JPH03233415A - 光半導体モジュール - Google Patents
光半導体モジュールInfo
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- JPH03233415A JPH03233415A JP2878590A JP2878590A JPH03233415A JP H03233415 A JPH03233415 A JP H03233415A JP 2878590 A JP2878590 A JP 2878590A JP 2878590 A JP2878590 A JP 2878590A JP H03233415 A JPH03233415 A JP H03233415A
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- optical
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- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims abstract description 69
- 239000013307 optical fiber Substances 0.000 claims abstract description 30
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 30
- 238000003466 welding Methods 0.000 claims description 6
- 230000008878 coupling Effects 0.000 abstract description 11
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 abstract description 11
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 abstract description 11
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 3
- 230000003321 amplification Effects 0.000 abstract description 2
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 abstract description 2
- 230000004927 fusion Effects 0.000 description 3
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
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- 230000037431 insertion Effects 0.000 description 1
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Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/52—PV systems with concentrators
Landscapes
- Optical Couplings Of Light Guides (AREA)
- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
この発明は、光通信システム等に用いられる光半導体モ
ジュールに関するものである。
ジュールに関するものである。
［従来の技術］
第２図は従来の代表的な光半導体モジュールを示す断面
図である。
図である。
図において、（１）はレセプタクル、（２）は上記レセ
プタクル（１）に設けられた雄ネジであり、接続用光コ
ネクタプラグ（３）の接続ナツト（４）に設けられた雌
ネジ（５）と結合される。（６）は上記接続用光コネク
タプラグ（３）に設けられた。中心軸上に光ファイバ（
７）を保持したフェルール（８）を挿入させるための孔
であり、上記レセプタクル（１）に設けられている。（
９）は上記フェルール（８）の挿入深さを位置決めする
ための受壁、 （１０）は光通過孔であり、それぞれ上
記レセプタクル（１）に設けられている。（１１）はロ
ッドレンズ（１２）を孔（１３）に接着等によって保持
したハウジング、 （１４）は光半導体素子（１５）を
接着等によって保持したホルダであり、上記ハウジング
（１１）と上記ホルダ（１４）には、上記光ファイバ（
７）の光軸と同一方向にシリンダーとピストンの如く係
合摺動する外筒（１６）及び内筒（１７）がそれぞれ設
けられている。（１８）は上記光ファイバ（７）の光軸
と直交するように上記レセプタクル（１）及び上記ハウ
ジング（１１）に設けられた接合面である。
プタクル（１）に設けられた雄ネジであり、接続用光コ
