JPH03225613A - 低磁束密度のソリッドステート走査トランスジューサ - Google Patents

低磁束密度のソリッドステート走査トランスジューサ

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JPH03225613A
JPH03225613A JP2336933A JP33693390A JPH03225613A JP H03225613 A JPH03225613 A JP H03225613A JP 2336933 A JP2336933 A JP 2336933A JP 33693390 A JP33693390 A JP 33693390A JP H03225613 A JPH03225613 A JP H03225613A
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magnetic flux
flux
core
gap
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JP2336933A
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Beverley R Gooch
ビバリー・アール・グーチ
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野] 本発明は磁気トランスジューサに関し、これは、信号発
生又は利用デバイスと磁気テープ又はディスクの如き磁
気記憶媒体との間の情報伝達に用いられるものである。
特に、本発明は、ソリッドステートの走査トランスジュ
ーサに関し、この場合、トランスジューサの一部分が選
択的に活性化され、記憶媒体の個々の部分に沿う情報を
記録及び又は再生する。
[従来の技術及びその課題] 一般的に言って、本発明が属するこの型の磁気トランス
ジューサは2つの磁極の間に非磁性ギャップを持つ高透
磁率の磁性材料のコア即ち磁心を持っている。このギャ
ップがコアの中を流れる磁束のパス即ち通路を遮断し、
磁束をこのギャップからフリンジ(fringe)させ
る。一般的トランスジューサにおいては、このフリンジ
した磁束が磁気記憶媒体の中に直接カップル(coup
le)即ち結合される。当該情報による磁束の大きさ(
IIagnitude )及び又は極性の変更又は変調
(1odu l at ton)が磁気記憶媒体の磁気
双極子の方向を決定し、情報を記録する。次に、この双
極子によって作られた磁束がカップルされて、コアによ
って形成される磁束パスの中を流れ、適宜の位置に置か
れた巻線によって検出され、記録された情報を再生する
。当該情報に従って変調されたこの情報のことを“信号
磁束″ (signal f’lux )と言う。
公知の磁気トランスジューサにおいては、記憶媒体とト
ランスジューサとの間の信号磁束のカップリングかトラ
ンスジューサの幅全体に跨がって行われる。この場合、
トランスジューサの幅とは、コアと媒体との間のインタ
ーフェースに平行で、磁気コアの回りに上記ギャップを
越えて流れる磁束の方向に対して直交する寸法として規
定される。
記憶媒体上の時間と共に変化する情報を記録している間
、記憶媒体とトランスジューサとが相対的に移動する。
この相対運動が多種多様の記録フォーマットに繋がる色
々な形で行われる。あるフォーマットにおいては、テー
プの如き記憶媒体がトランスジューサの上をトランスジ
ューサの幅に対して直角の長手方向に運ばれる。このフ
ォーマットにおいては、情報がテープの長さと同軸に伸
びるトラックの中でテープに記録される。
テープに記憶される情報量を増加させる過程において、
テープに対してトランスジューサを機械的に高速で動か
し、テープの幅に跨がるギャップを走査することが良く
知られている。この様な形で情報を記録するデバイスに
おいては、トランスジューサの幅かテープの幅よりも小
さく、テープが運ばれる長手方向に対して横の方向にト
ランスジューサがテープを跨いで動かされる。
例えば、あるトランスジューサ装置においては、トラン
スジューサがテープの移動方向に対して全体的に平行な
軸の回りで回転するドラムの上に装着される。その結果
、トランスジューサがテープの長手方向に対して実質的
に直角なトラックを形成する。テープをその長手方向に
移動させると共に、このようにしてトランスジューサの
走査を繰り返すことによって、テープの幅を跨いで伸び
テープの長さに沿って次々に間隔を持った分離した平行
なトラックが作られる。
トランスジューサの横方向の走査によってテープに記憶
される情報の量が増加する一方、トランスジューサの早
い相対速度が、テープとトランスジューサとの接触と組
みあわさり、トランスジューサとテープの損耗量を増加
させる。この損耗を少なくするために、ソリッドステー
トの走査トランスジューサが開発された。トランスジュ
ーサの機械的動作の代わりに、ソリッドステートのトラ
ンスジューサは磁気及び又は電子手段を用い、信号磁束
がトランスジューサと媒体との間を運ばれるトランスジ
ューサの限定された部分の位置を選択的に制御する。公
知の装置においては、トランスジューサの一部を選択的
に飽和させる一方、そのそばに飽和されない部分を残す
制御磁束によって、この限定された部分が形成される。
この信号磁束のみがトランスジューサの未飽和の部分の
中を流れ、従って、限定された面積に限られる。本発明
においては、トランスジューサと記録媒体との間で磁束
がカップルされるこのトランスジューサの限定された範
囲のことを“信号伝達区域″と呼ぶ。制御磁束を変えて
、トランスジューサの幅に沿う飽和した部分の位置を変
えることによって、信号伝達区域がトランスジューサに
沿って走査される。この様に作動するソリッドステート
の走査トランスジューサの別のタイプのものが、例えば
、米国特許3,391,254号、3,435゜440
号、3,555,204号、及び4゜322.763号
に開示されている。
ここに列記した特許に記載されているごとく、制御磁束
が色々に用いられて、信号伝達区域の走査が行われてい
る。別の型のソリッドステート走査トランスジューサに
おいては、これらの例示した特許のものと異なり、信号
伝達区域がギャップの無い透磁性の材料体に形成される
。この材料は磁心とは異なるものである。本発明はこの
後者の型のトランスジューサに関する。この特殊な型の
ソリッドステート走査トランスジューサにおいては、磁
