JPH03236255A - 静電チャックの帯電除去方法 - Google Patents
静電チャックの帯電除去方法Info
- Publication number
- JPH03236255A JPH03236255A JP2031555A JP3155590A JPH03236255A JP H03236255 A JPH03236255 A JP H03236255A JP 2031555 A JP2031555 A JP 2031555A JP 3155590 A JP3155590 A JP 3155590A JP H03236255 A JPH03236255 A JP H03236255A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- microwave
- electrode
- voltage
- discharge tube
- coil
- Prior art date
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- Granted
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Landscapes
- Physical Or Chemical Processes And Apparatus (AREA)
- ing And Chemical Polishing (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は静電チャックの帯電除去方法に関するものであ
る。
る。
従来の技術は、例えば、特開昭60−5539号公報に
記載のように、電極に負の電圧を印加する回路を付加し
て被処理物を強制的に開放脱離させ得ることとなってい
た。
記載のように、電極に負の電圧を印加する回路を付加し
て被処理物を強制的に開放脱離させ得ることとなってい
た。
上記従来技術は、被処理物の離脱に電極に負電圧な印加
できる付加回路を設けているため、装置が複雑化する点
について配慮がされておらず、被処理物の離脱専用回路
を設けなければならないという間層があった。
できる付加回路を設けているため、装置が複雑化する点
について配慮がされておらず、被処理物の離脱専用回路
を設けなければならないという間層があった。
本発明の目的は離脱専用回路等を設ける必要はなく、被
処理物の離脱を容易にすることにある。
処理物の離脱を容易にすることにある。
上記目的を達成するために、プラズマを形成するマイク
ロ波と、静電チャックを行なう直流電圧のおのおのの停
止タイミングを変えたものである。
ロ波と、静電チャックを行なう直流電圧のおのおのの停
止タイミングを変えたものである。
静電チャックはマイクロ波出力の印加と同時に直流電圧
を印加することで動作する。被処理物の、例えば、エツ
チングが終了した後、[fL電圧を停止する。その後、
マイクロ波出力を停止する。それによって、電極に貼着
された誘電体膜に1積された電荷は除去されるため、被
処理物のm脱が容易にできる。
を印加することで動作する。被処理物の、例えば、エツ
チングが終了した後、[fL電圧を停止する。その後、
マイクロ波出力を停止する。それによって、電極に貼着
された誘電体膜に1積された電荷は除去されるため、被
処理物のm脱が容易にできる。
以下、本発明の一実施例を1@1図および第2図により
説明する。
説明する。
1111図で、処理室1の上部には石英製の放電管2が
設けてあり、真空処理室を形成している。処理室lには
、真空処理室内にエツチングガスを供給するガス供給口
3が設けてあり、また、真空処理室内部を所定圧力に減
圧・排気する真空排気装!(図示省略)につながる排気
口4が設けである。
設けてあり、真空処理室を形成している。処理室lには
、真空処理室内にエツチングガスを供給するガス供給口
3が設けてあり、また、真空処理室内部を所定圧力に減
圧・排気する真空排気装!(図示省略)につながる排気
口4が設けである。
処理室l内には被エツチング材であるウェハ5を配置す
る電極6が設けである。%極6には高周波11jlj7
と直流%源8が接続してあり、電−6におのおの印加可
能になっている。放電管2の外側には放電管2を囲九で
導波管9が設けてあり、さらにその外側には放電管2内
に磁界を発生させるコイルlOが設けである。導放管9
の一部にはマイクロ波を発するマグネトロンUが般けで
ある。
る電極6が設けである。%極6には高周波11jlj7
と直流%源8が接続してあり、電−6におのおの印加可
能になっている。放電管2の外側には放電管2を囲九で
導波管9が設けてあり、さらにその外側には放電管2内
に磁界を発生させるコイルlOが設けである。導放管9
の一部にはマイクロ波を発するマグネトロンUが般けで
ある。
このような装置では、ガス供給口3から真空処理室内に
エツチングガスな供給するとともに、真空処理室内を所
定の圧力に減圧・排気し、導波管9によってマグネトロ
ンUからのマイクロ波を放電管2内に導入するとともに
、コイル10によって磁界を形成し、マイクロ波の電界
とコイル10の磁界との作用によって、放電管2内の工
呼チングガスをプラズマ化する。さらに直流電#8によ
ってtm6に直流電圧を印加し、ウェハ5を電極6に吸
着させる・エツチングが終了した後、第2図に示すよう
に直流電源出力を停止させマイクロ波のみで放電を行な
うことにより電極6に貼着された誘電体ルに蓄積された
電荷が除去できる。よってその後の被処理物の離脱が容
易になる。第2図に示すような制御は、手動、自動いず
れで行なっても良い。
エツチングガスな供給するとともに、真空処理室内を所
定の圧力に減圧・排気し、導波管9によってマグネトロ
ンUからのマイクロ波を放電管2内に導入するとともに
、コイル10によって磁界を形成し、マイクロ波の電界
とコイル10の磁界との作用によって、放電管2内の工
呼チングガスをプラズマ化する。さらに直流電#8によ
ってtm6に直流電圧を印加し、ウェハ5を電極6に吸
着させる・エツチングが終了した後、第2図に示すよう
に直流電源出力を停止させマイクロ波のみで放電を行な
うことにより電極6に貼着された誘電体ルに蓄積された
電荷が除去できる。よってその後の被処理物の離脱が容
易になる。第2図に示すような制御は、手動、自動いず
れで行なっても良い。
なお、本実施例では、エツチング装置を例に用いたが、
本発明を適用した装置であればいずれも応用可能である
。
本発明を適用した装置であればいずれも応用可能である
。
本発明によれば、直流電圧とマイクロ波出力の停止タイ
