JPH03234086A - プリント基板用洗浄液 - Google Patents
プリント基板用洗浄液Info
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- JPH03234086A JPH03234086A JP3044490A JP3044490A JPH03234086A JP H03234086 A JPH03234086 A JP H03234086A JP 3044490 A JP3044490 A JP 3044490A JP 3044490 A JP3044490 A JP 3044490A JP H03234086 A JPH03234086 A JP H03234086A
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Landscapes
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- Detergent Compositions (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、プリント基板のロジンフラックス洗浄用洗浄
液に関するものである。
液に関するものである。
従来、プリント基板のロジンフラックス洗浄にはトリク
ロロエタンやクロロフルオロカーボン等の溶剤に、エタ
ノールやイソプロピルアルコール等のアルコールを混合
した溶液が広く用いられてきた。これらの溶液はロジン
フラ・yクスの主成分であるアビエチン酸を溶解するこ
とができ、また沸点が低いため蒸気洗浄が可能で、しか
もこれら溶液がプリント基板に搭載された部品に悪影響
を及ぼさないとされている。
ロロエタンやクロロフルオロカーボン等の溶剤に、エタ
ノールやイソプロピルアルコール等のアルコールを混合
した溶液が広く用いられてきた。これらの溶液はロジン
フラ・yクスの主成分であるアビエチン酸を溶解するこ
とができ、また沸点が低いため蒸気洗浄が可能で、しか
もこれら溶液がプリント基板に搭載された部品に悪影響
を及ぼさないとされている。
しかしながら、これら溶液に含まれるトリクロロエタン
は地下水を汚染し、かつ発ガン性物質に変わること、ま
た、クロロフルオロカーボンは大気に放散され地球のオ
ゾン層の破壊をもたらす可能性があることからその使用
は望ましくない、これらトリクロロエタンやクロロフル
オロカーボン等の溶剤に代わる洗浄液としてアルコール
類の溶液、石油類の溶液、テルペン類の溶液、界面活性
材等を含む水溶液などの使用が考えられる。しかし、ア
ルコール類の溶液、石油類の溶液、テルペン類の溶液は
いずれも可燃性溶液のため、洗浄設備に特別な対策を必
要とするほか運搬や保管の上でも配慮が必要である。ま
た界面活性剤を含む水溶液はプリント基板上に界面活性
剤が残留し易いため大量の水ですすぎを必要とするうえ
、界面活性剤が難分解性であったり、発泡したりするた
め、排水処理に通常の生物学的処理を適用することが困
難であるという欠点があった。
は地下水を汚染し、かつ発ガン性物質に変わること、ま
た、クロロフルオロカーボンは大気に放散され地球のオ
ゾン層の破壊をもたらす可能性があることからその使用
は望ましくない、これらトリクロロエタンやクロロフル
オロカーボン等の溶剤に代わる洗浄液としてアルコール
類の溶液、石油類の溶液、テルペン類の溶液、界面活性
材等を含む水溶液などの使用が考えられる。しかし、ア
ルコール類の溶液、石油類の溶液、テルペン類の溶液は
いずれも可燃性溶液のため、洗浄設備に特別な対策を必
要とするほか運搬や保管の上でも配慮が必要である。ま
た界面活性剤を含む水溶液はプリント基板上に界面活性
剤が残留し易いため大量の水ですすぎを必要とするうえ
、界面活性剤が難分解性であったり、発泡したりするた
め、排水処理に通常の生物学的処理を適用することが困
難であるという欠点があった。
本発明の目的は上記課題を解決したプリント基板用洗浄
液を提供することにある。
液を提供することにある。
前記目的を達成するなめ、本発明によるプリント基板用
洗浄液においては、 化学式; Rn N H3−0 但し、Rはメチル基、エチル基、メトキシ基またはエト
キシ基、nはOから3の整数である。
洗浄液においては、 化学式; Rn N H3−0 但し、Rはメチル基、エチル基、メトキシ基またはエト
キシ基、nはOから3の整数である。
で表わされるアミン化合物を少くとも1種類以上含有し
、PHが10以上の水溶液であるものである。
、PHが10以上の水溶液であるものである。
ロジンフラックスはプリント基板の半田付は性を良好に
する目的でプリント基板上に塗布されたりあるいは半田
と混合して使用されている。しかし半田付けが完了した
あとにプリント基板上に残留したロジンフラックス、特
にロジンフラックスに含まれるハロゲン化物等のイオン
性物質は、例えば、文献;洗浄設計、 No、32.