心に作り出される制御磁束が、非磁性ギャップによって
、記録媒体及びコアに磁気的に隣接して置かれる別個の
磁性材料体にカップルされる。
この材料体がコアのギャップをブリッジし、これを“キ
ーパ−(keeper)と呼ぶ。このキーパ−か、磁心
の非磁性ギャップによって磁心から出る磁束のパスを形
成する。信号伝達区域の走査を行うために、制御磁束が
ある勾配を持ってギャップの幅に沿って作り出される。
磁束密度の高い場所において、制御磁束がキーパ−材料
の一部分を選択的に飽和させることが出来る。キーパ−
材料のこの選択的飽和によって、信号磁束がトランスジ
ューサとキーパ一体との間を流れることの出来る区域が
限定される。
この型のトランスジューサにおいて情報の記録を行うた
めに、キーパ−の中を流れる信号磁束がキーパ−の表面
から磁気記録媒体の中にカップルされる。プレイバック
即ち録音再生の間、記録媒体から発出し、キーパ−の信
号伝達区域の限定された部分に入るこの磁束のみが信号
巻線によって検出される。
即、トランスジューサの幅全体が記録及び又は再生に用
いられると言うよりも、その幅の限定された一部分のみ
が常に情報の記録再生に用いられる。トランスジューサ
の幅に沿って制御磁束の勾配を変えることによって、キ
ーパ−の信号伝達区域の位置が変化する。このようにし
て、信号磁束がトランスジューサと記録媒体との間でカ
ップルされる位置がトランスジューサの幅に沿って電子
的に及び又は磁気的に走査され、これによって非磁性ギ
ャップに沿う位置が変えられ、記録媒体に対して情報の
伝達が行われる。
更に、この型のトランスジューサに関する情報が、国際
特許出願、名称「磁気的にトランスジュースする方法及
び装置」公開番号WO37103729、公開日18J
une1987、に見出だされる。その開示内容を参考
に説明する。この型の磁気トランスジュシング装置は、
ソリッドステートの走査トランスジューサに用いた場合
多くの利点を示もっているので、この装置を更に改良す
ることが望まれている。19の点として、磁気的飽和に
よらず、信号磁束の流れる信号伝達区域の走査を行うこ
との出来るソリッドステートの走査トランスジューサを
提供することが望まれる。
磁気的飽和を用いぬ走査トランスジューサは低磁束で作
動することが出来、従ってトランスジューサの所要パワ
ーを少なくすることが出来る。更に、信号伝達区域を形
成するために少量の磁束を用いることによって、トラン
スジューサの感度が向上する。これは、低レベルで波長
の短い情報信号は、飽和を作り出す必要のある高い制御
磁束によってスワンブアウト<swatxped Ou
t )即ち、消磁される可能性が少ないからである。
別の点として、制御磁束及び信号磁束に別々のパス、好
ましくは別個の構造体、を設け、これらの磁束がキーパ
−の信号伝達区域の部分のパスのみを横切るようにする
ことか望まれる。これらの2種類の磁束を互いに分離し
た状態に保つことによって、これらの間の相互妨害が最
小となり、更にトランスジューサの感度が向上する。
[課題を解決するための手段及びその作用]本発明の1
9の態様によれば、ソリッドステートの走査トランスジ
ューサがコアと、飽和してもしなくても良い高磁束区域
によって低磁束区域に隣接して信号伝達区域が形成され
るキーパ−材料体と、を含む。制御磁束の19のソース
がキーパ−にカップルされ、制御磁束がキーパ−に沿っ
て向き合って反対方向に流れるように差し向けられる。
この制御磁束がキーパ−にカップルされ、キーパ−のあ
る区域において、例えばコアの幅寸法方向に対してその
両端において、この反対方向を向く磁束の流れが互いに
影響を与え合わず、従って、この両方向の磁束密度が比
較的高くなるようにする。更に、制御磁束がキーパ−に
カップルされるキーパーの別の区域においては、例えば
その中央部において、反対方向を向く磁束が互いに影響
し合い、互いに相殺し合い、ここの磁束が比較的低密度
になるようにする。この範囲にゼロ域が形成される。こ
のゼロ域における制御磁束は、制御磁束が互いに反対方
向を向き影響し合わないキバーの区域におけるよりも非
常に小さい。その結果、ゼロ域の制御磁束が、隣接する
磁気記憶媒体から発する情報磁束の変化を感知すること
が出来る。従ってこのゼロ域が信号伝達区域を形成する
。反対方向に流れる制御磁束の相対比率を変化させるこ
とによって、ゼロ域の位置を磁気トランスジューサの幅
方向に沿って移動させ、信号伝達区域を動かす即ち走査
することが出来る。
本発明の別の特徴により、磁気記憶媒体からキーパ−の
信号伝達区域にカップルされる情報磁束が、公知のリン
グヘッドにおける如く磁気コアの中にカップルされるこ
とのないようにすることが出来る。この磁束はコア及び
キーパ−にリンクして作り出される基準磁束(rere
rence rlux)を変調し、この変調が時間によ
って変化する電圧信号を、コアに巻かれた信号巻線の中
に作り出し、この信号が記録された情報を表す。本発明
の好ましい実施例においては、基準磁束のこの変調が、
磁化困難軸とこれと直交する磁化容易軸とを持つ磁気的
に異方性材料からキーパ一体を形成することによって行
われている。本発明の更に別の実施例においては、変調
された基準磁束が信号伝達区域を形成する制御磁束を持
っている。この基準磁束か磁気コアに入れられ、コアか
らキーパ一体にカップルされる。基準磁束か実質的に磁
化困難軸に沿ってキーパ一体の中を流れるような向きに
、キーパ一体がコアのギャップに対して置かれる。更に
、このキーパ一体が、磁気記憶媒体からキーパ−にカッ
プルされる情報磁束が実質的に磁化容易軸に沿って流れ
るような向きに、記憶媒体に対して置かれる。磁化容易
軸に沿って流れるこの情報磁束が、キーパ−材料の磁化
困難軸に沿う透磁率を変化させる。この透磁率の変化が
キーパ−材料の磁気抵抗に対応する変化を作り出し、そ
の結果、磁化困難軸に沿って流れる基準磁束を変化させ
る。
この磁束の変化が信号巻線又はこれに類するデバイスで
検出され、このデバイスが基準磁束に磁気的にカップル
され、磁気的に記録された情報を再生する。
本発明の更に別の特徴が、その利点と共に、以下の実施
例において図面を用いて詳細に説明される。
E実施例〕 本発明及びその主旨の理解を助けるために、第1図にそ
の全体を示すトランスジューサ装置の19の実施例に就
いて説明する。図に示す実施例は、横方向トラックの磁
気テープの如き記録媒体に記憶された情報を再生するも
のである。この情報は一般的な機械的に走査するヘッド