ミングを制御することで電極に貼着した胱電体展に蓄積
した電荷が除去され、被処理物の離脱が容易にできる効
果がある。また、電荷な除去するための新たな設備が不
要であるため、経済的である等の効果もある。
ミングを制御することで電極に貼着した胱電体展に蓄積
した電荷が除去され、被処理物の離脱が容易にできる効
果がある。また、電荷な除去するための新たな設備が不
要であるため、経済的である等の効果もある。
第1図は本発明の一実施例のドライエツチング装置の処
理室の縦断面図、第2図は電荷を放電させるための出力
停止タイミングチャート図である。 l・・・・・・処理室、2−−−−−・放電管、3・・
・・・・ガス供給口、4・・・・・・排気口、5・・・
・・・ウェハ、6−−−−−−電極、? −−−・−高
周波電源、8・・・・・・直流電源、9・・・・・・導
波w、io−・・・・・コイル、U・・・・・・マクネ
トロン、鵞・・・・・・誘電体層
理室の縦断面図、第2図は電荷を放電させるための出力
停止タイミングチャート図である。 l・・・・・・処理室、2−−−−−・放電管、3・・
・・・・ガス供給口、4・・・・・・排気口、5・・・
・・・ウェハ、6−−−−−−電極、? −−−・−高
周波電源、8・・・・・・直流電源、9・・・・・・導
波w、io−・・・・・コイル、U・・・・・・マクネ
トロン、鵞・・・・・・誘電体層
Claims (1)
- 1、マイクロ波によるプラズマ形成手段を有し、真空容
器内に設けられた電極に直流電圧を印加できる構造より
成る処理装置において、前記マイクロ波出力、および直
流電圧の停止タイミングを制御することを特徴とする静
電チャツクの帯電除去方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2031555A JPH07109855B2 (ja) | 1990-02-14 | 1990-02-14 | 静電チャックの帯電除去方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2031555A JPH07109855B2 (ja) | 1990-02-14 | 1990-02-14 | 静電チャックの帯電除去方法 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8291462A Division JPH09186229A (ja) | 1996-11-01 | 1996-11-01 | 静電チャックの帯電除去方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03236255A true JPH03236255A (ja) | 1991-10-22 |
| JPH07109855B2 JPH07109855B2 (ja) | 1995-11-22 |
Family
ID=12334432
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2031555A Expired - Lifetime JPH07109855B2 (ja) | 1990-02-14 | 1990-02-14 | 静電チャックの帯電除去方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07109855B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0496221A (ja) * | 1990-08-03 | 1992-03-27 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体製造装置及びその製造方法 |
| US6174370B1 (en) | 1996-03-26 | 2001-01-16 | Nec Corporation | Semiconductor wafer chucking device and method for stripping semiconductor wafer |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH027520A (ja) * | 1988-06-27 | 1990-01-11 | Fujitsu Ltd | ドライエッチング方法及び装置 |
| JPH0239523A (ja) * | 1988-07-29 | 1990-02-08 | Tokyo Electron Ltd | 半導体基板への成膜方法 |
| JPH02119124A (ja) * | 1988-10-28 | 1990-05-07 | Seiko Epson Corp | プラズマ処理装置 |
-
1990
- 1990-02-14 JP JP2031555A patent/JPH07109855B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH027520A (ja) * | 1988-06-27 | 1990-01-11 | Fujitsu Ltd | ドライエッチング方法及び装置 |
| JPH0239523A (ja) * | 1988-07-29 | 1990-02-08 | Tokyo Electron Ltd | 半導体基板への成膜方法 |
| JPH02119124A (ja) * | 1988-10-28 | 1990-05-07 | Seiko Epson Corp | プラズマ処理装置 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0496221A (ja) * | 1990-08-03 | 1992-03-27 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体製造装置及びその製造方法 |
| US6174370B1 (en) | 1996-03-26 | 2001-01-16 | Nec Corporation | Semiconductor wafer chucking device and method for stripping semiconductor wafer |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH07109855B2 (ja) | 1995-11-22 |
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