JPH03229507A - 弾性表面波素子の電極構造 - Google Patents

弾性表面波素子の電極構造

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JPH03229507A
JPH03229507A JP2534190A JP2534190A JPH03229507A JP H03229507 A JPH03229507 A JP H03229507A JP 2534190 A JP2534190 A JP 2534190A JP 2534190 A JP2534190 A JP 2534190A JP H03229507 A JPH03229507 A JP H03229507A
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JP
Japan
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electrode
electrodes
common
common electrodes
wire bonding
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Application number
JP2534190A
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English (en)
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Takehiko Sone
竹彦 曽根
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Alps Alpine Co Ltd
Original Assignee
Alps Electric Co Ltd
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Publication date
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    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03HIMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/02Details
    • H03H9/02535Details of surface acoustic wave devices
    • H03H9/02818Means for compensation or elimination of undesirable effects
    • H03H9/02944Means for compensation or elimination of undesirable effects of ohmic loss

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  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Acoustics & Sound (AREA)
  • Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 「産業上の利用分野」 本発明は、固体表面を伝播する弾性表面波を利用する弾
性表面波素子(以下、SAW素子と略称する。)の電極
構造に関するしのである。
[−従来の技術」 従来より、高周波帯域で用いられるSAW素子としては
、LiNbO3やL iT ao 3等からなる圧電体
基板」二に、アルミニウム合金やアルミニウム等からな
る一対の櫛型電極が形成されてなるものが知られている
このようなSAW素子の従来の櫛型電極構造の一例を第
9図に示す。この櫛型電極構造は、対向する互いに平行
な一組の共通電極1 aJbと、共〆 通電極1aからこの共通電極1aに垂直に共通電極lb
側に向かって伸びる励振電極2aと、共通電極1bから
この共通型[!1bに垂直に共通電極la側に向かって
伸びる励振電極2bとからなり、これら励振電極2a、
2bが、共通電極1 a、 I bの長さ方向に交互に
形成されてなる乙のである。
「発明か解決しようとする課題J ところで、上記従来の櫛型電極構造を打するSAW素子
は、その周波数特性において、第10図に示すように必
要とされろ特性A以外に、スプリアス応答+1 、13
がててしまうという問題があった。
このような問題を解決するために、上記櫛型電極構造に
変化を持たせろ方法、・1゛なわらいわゆろ重み付けが
用いられている。
重み付けを行う方法としては、例えば第11図に示すよ
うに励振電極2aと2bとの交差幅を変化させたアボグ
イズ法や、第12図に示すように励振?Ti極2a、2
bの間隔を変化させた間引き電極法、さらには第13図
に示すように、励振電極2aおよび2bに印加される電
圧を変化させる分圧法専が知られている。
しかしながら、上記アボダイズ法は、励振電極2a、2
bの交差幅の狭いところにおいて回折か生し、この回折
により特性の劣化が生じてしまうという問題があり、ま
た上記間引き電極法は、アボグイズ法のような回折によ
る特性の劣化は生じないが、重み付けが荒くなってしま
うといった欠点がある。さらに、上記分圧法は、これら
」二連したような欠点のない優れた方法であるが、実際
には、このような電極構造を形成ケることは、極めて困
難であるという問題があった。
本発明は上記事情に鑑みてなされたらので、L記スプリ
アス応答を防ぐ等の特性制御のために用いられろ重み付
けを行う方法のうち、分圧法によろ市みイ1けを容易に
可能とした弾性表面波素子の電極構造の提供を目的とす
るものである。
[−課題を解決するための手段」 本発明においては、ワイヤポンディング部と各励振電極
との間の抵抗値を共通電極の形状により調整4−ろよう
にした1ことにより上記課題を解決するようにした。
「作用 」 共通電極の形状を変化さ仕ることにより、ワイヤポンデ
ィング部と3励振電極間の抵抗値を調整する。これによ
り、共通?l[極に連結された各励振電極の励振効率を
それぞれ制御してSAW素子の周波数特性を制御するこ
とかできる。
すなわち、第9図に示すような従来の電極構造において
、これを特にU HPなとの高周波帯用とした場合、T
J、極膜厚がloonm以下とされ、またその材料は、
アルミニウム、アルミニウムーケイ素合金、アルミニウ