又はソリッドステートの走査ヘッドによってテープに記
録される。
然し、本発明はこの実施例に限定されるものではなく、
各種の記憶メディア及び記録フォーマットに適用するこ
とが出来る。
第1図に示す本発明によるトランスジューサ装置の実施
例は2つのMJ=12及び14を持つコアIOを含んで
いる。このコア↑0が磁束I6の流れるパスを形成する
。非磁性ギャップI8がトランスジューサの前側の2つ
の磁極の間に設けられる。第1図に示す如く、このギャ
ップ18は2つの磁極の間に物理的に設けられた19の
ギャップである。必要ならば、このギャップをガラスの
如き非磁性材料で充填し、コア全体としての構造強度及
び一体性を強めることが出来る。この非磁性ギャップが
、公知の磁気理論によって、磁束16をギャップの位置
でコアから遠ざかる方向に流す。コアの製造を可能にす
るために、同じギャップをコアの後側の極の間に設ける
ことが出来る。
このトランスジューサ装置は又19の磁性材料体20を
含み、これが前側ギャップI8に隣接するコアの表面に
設けられる。この磁性体20がコアのギャップをブリッ
ジし、コアに発生する磁束22のパスを形成する。この
磁性体20のことを以後“キーパ−(保磁子)と呼ぶ。
このキーパ−20ハ極12及び14と直接接触させるこ
とか出来る。例えば、適宜の沈積技術によってこれを磁
極の上に形成することが出来る。或いは、ガラスの如き
非磁性材料又は空気の隙間の薄い層によってこれをコア
から分離することが出来る。この場合は、この分離層の
厚さ及び面積を選定し、ギャップ18よりも低い磁束流
への抵抗を示すようにする。
磁気テープ24の如き磁気記録媒体がコア10の反対側
のキーパ−20の上を通過する。この磁気テープ24は
特殊なオリエンテーション即ち方向を持つ磁化状態の磁
気記録情報を持っている。説明のために、唯一の磁化状
態26が第1図に示されている。
実際には、情報磁束がテープからキーパ−20ノ中にカ
ップルされる。
例えば既に公開された上述の国際出願に記載されている
キーパ−を含むトランスジューサの実施例に於いては、
テープからの情報磁束がギャップ18の1側のキーパ−
から連続パスの中に流れ、コアlOを巡り、ギャップ1
8の他の1側のキーパ−に戻り、次に、テープに戻る。
この磁束かコアの回りを流れるとき、記録された情報の
再生が公知の形で感知される。然し、本発明のトランス
ジューサに於いては、磁気テープ24からの情報磁束が
コア10の中を流れず、キーパ−20が磁気テープ24
と閉鎖回路を形成し、情報磁束を流す。キーパ−20の
中で、テープからの情報磁束の方向は、コア10からキ
ーパ−20の中にカップルされる磁束16の方向に対し
て横方向を向いている。好ましくは、これら2つの磁束
がキーパ−20の中を垂直パスに沿って流れる。
後述するごとく、キーパ−20を通る情報磁束の流れか
キーパ−のリラクタンス(reluctance)即ち
磁気抵抗を変え、コア10に流れる磁束16の大きさの
変調(1odulation)を引き起こす。この磁束
16の大きさの変調が、変調磁束とリンクする如くにコ
ア10に巻かれた信号巻線30によって感知され、コア
10の磁束16の変化によって、変化する電流又は電圧
が巻線30の中にもたらされ、この電圧又は電流か適宜
な前置増幅器32等にカップルされ、処理回路(図示無
し)に繋がり、利用デバイスによって用いられる記録媒
体から再生される情報を回収する。この代わりに、キー
パ−20の中の情報磁束の流れによってもたらされる磁
束16の変化を、例えば、ホール効果(Hat 1−e
rrect)デバイス、又はコア10の構造の中例えば
後側のギャップ19の中に設けられた磁気抵抗素子、の
如き他の適当なデバイスによって感知することが出来る
本発明の19の態様によれば、このトランスジューサ装
置か、ギャップ18の幅Wに沿い所定のロケーションを
流れる情報信号磁束に対して選択的に感応し、又ギャッ
プに沿う他のロケーションに於いては情報信号磁束に対
して感応しない、ように作られている。このことが、キ
ーパ−20の中に流される制御磁束34をトランスジュ
ーサ装置の中に作る制御コアによって達成される。本発
明のこの態様に就いて更に第2図を用いて説明する。
制御コア36が2つの磁極37.39を持ち、これらが
ギャップ】8の同じ側にあり、コア10の幅方向Wで互
いに離れている。コア36によって作られた制御磁束3
4が、第2図に示す如く、コア及びキーパ−20によっ
て与えられる複数のパスに沿って流れる。磁束の一部分
が一方の極37から他の一方の極39へ、キーパー20
を通り、第1のパスAに沿って流れる。磁束はこのパス
に沿ってギャップ18に平行な方向に流れ、コアのギャ
ップ18を横切ることが無い。他の一方の磁束がキーパ
−20の中のパスBを流れ、このパスがギャップ18を
横切る。極37及び39に対する位置によって、パスB
の制御磁束が異なった方向に且つ異なった強さでギャッ
プ18を横切って流れる。図の右上隅て極37に最も近
いキーパ−の部分に於いて、制御磁束34がギャップ1
8を横切って左から右に向かって流れ、これが図に“パ
ス1”によって示されている。図の下左隅で極39に最
も近いキーパ−20の部分に於いて、制御磁束34がギ
ャップ■8を横切って右から左に向かって流れ、これが
図に″パス2°によって示されている。トランスジュー
サの幅Wに対してキーパ−20の一番端の部分に於いて
、制御磁束の量のレベルが最も高い。ギャップ18付近
でキーパ−20の中を最も高い磁束の流れる部分が図に
斜線区域41によって示されている。これらの両極端の
間のキーパ−の中心に於いて、2つの反対方向を向く磁
束の流れが互いに妨害、即ち対抗し合い、ゼロ域42を
作り出す。このゼロ域は制御磁束の量が小さいことを特
徴としている。
このことが第2A図に示されており、この図はキーパ−
20の平面図である。この図に於いては、磁束線の密度
がその区域を流れる磁束の量を示している。詰まり、キ
ーパ−の上下の端の部分に於いて、それぞれ反対方向に
流れる磁束の量が最も大きい。この区域に於いては、一
方の方向に流れる磁束が他の方向に流れる磁束によって
影響されない。然し、キーパ−の中心に近付くに従って
、19の方向に流れる磁束が反対方向に流れる磁束によ
ってより大きく影響され、その結果のネットの磁束量が
小さくなって行く。キーパ−の中心に於いては、両方向
に流れる磁束の量が同じなので、互いに相殺し合い、磁
束の流れがゼロになる。詰まり、制御磁束のネットの量