ネクタプラグ（３）の接続ナツト（４）に設けられた雌
ネジ（５）と結合される。（６）は上記接続用光コネク
タプラグ（３）に設けられた。中心軸上に光ファイバ（
７）を保持したフェルール（８）を挿入させるための孔
であり、上記レセプタクル（１）に設けられている。（
９）は上記フェルール（８）の挿入深さを位置決めする
ための受壁、 （１０）は光通過孔であり、それぞれ上
記レセプタクル（１）に設けられている。（１１）はロ
ッドレンズ（１２）を孔（１３）に接着等によって保持
したハウジング、 （１４）は光半導体素子（１５）を
接着等によって保持したホルダであり、上記ハウジング
（１１）と上記ホルダ（１４）には、上記光ファイバ（
７）の光軸と同一方向にシリンダーとピストンの如く係
合摺動する外筒（１６）及び内筒（１７）がそれぞれ設
けられている。（１８）は上記光ファイバ（７）の光軸
と直交するように上記レセプタクル（１）及び上記ハウ
ジング（１１）に設けられた接合面である。
なお、上記光ファイバ（ア）と上記光半導体素子（Ｉ５
）との光結合が最適となるように、上記ホルダ（１４）
は−１−配光ファイバ（７）の光軸と同一方向に、また
、」二記ハウジング（１１）は上記光ファイバ（７）の
光軸と直交方向にそれぞれ位置調整された後、レーザビ
ームα及びβにて、上記ハウジング（１１）と上記ホル
ダ（１４）、さらに上記レセプタクル（１）と上記ハウ
ジング（１１）とをそれぞれ堅牢に溶接されている。（
１９）及び（２０）は−ヒ記し−ザビームα及ヒβによ
る溶融溶接部である。
）との光結合が最適となるように、上記ホルダ（１４）
は−１−配光ファイバ（７）の光軸と同一方向に、また
、」二記ハウジング（１１）は上記光ファイバ（７）の
光軸と直交方向にそれぞれ位置調整された後、レーザビ
ームα及びβにて、上記ハウジング（１１）と上記ホル
ダ（１４）、さらに上記レセプタクル（１）と上記ハウ
ジング（１１）とをそれぞれ堅牢に溶接されている。（
１９）及び（２０）は−ヒ記し−ザビームα及ヒβによ
る溶融溶接部である。
次に動作について説明する。上記孔（６）に上記フェル
ール（８）を挿入させるとともに、上記雄ネジ（２）に
上記雌ネジ（５）を結合させることによって上記レセプ
タクル（１）に上記接続用光コネクタプラグ（３）が嵌
合され、上記光半導体素子（１５）から発した光が上記
ロンドレンズ（１２）で集光された後。
ール（８）を挿入させるとともに、上記雄ネジ（２）に
上記雌ネジ（５）を結合させることによって上記レセプ
タクル（１）に上記接続用光コネクタプラグ（３）が嵌
合され、上記光半導体素子（１５）から発した光が上記
ロンドレンズ（１２）で集光された後。
上記フェルール（８）に保持された上記光ファイバ（７
）に入射され光結合が可能となる。
）に入射され光結合が可能となる。
［発明が解決しようとする課題］
従来の光半導体モジュールは以上のように構成されてい
るので、上記レーザビームαによって上記ホルダ（１４
）が上記ハウジング（１１）に固定される過程において
、上記ホルダ（１４）が上記光ファイバ（７）の光軸と
同一方向に位置ずれした場合、その量が微小であっても
上記ロンドレンズ（１２）の焦点はその位置ずれ量に上
記ロンドレンズ（１２）によって与えられた光学的結合
倍率を乗じた値の上記光ファイバ（７）の光軸上の位置
に増幅移動するため、目標とする光の電を上記光ファイ
バ（７）に入射させることができなかった。
るので、上記レーザビームαによって上記ホルダ（１４
）が上記ハウジング（１１）に固定される過程において
、上記ホルダ（１４）が上記光ファイバ（７）の光軸と
同一方向に位置ずれした場合、その量が微小であっても
上記ロンドレンズ（１２）の焦点はその位置ずれ量に上
記ロンドレンズ（１２）によって与えられた光学的結合
倍率を乗じた値の上記光ファイバ（７）の光軸上の位置
に増幅移動するため、目標とする光の電を上記光ファイ
バ（７）に入射させることができなかった。
また、上記過程において、上記外筒（１６）と上記内筒
（１７）とを係合摺動させるためのクリアランスが要因
となって角度ずれが生じた場合、その量が微小であって
も上記ロッドレンズ（Ｉ２）の焦点は、上記光半導体素
子（１５）の光が上記ロンドレンズ（１２）に集光され
た位置から、上記光ファイバ（７）の光軸上までの上記
光軸と直交方向の位置ずれ量に、上記ロッドレンズ（１
２）によって与えられた光学的結合倍率を乗じた値の上
記光ファイバ（７）の光軸と直交方向の位置に増幅移動
する。ゆえに、上記光ファイバ（７）と上記光半導体素
子（Ｉ５）との光結合を最適となるように、上記ハウジ
ング（１１）を上記光ファイバ（７）の光軸と直交方向
に位置調整した際、上記接合面０８）の外周縁部におい
て上記レセプタクル（１）と上記ハウジング（１１）と
に過大な段差が生じる。この状態で上記レーザビームβ
にて溶接すると、上記の過大な段差が原因となって上記
光ファイバ（７）と上記光半導体素子（１５）との光軸
ずれが発生し、目標とする性能を安定して得ることかで
