JPH0323625B2 - - Google Patents
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- JPH0323625B2 JPH0323625B2 JP55148488A JP14848880A JPH0323625B2 JP H0323625 B2 JPH0323625 B2 JP H0323625B2 JP 55148488 A JP55148488 A JP 55148488A JP 14848880 A JP14848880 A JP 14848880A JP H0323625 B2 JPH0323625 B2 JP H0323625B2
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- JP
- Japan
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- substrate
- mask
- white
- liquid crystal
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/04—Coating on selected surface areas, e.g. using masks
- C23C14/042—Coating on selected surface areas, e.g. using masks using masks
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/04—Coating on selected surface areas, e.g. using masks
- C23C14/042—Coating on selected surface areas, e.g. using masks using masks
- C23C14/044—Coating on selected surface areas, e.g. using masks using masks using masks to redistribute rather than totally prevent coating, e.g. producing thickness gradient
Landscapes
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- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
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- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Indicating Measured Values (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は表示用白色性基板を形成する方法に関
し、特に視角依存性が少なく、光の吸収が少ない
明るい白色反射基板を形成する方法に関するもの
で、液晶、エレクトロクロミツク、その他のデイ
スプレイの背面基板として適当な特性を持たせる
方法に係る。
し、特に視角依存性が少なく、光の吸収が少ない
明るい白色反射基板を形成する方法に関するもの
で、液晶、エレクトロクロミツク、その他のデイ
スプレイの背面基板として適当な特性を持たせる
方法に係る。
液晶やエレクトロクロミツクデイスプレイの様
な謂る受光型デイスプレイは、基本的には印刷物
と同様に、背景となる白色基板（或は紙）上に黒
色或は有色の図形、文字等を表示するものであ
る。この場合被表示パターンの明瞭度は、同一の
照度下においては、背面と表示パターンとの明度
差が大きい程良くなる。液晶やエレクトロクロミ
ツク等の受光型デイスプレイ材料は、特殊な場合
を除いてすべて有色又は黒色性の表示を行うもの
である。従つて表示材料の如何に係わらず、一般
的に明瞭度を良くする為には背面基板の明度を高
く、極力明るい白色に近づける事が望ましいとさ
れている。
な謂る受光型デイスプレイは、基本的には印刷物
と同様に、背景となる白色基板（或は紙）上に黒
色或は有色の図形、文字等を表示するものであ