はキーパ−の幅Wに沿って勾配を持っている。
再び第2図に戻り、このゼロ域に於いて、本トランスジ
ューサ装置はテープ24から出される情報磁束に敏感で
ある。特に、キーパ−20のゼロ域42を流れる情報磁
束はこの域を流れる比較的少量の制御磁束の大きさを変
調する。この区域を流れる情報磁束による制御磁束の大
きさの変化が信号巻線30によって検出される。然し、
ゼロ域の外側の区域に於いては、制御磁束34がテープ
24から出される磁束に対し大きさの点で少なくとも等
しい。
その結果、テープ24からの情報磁束が制御磁束に影響
しないとばかりでなく、これを容易に検出することか出
来ない。従って、ゼロ域は、テープから情報を受は取る
信号伝達区域を形成する。
多くの場合、情報は、トランスジューサに対してテープ
が送られる方向に対してほぼ直角の方向を向くトラック
で磁気テープ記録媒体の上に磁気的に蓄積される。第3
図で説明すると、このトラックが、異なる方向の磁化状
態26を持つ垂直コラムとして示されている。この方向
は機械的又はソリッドステートの走査トランスジューサ
によって記録することが出来る。第3図に示す配置の場
合、ゼロ域がトランスジューサの幅Wのほぼ中央にあり
、垂直に伸びるトラックの中央部44の磁化状態のみが
検出される。各トラックのその他の位置の磁化状態は、
ゼロ域42によって形成される信号伝達区域の外側の制
御磁束34が大きいため、検出されない。従って、ゼロ
域を形成するために制御磁束を用いることによって、こ
のトランスジューサは記憶媒体の特定のセグメントから
情報を再生することが出来る。
本発明の別の態様に於いては、信号伝達区域をそのギャ
ップの幅に沿って走査することか出来る。
再び第1及び2図によって説明すると、信号伝達区域の
この走査か、図示した実施例に於いては、走査磁束48
を作り出す走査コア46によって行われる。制御磁束3
4と同様に、走査磁束48がギャップ18の幅に対して
横方向に、キーバー20本体を横断して流れるような位
置に、この走査コア46がコア10に対して置かれる。
然し、制御磁束34と異なり、この走査コア46は走査
磁束48の全てがギャップ18を横断して同じ方向に流
れるように置かれる。これは、例えば、走査コア46の
両極をギヤノブ18の両側に置くことによって作り出す
ことが出来る。
この走査磁束の効果が第4A〜4D図に詳細に示されて
いる。第4A図はキーパ−20の面を示す平面図で、制
御磁束の2つのパスA及びBが破線で、又走査磁束のパ
スCが実線で示されている。
第4B〜4D図はキーパ−20の側面図で、磁界の勾配
が線49で重ねて示されている。磁界の勾配は走査及び
制御の磁束34.38の組み合わせのネットの結果で、
3つの図面にそれぞれ異なった走査磁束48の3つの条
件に対する勾配が示されている。
これらの線において、この合成された磁界の勾配の正の
値が、第4A図の上から下の方向(第2図では左から右
)における、トランスジューサの長さ寸法りに沿うネッ
トの磁束の流れを現し、合成された磁界の勾配の負の値
が反対方向のネットの磁束の流れを現している。第4B
図に示す特定の条件においては、コア46からの走査磁
束は存在せず、第2A図で説明した如く、制御コア34
によって作り出されるほぼ同量の制御磁束がギャップ1
8の反対方向に流れる。その結果、信号伝達区域42か
トランスジューサの幅Wのほぼ中央に位置する。
然し、コア46によって、走査磁束48が第4A図の上
から下に向かう方向に流れると、第4C図に示す如く、
これが制御磁束34に代数的に加算される。
その結果、ネットの磁束、即ち、第4A図のギャップを
越えて上から下に流れる制御と走査の組合わせ磁束が下
から上に流れる磁束のネットの量よりも大きい。この反
対方向に流れる磁束の量の相対的変化によって、信号伝
達区域が左に、即ち、低い磁束の方向に移動する。上か
ら下に向かって流れる走査磁束の量の増加により、信号
伝達区域を更に左に移動させることが出来る。反対に、
第4D図に示す如く、走査磁束4Bの極性及び又は大き
さを変化させることによって、信号伝達区域を右に移動
させることが出来る。
上述したネットの磁束の流れは、走査コア46の巻線5
0に送る電流の大きさ及び極性を制御することによって
得られ、これがギャップ18の幅Wに沿う信号伝達区域
42の位置を決定する。第1.2図に模式図的に示す如
く、巻線50にバイポーラ−・トライアングル(bip
olor trjangle)又は鋸波型の波形を用い
ることによって、信号伝達区域42かキーパ−20の幅
Wに沿って周期的に走査される。
このようにして信号伝達区域を走査することによって、
第3図に示す如く、テープ24の横断方向又は垂直方向
を向くトラック25に沿って配置された磁化状態26の
相対方向の変化を個々に検出し、テープに記録された情
報を再生することが出来る。
ゼロ域の幅Xは制御コア36によって作り出される制御
磁束34の大きさを変化させることによって制御するこ
とか出来る。このことか第5A及び5B図に示されてい
る。ゼロ域又は信号伝達区域42は、制御磁束の大きさ
Pが基準値(referenceva!ue ) Pよ
りも小さいキーパ−20の部分として規定される。一般
的に言って、P値は、テープ又はその他の記録媒体から
キーパ−にカップルされる磁束の大きさにほぼ等しい。
制御磁束の大きさがこの値より大きい場合は、キーパ−
の磁気抵抗はテープからの磁束によって影響されない、
即ち、テープの磁束の影響はより高い大きさの制御磁束
によって効果的にスワンブアウト(swamped O
ut )される。然し、制御磁束がカップルされた磁束
にほぼ等しいか又はそれ以下の大きさの場合は、即ちゼ
ロ域42においては、テープの磁束がトランスジューサ
によって検出される、これは、これがトランスジューサ
の制御磁束のパスの磁気抵抗に作用するからである。テ
ープの磁束が検出されるこの区域が信号伝達区域を規定
する。
ゼロ域42の幅Xが基準値Pの大きさと、第5A図の線
52によってあられされる制御磁束の勾配の傾斜角度と
によって決定される。制御磁束の勾配の傾斜角度は制御
コア36によって作り出される制御磁束の大きさによっ
て制御される。例えば、制御磁束34の大きさが減少す
ることによって傾斜曲線52は第5B図に示す如く “
寝て来る” その結果、制御磁束の大きさが基準値Pよ
りも小さいキーパ−の区域がキーパ−の幅Wの長い方の
部分に沿って伸び、詰まりゼロ域42が広くなる。この