きないなどの課題があった。
（１７）とを係合摺動させるためのクリアランスが要因
となって角度ずれが生じた場合、その量が微小であって
も上記ロッドレンズ（Ｉ２）の焦点は、上記光半導体素
子（１５）の光が上記ロンドレンズ（１２）に集光され
た位置から、上記光ファイバ（７）の光軸上までの上記
光軸と直交方向の位置ずれ量に、上記ロッドレンズ（１
２）によって与えられた光学的結合倍率を乗じた値の上
記光ファイバ（７）の光軸と直交方向の位置に増幅移動
する。ゆえに、上記光ファイバ（７）と上記光半導体素
子（Ｉ５）との光結合を最適となるように、上記ハウジ
ング（１１）を上記光ファイバ（７）の光軸と直交方向
に位置調整した際、上記接合面０８）の外周縁部におい
て上記レセプタクル（１）と上記ハウジング（１１）と
に過大な段差が生じる。この状態で上記レーザビームβ
にて溶接すると、上記の過大な段差が原因となって上記
光ファイバ（７）と上記光半導体素子（１５）との光軸
ずれが発生し、目標とする性能を安定して得ることかで
きないなどの課題があった。
この発明は上記のような課題を解決するためになされた
もので、光軸ずれを小さくシ、目標とする性能を安定し
て得ることのできる光半導体モジュールを目的とする。
もので、光軸ずれを小さくシ、目標とする性能を安定し
て得ることのできる光半導体モジュールを目的とする。
［課題を解決するための手段］
この発明に係る光半導体モジュールは、光半導体素子及
びロッドレンズを保持するホルダと、上記ホルダとレセ
プタクルとを連結するリングとを設けるとともに、光フ
ァイバの光軸と同一方向にシリンダーとピストンの如く
係合摺動する外筒及び内筒をそれぞれリング（またはホ
ルダ）とホルダ（またはリング）との相対する端部に設
け、また、上記光ファイバの端面と同一の位置または近
接する位置に上記光ファイバの光軸と直交する接合面を
上記リングとレセプタクルとの相対する端部端面に設け
、上記リング（または上記ホルダ）及び上記ホルダ（ま
たは上記リング）の外筒と内筒との係合摺動範囲内の位
置をレーザビーム溶接により、溶融溶接部が上記外筒を
貫通し上記内筒に連通ずるように溶接するとともに、上
記リングと上記レセプタクルとの接合面をレーザビーム
溶接により接続したものである。
びロッドレンズを保持するホルダと、上記ホルダとレセ
プタクルとを連結するリングとを設けるとともに、光フ
ァイバの光軸と同一方向にシリンダーとピストンの如く
係合摺動する外筒及び内筒をそれぞれリング（またはホ
ルダ）とホルダ（またはリング）との相対する端部に設
け、また、上記光ファイバの端面と同一の位置または近
接する位置に上記光ファイバの光軸と直交する接合面を
上記リングとレセプタクルとの相対する端部端面に設け
、上記リング（または上記ホルダ）及び上記ホルダ（ま
たは上記リング）の外筒と内筒との係合摺動範囲内の位
置をレーザビーム溶接により、溶融溶接部が上記外筒を
貫通し上記内筒に連通ずるように溶接するとともに、上
記リングと上記レセプタクルとの接合面をレーザビーム
溶接により接続したものである。
［作用］
この発明における光半導体モジュールは、光半導体素子
及びロッドレンズを保持するホルダと。
及びロッドレンズを保持するホルダと。
ホルダとレセプタクルとを連結するリングと、外筒と内
筒との係合摺動部及び接合面により、ホルダがリングに
固定される過程において微小な位置ずれや角度ずれが生
じた場合でも、ロッドレンズの焦点の光学的結合倍率を
乗じた値の位置への増幅移動をなくシ、光ファイバと光
半導体素子との光結合が最適となるように組立てること
ができる［実施例］ 以下２ この発明の一実施例を図について説明する。第
１図はこの発明の光半導体モジュールを示す断面図であ
り、 （１）、 （２）、 （６）、 （９）、 （１
０）、 （１２）及び（１５）〜（２０）は従来構造と
同一のものである。（２１）は上記ロッドレンズ（１２
）及び上記光半導体素子（１５）を接着等によって保持
したホルダ、 （２２）は上記ホルダ（２１）と上記レ
セプタクル（１）とを連結するリングであり、光通過孔
（２３）を有している。なお、上記リング（２２）と上
記ホルダ（２１）には従来構造と同一の外筒（１６）及
び内筒（１７）がそれぞれ設けられ、また、上記リング
（２２）と上記レセプタクル（１）には従来構造と同一
の接合面（１８）が設けられており、上記光ファイバ（
７）と上記光半導体素子（１５）との光結合が最適とな
るように、上記ホルダ（２１）は上記光ファイバ（７）
の光軸と同一方向に、また、上記リング（２２）は上記
光ファイバ（７）の光軸と直交方向にそれぞれ位置調整
された後、レーザビームα及びβにて、上記リング（２
２）と上記ホルダ（２，１）、 さらに上記リング（
２２）と上記レセプタクル（１）とをそれぞれ堅牢に溶
接されている。
筒との係合摺動部及び接合面により、ホルダがリングに
固定される過程において微小な位置ずれや角度ずれが生
じた場合でも、ロッドレンズの焦点の光学的結合倍率を
乗じた値の位置への増幅移動をなくシ、光ファイバと光
