JPH03215917A - 積層型ｌｃノイズフィルタ及びその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は積層型ＬＣ素子、特に複数の絶縁層が積層され
た積層体内にインダクタ導体、キャパシタ導体からなる
ＬＣの分布定数的回路を形成した分布定数型積層ＬＣ素
子に関する。

［従来の技術］ 近年の電子技術の発達に伴い、電子回路は各種分野にお
いて幅広く用いられており、従って、これら各電子回路
を、外部からのノイズの影響を受けることなく安定して
確実に作動させることが望まれる。

特に、近年では各種高性能の電子機器を多数使用してい
るため、ノイズに対する規制も益々激しくなっている。

このため、発生するノイズを確実に除去することができ
る小型でしかも高性能なノイズフィルタの開発が望まれ
る。

しかし、従来のＬＣノイズフィルタは、第１６６ 図に示すよう、コア１０に２絹の巻線１２　］４を巻回
し、これら巻線１２．１４の両端にコンデンサ１．６．
１８をそれぞれ平行に接続して形成されていた。

従って、インダクタを構成するコア１０および巻線１２
，１．４の部分が大きくなり、しかもインダクタとコン
デンサ１．６．１−８とが別部材で構成されているため
、フィルタ全体が大きくなってしまい、小型軽量化とい
う要求品質を満足てきないという問題があった。

このような問題を解決するため、特開昭５６−５０５０
７号，特開昭５６−１４４５２４号，特開昭５６−１４
２６２２号特開昭１｛３−７６３１３号にかかる提案が
行われている。

この従来技術、例えば特開昭５６−５０５０７号にかか
る複合電了部品では、第１７図に示すよう、複数の絶縁
体層２０ａ，２０ｂ，２０ｃ・・を積層することにより
積層体を形成する。そして、前記各絶縁体層２０ａ．２
０ｂ・・・の層間に、１つの層間から次の層間へと連続
して周回する導電パターン２２ａ，２２ｂ，２２ｃを設
け、これにより所定のターン数のコイルＬを形成する。

また、前記絶縁体層２　０　ａ　，　　２　０　ｂ　，
　　２　０　ｃ　−の層間に、前記周回導電パターン２
２ａ　　２２ｃと間隔をあけて導電層２４ａ．２４ｂを
配置し、これら導電層２４ａ　　２４ｂと導電パターン
２２ａ，２２ｃとの間にキャパシタンスＣを形成する。

これにより、第１８図に示ずようＬおよびＣからなる集
中定数型のノイスフィルタを得ることができる。

さらに、この従来技術では、ＬおよびＣが積層体内に組
込まれているため、小型で軽量なＬＣノイズフィルタと
して用いることができる。

［発明が解決しようとする課題コ ■　しかし、このＬＣフィルタは、キャパシタンスを形
成する導電層２４ａ，２４ｃが、コイルを形成する導電
パターンの１部にしか隣接していない。従って、このＬ
Ｃフィルタは、第１８図に示すよう集中定数型のＬＣ回
路として機能してしまい、しかもコイルと導電層２４と
の間のキャパシタンスＣが小さいため、各種ノイズ、特
にスイッチングザージ等のコモンモードノイズや、リッ
プル分等のノーマルモードノイズを確実に除去できない
という問題があった。

■　また、このＬＣフィルタは、各絶縁体層２０ａ，２
０ｂ，２０ｃ−の層間て、導電パターン２２ａ，２２ｃ
を半ターンしか周回させていない。このため、積層体の
限られた空間内では、充分なターン数（充分なインダク
タンス）をもったコイルを得ることができず、良好な減
衰特性を得ることかできないという問題があった。

本発明は、このような従来の課題に鑑みてなされたもの
であり、その目的は、積層体の限られた空間内で十分大
きなインダクタンスおよびキャパシタンスを有し、しか
も侵入するノイズを確実に除去することができる小型の
積層型ＬＣ素子を提供することにある。

［課題を解決するだめの手段］ 前記目的を達成するため、本発明の積層型ＬＣ素子は、 複数の絶縁層が積層された積層体と、 ９ 前記絶縁層の層間にスパイラル導体を設け、各層間に設
けられたスパイラル導体を、１の層間から他の層間にか
けて同方向に周回するよう連続して接続し所定ターン数
のコイルを形成するインダクタ導体と、 前記絶縁層の層間に、前記スパイラル導体と絶縁層を介
して相対向するよう設けられ、前記インダクタ導体との
間にキャパシタンスを形成するキャパシタ導体と、 を含み、 前記インダクタ導体は、その両端に入出力端子が設けら
れ、 前記キャパシタ導体は、複数の分割され、各分割区間は
、接地された分割接地導体として形成されたことを特徴
とする。