結果は、長い波長を持つ記録された情報に対する感度が
要求される場合特に好ましいものである。言い換えれば
、長い波長信号に対するトランスジューサ装置の感度を
、制御磁束の大きさを小さくすることによって増加させ
ることが出来る。
逆に言えば、ゼロ域42の幅Xは制御磁束の大きさを大
きくすることによって小さくすることが出来る。これは
、情報の記録に高い書き込み密度が使用される場合に好
ましい。この様な場合、制御磁束は前側のギャップI8
に近い外側のエツジにおいて制御磁束を十分に飽和させ
ることが出来る。
然しなから、信号伝達区域の大きさが制御磁束の低密度
の位置によって決定され、又飽和とは関係ないので、キ
ーパ−のエツジが飽和しているか否かは本発明の作用に
とって余り重要では無い。
記録媒体24の中の磁化状態2Bからの情報磁束28が
制御磁束のためのパスの磁気抵抗に影響する仕方に就い
て第6〜9図を用いて説明する。本発明の19の実施例
に於いては、キーパ−20が磁気的に異方性の材料で作
られる。磁気的異方性とは、磁化が特定の方向性を持つ
磁性材料に就いて用いられる言葉である。第6図に、磁
気的に異方性の材料の特定の磁化の方向が磁化容易軸E
として、又非磁化の方向が磁化困難軸Fとして示されて
いる。一般的に、この2つの軸は直交している。
第7図に於いて、磁束が磁化容易軸に沿って流れていな
い場合は、第7図のB−H曲線図の実線54によって示
す如く、磁化困難軸が比較的高い透磁率を示す特徴があ
る。然し、磁束が磁化容易軸に沿って流れている場合は
、磁化困難軸の透磁率が、第8図に実線で示す如く、破
線で示す元の曲線54に対して変化する。特に、磁化困
難軸の透磁率は、磁束の流れる方向と関係なく、容易軸
に沿う磁束の流れに応じて減少する。各種の大きさの容
易軸の磁束に対する磁化困難軸の透磁率の例が第9図に
示されている。
第10図に於いて、本発明の19の態様に基づき、磁化
困難軸Fが、コアに沿いギャップ18を越えて流れる磁
束16の流れ方向に実質的に沿う方向を向き、又、磁化
容易軸Eが、テープからキーパ−20にカップルされる
信号磁束28の流れ方向を向く、如くに、キーパ−20
が設けられている。従って、個々の磁化状態26がキー
パ−20のゼロ域に近付く度に、この磁化状態からの信
号磁束28がキーパ−の困難軸の透磁率を下げる。透磁
率の変化する周波数は走査速度と記録された情報の波長
との関数である。キーパ−がコア10の前側のギャップ
18をブリッジするので、困難軸の透磁率の低下によっ
てゼロ域内の前側ギャップの磁気抵抗が変化する。この
磁気抵抗の変化が、テープからキーパ−にカップルされ
る磁束によって作り出されるキーパ−の困難軸の透磁率
の変化に基づき、キーパ−とコアとの間を流れる磁束1
6を変調する。磁束1Bのこの変調が信号巻線30によ
って感知され、前置増幅器32で増幅される。
本発明に於いては、コアIOとキーパ−20との間を流
れる磁束16が磁化容易軸に沿って流れる情報磁束によ
って変調されるが、この磁束IBのことを“基準磁束”
  (ref’erence f’1ux)と言う。本
発明の19の実施例に於いて、この基準磁束が、信号伝
達区域を流れる制御磁束34の一部であり、制御コア3
6によって作り出される。その結果、信号伝達区域の中
のキーパ−の透磁率が磁化容易軸に沿って流れる磁束に
応じて、信号伝達区域外の区域におけるよりも余計に変
化する。然し必要ならば、この基準磁束を別のソースに
よって作っても良い。
テープからカップルされる情報磁束がコアから横方向に
流れる磁束のパスの磁気抵抗に影響を与えるためには、
キーパ−材料が必ずしも異方性である必要が無い点を注
意すべきである。然し、異方性材料の場合、この影響は
より顕著で、従って、本発明に於いては、好ましくは異
方性材料が使用される。最も良い結果を得るためには、
キーパ−のために選ばれる材料は磁化容易軸方向に比較
的低い保磁力を持つものにすべきである。容易軸の保磁
率が低くなる程、容易軸に沿う磁束の所定量に対する困
難軸の透磁率の変化が大きくなる。その結果、基準磁束
の変調がより大きくなり、記録された情報の検出に対す
る感度が増大する。特にキーパ−に適した材料はアモル
ファスの金属で、例えば、アモルファス合金#2714
及びコバルト・ジルコン・ニオビウム合金である。後者
の合金の方が物理的に固く、従って耐磨耗性で、又スパ
ッタリングし易いので好ましい。
トランスジューサの感度は又キーパ−20を可能な限り
薄くすることによっても増大させることができる。キー
パ−の厚さが薄くなるのに従って、所定の信号磁束の流
れに対する、困難軸の透磁率により大きな変化が起こる
。更に、薄いキーパ−はエデイ−カレントが発生し難い
。好ましくは、キーパ−の厚さは約1マイクロメーター
から約3マイクロメーターの範囲である。
既に説明した如く、容易軸の磁束の作用は一方向性であ
り、記録された磁化の極性が正であるか負であるかを問
わず、これが容易軸に適用されると、困難軸の透磁率を
下げる。この現象によって、コア10及びキーパ−20
を流れる基準磁束が、テープ24の磁化状態に変化があ
る度に変調する。第11図に示す如く、キーパ−の透磁
率の変化の結果として巻線50によって作り出される出
力信号51はゼロから、記録された情報47の各サイク
ルの最大2倍まで変化する。従って、出力信号の周波数
が記録された磁化率の周波数の倍になる。
困難軸の透磁率の2方向スイングを得たいときは、キー
パ−にその磁化容易軸に沿って、即ち回磁化困難軸に沿
って流れる制御及び基準磁束に対して直角方向に、バイ
アス磁束(bias flux ) ヲキーパーに掛け
ることが出来る。第12図に示す如く、例えば、テープ
からキーパ−にカップルされる情報磁束が無い場合、永
久磁石21によってもたらされる僅かなバイアス磁束2
3がキーパ−20の透磁率を破線54から実線53に向
かって減らす。テープからの磁束がある場合は、これが
バイアス磁束と組み合わされ、透磁率をこの実線53か
らずらす。バイアス磁束23と同一方向の情報磁束がこ
れに加わり、破線55で示す如く透磁率を更に下げる。
逆に言えば、反対方向の情報磁束がバイアス磁束23に
逆作用し、透磁率を曲線54で示すもとの高い値に向か
ってずらす。この場合、出力信号51の周波数は第13
図に示す元の記録された情報信号47と同じになる。
キーパ−の幅方向に制御磁束の勾配を作り出す別の実施
例が第14から16図に示されている。
第14図において、19の磁心が1対の前側コア57.