p、8〜p、14゜vinter (1986)にみら
れるようにプリント基板の回路の電解腐食等を引き起こ
す可能性があるため、米国軍規格旧L−P−28809
のようにプリント基板に残留したイオン性物質量を規定
している。この点をも考慮して種々の洗浄液を試作し、
ロジンフラックスの洗浄性やプリント基板上に搭載され
た部品への影響を評価した結果、本発明の洗浄液を見い
だした0本発明のプリント基板洗浄液はアミン化合物を
主成分とする水溶液のため、難燃性で装置や保管あるい
は運搬に特別な措置を必要とせず、またアミン化合物は
揮発性であるためプリント基板上に残留する可能性は殆
どない、特にアミン化合物は弱塩基物質であるためpH
が10以上の範囲ではpHの緩衝能力が大きいことから
、ロジンフラックスすなわちアビエチン酸などのR機成
を主成分とした常温では樹脂状の物質を溶解し洗浄する
ことに適している。
する目的でプリント基板上に塗布されたりあるいは半田
と混合して使用されている。しかし半田付けが完了した
あとにプリント基板上に残留したロジンフラックス、特
にロジンフラックスに含まれるハロゲン化物等のイオン
性物質は、例えば、文献;洗浄設計、 No、32.
p、8〜p、14゜vinter (1986)にみら
れるようにプリント基板の回路の電解腐食等を引き起こ
す可能性があるため、米国軍規格旧L−P−28809
のようにプリント基板に残留したイオン性物質量を規定
している。この点をも考慮して種々の洗浄液を試作し、
ロジンフラックスの洗浄性やプリント基板上に搭載され
た部品への影響を評価した結果、本発明の洗浄液を見い
だした0本発明のプリント基板洗浄液はアミン化合物を
主成分とする水溶液のため、難燃性で装置や保管あるい
は運搬に特別な措置を必要とせず、またアミン化合物は
揮発性であるためプリント基板上に残留する可能性は殆
どない、特にアミン化合物は弱塩基物質であるためpH
が10以上の範囲ではpHの緩衝能力が大きいことから
、ロジンフラックスすなわちアビエチン酸などのR機成
を主成分とした常温では樹脂状の物質を溶解し洗浄する
ことに適している。
次に本発明のプリント基板洗浄液の効果を明らかにする
ために行なった実施例について説明する。
ために行なった実施例について説明する。
(実施例1)
ロジンフラックスの洗浄に適したPHを把握するために
種々のpHのl!衝温溶液1リツトルプリント基板を入
れ30分静置した後、純水を注いですすぎ洗浄をした。
種々のpHのl!衝温溶液1リツトルプリント基板を入
れ30分静置した後、純水を注いですすぎ洗浄をした。
第1表は用いた緩衝液の種類と初期のPHおよび洗浄後
のpHを示す、洗浄後のプリント基板に残留したイオン
性物質量は米軍規格NIL−P−28809に準じオメ
ガメータにより測定した。第1図に洗浄液の初期(洗浄
前)のpHと、プリント基板より除去されたイオン性物
質量の除去率(洗浄を行なわなかったプリント基板上の
イオン性物質量を基準としな)とのrIiJGf4を示
す。
のpHを示す、洗浄後のプリント基板に残留したイオン
