JPH03222385A - 埋込み形半導体発光素子 - Google Patents
埋込み形半導体発光素子Info
- Publication number
- JPH03222385A JPH03222385A JP1700090A JP1700090A JPH03222385A JP H03222385 A JPH03222385 A JP H03222385A JP 1700090 A JP1700090 A JP 1700090A JP 1700090 A JP1700090 A JP 1700090A JP H03222385 A JPH03222385 A JP H03222385A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- gaas
- buried
- cladding layer
- thin layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 69
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 12
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 claims abstract description 47
- 229910000980 Aluminium gallium arsenide Inorganic materials 0.000 claims abstract description 14
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 8
- 238000005253 cladding Methods 0.000 claims description 43
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 21
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 20
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 13
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 claims description 4
- 238000000059 patterning Methods 0.000 claims description 2
- 229910000530 Gallium indium arsenide Inorganic materials 0.000 abstract description 8
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 7
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 7
- 239000007791 liquid phase Substances 0.000 description 6
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 6
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 5
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 5
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 125000005842 heteroatom Chemical group 0.000 description 3
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- WKBOTKDWSSQWDR-UHFFFAOYSA-N Bromine atom Chemical compound [Br] WKBOTKDWSSQWDR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- GDTBXPJZTBHREO-UHFFFAOYSA-N bromine Substances BrBr GDTBXPJZTBHREO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052794 bromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N methanol Substances OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 description 1
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 1
- 239000012071 phase Substances 0.000 description 1
- 238000001947 vapour-phase growth Methods 0.000 description 1
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、ＡＡＧａＡｓ、またはＡｌを含む化合物半導
体をクラッド層とする、埋込み形へテロ接合半導体レー
ザもしくは発光ダイオード等の埋込み形半導体発光素子
およびその製造方法に関し、特にＩ ｎＧａＡｓ系歪量
子井戸を活性層とする埋込み形のストライプ構造または
面発光半導体レーザ等の発光素子の特性改善および微細
構造の作製に関する、埋込み形半導体発光素子およびそ
の製造方法に関するものである。
体をクラッド層とする、埋込み形へテロ接合半導体レー
ザもしくは発光ダイオード等の埋込み形半導体発光素子