る。この場合被表示パターンの明瞭度は、同一の
照度下においては、背面と表示パターンとの明度
差が大きい程良くなる。液晶やエレクトロクロミ
ツク等の受光型デイスプレイ材料は、特殊な場合
を除いてすべて有色又は黒色性の表示を行うもの
である。従つて表示材料の如何に係わらず、一般
的に明瞭度を良くする為には背面基板の明度を高
く、極力明るい白色に近づける事が望ましいとさ
れている。
ここで、液晶デイスプレイを例にして従来の表
示体の構造を説明する。第１図は従来の一般的な
液晶デイスプレイの断面図である。１１は液晶１
２を挾む透明ガラス基板である。液晶１２は、例
えばゲストホスト型の液晶で主成分たる液晶に２
色性の染料が混入している。１３は液晶パネルの
背面に取りつけられた反射板で白色紙或はヘアラ
インその他の白色の面をしたアルミ板等から成
る。１３は一般に表面形状が極めて粗な白色散乱
性形状をしているものである。液晶材料はゲスト
ホスト型以外にTN型であつても構わない。TN
型の場合には、液晶自体に２色性が無い為、第１
図に加えて液晶パネルの両側に偏光板が置かれ
る。この場合も同様に白色性の反射板１３が背面
におかれて表示パターン以外を明るい白色状態に
保つ。第２図は別の液晶デイスプレイの断面図で
ある。２１は透明ガラス、２２は液晶、２３は液
晶２２と挾む下側の基板であつて、２３が液晶に
接する側の基板表面に白色性反射層２４が形成さ
れている。本発明が係る白色表面は、第２図の様
なデイスプレイパネルにおける反射面２４に関連
するものである。第１図と第２図で白色反射板表
面の大きな違いは、反射板表面が表示材料である
液晶に接しているか否かにある。第２図におい
て、液晶は基板２３の表面で基板に対し一定方向
に配向していなければならない。又液晶２２と接
した状態での基板２３の表面反射層２４での光の
吸収は小さくなければならないし、白色性の反射
特性は第１図１３と同等でなければ第２図のパネ
ルは第１図のパネルより表示特性が劣る。第２図
のパネルは第１図のパネルに比較して、液晶層と
反射層が接している為、表示パターンの影ができ
ないので鮮明であり、視角が広く、微細パターン
の形成に適す、パネル構造が単純である等の利点
があつたが、反射層２４の特性に問題があつて第
１図に比較すると明瞭度の低い、従つて暗いとい
う欠点があつた。第１図１３に使われた白色性反
射板を直接第２図２４に用いた場合、１３の表面
は極めて粗く凹凸の形状が数十μ以上にも達する
為、良好な配向が得られない、パネルギヤツプを
均一に作れない（10μ前後）、あるいは反射効率
の低下により暗くなる等の問題があり、反射板１
３と２４では特性が異なり共通しない。反射層２
４の、従来の形成方法を第３図に示す。３１は例
えばAl、Ag、その他の光吸収率の低い金属材料
であり、蒸着等により基板上に堆積させるもので
ある。蒸着時のバラツキにより堆積した基板表面
は３２の如く凹凸形状を示す。蒸着表面の鏡面性
をなくし、白色性を良くする為に、蒸着物質を
Al−Si等の合金にしたり蒸着速度、基板温度条
件の最適化を計つているが、凹凸の高さＤ或はピ
ツチＰが1μ未満で極めて細かく、又ピツチＰに
対するＤの比が大きい為明るい白色性反射面が形
成できなかつた。蒸着膜形成後にエツチング処理
をしても同様であつた。
示体の構造を説明する。第１図は従来の一般的な
液晶デイスプレイの断面図である。１１は液晶１
２を挾む透明ガラス基板である。液晶１２は、例
えばゲストホスト型の液晶で主成分たる液晶に２
色性の染料が混入している。１３は液晶パネルの
背面に取りつけられた反射板で白色紙或はヘアラ
インその他の白色の面をしたアルミ板等から成
る。１３は一般に表面形状が極めて粗な白色散乱
性形状をしているものである。液晶材料はゲスト
ホスト型以外にTN型であつても構わない。TN
型の場合には、液晶自体に２色性が無い為、第１
図に加えて液晶パネルの両側に偏光板が置かれ
る。この場合も同様に白色性の反射板１３が背面
におかれて表示パターン以外を明るい白色状態に
保つ。第２図は別の液晶デイスプレイの断面図で
ある。２１は透明ガラス、２２は液晶、２３は液
晶２２と挾む下側の基板であつて、２３が液晶に
接する側の基板表面に白色性反射層２４が形成さ
れている。本発明が係る白色表面は、第２図の様
