JPH03231748A - 集束イオンビーム装置およびそれを用いたパターン修正方法 - Google Patents
集束イオンビーム装置およびそれを用いたパターン修正方法Info
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- JPH03231748A JPH03231748A JP2029092A JP2909290A JPH03231748A JP H03231748 A JPH03231748 A JP H03231748A JP 2029092 A JP2029092 A JP 2029092A JP 2909290 A JP2909290 A JP 2909290A JP H03231748 A JPH03231748 A JP H03231748A
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Landscapes
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体素子製造用のフォトマスクやレチクル（
以下、車にマスクという）のパターン欠損部（以下白色
欠陥部という）又はパターン余剰部（以下、黒色欠陥部
という）を集束イオンビームを用いて修正する装置に関
する。
以下、車にマスクという）のパターン欠損部（以下白色
欠陥部という）又はパターン余剰部（以下、黒色欠陥部
という）を集束イオンビームを用いて修正する装置に関
する。
近年における半導体素子（ＬＳＩ）の高集積化に伴いそ
の製造に必要なマスクのパターンは微細化及び複雑化し
ている。それに伴いマスク製造時にパターンが大きく壊
れていたり、白色欠陥部。
の製造に必要なマスクのパターンは微細化及び複雑化し
ている。それに伴いマスク製造時にパターンが大きく壊
れていたり、白色欠陥部。
黒色欠陥部が入り交じった欠陥ができることがある。こ
のような欠陥を正常なパターンに修正するため、ＣＡＤ
と接続し、そのマスクの設計データを受け取り、その設
計データをもとに欠陥を含むパターンの正常な参照パタ
ーンを作成する。そしてその参照パターンと欠陥を含む
パターンをコンピュータにより画像処理を施して比較す
ることにより欠陥パターンの欠陥部を正しく認識し、欠
陥部を修正することができる。
のような欠陥を正常なパターンに修正するため、ＣＡＤ
と接続し、そのマスクの設計データを受け取り、その設
計データをもとに欠陥を含むパターンの正常な参照パタ
ーンを作成する。そしてその参照パターンと欠陥を含む
パターンをコンピュータにより画像処理を施して比較す
ることにより欠陥パターンの欠陥部を正しく認識し、欠
陥部を修正することができる。
複雑な欠陥において同じマスク上に欠陥パターンと同一
で正常なパターンがある場合、その正常パターンの２次
イオン像より、そのパターンの輪郭を抽出し、それを参
照パターンとし、その参照パターンと欠陥を含むパター
ンをコンピュータにより画像処理を施して比較すること
により、欠陥を含むパターンの欠陥部を正しく認識し、
欠陥部を修正する。
で正常なパターンがある場合、その正常パターンの２次
イオン像より、そのパターンの輪郭を抽出し、それを参
照パターンとし、その参照パターンと欠陥を含むパター
ンをコンピュータにより画像処理を施して比較すること
により、欠陥を含むパターンの欠陥部を正しく認識し、
欠陥部を修正する。
しかしながら複雑な欠陥を含むパターンと同一で正常な
パターンがない時は修正できなかった。
パターンがない時は修正できなかった。
また同一なパターンが存在するような場合でも、どこに
あるか探すのに時間がかかった。そして同一なパターン
を発見しても、本当に正常なパターンなのか判断するこ
とが難しかった。
あるか探すのに時間がかかった。そして同一なパターン
を発見しても、本当に正常なパターンなのか判断するこ
とが難しかった。
本発明は上記問題点を解決するため以下の手段を得た。
すなわち、欠陥パターンを修正するため欠陥を含むパタ
ーンの本来の正常なパターンを、ＣＡＤの設計データよ
り得てそのパターンを参照パターンとした。
ーンの本来の正常なパターンを、ＣＡＤの設計データよ
り得てそのパターンを参照パターンとした。
本発明の作用を第２図に基づいて説明する。第２図（Ａ
）はパターン上部が壊れた欠陥パターンの２次イオン像
をコンピュータで取り込んだ図形である。このパターン
を修正するため、このパターンの設計データをＣＡＤよ
りコンピュータに取り込み、そのデータをもとに上記（
Ａ）と同サイズの正常パターン第２図（Ｂ）を作成する
。そしてこの（Ａ）と（Ｂ）を比較することにより、第
２図（Ｃ）の白色欠陥部分及び黒色欠陥部分を認識する
。
）はパターン上部が壊れた欠陥パターンの２次イオン像
をコンピュータで取り込んだ図形である。このパターン
を修正するため、このパターンの設計データをＣＡＤよ
りコンピュータに取り込み、そのデータをもとに上記（
Ａ）と同サイズの正常パターン第２図（Ｂ）を作成する
。そしてこの（Ａ）と（Ｂ）を比較することにより、第