およびその製造方法に関し、特にＩ ｎＧａＡｓ系歪量
子井戸を活性層とする埋込み形のストライプ構造または
面発光半導体レーザ等の発光素子の特性改善および微細
構造の作製に関する、埋込み形半導体発光素子およびそ
の製造方法に関するものである。
ストライプ形または面発光形半導体レーザの中で、周囲
を屈折率の小さい材料で埋め込む構造を有する埋込み形
ヘテｏ（Ｂｕｒｉｅｄ Ｈｅｔｅｒｏ：ＢＨ）接合半
導体レーザは、横方向光閉し込めおよび電流閉じ込めか
完全にできるため、理想的な半導体レーザである。また
埋込み形成を液相エピタキシャル（Ｌｉｑｕｉｄ Ｐ
ｈａｓｅＥｐ ｉ ｔ ａＸｙ ： ＬＰＥ）により行
えば、メサ形成によりさらされた活性層側面の汚染層ま
たは結晶損傷層が、メルトバックにより、埋込み成長直
前に除去でき、電気的に清浄な界面を形成できるため、
側面リーク電流が少ない最も良好なりＨ半導体レーザを
作製することができる。しかしながら、大気にさらされ
たＡｌＧａＡｓ層表面にはＡｌ酸化膜を含む安定な母体
酸化膜ができ、ＡＡ組成が１５％程度以上のＡｌＧａＡ
ｓ層上にはエピタキシャル成長およびメルトバックが不
可能となる。第３図は従来の埋込み形半導体発光素子と
しての半導体レーザの模式的断面構造図であり、第３図
（ａｌはへテロ接合形成後エツチングを行なった後の構
造、第３図（ｂ）は埋込み成長後の構造を示している。
を屈折率の小さい材料で埋め込む構造を有する埋込み形
ヘテｏ（Ｂｕｒｉｅｄ Ｈｅｔｅｒｏ：ＢＨ）接合半
導体レーザは、横方向光閉し込めおよび電流閉じ込めか
完全にできるため、理想的な半導体レーザである。また
埋込み形成を液相エピタキシャル（Ｌｉｑｕｉｄ Ｐ
ｈａｓｅＥｐ ｉ ｔ ａＸｙ ： ＬＰＥ）により行
えば、メサ形成によりさらされた活性層側面の汚染層ま
たは結晶損傷層が、メルトバックにより、埋込み成長直
前に除去でき、電気的に清浄な界面を形成できるため、
側面リーク電流が少ない最も良好なりＨ半導体レーザを
作製することができる。しかしながら、大気にさらされ
たＡｌＧａＡｓ層表面にはＡｌ酸化膜を含む安定な母体
酸化膜ができ、ＡＡ組成が１５％程度以上のＡｌＧａＡ
ｓ層上にはエピタキシャル成長およびメルトバックが不
可能となる。第３図は従来の埋込み形半導体発光素子と
しての半導体レーザの模式的断面構造図であり、第３図
（ａｌはへテロ接合形成後エツチングを行なった後の構
造、第３図（ｂ）は埋込み成長後の構造を示している。
従来のＡｎＧａＡｓ系埋込み形ＤＨ半導体レし−では第
３図（ａ）に図示するように、ＧａＡＳ基板１上に、ｎ
−Ａｌ２ｏ、６ＧａＡｓクラッド層２、ＧａＡｓまたは
Ｉ ｎ Ｇ ａ Ａ Ｓ歪量子井戸などを含むアンドー
プ活性領域３、Ｉ） Ａｌｏ、５ＧａＡｓクラッド層
４、ｐ−ＧａＡｓキャップ層５からなるヘテロ接合形成
後、ＧａＡｓ基板１までエツチングを行なった後（第３
図（ａｌ）、埋込み成長はこの上から行ない、第３図（
ｂ）に示す構造を採っていた。即ち、第３図（ｂ）にお
いて６はｐ−ＡｌｘＧａ １−ｘ Ａ ｓ埋込み層、７
はｎ Ａ ｊｌ！ ｘ Ｇ ａ １−ｘＡｓ埋込み層
、８は絶縁膜、９はｐ側電極である。
３図（ａ）に図示するように、ＧａＡＳ基板１上に、ｎ
−Ａｌ２ｏ、６ＧａＡｓクラッド層２、ＧａＡｓまたは
Ｉ ｎ Ｇ ａ Ａ Ｓ歪量子井戸などを含むアンドー
プ活性領域３、Ｉ） Ａｌｏ、５ＧａＡｓクラッド層
４、ｐ−ＧａＡｓキャップ層５からなるヘテロ接合形成
後、ＧａＡｓ基板１までエツチングを行なった後（第３
図（ａｌ）、埋込み成長はこの上から行ない、第３図（
ｂ）に示す構造を採っていた。即ち、第３図（ｂ）にお
いて６はｐ−ＡｌｘＧａ １−ｘ Ａ ｓ埋込み層、７
はｎ Ａ ｊｌ！ ｘ Ｇ ａ １−ｘＡｓ埋込み層
、８は絶縁膜、９はｐ側電極である。
このため従来の埋込み形半導体レーザでは、（１）エツ
チング深さが深くなり微細幅もしくは微細径の形成が困
難である、（２）厚い埋込み成長層が必要である、（３
）基板ｌから活性層３までの距離が長くなり、埋込み層
内の電流ブロック用ｐｎ接合の位置とレーザ活性層３と
の位置関係を調整するのが困難である、なとの欠点かあ
った。このため、Ａｌ Ｇ ａ Ａ Ｓクラッド層を有
するＢＨ（埋込み形へテロ接合）半導体レーザでは、（
１）細いストライプ構造または微小径の面形半導体レー
ザができず・（２）もれ電流か大きい、（３）シきい値
電流が下からない１、（４）横方向モードの単一化が難
しい、などの欠点があった。特に基板に垂直に発振する
面発光半導体レーザでは、活性層を厚くするか、半導体
多層膜ミラーを形成するためエピタキシャル成長層が厚
くなり、この問題点が大きかった。
チング深さが深くなり微細幅もしくは微細径の形成が困
難である、（２）厚い埋込み成長層が必要である、（３
）基板ｌから活性層３までの距離が長くなり、埋込み層
内の電流ブロック用ｐｎ接合の位置とレーザ活性層３と
の位置関係を調整するのが困難である、なとの欠点かあ
った。このため、Ａｌ Ｇ ａ Ａ Ｓクラッド層を有
するＢＨ（埋込み形へテロ接合）半導体レーザでは、（
１）細いストライプ構造または微小径の面形半導体レー
ザができず・（２）もれ電流か大きい、（３）シきい値
電流が下からない１、（４）横方向モードの単一化が難
しい、などの欠点があった。特に基板に垂直に発振する
面発光半導体レーザでは、活性層を厚くするか、半導体
多層膜ミラーを形成するためエピタキシャル成長層が厚
くなり、この問題点が大きかった。
以上の従来例の問題点は埋込み形半導体レーザを例とし
て説明したが、従来の埋込み形へテロ構造を有する半導
体発光ダイオードにおいても同様の問題点を生じていた
。
て説明したが、従来の埋込み形へテロ構造を有する半導
体発光ダイオードにおいても同様の問題点を生じていた
。
本発明は上記問題点を解決するため、ＤＨ，（ダブルへ
テロ）構造の基板側のＡｌを含む化合物半導体を用いて
形成されたクラッド層の活性層近傍に、活性層の発光波