ムーケイ素−銅合金、アルミニウムー銅合金、アルミニ
ウム−ニンケルーマグネノウム合金などのアルミニウム
基合金が用いられることが多い。このため、電極自体の
抵抗値が比較的大きなしの(約0.5Ω程度)となる。
従って、共通電極のワイヤポンディング部から′:vi
流経路の離れたところの励振T1極は、近いところの励
振電極に比べて抵抗が大きくなるf二め励振効率が劣る
ことになる。本発明は、この現象を積極的に利用したも
のであり、共通Ti極の形状を変化させることによりワ
イヤポンディング部から励振電極1での抵抗を実質的に
重み付けが可能な程度に変化させることができろように
し、分圧法による重み付けを行い、これによりスプリア
ス応答を防+)−する等の特性制御を行う乙のである。
「実施例」 以下、実施例を用いて本発明を具体的に説明する。
(実施例1) 第1図は、本発明のSAW素子の電極構造の第1実施例
を示すものである。
図中符号1a、1bは、共通電極を示す。この共通電極
1aには共通電極1aから共通電極1aに垂直に共通7
[114Ib側に向かって伸びる励振電極2aが形成さ
れており、また共通電極1bにも同様に励振電極2b・
・が杉成されている。これらの励振電極2a および2
b・は、共通電極+a、l bの長さ方向に交互に形成
されている。
上記)(通i極1a、1bは、その長手方向中央部の幅
が最ら大きく、両末端に行くに従って幅が減少するよう
に形成されており、かつその膜厚が均一となっており、
その長手方向中央部には、それぞれリードワイヤが接続
されるワイヤポンディング部3a、3bが形成されてい
る。第1実施例におIfろ共通電極1a、1bは、対向
する而は互いに平行に形成されており、これらの而と反
対側の面において、その長さ方向中央部より両末端に至
るまで、略直線状に傾きが形成されている。
このように、共通電極1 a、 I bの長さ方向にノ
(通工極1a、1bの横断面の面積を変化させることに
より、ワイヤポンディング部3 a、 3 bからそれ
ぞれの励振7電極2a、2bまでの抵抗(♂lを変化さ
せ実質的に重み付けをしている。
本発明においては、これら電極の膜厚が1100n以ド
であることが好上しい。
また、本発明の電極構造に用いられろ+4科としては、
Δl、らしくはA l−9i、A I −S i −C
u、AI−Cu、A I −N i −Mg等の、へ1
合金が好適に用いられる。
このような電極構造を形成する方法としては、通常SA
W素子を形成4−ろ際に用いられろ方法を用いることで
3る。すなわち、まず蒸着、スパッタ等により金属膜を
成膜の後、フォトリソグラフィーやエツチングにより共
通電極1a、1bお」;び励振電極2a、2bを一括し
て形成する方法なとが用いられる。また、共通電極1 
a、 l bの厚みを変化させる場合には、さらに共通
電極の必要とされる部分に同種らしくは異なる金属を積
層して形成するなどの方法により形成することができろ
本発明の電極構造は、上述したように特にtJIIF帯
以−ヒの高周波帯域用のSAW素子に用いられた場合、
特にその効果を発揮するらのである。
(実施例2〜4) 第2図に本発明の第2実施例を、第3図に第3実施例を
、第4図に第4実施例を示4−。
この第2実施例、第3実施例および第4実施例が、上記
第1実施例と兄なるところは、共通電極la、■bの互
いに対向する側と反対側の面において、その長平方向中
央部から両末端にかけての傾斜か、第1実施例が直線で
あるのに対し、第2実施例は内側に緩やかに湾曲してお
り、第3実施例は外側に緩やかに湾曲しており、第4実
施例においては段状になっているところである。
このように、共通電極1a、11)の長さ方向に共通電
極1 a、 l 13の横断面の面積を種々変化させる
ことにより、ワイヤポンディング部3a、3bからそれ
ぞれの励振電極上での抵抗値を種々変化させろことがで
きる。
(実施例5) 本発明の第5実施例を第5図および第6図に示・j−o
 ここで、第6図は第5図のIV−IV線断面図を・j
々す。
この第5実施例が、]二記第1実施例と異なるところは
、共通7[fMi l a、 1 bの長さ方向におい
てその幅を一定とし、かつ圧電体・1上の共通型t& 
l a、1bの膜厚を異なるように形成したところにあ
る。
この実施例においては、共通電極1 a、 I bの模
りを変化さ什ろことによりワイヤホンディング部3a、
3bからそれぞれの励振電極までの抵抗値を変化さけ、
それぞれの励&電極2a、2bの励振効率を制御してい
る。
′iで1例6.7) 本発明の第6実施例を第7図に、第7実施例を第8図に
示す。
これらの実施例が上記第1実施例と異なるところは、第
6実施例においてはワイヤポンディング部3a、3bの
位置を中心からずらしたところにあり、第7実施例にお
いてはワイヤポンディング部3a、3bを各共通電極]
 a、 l bにそれぞれ二つずつ設けたところにある
本発明のSAW素子の電極構造においては、別の重み付
けを行う方法、例えばアボタイズ法等と併用することら
可能である。
「発明の効果」 以上説明したように本発明によるSAW素子の電極構造
は、ワイヤポンディング部と各励振電極との間の抵抗値
を共通電極の形状により調整することにより各励振電極
からワイヤポンディング部までの抵抗を調整できる構造
としたため、これにより各励振電極の励振効率を制御す
ることができる。
すなわち、本発明のSAW素子のTi電極構造、スプリ
アス応答を防IFする等の特性の制御を行うための・F
み付(1の方法の−っである分圧法を容易に用いること
ができろという効果を(了するものである。
【図面の簡単な説明】
第1図ないし第8図は、本発明のSAW素子の電極構晶
の実施例を示す乙ので、第1図は第1実施例を示す)[
i面図、第2図は第2実施例を示す甲面図、第3図(」
第3月施例を示す平面図、第4図は第4実施例を示すy
■=面図、第5図は第5実施例を示すり1乙面図、第6
図は第5図の矢視断面図、第7図は第6実j4例を示4
−5[へ面図、第8図は第7実施例を21.4゛宅面図
である。 よだ、第9図、第11図ないし第13図は従来のSΔW
累了の電極構造を示す乙ので、第9図はiljみ付けを
行っていない?電極構造を示−4゛平面図、第11図は
アボダイズ法により市み付けを行った電極構造を示す平
面図、第12図は間引き電極法により重み付けを行った
電極構造を示す平面図、第13図は分圧法による重み付
:」を行った電極構造を示す平面図である。第10図は
、従来の電極構造を用いたSAW素子の特性を示すグラ
フである。 共通電極、2 励振電極、 ワイヤポンディング部。