なデイスプレイパネルにおける反射面２４に関連
するものである。第１図と第２図で白色反射板表
面の大きな違いは、反射板表面が表示材料である
液晶に接しているか否かにある。第２図におい
て、液晶は基板２３の表面で基板に対し一定方向
に配向していなければならない。又液晶２２と接
した状態での基板２３の表面反射層２４での光の
吸収は小さくなければならないし、白色性の反射
特性は第１図１３と同等でなければ第２図のパネ
ルは第１図のパネルより表示特性が劣る。第２図
のパネルは第１図のパネルに比較して、液晶層と
反射層が接している為、表示パターンの影ができ
ないので鮮明であり、視角が広く、微細パターン
の形成に適す、パネル構造が単純である等の利点
があつたが、反射層２４の特性に問題があつて第
１図に比較すると明瞭度の低い、従つて暗いとい
う欠点があつた。第１図１３に使われた白色性反
射板を直接第２図２４に用いた場合、１３の表面
は極めて粗く凹凸の形状が数十μ以上にも達する
為、良好な配向が得られない、パネルギヤツプを
均一に作れない（10μ前後）、あるいは反射効率
の低下により暗くなる等の問題があり、反射板１
３と２４では特性が異なり共通しない。反射層２
４の、従来の形成方法を第３図に示す。３１は例
えばAl、Ag、その他の光吸収率の低い金属材料
であり、蒸着等により基板上に堆積させるもので
ある。蒸着時のバラツキにより堆積した基板表面
は３２の如く凹凸形状を示す。蒸着表面の鏡面性
をなくし、白色性を良くする為に、蒸着物質を
Al−Si等の合金にしたり蒸着速度、基板温度条
件の最適化を計つているが、凹凸の高さＤ或はピ
ツチＰが1μ未満で極めて細かく、又ピツチＰに
対するＤの比が大きい為明るい白色性反射面が形
成できなかつた。蒸着膜形成後にエツチング処理
をしても同様であつた。
本発明は、従来白色面形成方法に比較して反射
板表面の形状、特に凹凸の高さとピツチを、白色
度、或は明るさが最も良く得られる状態に制御で
きる、白色反射面の形成方法を提供する事を目的
とするものであり、本方式に従えは、従来第１図
のデイスプレイパネルと同等以上の良好な白色反
射表面が得られる。
板表面の形状、特に凹凸の高さとピツチを、白色
度、或は明るさが最も良く得られる状態に制御で
きる、白色反射面の形成方法を提供する事を目的
とするものであり、本方式に従えは、従来第１図
のデイスプレイパネルと同等以上の良好な白色反
射表面が得られる。
第４図は本発明になる白色表面形成方法を表す
１つの例である。４１はパターニングされたマス
クであり、白色表面処理すべき被処理基板すなわ
ち基板４４に対して一定の間隔Ｌだけ隙間を取つ
て基板４４の上に固定しておく、矢印４２で示す
如くAl又は銀のいずれかの白色層形成用金属を、
マスク４１を介して基板上に蒸着する。マイク４
１の平面形状は、例えば第５図の如く、径の大き
さ、或は相対位置が不均一な円形状の蒸着用窓が
マスク全体に配置しているものである。大きさ、
或は相対位置等はできるだけ規則性のない方が好
ましい。従来、マスク蒸着方式によつて基板上に
堆積する被蒸着物のパターン断面図は、第６図に
示す如くく、マスク６１と基板６３が密着する程
度に固定されている為、斜線６２の如く、マスク
６１に正確に対応していた。又マスクに正確に対
応したパターンを蒸着形成する事が理想状態とさ
れていた。然しながら、第６図によつて形成され
た基板表面の断面形状は基本的に、基板自体の露
出表面と、被蒸着膜の表面との、平坦な２層の平
面から成り、残りは２平面間に形成された急峻な
段差部のみである。従つて第６図における基板表
面は鏡面に近く、目的とする白色反射面には無関
係な表面である。
１つの例である。４１はパターニングされたマス
クであり、白色表面処理すべき被処理基板すなわ
ち基板４４に対して一定の間隔Ｌだけ隙間を取つ
て基板４４の上に固定しておく、矢印４２で示す
如くAl又は銀のいずれかの白色層形成用金属を、
マスク４１を介して基板上に蒸着する。マイク４
１の平面形状は、例えば第５図の如く、径の大き
さ、或は相対位置が不均一な円形状の蒸着用窓が
マスク全体に配置しているものである。大きさ、
或は相対位置等はできるだけ規則性のない方が好
ましい。従来、マスク蒸着方式によつて基板上に
堆積する被蒸着物のパターン断面図は、第６図に
