JPH03222330A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
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- JPH03222330A JPH03222330A JP1695890A JP1695890A JPH03222330A JP H03222330 A JPH03222330 A JP H03222330A JP 1695890 A JP1695890 A JP 1695890A JP 1695890 A JP1695890 A JP 1695890A JP H03222330 A JPH03222330 A JP H03222330A
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- electrode
- photoresist
- electrodes
- insulating film
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Links
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 4
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 abstract description 23
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- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 abstract description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 abstract 2
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Landscapes
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分！！？）
この発明は電流容量の大きな電極を選択的に形成した半
導体装置に関するものである。
導体装置に関するものである。
〔従来の技術］
第２ ［Ｙ： （ａｌ 、 ｉｂ）は従来の半導体装置
ｙｃおける電極の形成工程を示す断面図で、恥において
、１は半導体基板、２（スめっきド地金噛、３はホトレ
ジスト、４（１電極間孔部、５は電極である。
ｙｃおける電極の形成工程を示す断面図で、恥において
、１は半導体基板、２（スめっきド地金噛、３はホトレ
ジスト、４（１電極間孔部、５は電極である。
次に製造工程について説明する。
ます、第２ｆｋｆｉａ）に示すように、半導体基板１を
所定の深さ０凹凸状にエツチングした後、その上にめっ
き下地金属２を形成し、さらにその上にホトレジスト３
を塗布し、露光、現像により電極開孔部４を形成する。
所定の深さ０凹凸状にエツチングした後、その上にめっ
き下地金属２を形成し、さらにその上にホトレジスト３
を塗布し、露光、現像により電極開孔部４を形成する。
次に、！気めっきにより電極５を形成する。ついで、第
２図（ｂｌに示すように、ホトレジスト３を除去し、さ
らにホトレジスト３の下のめっき下地金属２をエツチン
グ除去することによって複数の電極５が形成される。
２図（ｂｌに示すように、ホトレジスト３を除去し、さ
らにホトレジスト３の下のめっき下地金属２をエツチン
グ除去することによって複数の電極５が形成される。
従来の電極構造は以上のように構成されていたので、微
細パターンのためホトレジストを厚くできす、電極厚を
大きくすることができない。したがって、電流容１不足
となり、信頼性の低下および電極破壊を招くなどの問題
点かあった。
細パターンのためホトレジストを厚くできす、電極厚を
大きくすることができない。したがって、電流容１不足
となり、信頼性の低下および電極破壊を招くなどの問題
点かあった。
この発明は上記のような問題点を解決するためになされ
たもので、選択的に電極厚を大きくかつ電極幅を大きく
して電流容量を増大した半導体装置を得ることを目的と
する。
たもので、選択的に電極厚を大きくかつ電極幅を大きく
して電流容量を増大した半導体装置を得ることを目的と
する。
〔課題を解決するための手段１
この発明に係る半導体装置は、複数の電極の内、電流容
量の大きな電極上に選択的に第２電極を形成したもので
ある。
量の大きな電極上に選択的に第２電極を形成したもので
ある。
この発明における第２電極は、半導体装置の電極の厚み
、幅を選択的に大きくしたので、その電極の電流容量が
大きくなる。
、幅を選択的に大きくしたので、その電極の電流容量が
大きくなる。
〔実施Ｚ＋ １
以下、この発明の一実施例を図について説明する。
第１［＆１（ａ）〜（ｅｌは（の発明の一実施例である
半導体装置の電極の形成工程を不す断面図である。
半導体装置の電極の形成工程を不す断面図である。
図中前記従来のものと同一符号は１川一部分をボす。図
にお０て、６は絶縁膜、７は第２ホトレジスト、８は第
２電極開孔部、９は第３ホトレジスト、１ｏｉ１第２電
極をホす。
にお０て、６は絶縁膜、７は第２ホトレジスト、８は第
２電極開孔部、９は第３ホトレジスト、１ｏｉ１第２電
極をホす。
なお、この実施例では、３を第１ホトレジスト、４を第
１電極間孔部、５を第１電極という。
１電極間孔部、５を第１電極という。