半導体素子との光結合が最適となるように組立てること
ができる［実施例］ 以下２ この発明の一実施例を図について説明する。第
１図はこの発明の光半導体モジュールを示す断面図であ
り、 （１）、 （２）、 （６）、 （９）、 （１
０）、 （１２）及び（１５）〜（２０）は従来構造と
同一のものである。（２１）は上記ロッドレンズ（１２
）及び上記光半導体素子（１５）を接着等によって保持
したホルダ、 （２２）は上記ホルダ（２１）と上記レ
セプタクル（１）とを連結するリングであり、光通過孔
（２３）を有している。なお、上記リング（２２）と上
記ホルダ（２１）には従来構造と同一の外筒（１６）及
び内筒（１７）がそれぞれ設けられ、また、上記リング
（２２）と上記レセプタクル（１）には従来構造と同一
の接合面（１８）が設けられており、上記光ファイバ（
７）と上記光半導体素子（１５）との光結合が最適とな
るように、上記ホルダ（２１）は上記光ファイバ（７）
の光軸と同一方向に、また、上記リング（２２）は上記
光ファイバ（７）の光軸と直交方向にそれぞれ位置調整
された後、レーザビームα及びβにて、上記リング（２
２）と上記ホルダ（２，１）、 さらに上記リング（
２２）と上記レセプタクル（１）とをそれぞれ堅牢に溶
接されている。
上記のように構成された光半導体モジュールにおいては
、前述したように、上記レセプタクル（１）に上記接続
用光コネクタプラグ（３）を嵌合させることによって、
上記光半導体素子（１５）から発した光が上記ロッドレ
ンズ（１２）で集光された後、上記フェルール（８）に
保持された上記光ファイル（７）に入射され光結合が可
能となる。
、前述したように、上記レセプタクル（１）に上記接続
用光コネクタプラグ（３）を嵌合させることによって、
上記光半導体素子（１５）から発した光が上記ロッドレ
ンズ（１２）で集光された後、上記フェルール（８）に
保持された上記光ファイル（７）に入射され光結合が可
能となる。
［発明の効果］
以上のように、この発明によれば光半導体素子及びロッ
ドレンズを保持するホルダと、ホルダとレセプタクルと
を連結するリングとを設けるとともに、リングとホルダ
に設けられた外筒及び内筒の係合摺動部によって光ファ
イバの光軸と同一方向にまた。リングとレセプタクルに
設けられた接合面によって光ファイバの光軸と直交方向
にそれぞれ位置調整した後レーザビームによって接合す
るように構成したので、目標とする性能を安定して得ら
れる効果がある。
ドレンズを保持するホルダと、ホルダとレセプタクルと
を連結するリングとを設けるとともに、リングとホルダ
に設けられた外筒及び内筒の係合摺動部によって光ファ
イバの光軸と同一方向にまた。リングとレセプタクルに
設けられた接合面によって光ファイバの光軸と直交方向
にそれぞれ位置調整した後レーザビームによって接合す
るように構成したので、目標とする性能を安定して得ら
れる効果がある。
第１図はこの発明の一実施例を示す断面図、第２図は従
来の光半導体モジュールを示す断面図である。 図において、（１）はレセプタクル、（２）は雄ネジ（
６）は孔、（９）は受壁、 （１Ｇ）は光通過孔、（１
２）はロッドレンズ、（１５）は光半導体素子、（１６
）は外筒、 （１７）は内筒、 （Ｈｌ）は接合面、
（１９）は溶融溶接部、 （２０）は溶融溶接部、 （
２１）はホルダ、 （２２）はリング、 （２３）は光
通過孔である。 なお、各図中同一符号は同一または相当部分を示す。
来の光半導体モジュールを示す断面図である。 図において、（１）はレセプタクル、（２）は雄ネジ（
６）は孔、（９）は受壁、 （１Ｇ）は光通過孔、（１
２）はロッドレンズ、（１５）は光半導体素子、（１６
）は外筒、 （１７）は内筒、 （Ｈｌ）は接合面、
（１９）は溶融溶接部、 （２０）は溶融溶接部、 （
２１）はホルダ、 （２２）はリング、 （２３）は光
通過孔である。 なお、各図中同一符号は同一または相当部分を示す。
Claims (1)
- 光半導体素子と、上記光半導体素子と対向する位置に設
けられ、接続用光コネクタプラグを嵌合させるためのレ
セプタクルと、上記光半導体素子と上記レセプタクルと
を結ぶ光軸上に位置するように設けたロッドレンズとを
具備する光半導体モジュールにおいて、上記光半導体素
子及びロッドレンズを保持するホルダと、上記ホルダと
上記レセプタクルとを連結するリングとを設けるととも
に、上記接続用光コネクタプラグに設けられた光ファイ
バの光軸と同一方向にシリンダーとピストンの如く係合
摺動する外筒及び内筒をそれぞれ上記リング（または上
記ホルダ）と上記ホルダ（または上記リング）との相対
する端部に設け、また、上記光ファイバの端面と同一の
位置または近接する位置に上記光ファイバの光軸と直交
する接合面を上記リングと上記レセプタクルとの相対す
る端部端面に設け、上記リング（または上記ホルダ）及
び上記ホルダ（または上記リング）の外筒と内筒との係
合摺動範囲内の位置をレーザビーム溶接により溶融溶接
部が上記外筒を貫通し上記内筒に連通するように溶接す
