の条件下で２週間放置し、その重量を
測定し、次式より求めた。

光ディスク基板の製造 ピッチ１．６μｍ、深さ０．１１μｍのプレグルーブの
付いたスタンバ−を用い、型締力５５トンの射出圧縮成
形機を用い、シリンダー温度２７０〜３００℃１射出速
度４０〜１００ｃｒＩ／ｓｅｃ、金型温度７０−１００
℃で直径１３０ｍ＋、厚さ１．２　ｔｍの光ディスク基
板を作成した。

光ディスク基板中の揮発分は、ガスクロマトグラフィー
により測定した。

また、光ディスク基板のガラス転移温度は、示差走査熱
量計（ＤＳＣ）で測定し、ガラス状態からゴム状態へ遷
移する際の遷移開始温度をガラス転移温度とした。

光ディスク基板の複屈折は、Ｈｅ−Ｎｅレーザーを用い
、エリプソメータでシングルパスを測定した。なお、半
径２５〜６０ｍｍの範囲でレーザー光を垂直に入射した
場合の複屈折の最大値、最小値及び平均値を測定し、さ
らに半径３０ｍｍでレーザー光を基板に対し３０°傾け
て入射した際の複屈折も測定した。

光ディスクの作成 （ａ）前記の光ディスク基板にナフタロシアニン系の有
機色素〔ビス（トリエチルシロキシル）シリコンテトラ
（ｎ−デシルチオ）ナフタロシアニン〕の記録膜を約１
０００人真空蒸着し、保護膜として、光硬化性アクリル
系液状樹脂（ＵＶキユアリングアトヘンシフ゛＃３０７
０スリ一ボンド社製）を塗布し、光硬化（１０μｍ）さ
せた。その後、エポキシ接着剤（ＥＨＴ−２Ａ、住友ベ
ークライト社製）を用いて２枚を張り合わせる。その基
板の反りは、７０″Ｃで相対湿度９５％の条件下で測定
した。また、記録感度は、線速度５．５ｍ／秒、記録周
波数３．７ＭＨｚ、記録レーザーパワー７ｍ−で記録し
、再生は１８００ｒｐｍで再生レーザーパワー０．８ｍ
Ｗで行って測定した。

（ｂ）前記の光ディスク基板にＳｉｎｇを１０００人、
ＴｂＦｅＣｏを１０００人、Ｓ　ｉ　Ｏｚを１０００人
順次スパッタリングする。その後、エポキシ接着剤を用
いて２枚を張り合わせる。その基板の反りは、７０″Ｃ
で相対湿度９５％の条件下で測定した。また、記録感度
は、線速度５．５　ｍ　／　ｓ、記録周波数３．７ＭＨ
ｚ、記録レーザーパワー１０．５ｍＷ。

外部磁場は２０００ｓで記録し、再生は１８００ｒｐｍ
で再生レーザーパワー０．８ｍＷで行って測定した。

結果を第１表に示した。

実施例２〜６ 第１表に示した組成を使用した以外は、実施例１と同様
の操作を行った。結果を第１表に示した。

実施例７〜１２ 第２表に示した組成を使用した以外は、実施例１と同様
の操作を行った。結果を第２表に示した。

比較例１〜５ 第３表に示した組成を使用した以外は、実施例１と同様
の操作を行った。結果を第３表に示した。

比較例６ スパイラルグループ（ピッチ１．６μｍ、深さ０．１１
μｍ）付きのポリカーボネート基板の複屈折を実施例１
と同様に測定した。また、記録感度もまた実施例１と同
様に測定した。結果を第３表に示した。

（以下余白） 実施例１３〜１５、比較例７〜９ 第２表に示した組成を使用した以外は、実施例１と同様
の操作を行った。結果を第２表に示した。

実施例１６ 光ディスク基板の製造をガラスセルで注型法により重合
した１　５０ｍｍＸ　１５０ｍｍＸ　１．２ｍｍの仮を
内径１５１１１１１１、外径１３０ｍｍの形状に打ち抜
き、行ったこと、第２表の組成で以下の方法により光デ
ィスク基板用のメタクリル系共重合体の製造を以下のよ
うに行ったこと以外は、実施例１と同様の操作を行った
結果を第２表に示した。