長に対し透明な、ＧａＡｓ薄層またはＡＡ濃度が１０％
以下のＡｎＧａＡｓの薄層を設け、この上に埋込み成長
を行うことにより、埋込み深さを少なくし、微細で電流
もれの少ない、かつ光閉じ込めの良いストライプ形また
は面発光形の埋込み形半導体発光素子およびその製造方
注を提供するものである。
テロ）構造の基板側のＡｌを含む化合物半導体を用いて
形成されたクラッド層の活性層近傍に、活性層の発光波
長に対し透明な、ＧａＡｓ薄層またはＡＡ濃度が１０％
以下のＡｎＧａＡｓの薄層を設け、この上に埋込み成長
を行うことにより、埋込み深さを少なくし、微細で電流
もれの少ない、かつ光閉じ込めの良いストライプ形また
は面発光形の埋込み形半導体発光素子およびその製造方
注を提供するものである。
本発明では、Ａｊ７を含む化合物半導体を用いて形成さ
れたクラッド層内の活性層近傍にＧａＡｓ薄層またはＡ
ｌ組成の少ないＡｌ！ＧａＡｓ薄層を設けた点か従来の
埋込み形半導体発光素子と異なるものである。
れたクラッド層内の活性層近傍にＧａＡｓ薄層またはＡ
ｌ組成の少ないＡｌ！ＧａＡｓ薄層を設けた点か従来の
埋込み形半導体発光素子と異なるものである。
本発明の詳細な説明すると下記に示す通りである。即ち
、本発明は、 クラッド層としてＡ７を含む化合物半導体を用い、該ク
ラッド層の活性層近傍に、導電形が該クラッド層と同一
のＧａＡｓ薄層またはＡｌ濃度か１０％以下のＡＡＧａ
Ａｓ薄層を有し、活性層の発光波長が該薄層の吸収端よ
り長いことを特徴とする埋込み形半導体発光素子として
の構成を有するものであり、更に具体的には 、Ａ （！ Ｇ ａ ＡｓもしくはＡｐを含む化合物半
導体を用いて形成されたクラッド層の活性層近傍に、導
電形か該クラッド層と同一のＧａＡｓ薄層またはＡｊ？
濃度か１０％以下のＡｊ２ＧａＡｓ薄層を有し、活性層
の発光波長か該薄層の吸収端より長いことを特徴とする
埋込み形半導体レーザとしての構成を有するものであり
、或いはまた 発光層がＩｎＧａＡｓ歪量子井戸であることを特徴とす
る埋込み形半導体レーザとしての構成を有するものであ
り、或いはまたこれらの埋込み形半導体発光素子もしく
は半導体レーザの製造方法に関するものであって、 上記薄層を基板側クラッド層内に有し、該薄層の上面ま
でメサエッチングを行なった後、液相成長７去により埋
込み形成を行なうことを特徴とする埋込み形半導体発光
素子の製造方法としての構成を有するものであり、更に
具体的には、基板上に第１の導電形のＡｌを含む化合物
半導体からなる第１のクラッド層を形成する第１の工程
と、 前記第１のクラッド層上にＧａＡｓ薄層もしくはＡｌ濃
度か１０％以下のＡｌＧａＡｓ薄層を形成する第２の工
程と、 成する第２の工程と、 前記第１のクラッド層上の薄層上に更に前記第１のクラ
ッド層と同一の層を薄く形成し第１のクラッド層内に前
記薄層を埋込み形成する第３の工程と、 前記第３の工程において形成された層上に、発光層とな
る活性領域を形成する第４の工程と、前記活性領域上に
前記第１のクラッド層とは反対の第２の導電形の化合物
半導体からなる第２のクラッド層を形成する第５の工程
と、 前記第２のクラッド層上に、前記第２のクラッド層と同
−導電形のキャップ層を形成する第６の工程と、 前記第１のクラッド層内に設けた前記薄層の上面までの
所定の深さに所定の形状にエツチングを行なう第７の工
程と、 前記露出された薄層表面上にエビタキンヤル成長により
、第２の導電形の第１の化合物半導体埋込み層と第１の
導電形の第２の化合物半導体埋込み層を少なくとも１つ
のｐｎ接合を含んで埋込み形成する第８の工程と、 前記第８の工程後継縁膜を形成し、パターニング後前記
キャップ層に対して電極を形成する第９の工程との工程
の組み合わせにより形成されることを特徴とする埋込み
形半導体発光素子の製造方法としての構成を有するもの
である。
、本発明は、 クラッド層としてＡ７を含む化合物半導体を用い、該ク
ラッド層の活性層近傍に、導電形が該クラッド層と同一
のＧａＡｓ薄層またはＡｌ濃度か１０％以下のＡＡＧａ
Ａｓ薄層を有し、活性層の発光波長が該薄層の吸収端よ
り長いことを特徴とする埋込み形半導体発光素子として
の構成を有するものであり、更に具体的には 、Ａ （！ Ｇ ａ ＡｓもしくはＡｐを含む化合物半
導体を用いて形成されたクラッド層の活性層近傍に、導
電形か該クラッド層と同一のＧａＡｓ薄層またはＡｊ？
濃度か１０％以下のＡｊ２ＧａＡｓ薄層を有し、活性層
の発光波長か該薄層の吸収端より長いことを特徴とする
埋込み形半導体レーザとしての構成を有するものであり
、或いはまた 発光層がＩｎＧａＡｓ歪量子井戸であることを特徴とす
る埋込み形半導体レーザとしての構成を有するものであ
り、或いはまたこれらの埋込み形半導体発光素子もしく
は半導体レーザの製造方法に関するものであって、 上記薄層を基板側クラッド層内に有し、該薄層の上面ま
でメサエッチングを行なった後、液相成長７去により埋
込み形成を行なうことを特徴とする埋込み形半導体発光
素子の製造方法としての構成を有するものであり、更に
具体的には、基板上に第１の導電形のＡｌを含む化合物
半導体からなる第１のクラッド層を形成する第１の工程
と、 前記第１のクラッド層上にＧａＡｓ薄層もしくはＡｌ濃
度か１０％以下のＡｌＧａＡｓ薄層を形成する第２の工
程と、 成する第２の工程と、 前記第１のクラッド層上の薄層上に更に前記第１のクラ
ッド層と同一の層を薄く形成し第１のクラッド層内に前
記薄層を埋込み形成する第３の工程と、 前記第３の工程において形成された層上に、発光層とな
る活性領域を形成する第４の工程と、前記活性領域上に
前記第１のクラッド層とは反対の第２の導電形の化合物
半導体からなる第２のクラッド層を形成する第５の工程
と、 前記第２のクラッド層上に、前記第２のクラッド層と同
−導電形のキャップ層を形成する第６の工程と、 前記第１のクラッド層内に設けた前記薄層の上面までの