示す如くく、マスク６１と基板６３が密着する程
度に固定されている為、斜線６２の如く、マスク
６１に正確に対応していた。又マスクに正確に対
応したパターンを蒸着形成する事が理想状態とさ
れていた。然しながら、第６図によつて形成され
た基板表面の断面形状は基本的に、基板自体の露
出表面と、被蒸着膜の表面との、平坦な２層の平
面から成り、残りは２平面間に形成された急峻な
段差部のみである。従つて第６図における基板表
面は鏡面に近く、目的とする白色反射面には無関
係な表面である。
第７図は、従来のマスク蒸着方法に比較して、
蒸着用窓の大きさに対し、マスク７１と基板７３
の間隙の相対値が無視できない程に十分大きくな
る様に、マスク７１を基板から離反して固定し、
蒸着を行うものである。蒸発源より飛来する蒸発
物は必ずしもマスクに対して直角方向にのみ進む
ものではなく、或る程度の蒸着角度のバラツキを
生ずる。特に、第７図の如くマスク面が被蒸着基
板から離れている場合には、マスクと基板との間
隙を通してマスクの裏側、即ちマスクの影の部分
にまで蒸発物が回り込む。この結果斜線部７２の
如く基板７３の上には蒸着物の堆積が緩やかな起
伏を成す円弧状の凹凸形状に形成される事にな
る。堆積物の山と谷の間の高さＤと、距離Ｗは、
マスクと基板の間隙Ｌ、マスク上に形成されてい
る蒸着用窓の形状と寸法、並びに蒸着条件によつ
て決定される。換言すれば基板上に形成する蒸着
層の表面形状は、前記各値を制御する事によつて
任意に決定できる事が明らかである。第２図２４
の反射膜に期待される特性としては、液晶厚み
10μに対して十分小さい凹凸の高さである事（2μ
以下或は3μ以下）、凹凸斜面の傾斜角は液晶の配
向を妨げない程度に緩やかである事（実効的傾度
は基板平面に対して０度から30度前後に分散して
いる事）、基板表面は可視光波長域全体にわたつ
て均等に高反射率である事、等が挙げられる。特
に表面の光反射に関しては、液晶と接した状態で
の光反射ができるだけ100％に近い方がよい。こ
の為には、各凹凸をミクロ的に見た表面は金属鏡
面に近い光反射特性を有し、マクロ的には各凹凸
のうねりにより乱反射される結果白色表面として
見える事が望ましい。したがつて凹凸のピツチは
可視領域の波長に対して同等以上に大きい事が望
ましい。以上の点から例えば第５図５１或は５２
の蒸着用窓の大きさは数平方ミクロンから千平方
ミクロン程度の間にあればよい。反射光による干
渉色が生じない為には蒸着パターンに規則性がな
い方が良い。またマスクと基板との間隙は蒸着用
窓の径（以下マスク径という）に対して小さすぎ
てもいけないし大きすぎてもいけない。蒸着機の
条件等によつて間隙の大きさの最適値は多少変化
するが、大体最小マスク径の10分の１から10倍の
範囲内に適値があり普通、マスク径の２分の１以
上離すと良い結果が得られる。前記マスク径に対
応した間隙の大きさとしては例えは５ミクロンか
ら１ミリメートル程度が適する。
蒸着用窓の大きさに対し、マスク７１と基板７３
の間隙の相対値が無視できない程に十分大きくな
る様に、マスク７１を基板から離反して固定し、
蒸着を行うものである。蒸発源より飛来する蒸発
物は必ずしもマスクに対して直角方向にのみ進む
ものではなく、或る程度の蒸着角度のバラツキを
生ずる。特に、第７図の如くマスク面が被蒸着基
板から離れている場合には、マスクと基板との間
隙を通してマスクの裏側、即ちマスクの影の部分
にまで蒸発物が回り込む。この結果斜線部７２の
如く基板７３の上には蒸着物の堆積が緩やかな起
伏を成す円弧状の凹凸形状に形成される事にな
る。堆積物の山と谷の間の高さＤと、距離Ｗは、
マスクと基板の間隙Ｌ、マスク上に形成されてい
る蒸着用窓の形状と寸法、並びに蒸着条件によつ
て決定される。換言すれば基板上に形成する蒸着
層の表面形状は、前記各値を制御する事によつて
任意に決定できる事が明らかである。第２図２４
の反射膜に期待される特性としては、液晶厚み
10μに対して十分小さい凹凸の高さである事（2μ
以下或は3μ以下）、凹凸斜面の傾斜角は液晶の配
向を妨げない程度に緩やかである事（実効的傾度
は基板平面に対して０度から30度前後に分散して
いる事）、基板表面は可視光波長域全体にわたつ
て均等に高反射率である事、等が挙げられる。特
に表面の光反射に関しては、液晶と接した状態で