［作　用］ 次に本発明の作用を説明する。

本発明のＬＣ素子は、例えば第１図，第２図に示すよう
、複数の絶縁層３２．３４を積層することにより積層体
３０を形成している。

１０ そして、インダクタ導体４０は、所定ターン数をもった
スパイラル導体４４が、前記絶縁層３２の層間３６に、
１つの層間から他の層間にかけて同方向に連続して周回
するよう設けることにより形成されている。このインダ
クタ導体４０−の両端には、人出力端子４２ａ，４２ｂ
か設けられている。

これにより、インダクタ導体４４は、第３図（ａ）に示
すよう、積層体３０という限られた空間内で十分なター
ン数およびインダクタンスをもったコイルとして機能す
ることになる。

また、キャパシタ導体５０は、前記絶縁体３２，３４の
層間３６に分割接地導体５８を設けることにより形成さ
れている。そして、キャパシタ導体５０は、アースと接
続されている。

本発明の第１の特徴は、前記スパイラル導体４４と、分
割接地導体５８とを絶縁層３２．３４を介して相対向す
るよう設け、両者を静電容量で容量結合したことにある
。これにより、インダクタ導休４０およびキャパシタ導
体５０の間には、１１ 第３図（ａ）に示すよう十分大きなキャバシタンスが形
成されることになり、しかもこのキャバシタンスは分布
定数的に形成されることになる。

ところで、各層間３６に設けられた分割接地導体５８を
、前記インダクタ導体４０と同様に、１つの層間から他
の層間にかけて同方向に周回するよう連続して接続し、
所定ターン数のコイルとして機能するようキャパシタ導
体５０を形成ずる場合を仮定する。このときのＬＣ素子
は、第３図（ｄ）に示すような等価回路を有することに
なる。

理解を容易にするために、インダクタ導体４０とキャパ
シタ導体５０との間に分布定数的に形成されるキャパシ
タンスＣを、仮にＣ１．，Ｃ２・・・Ｃ８の集中定数キ
ャパシタンスに置換えて考えてみる。

この回路では、キャパシタ導体５０のインダクタンスＬ
２が大きくなると、設置端子５２から離れた位置にある
キャパシタンスＣｌ，Ｃ２・・・はいずれもインダクタ
ンスＬ２により通電が阻止される。

従って、接地端子５２に近いキャパシタンスＣ８，Ｃ７
，Ｃ６・・・のみがノイズフィルタのキャパシタ］２ ンスとして作用することになる。

このため、第３図（ｄ）に示すタイプのＬＣ素子では、
フィルタとしてみた場合に、インダクタ導体４０とキャ
パシタ導体５０との間に形成されるキャパシタンスＣを
有効に活用できない。

本発明の第２の特徴は、例えば第１図に示すよう、キャ
パシタ導体５０を、インダクタ導体４ｏの全部または一
部と相対向する複数の分割設置導体５８として形成した
ことにある。

これにより、前記各分割設置導体５８は、自己インダク
タンスＬが小さく、インダクタ導体４ｏとの間で分布定
数的に形成するキャパシタンスをそのままＬＣフィルタ
のキャパシタンスとして用いることができる。

この結果、本発明の積層型ＬＣ素子は、積層体３０とい
う限られた空間内にもかかわらず、第３図（ａ）に示す
よう十分大きなインダクタンスおよびキャパシタンスを
有する分布定数タイプのＬＣフィルタとして機能し、従
来の集中定数タイプのＬＣフィルタに比べ、比較的広い
帯域にわたり１３ 良好な減衰特性を得ることかでき、各種ノイズをリンギ
ング等を伴うことなく除去することができる。特に、本
発明の積層型ＬＣ素子は、分布定数回路のＬ成分，Ｃ成
分が有効に機能し、各種ノイズを有効に除去することが
できる。

また、本発明者がさらに検討を進めたところ、前記分割
接地導体を、インダクタ導体のどの位置に対向させるか
がノイスフィルタの減衰特性に大きく影響し、分割接地
導体を、インダクタ導体の入力または出力端子と電気回
路的に近い位置に配置することにより優れた減衰特性を
得られることが確認された。

従って、本発明のように分割接地導体を複数個設ける場
合には、その１つをインダクタ導体の入力端子に近接配
置し、他の１つを出力端子に近接配置し、残りを他の位
置に対向配置すればよい。

また、前記インダクタ導体の線間に位置し、このインダ
クタ導体の線間短絡を防止するシールド導体を形成する
ことにより、通電導体として機能するインダクタ導体は
、高周波領域においても従１４ 来のように線間短絡が生じることがなく、インダクタと
して十分に機能することが確認された。