58と1対の後側コア59.60とを持っている。
2つの前側コアがそれぞれ楔形をしており、この2つの
楔の向きがトランスジューサの幅W方向に対してそれぞ
れ反対方向を向いている。ギャップ62がこの2つのコ
アの間に形成されている。キーパ−64かこの2つの前
面コアに被さり、ギャップ62をブリッジする。このキ
ーパ−64の形状は2つの前側コアを組み合わせたとき
の形と同じである。
信号巻線66がこのギャップ62の中に置かれる。
後側コア59.60がそれぞれその回りに巻かれた制御
径線68.70を持っている。これらの制御磁束を作り
出し、この磁束が前側コア57.58を通り、又キーパ
−64を介してギャップ82に対して横断方向に流れる
。これは第1,2.及び10図の実施例の制御磁束34
と同じである。
楔形の前側コア57.58が後側コアによって作られる
制御磁束に互いに向き合った磁気抵抗の勾配を与える。
左側の前側コア57が、第14図に示す如く、トランス
ジューサの上から下に向かって増加する磁気抵抗の勾配
を示し、逆に右側の前側コアの磁気抵抗が下から上に向
かって増加している。
この磁気抵抗の勾配の作用が第15及び16図に示され
ている。第15図は、電流が右側の後側コア60のみの
制御巻線70に流された場合に作り出される制御磁束7
2を示す。制御磁束72の一部分がパスAを流れ、前側
コアのギャップ62の区域を越えない。制御磁束72の
別の部分がパスBを流れ、右から左にギャップに隣接す
る部分を越え、次にパスCに沿って元のコアに戻る。こ
の場合、ギャップの隣接部分は越えるが、方向は左から
右に向かっている。前側コア58の磁気抵抗の勾配が下
から上に向かって増加することによって、磁束が右から
左に、その反対方向におけるよりも余計に、ギヤツブを
越えて流れる。その結果、2つの反対方向を向く磁束が
互いに相殺し合う区域に作り出されるゼロ域がトランス
ジューサの上部に近付く。
楔形の左側の前側コア57が右側の前側コアと反対方向
を向いているので、左側の後側コア59によって作り出
される制御磁束76及びこの前側コアの流れが反対向き
に作用する。特に、第16図に示す如く、同量の電流が
制御巻線68と70とに共に流される場合は、ギャップ
62を越えて反対方向に流れる磁束の量がほぼ等しく、
従って、ゼロ域74がトランスジューサの幅Wのほぼ中
央になる。一方の制御巻線の電流を増加させると、及び
又は、他の一方の制御巻線の電流を減らすと、ゼロ域7
4の位置が、電流の余計流された巻線によって決定され
る方向にシフトする。従って、右側の巻線70の電流が
増やされ、左側の巻線68の電流が減らされると、第1
6図に示す例に比し、ゼロ域が上向きにシフトする。2
つの巻線の間の電流の差が増加するのに従い、ゼロ域7
4がトランスジューサの上端に近付く。
再び第10図に戻り、テープに記録された個々の磁化状
態26がキーパ−20の磁化容易軸と同じ方向を向いて
いる点に注意する必要がある。特に、第10図に示す実
施例においては、磁化容易軸がトランスジューサの幅W
の方向に伸び、トランスジューサの向きが、磁化容易軸
が磁性媒体に記録された磁化状態26と同じ方向に伸び
、これによって、テープ24からキーパ−20にカップ
ルされた磁束28がキーパ−20を介してこの方向に流
れるような、方向を向いている。従って、トランスジュ
ーサが信号伝達区域42の走査方向に流れる情報磁束に
対して敏感である。磁化状態が走査方向を向いていると
き、記録媒体即ちテープが“長手方向に磁化されている
”と言う。
第10図に示す実施例はこのフォーマットで記録された
情報の再生に特に適しているが、これに限定されるもの
ではない。第17A及び17B図に、2つの横方向を向
くトラック80.82を持つテープの一部分が示されて
いる。第17B図に示すテープの場合、磁化状態がトラ
ックの長さ方向を向いているので、情報が長手方向の磁
化によってトラック80に書き込まれる。これに反し、
第17A図に示すテープのトラック82の場合は、情報
が横方向の磁化によってトラックに書き込まれている。
言い換えると、個々の磁化状態がトラックの長さ方向に
対して水平及び横方向を向いている。
第17A図の横方向フォーマ・ソトで記録された情報に
対しては、トラックがトランスジューサのギャップ18
と一線に並んだとき、記録された磁化状態からの情報磁
束が、キーパ−を介してキーノく−の、磁化容易軸より
も、磁化困難軸に沿う方向に流れる。基準磁束の変調は
、トラ・ツクとギヤ・ノブとが一線にならんでいるとき
信頼性を持って検出されるには小さすぎるが、トラック
の端には、垂直方向のコンポーネントを持つ磁束の流れ
が存在する。特に、第17A図に破線83で示す如く、
反対方向を向く隣接して記録されたダイポール(双極子
)がそれらの間に磁束の流れを作り出す。
これらの磁束の流れがトランスジューサのギヤ、。
ブ18と一線に並んだとき、これらの磁束の流れの垂直
コンポーネントが本発明のトランスジューサ設備によっ
て検出される。言い換えると、横方向の磁化でトラック
82に記録された情報を再生するために、トラックの中
央と言うよりもトラ・ツクのエツジがトランスジューサ
の前側ギヤ・ツブ18と一線に並んだとき、テープの実
際の走査か行われる。
従って、本発明のトランスジューサ装置は、多くの一般
的機械的走査及び記録機構を持つものにおける如く、長
手方向の磁化又は横方向の磁化のいずれかによって記録
された情報の再生に使用することが出来る。
本発明によるトランスジューサ装置は情報をテブに記録
すると共にこれから情報を再生することが出来る。記録
装置として使用する場合は、キーパ−材料の磁気的異方
性がトランスジューサと記録媒体との間の情報の伝達を
行うために用いられる。主な違いは、情報磁束がキーノ
く−から記録媒体に、再生の場合の反対方向にカップル
される点である。このような磁束の流れを与えるために
、情報磁束のソースがトランスジューサ装置に組み合わ
される。好ましくは情報磁束がキーパ−の磁化容易軸に
沿って流れるように組み合わされる。
第18A及び18B図に、情報磁束を作り出す2つの別