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. (1) 一組の共通電極と、この共通電極に設けられた
    ワイヤボンディング部と、上記それぞれの共通電極から
    他方の共通電極側に向かって伸びる励振電極とが形成さ
    れてなる櫛型状の弾性表面波素子の電極構造において、 上記ワイヤボンディング部と上記各励振電極との間の抵
    抗値を上記共通電極の形状により調整するようにしたこ
    とを特徴する弾性表面波素子の電極構造。
  2. (2)共通電極の幅を変化させることにより上記抵抗値
    の調整を行うことを特徴とする請求項(1)記載の弾性
    表面波素子の電極構造。
  3. (3)共通電極の肉厚を変化させることにより上記抵抗
    値の調整を行うことを特徴とする請求項(1)記載の弾
    性表面波素子の電極構造。
  4. (4)共通電極の幅と肉厚とを変化させることにより上
    記抵抗値の調整を行うことを特徴とする請求項(1)記
    載の弾性表面波素子の電極構造。
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO1996015587A1 (fr) * 1994-11-10 1996-05-23 Fujitsu Limited Filtre a ondes acoustiques
JP2007115938A (ja) * 2005-10-21 2007-05-10 Ishizuka Electronics Corp 薄膜サーミスタ
JP2010263662A (ja) * 2010-08-23 2010-11-18 Kyocera Corp 弾性表面波素子および通信装置

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