これにより、本発明によれば、低周波領域から高周波領
域に亘り優れた電気的特性を有するＬＣノイスフィルタ
を得ることができる。

［実施例］ 次に、発明の好適な実施例を図面に基づき詳細に説明す
る。

第１実施例 第１図〜第３図には、本発明のＬＣ素子を３端子ノーマ
ルモード型のノイズフィルタとして形成した場合の好適
な一例が示されている。

実施例のＬＣ素子は、複数の絶縁板３　２　−　１．　
，３２−２を積層して形成された積層体３０と、前記絶
縁板３２の層間３６−１．３６−２に設けられ所定ター
ン数のコイルを形成するインダクタ導体４０と、前記絶
縁板３２の層間３６−２，　　３６３に、絶縁板３２を
介して前記インダクタ導体４０と相対向するよう設けら
れたキャパシタ導体５０とを有する。

１５ 前記各絶縁板３２は、必要に応じて各種絶縁月利を用い
て形成すればよい。この絶縁祠料としては、例えばセラ
ミックス，プラスチックおよび各種合成樹脂等が考えら
れるが、実施例ではセラミックスを用いて形成されてい
る。

また、実施例の積層体３０では、前記インダクタ導体４
０およびキャパシタ導体５０の短絡，露出等を防止する
ため、各絶縁板３２を絶縁シー１・３４−１．，３４−
２，・・・３４−５を介して積層している。

本発明において、前記インダクタ導体４０は、絶縁板３
２の各層間３６−１，３６−２に設けられたスパイラル
導体４４−１　　４４−２から構成され、各スパイラル
導体４４−１．４４−２は、１つの層間から他の層間に
かけて同方向に連続して周回するよう直列に接続されて
いる。これにより、前記インダクタ導体４０は、積層体
３０という限られた小さな空間内において、十分なター
ン数およびインタクタンスをもったコイルとして機能す
ることになる。

］　６ 本発明の第１の特徴は、前記インダクタ導体４０と、絶
縁板３２を介し相対向するようキャパシタ導体５０を設
け、インダクタ導体４０およびキャパシタ導体５０を静
電容量で容量結合することにある。これにより、インダ
クタ導体４０およびキャパシタ導体５０の間には、十分
大きなキャパシタンスＣが分布定数的にほほ連続して形
成されることになる。

また、本発明の第２の特徴は、前記キャパシタ導体５０
を複数に分割し、各分割区間を接地し分割接地導体５８
−１．，５８−２．５８−３，５８４を形成したことに
ある。これにより、本発明のＬＣ素子を、フィルタとし
て用いた場合に、インダクタ導体４０およびキャパシタ
導体５０との間に分布定数的に形成されたキャバシタン
スＣを、ＬＣフィルタのＣ成分として有効に機能させる
ことができる。

これにおいて、前記インダクタ導体４０およびキャパシ
タ導体５０は、必要に応じて各手法を用いて形成するこ
とができる。実施例では例えば印１７ 刷　蒸着，メッキ等の手法用いて各絶縁板３２］．，３
２−２の両面に互いに相対向するよう被覆形成されてい
る。

また、積層体３０の上面および裏面側に設けられた絶縁
ンー１・３４−１．３４−５には、その表面から側面に
かけて、入出力端子４２ａ．４２ｂを形成するための補
助端子部４２ａ’　，４２ｂ’が被覆形成され、同様に
各絶縁板３２−１．３２２および絶縁シー１−３４−２
．３４−３，３４４の側面にも、補助端子部４２ａ’　
，４２ｂ’５２′が被覆形成されている。

そして、これら絶縁板３２および絶縁シー１・３４上に
被覆形成された補助端子部４２ａ′は、絶縁板３２−１
上に設けられたスパイラル導体４４−１の外側端部に接
続されている。同様に、これら絶縁板３２および絶縁シ
ー１−　３　４　Ｊ二に被覆形成された補助端子部４２
ｂ′は、絶縁板３２２上に設けられたスパイラル導体４
４−２の内側端部に絶縁シー１−　３　４　−　５上に
設けられた層間接続リード４６，絶縁シ一ト３４−４，
絶縁板３２１８ ２」二に設けられたスルーホール３５．３３を介し接続
されている。

そして、前記各絶縁板３２−１．３２−２上に被覆形成
されたスパイラル導体４４−１，４４２は、これら絶縁
板３２および絶縁ンー１−　３　４　４：に形成された
スルーホール３３．３５および層間接続リード４６を介
して、１つの層間から他の層間にかけて連続して周回す
るよう直列に接続されている。

また、各絶縁板３２および絶縁シー１−　３　４　４二
に設けられた接地用の補助端子部５２′は、各絶縁板３
２−１．３２−２の裏面側に設けられた分割接地導体５
８−１．５８−３の外側端部と接続され、さらに前記補
助端子部５２′は、各絶縁板３２−１．，３２−２の裏
面側に設けられた残りの分割接地導体５Ｆｌ２，５８−
４と、絶縁シー１・３４上に設けらたスルーホール３５
および層間接続リード５６を介して接続されている。