所定の深さに所定の形状にエツチングを行なう第７の工
程と、 前記露出された薄層表面上にエビタキンヤル成長により
、第２の導電形の第１の化合物半導体埋込み層と第１の
導電形の第２の化合物半導体埋込み層を少なくとも１つ
のｐｎ接合を含んで埋込み形成する第８の工程と、 前記第８の工程後継縁膜を形成し、パターニング後前記
キャップ層に対して電極を形成する第９の工程との工程
の組み合わせにより形成されることを特徴とする埋込み
形半導体発光素子の製造方法としての構成を有するもの
である。
第１図は本発明の一実施例として、埋込み形半導体発光
素子としての埋込み形半導体レーザの模式的断面構造図
を示す。
素子としての埋込み形半導体レーザの模式的断面構造図
を示す。
第１図（ａ）は本発明の一実施例におけるダブルへテロ
（Ｄ Ｈ）エピタキシャル成長層を有する構造を示す。
（Ｄ Ｈ）エピタキシャル成長層を有する構造を示す。
第１図（ｂ）は埋込み成長後の構造図である。
従来と同様、ｎ−ＧａＡｓ基板１上に、ｎ−Ａｌｏ６Ｇ
ａＡｓクラッド層２、発光層がＩｎＧａＡｓ歪量子井戸
であるＧｒａｄｅｄ Ｉｎｄｅｘ （ＧＲＩＮ）構造
からなるアンドープ活性領域３、ｐ Ａｌｏ、５Ｇａ
Ａｓクラッド層４、ｐ−ＧａＡＳキャップ層５を順次形
成するが、本発明ではｎ−Ａｌａ、ｇ ＧａＡｓクラッ
ド層２内の活性層近傍にｎ−ＧａＡｓ薄層２１を挿入す
る。ここでＩｎＧａＡｓ歪層の発光波長は１μｍ前後と
し、挿入したＧａＡｓ （吸収端〜０．９μｍ）によっ
ては吸収されないようにする。これは組成比としてＩｎ
ｏ、２ＧａＡｓを用い、厚さ１００人の発光層を用いれ
ば可能である。ＧＲＩＮ構造はＡｌ組成比が活性層近傍
のＸ＝Ｏからｘ＝０．６程度までのＡｌ、Ｇ ａ ｌ−
ｘ Ａ ｓ層を傾斜的に形成したもので、全体の厚さが
０．０５μｍから０．３μｍ程度のものを形成する。
ａＡｓクラッド層２、発光層がＩｎＧａＡｓ歪量子井戸
であるＧｒａｄｅｄ Ｉｎｄｅｘ （ＧＲＩＮ）構造
からなるアンドープ活性領域３、ｐ Ａｌｏ、５Ｇａ
Ａｓクラッド層４、ｐ−ＧａＡＳキャップ層５を順次形
成するが、本発明ではｎ−Ａｌａ、ｇ ＧａＡｓクラッ
ド層２内の活性層近傍にｎ−ＧａＡｓ薄層２１を挿入す
る。ここでＩｎＧａＡｓ歪層の発光波長は１μｍ前後と
し、挿入したＧａＡｓ （吸収端〜０．９μｍ）によっ
ては吸収されないようにする。これは組成比としてＩｎ
ｏ、２ＧａＡｓを用い、厚さ１００人の発光層を用いれ
ば可能である。ＧＲＩＮ構造はＡｌ組成比が活性層近傍
のＸ＝Ｏからｘ＝０．６程度までのＡｌ、Ｇ ａ ｌ−
ｘ Ａ ｓ層を傾斜的に形成したもので、全体の厚さが
０．０５μｍから０．３μｍ程度のものを形成する。
挿入したｎ−ＧａＡｓ薄層２１は、埋込み成長用の基板
とも言うべきもので、例えば、基板側ｎＡｌｏ、５Ｇａ
Ａｓクラッド層２内でアンドープ活性層３から０．０５
μｍだけ離れた位置に厚さ０．０５μｍのｎ−ＧａＡｓ
薄層２１として挿入する。このｎ−ＧａＡｓ薄層２１の
厚みｄ、アンドープ活性層３からの距離りは、上記例の
ように、該ＧａＡｓ薄層２１内で伝搬モートが立たない
様にしておくことが望ましい。アンドープ活性層３内の
伝搬モードは当ｎ−ＧａＡｓ薄層２１内へ幾分しみだし
く上記例では光閉じ込め効率（ｃｏｎｆ ｉｎｅｍｅｎ
ｔ ｆａｃｔｏｒ）ｒは４％程度）があるが、発光波
長がＧａＡｓにより吸収されないのでロスにはならない
。もちろん、このしみだしは少なくした方が光閉じ込め
効率はよい。
とも言うべきもので、例えば、基板側ｎＡｌｏ、５Ｇａ
Ａｓクラッド層２内でアンドープ活性層３から０．０５
μｍだけ離れた位置に厚さ０．０５μｍのｎ−ＧａＡｓ
薄層２１として挿入する。このｎ−ＧａＡｓ薄層２１の
厚みｄ、アンドープ活性層３からの距離りは、上記例の
ように、該ＧａＡｓ薄層２１内で伝搬モートが立たない
様にしておくことが望ましい。アンドープ活性層３内の
伝搬モードは当ｎ−ＧａＡｓ薄層２１内へ幾分しみだし
く上記例では光閉じ込め効率（ｃｏｎｆ ｉｎｅｍｅｎ
ｔ ｆａｃｔｏｒ）ｒは４％程度）があるが、発光波
長がＧａＡｓにより吸収されないのでロスにはならない
。もちろん、このしみだしは少なくした方が光閉じ込め
効率はよい。
なおＧａＡｓの屈折率はＡｌＧａＡｓのものよりも大き
いため、このｎ−ＧａＡｓ薄層２１を設けることにより
、活性層伝搬モードの等偏屈折率Ｎ□は幾分（０，３％
程度）大きくなる。これは、横方向光閉じ込めおよび単
一モード化を行なう場合に考慮しておくべきことである
。例えば、ストライプ部のＮ□が大きくなることは、本
発明におけると同様のＧａＡｓ薄層を上部ｐＡｊ？ｏ、
６ＧａＡｓクラッド層４内に設ける場合にも同様であり
、リッジ形半導体レーザを形成したときには横方向屈折
率差が大きくとれ、横方向光閉じ込めに有利である。
いため、このｎ−ＧａＡｓ薄層２１を設けることにより
、活性層伝搬モードの等偏屈折率Ｎ□は幾分（０，３％
程度）大きくなる。これは、横方向光閉じ込めおよび単
一モード化を行なう場合に考慮しておくべきことである
。例えば、ストライプ部のＮ□が大きくなることは、本
発明におけると同様のＧａＡｓ薄層を上部ｐＡｊ？ｏ、
６ＧａＡｓクラッド層４内に設ける場合にも同様であり
、リッジ形半導体レーザを形成したときには横方向屈折
率差が大きくとれ、横方向光閉じ込めに有利である。
次に第１図ｆａ）及びｆｂ）を参照して本発明による実
施例としての埋込み形半導体発光素子の製造方法の説明
を行なう。
施例としての埋込み形半導体発光素子の製造方法の説明
を行なう。
埋込み構造の作製ではまずストライプ状にエツチングを
行なうが、そのエツチング深さは基板側ｎ−ＡｌＧａＡ
ｓクラッド層２内に設けたｎ−ＧａＡｓ薄層２１の上面
２１ａまでとする。この工程では、ＡｌＧａＡｓ選択エ
ツチング液を用いるとよい。即ち、ＡｌＧａＡｓをエツ
チングするがＧａＡｓは全くエツチングしないか、また
はそのエツチング速度がＡｌＧａＡｓに比べて小さいも