性物質量は米軍規格NIL−P−28809に準じオメ
ガメータにより測定した。第1図に洗浄液の初期(洗浄
前)のpHと、プリント基板より除去されたイオン性物
質量の除去率(洗浄を行なわなかったプリント基板上の
イオン性物質量を基準としな)とのrIiJGf4を示
す。
(工大74色)
第1表
(実施例2ン
実施例1の洗浄後の#1.衝溶液に溶解した錫、鉛の分
析を原子吸光法JIS−に−0102により測定した。
析を原子吸光法JIS−に−0102により測定した。
第2図に洗浄液の初期(洗浄前)のp Hと溶液中の錫
の濃度、第3図に洗浄液の初期(洗浄前)のPHと溶液
中の鉛の濃度の関係を示した。
の濃度、第3図に洗浄液の初期(洗浄前)のPHと溶液
中の鉛の濃度の関係を示した。
(実施例3)
実施例1で用いた各プリント基板に搭載されている電子
部品針72個のうち部品のコード番号等の捺印の一部ま
たは全部が除去された割合を調べた。
部品針72個のうち部品のコード番号等の捺印の一部ま
たは全部が除去された割合を調べた。
第4図に洗浄液の初期(洗浄前)のpHとプリン;〜基
板上の搭載部品の捺印消失割合の関係を図示した。
板上の搭載部品の捺印消失割合の関係を図示した。
実施例1に見られるようにロジンフラックスの洗浄力は
洗浄液のpHが9以上で急激に増加し、p Hが10以
上でイオン性物質の除去率が約97%程度に達している
ことから洗浄液のPHは本発明のプリント基板洗浄液の
ように10以上である必要がある。、tた実施例2の錫
や釦の分析結果から半田等に含まれる両性金属はPHが
約11以上になると溶解し易くなり例えば微細なパター
ンのプリント基板の洗浄などは半田の欠落等を生じさせ
る要因となる。また実施例3では搭載部品の捺印の消失
はpHが約12以上からみられる。従って第1表でロジ
ンフラックスの洗浄力を有し、半田等の両性金属を腐食
せず、かつ捺印等の消失がない洗浄液はジェタノールア
ミン/塩酸(初期pH10>、エタノールアミン/塩酸
(初期pH10,4)、アンモニア/塩化アンモニウム
(初期p H10,8)およびジエチルアミン/塩#!
I(初期pH11,3)のPHが10〜11程度のアミ
ン化合物を含む水溶液であった。
洗浄液のpHが9以上で急激に増加し、p Hが10以
上でイオン性物質の除去率が約97%程度に達している
ことから洗浄液のPHは本発明のプリント基板洗浄液の
ように10以上である必要がある。、tた実施例2の錫
や釦の分析結果から半田等に含まれる両性金属はPHが
約11以上になると溶解し易くなり例えば微細なパター
ンのプリント基板の洗浄などは半田の欠落等を生じさせ
る要因となる。また実施例3では搭載部品の捺印の消失
はpHが約12以上からみられる。従って第1表でロジ
ンフラックスの洗浄力を有し、半田等の両性金属を腐食
せず、かつ捺印等の消失がない洗浄液はジェタノールア
ミン/塩酸(初期pH10>、エタノールアミン/塩酸
(初期pH10,4)、アンモニア/塩化アンモニウム
(初期p H10,8)およびジエチルアミン/塩#!