第２図には、本実施例の積層型ＬＣ素ｒ−の完成図が示
されている。実施例のＬＣ素子は、第１図１９ に示す絶縁板３２および層間絶縁シー１・３４を積層し
て積層体３０を形成した後、この積層体３０の表面に、
前記各補助端子部４２ａ’　，４２ｂ’５２′がそれぞ
れ１つの端子として機能するよう導電材を被覆形成する
。

これにより、積層体３０の外周面には、２個の入出力端
子４２ａ，４２ｂと、１個の接地端子５２とが設けられ
ることになり、［７かもこの積層体３０は、ＳＭＤ（サ
ーフェス・マウン１・・デバイス）の素子として形成さ
れるため、その取扱いが極めて容易なものとなる。

第３図（ａ）には、本実施例のＬＣ素子の等価回路図が
示されている。

本実施例において、インダクタ導体４０は、その両端が
入出力端子４２ａ，４２ｂに接続され、通電回路として
形成されている。

ここにおいて、前記インダクタ導体４０は、−絶縁板３
２の層間３６−１　　３６−２に設けられた各スパイラ
ル導体４４−１．４４−２を、１つの層間から他の層間
にかけて同方向に連続して周回２０ するよう直列接続して形成されている。これにより、イ
ンダクタ導体４０は、積層体３０という限られた空間内
で、十分なターン数およびインダクタンスＬ１をもった
コイルとして機能することが理解されよう。

さらに、本発明の積層型ＬＣ素子においては、前述した
ようにインダクタ導体４０およびキャパシタ導体５０の
間に、キャパシタンスＣがほぼ連続的に、しかも分布定
数的に形成される。

これに加えて本発明によれば、前記キャパシタ導体５０
は、複数の電分割接地導体５　８　−　１−　，５８−
２．５８−３．５８−４として形成されている。従って
、各分割接地導体５８に流れるうず電流は少なく、しか
もそのインダクタンスも小さい。このため、これら各分
割接地導体５　８　−　１−　，５８−２，・・・５８
−４とインダクタ導体４０との間に分布定数的に形成さ
れるキャパンタンスはほほ直接的に接地端子５２と接続
されることになる。

これにより、本発明によれば、複数のＬＣ素子が分布定
数的にしかも直列に接続されたと同じ状態２１ となり、インダクタ導体４０とキャパシタ導体５０との
間に分布定数的に形成されるキャパンタンスを、ＬＣフ
ィルタのＣ成分として有効に機能させることができる。

従って、本発明によれば、前記分割接地導体５８の数を
増やすことにより、ＬＣフィルタのＣ成分として機能す
るキャパシタンスＣを実効的に増加させることができ、
また分割接地導体５８の個数を減らすことにより、ＬＣ
フィルタとして実効的に機能するキャパシタンスＣを少
なくすることができる。

これにより、本発明の積層型ＬＣ素子は、従来の集中定
数型ＬＣ素子にはない優れた特性を発揮することができ
、この積層型ＬＣ素子を、ＬＣノイズフィルタとして用
いることにより、広帯域にわたって優れた減衰特性を発
揮することができる。

これに加えて、本発明によれば、インダクタ導体４０お
よびキャパシタ導体５０が、絶縁板３２を介してスパイ
ラル状に相対向している。従って、従来の情層型ＬＣ素
子に比べ、十分大きなキャパ２２ シタンスＣを得ることができ、この面からも従来の積層
型ＬＣ素子に比べ、良好な特性をもったＬＣノイスフィ
ルタとしと使用可能であることが理解されよう。

また、本実施例のＬＣ素子において、例えば第４図に示
すよう、前記インダクタ導体４０は、各層間３６に設け
られたスパイラル導体４４が、分割接地導体５８を挾ん
で他の層間３６に設けられたスパイラル導体４４と相対
向するよう形成されている。従って、前記各分割接地導
体５８は、その上下に位置するスパイラル導体４４によ
りサンドイッチ状に挾まれ、キャパシタンスを形成する
ことになるため、両者の間には限られた空間内にもかか
わらず十分大きなキャパシタンスＣを得ることができ、
この面からも良好な特性をもった積層型ＬＣ素子となる
ことが理解されよう。

また、このＬＣ素子のキャパシタンスＣをより大きくす
るには、第５図に示すよう絶縁板３２の表面にエッジン
グ等により凹凸を設けることが好ましい。このように形
成された絶縁板３２の表面２３ にスパイラル導体４４．分割接地導体５８を被覆するこ
とにより、両者はより広い面積で相対向することになる
。これにより、同じ大きさのＬＣ素子でも、さらに大き
なキャパシタンスＣを得ることか可能となる。