の、例えば弗酸、ブロム（Ｂｒ）−メタノール混合液、
希釈したＡＢエツチング液等を使用するとよい。弗酸の
場合には、ＧａＡｓを全くエツチングしない。もちろん
、その前段のエツチング工程としては逆にＰＡエツチン
グ液等、ＧａＡｓ選択エツチング液を併用しても良いし
、ドライエツチングにより該ＧａＡｓの直上までエツチ
ングしてもよい。エツチング後のＧａＡｓ表面２１ａは
必要ならば、エピタキシャル成長前に希塩酸などにより
さらに清浄化してもよい。
行なうが、そのエツチング深さは基板側ｎ−ＡｌＧａＡ
ｓクラッド層２内に設けたｎ−ＧａＡｓ薄層２１の上面
２１ａまでとする。この工程では、ＡｌＧａＡｓ選択エ
ツチング液を用いるとよい。即ち、ＡｌＧａＡｓをエツ
チングするがＧａＡｓは全くエツチングしないか、また
はそのエツチング速度がＡｌＧａＡｓに比べて小さいも
の、例えば弗酸、ブロム（Ｂｒ）−メタノール混合液、
希釈したＡＢエツチング液等を使用するとよい。弗酸の
場合には、ＧａＡｓを全くエツチングしない。もちろん
、その前段のエツチング工程としては逆にＰＡエツチン
グ液等、ＧａＡｓ選択エツチング液を併用しても良いし
、ドライエツチングにより該ＧａＡｓの直上までエツチ
ングしてもよい。エツチング後のＧａＡｓ表面２１ａは
必要ならば、エピタキシャル成長前に希塩酸などにより
さらに清浄化してもよい。
前記エツチング工程におけるエツチング深さは、ＧＲＩ
Ｎアンドープ活性層３を０．３μｍ、両クラッド層２及
び４の厚さを１，５μｍ、オーミック形成用ｐ−ＧａＡ
ｓキャップ層５を０゜３μｍとすると、２．１５μｍで
ある。該ｎ−ＧａＡｓ薄層２１が無＜ｎ−ＧａＡｓ基板
１までエツチングするときには従来のエツチング工程に
おけるエツチング深さは３．６μｍである。１μｍ程度
の微細な埋込み用ストライプまたはメサ径を形成すると
きには、深さの方が大きいため、ウェットエツチングの
場合の構成がり、ドライエツチングの場合の深さの制御
バラツキを考慮すると、従来の埋込み形半導体発光素子
におけるエツチング深さとしての３．６μｍの値と本発
明による埋込み形半導体発光素子における製造方法とし
てのエツチング深さ２．１５μｍの値との差は非常に大
きな違いがある。
Ｎアンドープ活性層３を０．３μｍ、両クラッド層２及
び４の厚さを１，５μｍ、オーミック形成用ｐ−ＧａＡ
ｓキャップ層５を０゜３μｍとすると、２．１５μｍで
ある。該ｎ−ＧａＡｓ薄層２１が無＜ｎ−ＧａＡｓ基板
１までエツチングするときには従来のエツチング工程に
おけるエツチング深さは３．６μｍである。１μｍ程度
の微細な埋込み用ストライプまたはメサ径を形成すると
きには、深さの方が大きいため、ウェットエツチングの
場合の構成がり、ドライエツチングの場合の深さの制御
バラツキを考慮すると、従来の埋込み形半導体発光素子
におけるエツチング深さとしての３．６μｍの値と本発
明による埋込み形半導体発光素子における製造方法とし
てのエツチング深さ２．１５μｍの値との差は非常に大
きな違いがある。
ついで、このｎ−ＧａＡｓ薄層２１を埋込み成長の基板
とみなし、この上に波相エピタキシャル成長により埋込
み成長を行なう。このとき、アンドープ活性層３までの
距離は、０．０５μｍであリ、従来の埋込み形半導体発
光素子の場合の１゜６５μｍにくらべ、非常に小さい。
とみなし、この上に波相エピタキシャル成長により埋込
み成長を行なう。このとき、アンドープ活性層３までの
距離は、０．０５μｍであリ、従来の埋込み形半導体発
光素子の場合の１゜６５μｍにくらべ、非常に小さい。
埋込み層内のｐｎ接合により埋込み部分の電流ブロック
とする場合には、このｐｎ接合のストライプ内活性層と
の位置が重要となる。このｐｎ接合の最適位置は基板が
ｎ形かｐ形か、または埋込み層６に電極をつけてこの埋
込み層の電位を直接制御するかにより異なるが、いずれ
にせよ、本発明の場合には、成長面からアンドープ活性
層３までの距離が小さいことにより、この位置の調整が
格段に容易となり、また制御性も容易である。
とする場合には、このｐｎ接合のストライプ内活性層と
の位置が重要となる。このｐｎ接合の最適位置は基板が
ｎ形かｐ形か、または埋込み層６に電極をつけてこの埋
込み層の電位を直接制御するかにより異なるが、いずれ
にせよ、本発明の場合には、成長面からアンドープ活性
層３までの距離が小さいことにより、この位置の調整が
格段に容易となり、また制御性も容易である。
ｐｎ接合の位置は活性層内にあってもクラッド層４内に
あってもまたクラッド層４と活性層３の境界近傍にあっ
てもよい。
あってもまたクラッド層４と活性層３の境界近傍にあっ
てもよい。
なお埋込み成長の際、ＧａＡｓはＡｌＧａＡｓと異なり
液相成長用のＧａ溶液によりメルトバックも可能であり
、このＧａＡｓをメルトバックした後埋込み成長させて
もよい。
液相成長用のＧａ溶液によりメルトバックも可能であり
、このＧａＡｓをメルトバックした後埋込み成長させて
もよい。
以上はクラッド内薄層としてＧａＡｓを用いた場合であ
ったが、Ａｌが１０％以下の低濃度の場合には表面の母
体酸化膜の形成が少ないため、この上にＡＡＧａＡｓの
液相（Ｌ Ｐ Ｅ）成長が可能であり、本発明の目的の
薄層として使用することができる。この場合には、活性
層としてＧａＡｓまたはＡｌ組成が０付近のＡｌＧａＡ
ｓの使用が可能である。例えば、活性層３としての発光
層をＧａＡｓとした場合には、該薄層Ａｌｏ、ｏ４Ｇａ
ＡＳとすればよい。
ったが、Ａｌが１０％以下の低濃度の場合には表面の母
体酸化膜の形成が少ないため、この上にＡＡＧａＡｓの
液相（Ｌ Ｐ Ｅ）成長が可能であり、本発明の目的の
薄層として使用することができる。この場合には、活性
層としてＧａＡｓまたはＡｌ組成が０付近のＡｌＧａＡ
ｓの使用が可能である。例えば、活性層３としての発光
層をＧａＡｓとした場合には、該薄層Ａｌｏ、ｏ４Ｇａ
ＡＳとすればよい。
第２図は本発明の他の実施例としての面発光埋込み形半