次に製造工程について説明する。
ます、第１＆１（ａ）に示すように、半導体基板１の上
に前記従来のものと同様にめっき下地金属２を形成し、
その上に第１ホトレジスト３を塗布し、露光、現像によ
り第１電極間孔部４を形成した後、電気めっきにより第
１電極５を形成する。次に第１図（ｂ）に示すように、
第１ホトレジスト３を除去し、さらに第１ホトレジスト
３の下のめっき下地金＠２を除去し、全面に絶縁膜６を
形成する。
に前記従来のものと同様にめっき下地金属２を形成し、
その上に第１ホトレジスト３を塗布し、露光、現像によ
り第１電極間孔部４を形成した後、電気めっきにより第
１電極５を形成する。次に第１図（ｂ）に示すように、
第１ホトレジスト３を除去し、さらに第１ホトレジスト
３の下のめっき下地金＠２を除去し、全面に絶縁膜６を
形成する。
次に第１図（ｃ）に示すように、ＩＰ！、縁膜６上に第
２ホトレジスト７を壁布し、露光、現像によりパターニ
ングした後、第２ホトレジスト７をマスクとして絶縁膜
６をテーパエツチングし、第２電極開孔部８を形成する
。次に、第３ホトレジスト９を塗布し、露光、現像によ
りパターニングし、次に第２電極材料１０′を全面に蒸
看した後、第３ホトレジスト９上の不要な第２を極材料
１０′を第３ホトレジスト９とともに除去し、第１［ｇ
ｌ（ｅ）に示すように、第１電極５上および第１電極５
間の絶縁膜６上に選択的に第２電極１０を形成する。
２ホトレジスト７を壁布し、露光、現像によりパターニ
ングした後、第２ホトレジスト７をマスクとして絶縁膜
６をテーパエツチングし、第２電極開孔部８を形成する
。次に、第３ホトレジスト９を塗布し、露光、現像によ
りパターニングし、次に第２電極材料１０′を全面に蒸
看した後、第３ホトレジスト９上の不要な第２を極材料
１０′を第３ホトレジスト９とともに除去し、第１［ｇ
ｌ（ｅ）に示すように、第１電極５上および第１電極５
間の絶縁膜６上に選択的に第２電極１０を形成する。
上記のようにこの実施例の半導体装置では、電極形成を
電気めっき法と蒸着法の２回にわけて行ったので、電極
厚を従来の２倍にてき、また、大きな電流容量の必要な
電極のみに幅広く選択的に第２電極を形成できるので、
微細パターンで、かつ電流容量か大きい電極構造となり
、信頼性の高い半導体装置か得られる。
電気めっき法と蒸着法の２回にわけて行ったので、電極
厚を従来の２倍にてき、また、大きな電流容量の必要な
電極のみに幅広く選択的に第２電極を形成できるので、
微細パターンで、かつ電流容量か大きい電極構造となり
、信頼性の高い半導体装置か得られる。
〔発明の効果１
以上のようにこの発明によれば、半導体装置に形成され
た複数の電極の内、大きな電流容量の必要な電極の電極
厚を選択的に厚くし、かつ幅を広くしたので、電流容量
が大きく取れ、かつ信頼性の高い高性能の半導体装置か
碍られる効果かある。
た複数の電極の内、大きな電流容量の必要な電極の電極
厚を選択的に厚くし、かつ幅を広くしたので、電流容量
が大きく取れ、かつ信頼性の高い高性能の半導体装置か
碍られる効果かある。
第１ ｐｉ ｔａｌ〜（ｅｌ Ｉｔこの発明の一実施’
ｒｆｉＪによる半導体装置の製造方法を示す工程断面図
、第２区４（ａ） （ｂｌ（ユ従来の牛均体装置ｄの製
造方法を示す工程断面図である。 図において、１は半導体基板、２はめつき下地金属、５
（４第１電柿、６は絶縁膜、１０は第２電極である。 なお、図中、（６］−符号は同一、または相当部分を示
す。
ｒｆｉＪによる半導体装置の製造方法を示す工程断面図
、第２区４（ａ） （ｂｌ（ユ従来の牛均体装置ｄの製
造方法を示す工程断面図である。 図において、１は半導体基板、２はめつき下地金属、５
（４第１電柿、６は絶縁膜、１０は第２電極である。 なお、図中、（６］−符号は同一、または相当部分を示
す。
Claims (1)
- 半導体基板上に微細パターンの電極が複数個形成された
半導体装置において、前記電極の内、電流容量の大きな
電極上に選択的に第２電極を形成したことを特徴とする
半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1695890A JPH03222330A (ja) | 1990-01-26 | 1990-01-26 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1695890A JPH03222330A (ja) | 1990-01-26 | 1990-01-26 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03222330A true JPH03222330A (ja) | 1991-10-01 |
Family
ID=11930621
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1695890A Pending JPH03222330A (ja) | 1990-01-26 | 1990-01-26 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03222330A (ja) |
-
1990
- 1990-01-26 JP JP1695890A patent/JPH03222330A/ja active Pending
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