これに加えて、木実施例のノイズフィルタでは、キャパ
シタ導体５０が、インダクタ導体４０の磁路を妨げるこ
とがないよう形成されている。

すなわち、インダクタ導体４０に通電した際発生する磁
束は、インダクタ導体４０の線間を絶縁板３２の表面側
から裏面側へまたその逆方向に通過する。このとき、こ
の磁路を妨げるようキャパシタ導体５０が設けられてい
ると（例えば、インダクタ導体４０の線間領域と相対向
するようキャパシタ導体５０が設けられていると）、磁
路はキャパシタ導体５０によって塞がれ、インダクタ導
体４０はインダクタとして十分機能できなくなってしま
う。

これに対し、本実施例のように、インダクタ導体４０と
相対向するようキャパシタ導体５０を設２　４ けることにより、インダクタ導体４０の磁路はキャパシ
タ導体５０によって何等妨げられることがないため、ス
パイラル状に形成されたインダクタ導体４０のインダク
タンスを低下させることなく、ＬＣノイズフィルタとし
ての作用効果を十分発揮させることができる。

以上説明したように、本発明によれば、キャパシタンス
Ｃが分布定数的に形成されたＬＣ素子を得ることができ
、しかも素子自体を大型化することなく、そのインダク
タンスしおよびキャパシタンスＣを必要に応じて大きな
値に設定することができる。従って、本発明をノイズフ
ィルタに適用した場合には、広帯域にわたって優れた減
衰特性を発揮し、従来の集中定数型ＬＣ素子に比べ優れ
たノイズ除去効果を得ることができる。

本発明者はさらに検討したところ、前記分割接地導体５
８をインダクタ導体５０のどの位置に対向させるかがノ
イスフィルタの減衰特性に大きく影響し、しかもこれら
分割接地導体導体５８をどのように接地するかが、ノイ
ズフィルタの減衰特２５ 性に大きく影響することが確認された。

本発明者の検討の結果、複数の分割接地導体５８の中か
ら、その１つ（実施例では５　８−１　）をインダクタ
導体５０の一方の入出力端子４２ａと電気回路的に近い
位置に近接配置し、他の１つ（実施例では５８−４）を
他の入出力端子４２ｂと電気回路的に近い位置に近接配
置することにより、より良好な減衰特性を得られること
が確認された。

また、本発明者の検討の結果、各分割接地導体５８は、
第３図（ａ）に示すようその一端側のみを接地すること
が好ましく、しかも入出力端子４２ａ，４２ｂと電気回
路的に近い場所に位置する分割接地導体５８−１．５８
−４は、入出力端子４２ａ，４２ｂと近い方を接地する
ことか良好な減衰特性を得る上で好ましいことを見出し
た。

すなわち、各分割接地導体５８の両端を、第３図（ｂ）
に示すよう接地すると、各分割接地導体５８はその両端
が短絡され、ＬＣフィルタの減衰特性が低下してしまう
。

２６ また、第３図（ｃ）に示すよう分割接地導体５８−１．
，５８−４を、人出力端子４２ａ，４２ｂから遠い場所
で接地するものに比べ、第３図（ａ）に示すよう人出力
端子４２ａ，４２ｂと近い位置で接地した方が良好な減
衰特性を得る」二で好ましいことを見出した。

従って、本実施例のＬＣ素子は、第３図（ｂ）（Ｃ）に
示すような接地パターンを採用したものに比べ、さらに
良好な減衰特性を得ることができ、各種のＬＣノイスフ
ィルタとして極めて好適なものとなる。

また、本実施例のＬＣ素子では、各絶縁板３２１．，３
２−２に形成されるスパイラル導体４４および分割接地
導体５８のパターンを同一形状としている。このため、
同じ絶縁板３２を多数枚用意しておき、これら各絶縁板
を積層することでＬＣ素子を形成することができるため
、分品の共通化を高め、コス１・ダウンを図ることが可
能となる。

なお、本実施例では、各分割接地導体５　８　−　１　
．５８−２・・・５８−４を共通接地端子５２に接続し
２７ たが、必要に応じて各分割接地導体５８に対応した複数
の独立の接地端子５２を設けてもよい。また必要に応じ
、複数の分割接地導体５２を幾つかのグループに分け、
各グループに対応した複数の共通接地端子５２を設けて
もよい。

また、前記実施例では、各絶縁板３２」二に被覆形成さ
れたキャパシタ導体５０を２つの分割接地導体５８に分
割し、合計４個の分割接地導体５８を設けた場合を例に
とり説明した。しかし本発明はこれに限らず、例えば第
３図（ｅ）に示すよう、各絶縁板３２上に１個の分割接
地導体５８を設けるよう形成してもよい。