２図（Ｃ）の白色欠陥部分及び黒色欠陥部分を認識する
。
以下図面に基づいて本発明の実施例を詳細に説明する。
第１図は本発明に基づく集束イオンビーム装置の全体構
成図を示す。１はイオン源であってイオンビーム２を発
する。３は走査電極であってＸ及びＹ電極からなりイオ
ンビームスポットをｘｙ平面内で所定範囲に渡り走査す
るものである。
成図を示す。１はイオン源であってイオンビーム２を発
する。３は走査電極であってＸ及びＹ電極からなりイオ
ンビームスポットをｘｙ平面内で所定範囲に渡り走査す
るものである。
４は対物レンズであってイオンビーム２のスポットを被
照射物であるマスク８の表面に結像させる。
照射物であるマスク８の表面に結像させる。
５はガス銃であってマスク８の白色欠陥部位に有機化合
物蒸気６を吹き付は同時にイオンビームを走査しながら
照射し、遮光性の膜を付は白色欠陥を修正する。また黒
色欠陥部位の修正においては余剰フィルム部にイオンビ
ーム２を限定的に照射し、スパッタリング除去を行い修
正する。９はＸＹステージであってマスク８を載置して
ＸまたはＹ方向に移動する。１０は検出器であってマス
ク８の表面からイオンビーム２によってたたき出された
２次イオン７の強度を検出する。この２次イオン強度の
平面分布はマスク８のパターンに対応している。１１は
Ａ／Ｄ変換器であって、２次イオン強度というアナログ
量をデジタルデータに変換する。このデジタルデータは
コンピュータ１３に取り込まれて、マスクのパターン画
像が拡大再生され、ＣＲＴ１４に表示される。１２は走
査回路であってコンピュータ１３よりイオンビーム照射
範囲を受け取り、走査電極３の制御をする。１５はＣＡ
Ｄであってコンピュータ１３とは通信回線で結ばれてい
て、コンピュータ１３からの要求があった時マスクの設
計データをコンピュータ１３に送ル。
物蒸気６を吹き付は同時にイオンビームを走査しながら
照射し、遮光性の膜を付は白色欠陥を修正する。また黒
色欠陥部位の修正においては余剰フィルム部にイオンビ
ーム２を限定的に照射し、スパッタリング除去を行い修
正する。９はＸＹステージであってマスク８を載置して
ＸまたはＹ方向に移動する。１０は検出器であってマス
ク８の表面からイオンビーム２によってたたき出された
２次イオン７の強度を検出する。この２次イオン強度の
平面分布はマスク８のパターンに対応している。１１は
Ａ／Ｄ変換器であって、２次イオン強度というアナログ
量をデジタルデータに変換する。このデジタルデータは
コンピュータ１３に取り込まれて、マスクのパターン画
像が拡大再生され、ＣＲＴ１４に表示される。１２は走
査回路であってコンピュータ１３よりイオンビーム照射
範囲を受け取り、走査電極３の制御をする。１５はＣＡ
Ｄであってコンピュータ１３とは通信回線で結ばれてい
て、コンピュータ１３からの要求があった時マスクの設
計データをコンピュータ１３に送ル。
次に実際のパターン修正方法について第３図欠陥パター
ン修正フローチャート及び第２図をもとに説明する。ま
ず２次イオン像を観察しながら欠陥パターンを見つける
。次にコンピュータ１３ニ取り込んだ欠陥パターンを含
む２次イオン像にノイズ成分の除去等画像処理を施し、
パターンの輪郭を抽出する（第２図（Ａ））。またコン
ピュータ１３はこの欠陥のパターンを含むマスクの設計
データをＣＡＤとの通信により受け取る。そしてこのデ
ータをもとに欠陥パターンを含む２次イオン像の倍率に
合わせて、参照パターンを作成する。
ン修正フローチャート及び第２図をもとに説明する。ま
ず２次イオン像を観察しながら欠陥パターンを見つける
。次にコンピュータ１３ニ取り込んだ欠陥パターンを含
む２次イオン像にノイズ成分の除去等画像処理を施し、
パターンの輪郭を抽出する（第２図（Ａ））。またコン
ピュータ１３はこの欠陥のパターンを含むマスクの設計
データをＣＡＤとの通信により受け取る。そしてこのデ
ータをもとに欠陥パターンを含む２次イオン像の倍率に
合わせて、参照パターンを作成する。
（第２図（Ｂ））。次に２次イオン像より求めた欠陥を
含むパターンとＣＡＤの設計データより求めた参照パタ
ーンを比較し、両パターンの相違部分を算出する。次に
相違部分のうち参照パターンより欠陥パターンのほうが
欠損している部分を白色欠陥部位、参照パターンより欠
陥パターンのはうがはみ出している部分を黒色欠陥部位
として認識を行う０次に各欠陥部位と欠陥パターンを含
む２次イオン像の位置より、実際のビーム照射範囲を求
める。次に走査回路へビーム照射範囲を指定し、白色欠
陥部にはガス銃５を作動状態にし有機化合物蒸気を吹き
付はイオンビーム２を照射して遮光性の膜を付は修正し
、黒色欠陥部にはガス銃５を動作させずにイオンビーム
２を照射し、黒色欠陥部をスパッタリングにより除去し
修正する。
含むパターンとＣＡＤの設計データより求めた参照パタ
ーンを比較し、両パターンの相違部分を算出する。次に
相違部分のうち参照パターンより欠陥パターンのほうが
欠損している部分を白色欠陥部位、参照パターンより欠
陥パターンのはうがはみ出している部分を黒色欠陥部位