るとともに、上記リングと上記レセプタクルとの接合面
をレーザビーム溶接により接続したことを特徴とする光
半導体モジュール。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2028785A JP2810470B2 (ja) | 1990-02-08 | 1990-02-08 | 光半導体モジュールの組立方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2028785A JP2810470B2 (ja) | 1990-02-08 | 1990-02-08 | 光半導体モジュールの組立方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03233415A true JPH03233415A (ja) | 1991-10-17 |
| JP2810470B2 JP2810470B2 (ja) | 1998-10-15 |
Family
ID=12258079
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2028785A Expired - Lifetime JP2810470B2 (ja) | 1990-02-08 | 1990-02-08 | 光半導体モジュールの組立方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2810470B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5537503A (en) * | 1993-10-25 | 1996-07-16 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Optical semiconductor module and method of fabricating the same |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6120912A (ja) * | 1984-07-09 | 1986-01-29 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 発光素子と光フアイバの結合装置 |
| JPS63182616A (ja) * | 1987-01-23 | 1988-07-27 | Toshiba Corp | 光フアイバ−結合装置 |
| JPH0194910U (ja) * | 1987-12-14 | 1989-06-22 | ||
| JPH01243008A (ja) * | 1988-03-25 | 1989-09-27 | Hitachi Ltd | 光結合体付光電子装置およびその製造方法 |
| JPH0227307A (ja) * | 1988-06-06 | 1990-01-30 | Philips Gloeilampenfab:Nv | 光ファイバと半導体レーザダイオード間にカップリングを有するオプトエレクトロニク装置 |
-
1990
- 1990-02-08 JP JP2028785A patent/JP2810470B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6120912A (ja) * | 1984-07-09 | 1986-01-29 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 発光素子と光フアイバの結合装置 |
| JPS63182616A (ja) * | 1987-01-23 | 1988-07-27 | Toshiba Corp | 光フアイバ−結合装置 |
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| JPH0227307A (ja) * | 1988-06-06 | 1990-01-30 | Philips Gloeilampenfab:Nv | 光ファイバと半導体レーザダイオード間にカップリングを有するオプトエレクトロニク装置 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5537503A (en) * | 1993-10-25 | 1996-07-16 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Optical semiconductor module and method of fabricating the same |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2810470B2 (ja) | 1998-10-15 |
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