また、前記実施例では、２枚の絶縁板３　２−１　．３
２−２を積層する場合を例にとり説明したが、絶縁板３
２の積層枚数は必要に応じて３枚以上の任意の値に設定
してもよい。この場合に、例えば３枚の絶縁板３２を積
層し、しかも各絶縁板３２に前記実施例と同様２つの分
割接地導体５８を形成した場合には、第３図（ｆ）に示
すような等価回路のＬＣ素子を得ることができる。また
３枚の２８ 絶縁板３２を積層し、各絶縁板３２にそれぞれ１個の分
割接地導体５８を設ける場合には、第３図（ｇ）に示す
ような等価回路のＬＣ素子を得ることができる。

第２実施例 第６図，第７図には、本発明のＬＣ素子を３端子ＬＣノ
イズフィルタに適用した場合の好適な第２実施例が示さ
れ、第６図はその分解斜視図、第７図はその完成図であ
る。

前記第１図，第２図に示す実施例では、各絶縁板３　２
　−　１．　，　　３　２−２１に設けられたスパイラ
ル導体４４−１．４４−２のスパイラルパターンが同じ
になるように形成されている。この場合には、各絶縁板
３２−１．３２−２に設けられたスパイラル導体４４を
それそれ直列に接続するために、層間絶縁シ一ト３４−
３等に層間接続リード４６，５６等を設ける必要があっ
た。

しかし、これら層間接続リード４６は、各絶縁板３２上
に設けられたスパイラル導体４４の磁路の一部を横切る
ため、その分、インダクタ導体２９ ４０のインダクタンスが低下するおそれがある。

本実施例のＬＣ素子は、層間接続リード４６．５６が、
各絶縁板３２上に設けられたスパイラル導体４４の磁路
を横切ることがないように構成したことを特徴とする。

このため、本実施例のＬＣ素子は、各スパイラル導体４
４−１．４４−２，・・・４４−４のパタンを、第６図
に示すように形成することによって、層間接続リード４
６を用いることなく、これら各スパイラル導体４４を、
１の層間３６から他の層間３６へ向け連続して周回する
よう直列に接続している。

また、実施例のキャパシタ導体５０は、複数の分割接地
導体５８−１．５８−２，・・・５８−６から形成され
ており、各分割接地導体５８は、前記第３図（Ａ）と同
様にアースされるよう、各絶縁板３２の側面に設けられ
た補助端子部５２′へ接続されている。

そして、このように形成された各絶縁板３２および絶縁
シー１・３４を、第７図に示すよう積層す３０ ることにより積層体３０を形成し、この積層体３０の表
面に、前記第１実施例と同様に入出力端子４　２　ａ　
＋　４　２　ｂ　＋接地端子５２を被覆形成すればよい
。

第３実施例 第８Ａ図，第８Ｂ図，第９図には、本発明の好適な第３
実施例が示されている。

前記各実施例では、各絶縁層の層間３６にインダクタ導
体４０およびキャパシタ導体５０を１組形成する場合を
例にとり説明したが、本実施例はインダクタ導体４０お
よびキャパシタ導体５０を少なくとも２組用意したこと
を特徴とする。

そして、各組のインダクタ導体４０は、信号を通電する
インダクタ導体として用いる。

具体的には、第８Ａ図に示すよう各絶縁板３２の表面に
４０ａ，４０ｂの２絹のインダクタ導体を設け、各絶縁
板３２の裏面に、５０ａ，５０ｂの２組のキャパシタ導
体を設ける。なお、同図では各インダクタ導体４０ａ，
４０ｂを構成する２組のスパイラル導体４４　ａ，４４
ｂが相隣接して３］ 被覆形成されている。同様に各キャパシタ導体５０ａ，
５０ｂを構成する２組の分割接地導体５８ａ，５８ｂが
相隣接して被覆形成されている。

これにおいて、絶縁板３２上に被覆形成された各分割接
地導体５８ａ−１．，５８ｂ−’ｌは、その外周側端部
が接地端子５２ａへ接続されている。

絶縁板３２−２上に被覆形成された各分割接地導体５８
ａ−２，５８ｂ−２は、その外周側端部が他方の接地端
子５２ｂに接続されている。

そして、このように形成された各絶縁板３２を、例えば
前記第１実施例と同様にして積層し第８Ｂ図に示す積層
体３０を形成することにより、第９図に示す等価回路を
もったＬＣ素子を得ることができる。