として認識を行う０次に各欠陥部位と欠陥パターンを含
む２次イオン像の位置より、実際のビーム照射範囲を求
める。次に走査回路へビーム照射範囲を指定し、白色欠
陥部にはガス銃５を作動状態にし有機化合物蒸気を吹き
付はイオンビーム２を照射して遮光性の膜を付は修正し
、黒色欠陥部にはガス銃５を動作させずにイオンビーム
２を照射し、黒色欠陥部をスパッタリングにより除去し
修正する。
本発明により大きくパターンが壊れていて修正できなか
ったような欠陥を含むパターンを簡単に修正できるとい
う効果がある。
ったような欠陥を含むパターンを簡単に修正できるとい
う効果がある。
第１図は本発明にかかる集束イオンビーム装置の全体構
成図、第２図は動作原理図、第３図は欠陥パターン修正
フローチャートである。 ｌ・・・イオン源 ２・・・イオンビーム ・走査電極 ・対物レンズ ・ガス銃 ・有機化合物蒸気 ・２次イオン ・マスク ・ＸＹステージ ・検出器 ・Ａ／Ｄ変換器 ・走査回路 ・コンピュータ ・ＣＲＴ ・ＣＡＤ ・白色欠陥部 ・黒色欠陥部 ・欠陥部 以上
成図、第２図は動作原理図、第３図は欠陥パターン修正
フローチャートである。 ｌ・・・イオン源 ２・・・イオンビーム ・走査電極 ・対物レンズ ・ガス銃 ・有機化合物蒸気 ・２次イオン ・マスク ・ＸＹステージ ・検出器 ・Ａ／Ｄ変換器 ・走査回路 ・コンピュータ ・ＣＲＴ ・ＣＡＤ ・白色欠陥部 ・黒色欠陥部 ・欠陥部 以上
Claims (1)
- イオンビームを発生するイオン源と、該イオンビームを
走査させる走査電極と、有機化合物蒸気を吹きつけるガ
ス銃と、マスクパターンから放出される２次イオンを検
出する検出器と、該検出器により取り込んだ２次イオン
強度により画像処理を行い、そのデータをもとにイオン
ビーム照射位置を設定するコンピュータよりなる集束イ
オンビーム装置において、マスクの欠陥パターンを修正
するために、該コンピュータとＣＡＤとの通信によりマ
スクの設計データを受け取り、該設計データをもとに正
常なパターンを作成し、その正常なパターンを参照し、
該欠陥パターンの欠陥部を抽出し修正することを特徴と
したパターン修正方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2909290A JP3041398B2 (ja) | 1990-02-07 | 1990-02-07 | 集束イオンビーム装置およびそれを用いたパターン修正方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2909290A JP3041398B2 (ja) | 1990-02-07 | 1990-02-07 | 集束イオンビーム装置およびそれを用いたパターン修正方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03231748A true JPH03231748A (ja) | 1991-10-15 |
| JP3041398B2 JP3041398B2 (ja) | 2000-05-15 |
Family
ID=12266711
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2909290A Expired - Lifetime JP3041398B2 (ja) | 1990-02-07 | 1990-02-07 | 集束イオンビーム装置およびそれを用いたパターン修正方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3041398B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2000063946A1 (fr) * | 1999-04-20 | 2000-10-26 | Seiko Instruments Inc. | Procede de correction de defaut noir et dispositif de correction de defaut noir pour photomasque |
-
1990
- 1990-02-07 JP JP2909290A patent/JP3041398B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2000063946A1 (fr) * | 1999-04-20 | 2000-10-26 | Seiko Instruments Inc. | Procede de correction de defaut noir et dispositif de correction de defaut noir pour photomasque |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3041398B2 (ja) | 2000-05-15 |
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