の配置が示されている。第18A図に示す如く、信号巻
線86を持つ信号コア84がトランスジューサの主コア
10の回りに配置されている。この信号コアがトランス
ジューサの幅W方向に間隔を持って設けられた2つの極
8g、90を持ち、キーパ−20を介しその磁化容易軸
に沿って、即ち図に示す実施例の垂直方向に流れる磁束
92を作り出す。
信号コア84はコアlOの回りに配置するよりも、第1
8B図に示す如く、主コア10から離れたテープ24側
に置くことが出来る。ここでも、このコアがトランスジ
ューサの幅方向に沿って間隔を持って設けられた2つの
磁極を持ち、キーパ−を介しその容易(垂直)軸に沿っ
て流れる磁束を作り出す。この信号コアは寸法が小さく
、走査コアを置くことが少ないので、別の配置にした方
が良い場合がある この記録モードにおけるトランスジューサの作用の仕方
が第19図に示されており、この図は第18A及び18
B図に示した実施例のキーパ−20の面を示している。
説明のために、信号コア84がコア及びキーパ−の横に
置かれた形で示されている。既に説明した如く、制御コ
アからの制御磁束34がキーパ−を跨いで2つの向き合
った方向に流れ、低磁束の信号伝達区域42を作ってい
る。制御磁束がキーパ−の磁化困難軸に沿って流れる。
信号コア84からの情報磁束92がキーパ−の磁化容易
軸に沿って流れる。ゼロ域42の外側のキーパ−区域に
おいては、制御磁束の大きさが情報磁束の大きさより大
きい。その結果、情報磁束の流れがキーパ−材料の透磁
率に余り又は全く影響を持たない。然し、ゼロ域42に
おいては、制御磁束が誠に低く、磁化容易軸に沿って流
れる情報磁束92が材料の透磁率に顕著な影響を持つ。
特に、ゼロ域における透磁率が、情報磁束の可なりの部
分がキーパ−から隣接する記録媒体24にフリンジ(f
ringe)する程度まで下がり、媒体の磁化状態の方
向を決め、情報を書き込む。
従って、情報磁束の大きさを制御磁束の大きさに対して
適切に制御することを介して、低透磁率の信号伝達区域
が作り出され、情報をキーパ−からフリンジさせ、記録
媒体に磁気的にカップルされる。更に、信号伝達区域の
位置をトランスジュサの幅に沿って、例えば上述した走
査コアによって、走査し、これによって、記録媒体の幅
に跨がる各種の位置で情報を記録することが出来る。
本発明をその思想及び本質的特徴から逸脱すること無く
別の形で実施することは当該技術分野の技術者にとって
は容易である。従ってここに開示した実施例は説明のた
めに示したもので本発明がこれに限定されるものでは無
い。本発明の範囲は以上の説明より、特許請求の範囲に
示されており、この範囲に属する全ての変更はその中に
包含されるものである。
【図面の簡単な説明】
第1図は、本発明に基づき作られ且つ作動する磁気トラ
ンスジューサ装置の斜視図、 第2図は、第1図の磁気トランスジューサ装置で、トラ
ンスジューサの中を流れる制御磁束がゼロ域を形成し、
トランスジューサと記録媒体との間で情報磁束を伝達す
る仕方を説明する斜視図、第2A図は、第2図のトラン
スジューサ装置のキーパ−20の表面において、キーパ
−の中の制御磁束の流れを示す平面図、 第3図及び4A〜4D図は、第1図のトランスジューサ
装置のキーパ−において、ゼロ域がトランスジューサの
幅方向に沿って走査される状態を示す平面及び側面図、 第5A及び5B図は、第48−D図と同様に、制御磁束
の大きさが信号伝達区域の幅方向に与える影響を示す側
面図、 第6図は、磁気材料の磁化容易軸及び困難軸を説明する
模式図、 第7〜9図は、磁化容易軸の磁束が磁化困難軸の透磁率
に与える影響を示すB−H曲線図、第10図は、テープ
磁束とキーパ−の磁化軸との関係を示す斜視図、 第11図は、記録媒体に記録された信号と、媒体に記録
された情報から再生される信号と、の関係を示すグラフ
図、 第12図は、第1図のトランスジューサ装置のキーパ−
の磁化容易軸に沿って流れるべくカップルされるバイア
ス磁束の影響を示すB−H曲線図、第13図は、第12
図に示すごとくにバイアス磁束が用いられたときの、記
録された信号と、記録された情報から再生された信号と
の関係を示すグラフ図、 第14図は、ゼロ域がトランスジューサの幅に沿って走
査されるごとくにした磁気トランスジューサ装置の別の
実施例を示す斜視図、 第15及び16図は、基準磁束がトランスジューサの幅
に沿ってゼロ域の位置を決定する仕方を説明する、第1
4図を別の形で示す側面図、第17A及び17B図は、
それぞれ異なった記録情報ホーマットを持つトラックを
示すテープ記録媒体の図、 第18A及び18B図は、情報の記録に用いられる本発
明によるトランスジューサ装置の側面図、第19図は、
第18A及び18B図のトランスジューサ装置のキーパ
−が記録モードにおけるときの作用状態を示す正面図、
である。 符号の説明

Claims (20)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)磁気記録媒体からトランスジューサ装置にカップ
    ル即ち結合される情報磁束の形で書き込まれる磁気記録
    情報を再生する磁気トランスジューサ装置で、これが: その間に非磁性ギャップを持つ2つの極を含む磁心と; 上記記録媒体及び上記ギャップのそれぞれに磁気的に近
    い位置に置かれる磁性材料体であって、上記磁心と上記
    磁気材料体とが共同して磁束パスを形成する、ものと; 上記磁性材料体の上記磁束パスの中を流れる制御磁束を
    作り出す手段であって、上記制御磁束が、上記ギャップ
    に隣接する上記磁性体の中に比較的低密度の制御磁束を
    持つ第1の区域と、上記ギャップに隣接する上記磁性体
    の中にこれより高密度の制御磁束を持つ少なくとも1つ
    の区域と、を形成し、上記磁性体の中に形成された上記
    第1の区域で上記記録媒体と上記磁性体との間の情報磁
    束の結合が行われる、ものと;及び、 上記記録媒体から上記磁性体の上記第1の区域に情報磁
    束により引き起こされる上記磁束パスの磁気抵抗の変化