従って、第９図に示すように前記第１および第２のキャ
パシタ導体５０ａ，５０ｂを構成する各分割接地導体５
８ａ−１．５８ａ−２，５８ｂ１，５８ｂ−２の一端側
を、接地端子５２ａ，５２ｂへ接続し、前記第１および
第２のインダクタ導体４０ａ，４０ｂの両端に入出力端
子４２ａ，３２ ４２ｂ，４３ａ，４３ｂを設けることにより、これら各
インダクタ導体４０ａ，４０ｂは、それぞれ所定のイン
ダクタンスを有し、［７かも対応するキャパシタ導体５
０ａ，５０ｂとの間にキャパシタンスを分布定数的に形
成することができる。

このようにして、本実施例によれば、分布定数型のコモ
ンモードＬＣノイスフィルタを得ることができ、各種の
ノイズを良好に除去することができる。

また、実施例によれば、第１および第２のインダクタ導
体４０ａ，４０ｂを直列に接続することにより、より大
きなインダクタンスをもった３端子ノーマルモード型Ｌ
Ｃノイズフィルタとしても用いることができる。

第４実施例 第１０Ａ図，第１　０　Ｂ図には、本発明の好適な第３
実施例が示されている。第１　０　Ａ図はその分解斜視
図、第１．　Ｏ　Ｂ図はその完成図である。

前記各実施例では、インダクタとして機能するインダク
タ導体４０に信号を通電し、この信号中３３ に含まれるノイズを除去するものである。しかし、通電
する信号の周波数が高くなると、例えばうず巻き状に巻
かれたインダクタ導体４０に線間短絡が生じ、インダク
タとして機能しなくなってしまうという問題が発生する
。

特に、このような線間短絡現象は、通電する信号の周波
数が高くなればなるほど頻繁発生ずると考えられ、この
ままでは、スパイラル間隔を狭く形成しかつ高周波用の
ノイズフィルタとして用いる場合に問題が発生すること
が考えられる。

本実施例の特徴は、インダクタ導体４０の線間に、第１
．　Ｏ　Ａ図に示すようシールド導体６０を設けその線
間短絡を防止することにある。

このため、例えば第１図に示すタイプのノーマルモード
型ＬＣノイズフィルタでは、第１０図に示すよう、絶縁
板３２の片面に設けられたスパイラル導体４４の線間に
のみシールド導体６０がうす巻き状に被覆形成される。

この場合に、絶縁板３２の裏面側に設けられた分割接地
導体４４の線間にはシールド導体６０を設ける必要はな
い。

３４ なお、前記シールド導体６０はアースすることが好まし
い。このため、前記シールド導体６０はアース用の補助
端子部５２８′に接続されている。

以」二の構成とすることにより、本実施例のノイズフィ
ルタは、低周波帯域から高周波帯域にわたり、線間短絡
現象の発生することなく優れた減衰特性を発揮すること
ができる。

さらに、本実施例のノイズフィルタは、シールド導体６
０を設けることにより、前記インダクタ導体４０の線間
短絡を防止するばかりではなく、これらインダクタ導体
４０のインダクタンスと、キャパシタ導体５０間で形成
されるキャパシタンスを改善し、前記第１，第２実施例
に比べより優れた減衰特性を発揮することもてきる。

また、本実施例以外に、例えば前記第８図に示すタイプ
のＬＣ素子について考えると、前記第１．　Ｉ　Ａ図，
第１１Ｂ図に示すよう、各インダクタ導体４０ａ，４０
ｂを構成するスパイラル導体４４ａ，４４ｂの線間に第
１および第２のシールド導体６０ａ，６０ｂを形成すれ
ばよい。

３　５ 第５実施例 また、前記実施例のＬＣ素子においては、絶縁層として
絶縁板を用いたが、本発明はこれに限らず、膜成形技術
を用いて絶縁層を形成することも可能であり、以下その
実施例を前記各実施例と対応して詳細に説明する。

第１２図（ａ）〜（ｎ）には、第１図〜第３図に示す３
端子ノーマルモード型ＬＣノイズフィルタを、薄膜成形
技術を用いて形成する場合の製造工程の一例が示されて
いる。

本実施例の特徴は、絶縁層として絶縁板３２の代りに絶
縁薄膜２００を用い、絶縁薄膜２　０　０　，インダク
タ導体４０およびキャパシタ導体５０を薄膜成形技術を
用いて形成したことにある。

すなわち、実施例のＬＣ素子は、まず第１２図（ａ）に
示すよう、絶縁性基板１００の裏面側から側面にかけて
補助端子部４２ａ′を被覆形成すると共に、基板１００
の表面には、前記補助端子部４２ａ′から連続するスパ
イラル導体４４−１を被覆形成する。