導体発光素子もしくは半導体レーザの模式的断面構造図
を図示している。２Ａおよび４Ａは半導体多層膜でなる
ｎ形、ｐ形キャビティー用ミラーで、例えば発光波長に
対し各々、λ／４厚であるＧａＡｓ、ＡｌＡｓからなる
多層膜で構成されている。従って、この場合、上記薄層
２１等は多層膜キャビティー用ミラーの一部を構成し、
その厚みはλ／４とする。発光層をＩｎＧａＡｓ歪量子
井戸としたときには発光波長は約１μｍであり、ＧａＡ
ｓ基板に対して透明であるため、ｎ−ＧａＡｓ基板１側
からレーザ出力が得られる。
導体発光素子もしくは半導体レーザの模式的断面構造図
を図示している。２Ａおよび４Ａは半導体多層膜でなる
ｎ形、ｐ形キャビティー用ミラーで、例えば発光波長に
対し各々、λ／４厚であるＧａＡｓ、ＡｌＡｓからなる
多層膜で構成されている。従って、この場合、上記薄層
２１等は多層膜キャビティー用ミラーの一部を構成し、
その厚みはλ／４とする。発光層をＩｎＧａＡｓ歪量子
井戸としたときには発光波長は約１μｍであり、ＧａＡ
ｓ基板に対して透明であるため、ｎ−ＧａＡｓ基板１側
からレーザ出力が得られる。
面発光レーザダイオード（Ｌ Ｄ）の場合、キャビティ
ー長はエピタキシャル層の厚さで決まっており、発光サ
イズ、従って動作電流はメサ径で決まる。従って、原理
的には、径を小さくするほど発振しきい値は下がるが、
実際には、径を小さくするほど活性層側面でのリーク電
流（非発光電流）の影響が大きくなり、従来の面発光半
導体レーザのしきい値は、１ｍＡ止まりであった。本発
明の面発光埋込み形半導体レーザでは、１μｍ程度の微
細径でかつ活性層側面が電気的に清浄なため、しきい値
１００μＡ以下の半導体レーザが実現できる。面形レー
ザダイオード（ＬＤ）は、多数の素子を２次元配置した
光集積回路の構成として使用されることか多いため、低
しきい値でかつ特性をそろえることが要求されるが、低
しきい値に加え、メサ高さか低いため特性のそろった素
子を提供することかできる。
ー長はエピタキシャル層の厚さで決まっており、発光サ
イズ、従って動作電流はメサ径で決まる。従って、原理
的には、径を小さくするほど発振しきい値は下がるが、
実際には、径を小さくするほど活性層側面でのリーク電
流（非発光電流）の影響が大きくなり、従来の面発光半
導体レーザのしきい値は、１ｍＡ止まりであった。本発
明の面発光埋込み形半導体レーザでは、１μｍ程度の微
細径でかつ活性層側面が電気的に清浄なため、しきい値
１００μＡ以下の半導体レーザが実現できる。面形レー
ザダイオード（ＬＤ）は、多数の素子を２次元配置した
光集積回路の構成として使用されることか多いため、低
しきい値でかつ特性をそろえることが要求されるが、低
しきい値に加え、メサ高さか低いため特性のそろった素
子を提供することかできる。
上記第１図及び第２図に図示された実施例では、半導体
発光素子としてダブルへテロ接合（ＤＨ）形のストライ
プ形または面発光形半導体レーザの場合について主とし
て説明したが、ＤＨ形形光光ダイオードＬｉｇｈｔ
Ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｄｉｏｄｅ：ＬＥＤ）でも同様に
適用することができる。
発光素子としてダブルへテロ接合（ＤＨ）形のストライ
プ形または面発光形半導体レーザの場合について主とし
て説明したが、ＤＨ形形光光ダイオードＬｉｇｈｔ
Ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｄｉｏｄｅ：ＬＥＤ）でも同様に
適用することができる。
また本発明において埋込み成長を液相成長（Ｌ・ＰＥ）
で行なう場合に効果が大きいことは上述したが、ＭＯＣ
ＶＤなどの気相成長で埋込む場合も、前記薄層が埋込み
用の良好な基板表面を提供し、エピタキシャル成長層の
結晶性を改善できる点で同様に効果がある。また発光成
長についても、Ｇａ Ｉ ｎＰ／ＡｌＧａ Ｉ ｎＰ系
可視光半導体レーザなと、クラッド層としてＡｌＧａＡ
ｓさらにはＡｌを含む化合物半導体を用いるものならす
べて適用できる。
で行なう場合に効果が大きいことは上述したが、ＭＯＣ
ＶＤなどの気相成長で埋込む場合も、前記薄層が埋込み
用の良好な基板表面を提供し、エピタキシャル成長層の
結晶性を改善できる点で同様に効果がある。また発光成
長についても、Ｇａ Ｉ ｎＰ／ＡｌＧａ Ｉ ｎＰ系
可視光半導体レーザなと、クラッド層としてＡｌＧａＡ
ｓさらにはＡｌを含む化合物半導体を用いるものならす
べて適用できる。
更にまた上記実施例においてｐ形、ｎ形の導電性を全く
反対とした構造でもよいことはもちろんである。即ち、
実施例では基板側をｎ形としたがｐ形として形成し、他
の領域の導電形を反対に形成してもよいことはもちろん
である。
反対とした構造でもよいことはもちろんである。即ち、
実施例では基板側をｎ形としたがｐ形として形成し、他
の領域の導電形を反対に形成してもよいことはもちろん
である。
基板側Ａｊ２ＧａＡｓクラッド層内に、ＧａＡｓもしく
はＡｊ？、Ｇａ、Ａｓ （ｘ≦０．１）薄層を導入した
ことにより、埋込みへテロ接合（Ｂ Ｈ）エピタキシャ
ル基板が形成され、発光波長に対して透明であり、かつ
例えば、ストライプ型の場合にはモートの伝搬モートが
立たないような条件に形成することで、埋込みへテロ接
合（ＢＨ）の深さを小さく形成でき、ストライプ型の場
合にはストライプ幅を微細に、面型の場合には微小パタ
ーンかできるためドツトのサイズを小さくできるという
利点がある。このため、しきい値電流を下げることがで
き、しかも光の閉じ込め効率も良好となり、微細化され
た半導体発光素子もしくは光集積回路用埋込み形半導体
レーザ等が形成できるという利点かある。ま゛た前述の
如く、活性層伝搬モードの等偏屈折率Ｎ。９の調整も容
易であり効果的である。
はＡｊ？、Ｇａ、Ａｓ （ｘ≦０．１）薄層を導入した
ことにより、埋込みへテロ接合（Ｂ Ｈ）エピタキシャ