メタクリル酸メチル　　　　　　　　１４０ｇメタクリ
ル酸トリシクロデシル　　　　４０ｇノルボルニルジメ
タクリレート　　　　２０ｇ重合開始剤として 過酸化ラウロイル　　　　　　　　　　０．８ｇｔｅｒ
　ｔ−ブチルオキサイド　　　　　　　０．２　ｇを撹
拌機を備えた２Ｉ！、のガラス製フラスコ中に入れ、攪
拌しながら４０．Ｏｄ１分の流量の窒素ガスで約３０〜
４０分間置換を行う。その後、テフロン製パ・ンキンを
備えたＩ　５０ｍｎｘ　１５０ａｍＸ　１．２閣と１５
０飾×１５０圓Ｘ０．６４Ｍとのガラスセル中に気泡を
巻き込まないように反応液を注入する。次に５０℃で８
時間、７０℃で４時間、９゜℃で１時間、１１０℃で１
時間、１３０　’Ｃで１時間重合を行った。

（以下余白） 〔発明の効果〕 本発明によって得られるメタクリル系共重合体は、複屈
折が小さく、耐熱性が高く、低吸湿性で透明性に優れて
おり、光ディスク基板用として好適である。本発明の光
デスイスク基板は、吸湿時の基板の反りが小さく、形状
安定性に優れ、複屈折が小さく、耐熱性が高く、低吸湿
性で透明性に優れ、しかも光ディスク基板中の揮発性物
質が少ないため、この基板を用いた光ディスクは、産業
用及び民生用として高い信頼性を有する。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、（ａ）Ｎ−置換マレイミド５〜３０重量％、 （ｂ）エステル部に炭素数が少なくとも７の脂環式炭化
   水素基を有するメタクリル酸エステル１５〜４０重量％
   、 （ｃ）メタクリル酸メチル８０〜４０重量％及び （ｄ）共重合可能な不飽和単量体０〜１０重量％を総量
   が１００重量％となるようにして共重合することを特徴
   とするメタクリル系共重合体の製造法。 ２、（ａ）成分のＮ−置換マレイミドがＮ−エチルマレ
   イミド、Ｎ−イソプロピルマレイミド、Ｎ−ブチルマレ
   イミド、Ｎ−シクロヘキシルマレイミド、Ｎ−フェニル
   マレイミド、Ｎ−メチルフェニルマレイミド、Ｎ−クロ
   ロフェニルマレイミド又はＮ−メトキシフェニルマレイ
   ミドである請求項１記載のメタクリル系共重合体の製造
   法。 ３、（ｂ）成分のエステル部に炭素数７以上の脂環式炭
   化水素基を有するメタクリル酸エステルがメタクリル酸
   ノルボルニル、メタクリル酸ボルニル、メタクリル酸イ
   ソボルニル、メタクリル酸トリシクロデシル、メタクリ
   ル酸シクロドデシル、メタクリル酸フェンチル、メタク
   リル酸ｌ−メンチル又はメタクリル酸アダマンチルであ
   る請求項１又は２記載の共重合体の製造法。 ４、ガラス転移温度が少なくとも１１０℃である請求項
   １、２又は３項に記載の共重合体の製造法。 ５、請求項１、２、３又は４記載の製造法により得られ
   たメタクリル系共重合体からなる光ディスク基板。 ６、メタクリル系共重合体の曲げ弾性率が少なくとも３
   ００００ｋｇ／ｃｍ＾２である請求項５記載の光ディス
   ク基板。 ７、メタクリル系共重合体のガラス転移温度が少なくと
   も１１０℃で、かつ飽和吸湿率が多くとも１．６％であ
   る請求項５又は６記載の光ディスク基板。