の光反射ができるだけ100％に近い方がよい。こ
の為には、各凹凸をミクロ的に見た表面は金属鏡
面に近い光反射特性を有し、マクロ的には各凹凸
のうねりにより乱反射される結果白色表面として
見える事が望ましい。したがつて凹凸のピツチは
可視領域の波長に対して同等以上に大きい事が望
ましい。以上の点から例えば第５図５１或は５２
の蒸着用窓の大きさは数平方ミクロンから千平方
ミクロン程度の間にあればよい。反射光による干
渉色が生じない為には蒸着パターンに規則性がな
い方が良い。またマスクと基板との間隙は蒸着用
窓の径（以下マスク径という）に対して小さすぎ
てもいけないし大きすぎてもいけない。蒸着機の
条件等によつて間隙の大きさの最適値は多少変化
するが、大体最小マスク径の10分の１から10倍の
範囲内に適値があり普通、マスク径の２分の１以
上離すと良い結果が得られる。前記マスク径に対
応した間隙の大きさとしては例えは５ミクロンか
ら１ミリメートル程度が適する。
更に被蒸着処理後の表面に対して、より反射効
率の高い、或は液晶配向のしやすい良質な白色表
面を形成する為には、７２の膜の上に、マスクを
用いないで、同一物質の、或は異質な物質の全面
蒸着をしてやり表面特性の均一化を計る事もよ
い。逆に、７２の表面全体を軽くエツチング処理
して均一な表面にする事もできる。
率の高い、或は液晶配向のしやすい良質な白色表
面を形成する為には、７２の膜の上に、マスクを
用いないで、同一物質の、或は異質な物質の全面
蒸着をしてやり表面特性の均一化を計る事もよ
い。逆に、７２の表面全体を軽くエツチング処理
して均一な表面にする事もできる。
以上述べたように、本発明によれば、
上述の如く、本発明によれば、特に、複数個の
径の異なる円形パターンが平面的に不規則に配設
されたマスクと表面が平坦な被処理基板とを所定
の距離だけ空間的に隔てて配置した状態でマスク
側から蒸着するので、蒸着物が平坦な基板表面上
に穏やかな起伏を成す凹凸面として形成される。
さらに、マスクと基板の距離と、マスクに配設さ
れる円形パターンの寸法等を調節することによ
り、凹凸面の高さや山と谷の距離を任意の値に決
定できる。したがつて、この凹凸面をミクロ的に
見た場合には金属鏡面に近い光反射特性を有し、
マクロ的には各凹凸の穏やか起伏により生ずる
“うねり”による乱反射される結果、視角依存性
が少なく、明るい白色表面が得られるのである。
径の異なる円形パターンが平面的に不規則に配設
されたマスクと表面が平坦な被処理基板とを所定
の距離だけ空間的に隔てて配置した状態でマスク
側から蒸着するので、蒸着物が平坦な基板表面上
に穏やかな起伏を成す凹凸面として形成される。
さらに、マスクと基板の距離と、マスクに配設さ
れる円形パターンの寸法等を調節することによ
り、凹凸面の高さや山と谷の距離を任意の値に決
定できる。したがつて、この凹凸面をミクロ的に
見た場合には金属鏡面に近い光反射特性を有し、
マクロ的には各凹凸の穏やか起伏により生ずる
“うねり”による乱反射される結果、視角依存性
が少なく、明るい白色表面が得られるのである。
第１図及び第２図は白色表面をもつ反射板を用
いた液晶デイスプレイバネの断面図。第３図は従
来の白色表面形成方法を示す図。第４図及び第７
図は本発明の一実施例による白色表面形成方法を
示す図。第５図は本発明によるマスクの平面形状
の一例を示す図。第６図は従来のマスク蒸着方法
を示す図。
いた液晶デイスプレイバネの断面図。第３図は従
来の白色表面形成方法を示す図。第４図及び第７
図は本発明の一実施例による白色表面形成方法を
示す図。第５図は本発明によるマスクの平面形状
の一例を示す図。第６図は従来のマスク蒸着方法
を示す図。
Claims (1)
- １ 複数個の径の異なる円形パターンが平面的に
不規則に配設されたマスクと表面が平坦な被処理
基板とを対向し、該マスクと該基板間は所定の距
離だけ空間的に隔てて配置して後、前記マスク側
から金属材料を蒸着して、前記被処理基板表面に
前記金属材料からなる蒸着物を円弧状の凹凸形状