ル基板が形成され、発光波長に対して透明であり、かつ
例えば、ストライプ型の場合にはモートの伝搬モートが
立たないような条件に形成することで、埋込みへテロ接
合（ＢＨ）の深さを小さく形成でき、ストライプ型の場
合にはストライプ幅を微細に、面型の場合には微小パタ
ーンかできるためドツトのサイズを小さくできるという
利点がある。このため、しきい値電流を下げることがで
き、しかも光の閉じ込め効率も良好となり、微細化され
た半導体発光素子もしくは光集積回路用埋込み形半導体
レーザ等が形成できるという利点かある。ま゛た前述の
如く、活性層伝搬モードの等偏屈折率Ｎ。９の調整も容
易であり効果的である。
また埋込みエピタキシャル成長層として液相埋込みエピ
タキシャル成長を用いることかできメサ形成によりさら
された活性層側面の汚染層または結晶損傷層かＧａＡｓ
の場合特にＧａのメルトバックにより埋込み成長直前に
除去でき、電気的に清浄な界面を形成できるため上記の
如く浅く形成できるとともにさらに側面リーク電流の少
ない良好な埋込み形半導体発光素子が形成できる。
タキシャル成長を用いることかできメサ形成によりさら
された活性層側面の汚染層または結晶損傷層かＧａＡｓ
の場合特にＧａのメルトバックにより埋込み成長直前に
除去でき、電気的に清浄な界面を形成できるため上記の
如く浅く形成できるとともにさらに側面リーク電流の少
ない良好な埋込み形半導体発光素子が形成できる。
また発光素子としてはストライブ形にも面形にも形成す
ることができ、本発明による埋込み形半導体発光素子お
よびその製造方法は両方ともに適用できるという利点も
ある。
ることができ、本発明による埋込み形半導体発光素子お
よびその製造方法は両方ともに適用できるという利点も
ある。
第１図は本発明の一実施例としての埋込み形半導体発光
素子の模式的断面構造図、第２図は本発明の他の実施例
としての面発光埋込み形半導体発光素子（レーザ）の模
式的断面構造図であり、第３図は従来の埋込み形半導体
レーザの模式的断面構造図である。 １− ｎ −Ｇ ａ Ａｓ基板、２ □・・ｎ Ａ
１２ ｘ Ｇ ａ ＋−ｘＡｓクラッド層（ｘ ＞ ０
、 ３ ） 、２１− ｎ −Ｇ ａＡｓまたはｎ
Ａ ４２ ｘ Ｇ ａ ＋−ｘ Ａ ｓ薄層（Ｘ≦０
゜１） 、３＝−Ａｌｘ Ｇａｐ−、Ａｓ （０
≦ｘ＜０． １）またはＩ ｎＧａＡｓ歪量子井戸を発
光層とするＧＲＩＮ形または通常のレーザ活性層、４・
・・ｐＡ ｊｌ’ ｘ Ｇ ａ Ｉ−ｘ Ａ Ｓクラッ
ド層（ｘ＞０．３）、５−＝ ｐ −Ｇ ａ Ａ ｓキ
ャラプ層、６・−ｐ−Ａｊ２．Ｇａ１−ｘＡｓ埋込み層
、Ｔ−＝ｎ−Ａｎｔ Ｇａ１−ｘ ＡＳ埋込み層、８・
・・絶縁膜、９・・・ｐ側電極、２Ａ・・・ｎ形半導体
多層膜キャビティー用ミラー ４Ａ°゛。
素子の模式的断面構造図、第２図は本発明の他の実施例
としての面発光埋込み形半導体発光素子（レーザ）の模
式的断面構造図であり、第３図は従来の埋込み形半導体
レーザの模式的断面構造図である。 １− ｎ −Ｇ ａ Ａｓ基板、２ □・・ｎ Ａ
１２ ｘ Ｇ ａ ＋−ｘＡｓクラッド層（ｘ ＞ ０
、 ３ ） 、２１− ｎ −Ｇ ａＡｓまたはｎ
Ａ ４２ ｘ Ｇ ａ ＋−ｘ Ａ ｓ薄層（Ｘ≦０
゜１） 、３＝−Ａｌｘ Ｇａｐ−、Ａｓ （０
≦ｘ＜０． １）またはＩ ｎＧａＡｓ歪量子井戸を発
光層とするＧＲＩＮ形または通常のレーザ活性層、４・
・・ｐＡ ｊｌ’ ｘ Ｇ ａ Ｉ−ｘ Ａ Ｓクラッ
ド層（ｘ＞０．３）、５−＝ ｐ −Ｇ ａ Ａ ｓキ
ャラプ層、６・−ｐ−Ａｊ２．Ｇａ１−ｘＡｓ埋込み層
、Ｔ−＝ｎ−Ａｎｔ Ｇａ１−ｘ ＡＳ埋込み層、８・
・・絶縁膜、９・・・ｐ側電極、２Ａ・・・ｎ形半導体
多層膜キャビティー用ミラー ４Ａ°゛。
Claims (2)
- （１）クラッド層としてＡｌを含む化合物半導体を用い
、該クラッド層の活性層近傍に、導電形が該クラッド層
と同一のＧａＡｓ薄層またはＡｌ濃度が１０％以下のＡ
ｌＧａＡｓ薄層を有し、活性層の発光波長が該薄層の吸
収端より長いことを特徴とする埋込み形半導体発光素子
。 - （２）基板上に第１の導電形のＡｌを含む化合物半導体
からなる第１のクラッド層を形成する第１の工程と、 前記第１のクラッド層上にＧａＡｓ薄層もしくはＡｌ濃
度が１０％以下のＡｌＧａＡｓ薄層を形成する第２の工
程と、 前記第１のクラッド層上の薄層上に更に前記第１のクラ
ッド層と同一の層を薄く形成し第１のクラッド層内に前
記薄層を埋込み形成する第３の工程と、 前記第３の工程において形成された層上に、発光層とな
る活性領域を形成する第４の工程と、前記活性領域上に
前記第１のクラッド層とは反対の第２の導電形の化合物
半導体からなる第２のクラッド層を形成する第５の工程
と、前記第２のクラッド層上に、前記第２のクラッド層
と同一導電形のキャップ層を形成する第６の工程と、前
記第１のクラッド層内に設けた前記薄層の上面までの所
定の深さに所定の形状にエッチングを行なう第７の工程
と、 前記露出された薄層表面上にエピタキシャル成長により
、第２の導電形の第１の化合物半導体埋込み層と第１の
導電形の第２の化合物半導体埋込み層を少なくとも１つ
のｐｎ接合を含んで埋込み形成する第８の工程と、 前記第８の工程後絶縁膜を形成し、パターニング後前記
キャップ層に対して電極を形成する第９の工程との工程
の組み合わせにより形成されることを特徴とする埋込み
形半導体発光素子の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2017000A JP2814124B2 (ja) | 1990-01-27 | 1990-01-27 | 埋込み形半導体発光素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2017000A JP2814124B2 (ja) | 1990-01-27 | 1990-01-27 | 埋込み形半導体発光素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03222385A true JPH03222385A (ja) | 1991-10-01 |