    を検出する手段と; を含む、磁気トランスジューサ装置。
  2. (2)上記第1の区域が上記磁性体の中に形成されて1
    つの閉鎖ループの磁束パスを形成し、上記記録媒体が、
    上記磁心を流れること無く、上記記録媒体と上記磁性体
    との間で情報磁束を結合する、請求項1記載の装置。
  3. (3)更に、上記ギャップに沿う方向における上記第1
    の区域の位置を変えるために上記制御磁束を制御する手
    段を含む、請求項1又は4記載の装置。
  4. (4)磁気記録媒体に対して磁気的に記録された情報を
    伝達する磁気トランスジューサ装置で、これが: その間に非磁性ギャップを持つ2つの極を含む磁心と、 可変透磁率を持ち磁気的に上記ギャップに隣接して置か
    れる磁性材料体で、上記磁心と上記磁性材料体とが共同
    して磁束パスを形成する、ものと;及び、 上記磁性材料体の中の磁束パスの中を流れる制御磁束を
    作り出す手段で、上記制御磁束が、上記ギャップに隣接
    して置かれた記磁性体の中に比較的低密度の制御磁束を
    持つ第1の区域と、上記磁性体の中のこれよりも高密度
    の制御磁束を持つ少なくとも1つの別の区域と、を形成
    する、ものと;を含む、磁気トランスジューサ装置。
  5. (5)上記磁性材料体が可変透磁率を形成する磁化容易
    軸と磁化困難軸とを持つ材料で作られ、一方の上記軸が
    2極の分離する方向に該当する方向を向き、上記磁束パ
    スが上記一方の軸の方向に伸びる、請求項4記載の装置
  6. (6)上記情報磁束が上記磁性体の中を流れる方向に対
    して直角の方向に、基準磁束が上記磁性体の中に流され
    る、請求項19記載の装置。
  7. (7)上記基準磁束及び上記情報磁束が実質的に垂直方
    向に上記磁性体の中を流れる、請求項6記載の装置。
  8. (8)上記基準磁束が上記制御磁束発生手段によって作
    り出され、上記磁性体の上記第1の区域の中を流れる、
    請求項19記載の装置。
  9. (9)上記磁性体が磁化容易軸と比較的高い透磁率を持
    つ磁化困難軸とを持つ磁性材料で作られ、又、上記基準
    磁束が上記磁化困難軸に実質的に沿って上記磁性体の中
    を流れる、請求項19記載の装置。
  10. (10)上記記録媒体から上記磁性体の上記第1の区域
    に結合される情報磁束が上記磁化容易軸に実施的に沿う
    方向に流れるごとくに、上記磁性材料体が上記記録媒体
    に対して置かれる、請求項9記載の装置。
  11. (11)上記磁性体の上記第1の区域が、上記制御磁束
    が上記記録媒体から結合される情報磁束の大きさとほぼ
    同等又はそれ以下の大きさを持つ上記ギャップに隣接す
    る上記磁性体の範囲から成り、又、上記第2の区域が、
    上記制御磁束の大きさが上記記録媒体から結合される情
    報磁束より大きい上記磁性体の範囲から成る、請求項1
    記載の装置。
  12. (12)上記磁性体が上記磁性体の上記第1及び第2の
    区域の間に1つの範囲を持ち、反対方向に流れる制御磁
    束の流れが互いに反抗し合って低磁束域を作り、比較的
    低密度の制御磁束を持つ上記磁性体の上記第1の区域を
    形成する、請求項14記載の装置。
  13. (13)上記制御磁束が上記低磁束域の少なくとも一部
    分において上記の2つの方向のいずれの方向にも流れな
    い、請求項12記載の装置。
  14. (14)制御磁束を作り出す上記手段が、上記磁性体に
    磁気的に結合される1対の磁極を持つ制御磁心を含み、
    上記ギャップに対して直角の第1の方向に上記の高密度
    の磁束で上記磁性体の第1の部分の中に上記磁束パスの
    中を流れる磁束を作り出し、又上記第1の方向に対して
    反対向きで上記ギャップに対して直角の第2の方向に上
    記の高密度の磁束で上記磁性体の第1の部分の中に上記
    磁束パスの中を流れる磁束を作り出し、これによって、
    比較的低密度の磁束を持つ上記磁性体の上記第1の区域
    が上記第1及び第2の部分の間に位置するごとくにする
    、請求項3記載の装置。
  15. (15)上記ギャップが上記磁性体の上記第1及び第2
    の部分において、上記磁束パスに直交する幅を持ち、又
    、上記制御磁心の磁極が上記ギャップの幅に対して平行
    の方向に互いに間隔を持って離れている、請求項14記
    載の装置。
  16. (16)上記の制御磁束調節手段が、1対の磁極を持つ
    走査磁心で、磁気的に結合されて、上記ギャップに対し
    て横向きの上記反対方向の一方の方向のみに上記磁性体
    の中を流れる磁束を作り出す、ものと、上記走査磁心に
    よって作り出される磁束の大きさと極性との少なくとも
    一方を変化させる手段と、を含む、請求項14記載の装
    置。
  17. (17)上記走査磁心の磁極がそれぞれ上記ギャップの
    両端に置かれる、請求項16記載の装置。
  18. (18)更に、上記磁束パスと電磁気的に結合される1
    つの信号巻線を含み、上記磁束パスの磁気抵抗の変化を
    検出する、請求項1又は4記載の装置。
  19. (19)更に、上記磁束パスと上記磁性体の上記磁化困
    難軸とに沿って流れる基準磁束を作り出す手段を含み、
    又、上記信号巻線が電磁気的に結合され、上記磁束パス
    の磁気抵抗の変化によってもたらされる上記基準磁束の
    変化を検出する、請求項18記載の装置。
  20. (20)更に、上記磁性材料体の上記磁化容易軸に沿っ
    て流れる磁束を作り出す信号磁心を含む、請求項5記載
    の装置。
JP2336933A 1989-12-08 1990-11-30 低磁束密度のソリッドステート走査トランスジューサ Pending JPH03225613A (ja)

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