に堆積させることを特徴とする白色表面形成方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14848880A JPS5773177A (en) | 1980-10-23 | 1980-10-23 | Formation of white surface |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14848880A JPS5773177A (en) | 1980-10-23 | 1980-10-23 | Formation of white surface |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5773177A JPS5773177A (en) | 1982-05-07 |
| JPH0323625B2 true JPH0323625B2 (ja) | 1991-03-29 |
Family
ID=15453872
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14848880A Granted JPS5773177A (en) | 1980-10-23 | 1980-10-23 | Formation of white surface |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5773177A (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59179762A (ja) * | 1983-03-30 | 1984-10-12 | Daido Steel Co Ltd | 冷間ダイス鋼 |
| JPH01159366A (ja) * | 1987-12-16 | 1989-06-22 | Mitsubishi Motors Corp | スパッタリングによる装飾法 |
| JP4053209B2 (ja) * | 2000-05-01 | 2008-02-27 | 三星エスディアイ株式会社 | 有機ｅｌディスプレイの製造方法 |
| DE10058931A1 (de) * | 2000-11-28 | 2002-06-20 | Tinox Ges Fuer Energieforschun | Gemusterter Strahlungsenergie-Wandler |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4932826A (ja) * | 1972-07-26 | 1974-03-26 | ||
| JPS5221133B2 (ja) * | 1971-11-26 | 1977-06-08 | ||
| JPS5314132A (en) * | 1976-07-26 | 1978-02-08 | Nat Res Inst Metals | Method of obtaining metallic surface having unevenness |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5221133U (ja) * | 1975-08-01 | 1977-02-15 | ||
| JPS5816856Y2 (ja) * | 1978-02-07 | 1983-04-05 | 株式会社麗光 | 引箔 |
-
1980
- 1980-10-23 JP JP14848880A patent/JPS5773177A/ja active Granted
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5221133B2 (ja) * | 1971-11-26 | 1977-06-08 | ||
| JPS4932826A (ja) * | 1972-07-26 | 1974-03-26 | ||
| JPS5314132A (en) * | 1976-07-26 | 1978-02-08 | Nat Res Inst Metals | Method of obtaining metallic surface having unevenness |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5773177A (en) | 1982-05-07 |
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