| JP2814124B2 JP2814124B2 (ja) | 1998-10-22 |
Family
ID=11931739
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2017000A Expired - Lifetime JP2814124B2 (ja) | 1990-01-27 | 1990-01-27 | 埋込み形半導体発光素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2814124B2 (ja) |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6220392A (ja) * | 1985-07-18 | 1987-01-28 | Sharp Corp | 半導体レ−ザ素子 |
| JP3092065U (ja) * | 2002-08-12 | 2003-02-28 | 株式会社ギガ | 静電気除去マット |
-
1990
- 1990-01-27 JP JP2017000A patent/JP2814124B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6220392A (ja) * | 1985-07-18 | 1987-01-28 | Sharp Corp | 半導体レ−ザ素子 |
| JP3092065U (ja) * | 2002-08-12 | 2003-02-28 | 株式会社ギガ | 静電気除去マット |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2814124B2 (ja) | 1998-10-22 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5604764A (en) | Semiconductor laser | |
| JPH0766994B2 (ja) | 半導体レーザ素子 | |
| US4958202A (en) | Semiconductor light-emitting device and method of manufacturing the same | |
| JPH07162086A (ja) | 半導体レーザの製造方法 | |
| JPH0243351B2 (ja) | ||
| US4602371A (en) | High output semiconductor laser device utilizing a mesa-stripe optical confinement region | |
| JPH05259574A (ja) | 半導体レーザ装置及びその製造方法 | |
| JP2001057459A (ja) | 半導体レーザ | |
| JP2679974B2 (ja) | 半導体レーザ装置 | |
| JP3108183B2 (ja) | 半導体レーザ素子とその製造方法 | |
| JPH03222385A (ja) | 埋込み形半導体発光素子 | |
| JP4164248B2 (ja) | 半導体素子及びその製造方法、及び半導体光装置 | |
| JP3652454B2 (ja) | 半導体レーザ及びその製造方法 | |
| JP2536044B2 (ja) | 半導体レ−ザ装置 | |
| JPH03104292A (ja) | 半導体レーザ | |
| JPH0437598B2 (ja) | ||
| JP2822195B2 (ja) | 半導体レーザーの製造方法 | |
| JPH0513866A (ja) | 半導体発光素子 | |
| JP2973215B2 (ja) | 半導体レーザ装置 | |
| JPS60132381A (ja) | 半導体レ−ザ装置 | |
| JPH07235725A (ja) | 半導体レーザ素子およびその製造方法 | |
| JP2001077466A (ja) | 半導体レーザ | |
| JP2605478B2 (ja) | 半導体レーザ装置の製造方法 | |
| JP2716717B2 (ja) | 半導体レーザ素子 | |
| JP2940185B2 (ja) | 埋め込み型半導体レーザ |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20070814 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080814 Year of fee payment: 10 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080814 Year of fee payment: 10 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090814 Year of fee payment: 11 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090814 Year of fee payment: 11 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100814 Year of fee payment: 12 |
|
| EXPY | Cancellation because of completion of term | ||
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100814 Year of fee payment: 12 |