I(初期pH11,3)のPHが10〜11程度のアミ
ン化合物を含む水溶液であった。
アミン化合物以外のPHが10〜11程度の[11液で
も洗浄は可能であるが、このpH領域に[f1作用をも
つ水溶液は例えばホウ酸/水酸化ナトリウムMl溶液の
ようにナトリウムイオン等のアルカリ金属を含んでおり
、例えばプリント基板上の集積回路内へ進入しリークす
る原因になり得るためのぞましくない。
も洗浄は可能であるが、このpH領域に[f1作用をも
つ水溶液は例えばホウ酸/水酸化ナトリウムMl溶液の
ようにナトリウムイオン等のアルカリ金属を含んでおり
、例えばプリント基板上の集積回路内へ進入しリークす
る原因になり得るためのぞましくない。
以上の実施例を考慮するとプリント基板の洗浄はpHが
10以上必要であり、望ましくはpi−rto〜11の
アミン化合物を用いた水溶液が適していることがわかる
。
10以上必要であり、望ましくはpi−rto〜11の
アミン化合物を用いた水溶液が適していることがわかる
。
以上のように本発明によれば、難燃性で保管・運搬に特
別の#I置を必要とせず、揮発性のため、基板上に残留
せず、したがって電解腐食のおそれがなく、常温下で潰
れた洗浄力を有するものである。
別の#I置を必要とせず、揮発性のため、基板上に残留
せず、したがって電解腐食のおそれがなく、常温下で潰
れた洗浄力を有するものである。
第1図はロジンフラックス中のイオン性物質の除去率と
洗浄液のpHの関係を示した図、第2図は洗浄液の錫濃
度と洗浄液のPHの関係を示した図、第3図は洗浄液の
鉛濃度と洗浄液のPHの関係を示した図、第4図は搭載
部品の捺印の消失割合と洗浄液のpHの関係を示した図
である。 水5容ン夜のpH
洗浄液のpHの関係を示した図、第2図は洗浄液の錫濃
度と洗浄液のPHの関係を示した図、第3図は洗浄液の
鉛濃度と洗浄液のPHの関係を示した図、第4図は搭載
部品の捺印の消失割合と洗浄液のpHの関係を示した図
である。 水5容ン夜のpH
Claims (1)
- (1)化学式;RnNH_3_−_n 但し、Rはメチル基、エチル基、メトキ シ基またはエトキシ基、nは0から3の 整数である。 で表わされるアミン化合物を少くとも1種類以上含有し
、pHが10以上の水溶液であることを特徴とするプリ
ント基板用洗浄液。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3044490A JPH03234086A (ja) | 1990-02-09 | 1990-02-09 | プリント基板用洗浄液 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3044490A JPH03234086A (ja) | 1990-02-09 | 1990-02-09 | プリント基板用洗浄液 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH03234086A true JPH03234086A (ja) | 1991-10-18 |
Family
ID=12304095
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP3044490A Pending JPH03234086A (ja) | 1990-02-09 | 1990-02-09 | プリント基板用洗浄液 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH03234086A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0612202A1 (en) * | 1993-02-16 | 1994-08-24 | Hughes Aircraft Company | Precleaning of soldered circuit cards to prevent white residue |
SG93924A1 (en) * | 2001-06-29 | 2003-01-21 | Sun Abrasives Corp | Detergent compositions for washing abrasives |
CN114182264A (zh) * | 2021-12-10 | 2022-03-15 | 南京大学 | 用碳酸钠/柠檬酸水溶液去除pcb用铜箔表面痕量杂质的方法 |
-
1990
- 1990-02-09 JP JP3044490A patent/JPH03234086A/ja active Pending
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0612202A1 (en) * | 1993-02-16 | 1994-08-24 | Hughes Aircraft Company | Precleaning of soldered circuit cards to prevent white residue |
SG93924A1 (en) * | 2001-06-29 | 2003-01-21 | Sun Abrasives Corp | Detergent compositions for washing abrasives |
CN114182264A (zh) * | 2021-12-10 | 2022-03-15 | 南京大学 | 用碳酸钠/柠檬酸水溶液去除pcb用铜箔表面痕量杂质的方法 |
CN114182264B (zh) * | 2021-12-10 | 2023-11-17 | 南京大学 | 用碳酸钠/柠檬酸水溶液去除pcb用铜箔表面痕量杂质的方法 |
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