３６ 次に、第１２図（ｂ）に示すよう、絶縁性基板１．　０
　０の表面に、スパイラル導体４４の端部が露出するよ
う絶縁薄膜２００−１を被覆形成する。

次に、第１２図（Ｃ）に示すよう、絶縁性基板１００の
裏面側から側面にかけて補助端子部５２′を被覆形成す
ると共に、絶縁薄膜２００１上に、絶縁薄膜２００−１
を介し前記スパイラル導体４４−１と相対向する２つの
分割接地導体５８−１．５８−２を被覆形成する。この
とき、外周側の分割接地導体５８−１は、その外周端部
が前記補助端子部５２ａ′と接続されるよう被覆形成さ
れる。

次に、第１２図（ｄ）に示すよう、スパイラル導体４４
−１−および分割接地導体５８−２の端部が露出するよ
う絶縁薄膜２００−２を被覆形成する。

次に第１−２図（ｅ）に示すよう、この絶縁薄膜２００
−２上に、層間接続リード４６．５６を、各導体４４−
１．５８−２の露出端部から絶縁性基板］００の外周面
にかけて被覆形成する。この３７ とき、層間接続リード５６は、分割接地導体５８２の端
部と補助端子部５２′とを接続するように形成される。

そして、第１２図（ｆ）に示すよう、前記層間接続リー
ド４６の端部が露出するよう絶縁薄膜２００−３が被覆
形成される。

次に、第１２図（ｇ）に示すよう、前記絶縁薄膜２０Ｃ
］−３，２００−２を介して前記各分割接地導体５８−
１．５８−２と相対向するよう、スパイラル導体４４−
２が被覆形成される。このとき、このスパイラル導体４
４−２は、その外周端部が、層間接地リード４６の露出
端部に接続される。

このような絶縁薄膜の形成王程と、スパイラル導体，分
割接地導体または層間接続リードの形成工程とを、以下
第１２図（ｈ）〜（１）に示すように繰返して行い積層
体３０を形成する。このとき、第１２図（ｋ）の工程に
おいて、基板１００の側面および裏面にかけて、層間接
続リード４６と連続する補助端子部４２ｂ′を被覆形成
する。

３８ そして、第１２図（ｍ）に示す工程において、この積層
体３０の片側端部に、前記補助端子部４２ａ’　，４２
ｂ’　，５２’　と電気的に接続される導電キャップ４
５ａ，５５，４５ｂを嵌込み固定する。

これにより、本実施例によれば、第１２図（ｎ）に示す
よう、インダクタ導体４０の両端に接続された入出力用
の端子４２ａ，４２ｂと、各分割接地導体５８−１．５
８−２・・・５８−４の片側端部が接続された接続端子
５２とが形成されることになる。

このようにして、本実施例によれば、前記第１実施例と
同様に、第３図に示すようなしおよびＣからなる分布定
数型の等価回路をもった３端子ＬＣ素子を得ることがで
き、本実施例のＬＣ素子を、例えばノイズフィルタとし
て用いることにより、広帯域にわたり良好な減衰特性を
発揮するノーマルモード型ＬＣノイズフィルタを得るこ
とができる。

なお、本実施例の積層型ＬＣ素子は、各種薄膜３９ 成形技術、例えば蒸着法，スバッタ法、　イオンブレー
ティング法，気相成長法等を用いて容易に形成すること
ができる。

例えば、本実施例の積層型ＬＣ素子をスバッタ法を用い
て形成する場合には、ゲーｌ・で仕切られた複数の真空
チャンバーを用意し、各真空チャンバー内にアルゴンガ
スを封入しておく。そして、各真空チャンバー内に絶縁
薄膜２００や、各導体４４，４６，５６．５８の祠料に
対応した母祠を用いて形成されたターゲッ１・を設ける
。そして、前記各チャンバー内において各ターゲッ１・
は、基板１．　０　０と対向するように位置させる。タ
ーゲッ１・と基板１００の間には、パターンを特定する
マスクが設けられている。

前記ターゲッ１・には、マイナス電極を介して負の直流
電圧が印加され、また基板１　０　０には、接地電極が
接続されている。そして、高周波電圧を、前記マイナス
電極と接地電極との間に印加することにより、ターゲッ
１・は正イオン化されたガスの衝撃を受けてその原子ま
たは分子を放出し、これ４０ が基板１．　０　０へ向けてスパッタされ薄膜状に｛＝
Ｊ着する。このときのスパッタパターンは、マスクパタ
ーンにより定められる。

従って、基板］００上に絶縁薄膜２００を被覆形成する
薄膜成形工程に対応した真空チャンバーと、各導体４４
．５８、層間接続リード４６，５６被覆形成工程用のチ
ャンバーとを設けておき、薄膜形成工程と、被覆形成工
程とを交互に繰返して行うことにより、実施例の積層型
ＬＣ素子を簡単に形成することかできる。

なお、このような薄膜成形技術により形成された本発明
の積層型ＬＣ素子は、前記第１実施例のものに比べて、
より小型でかつ軽量なものとなる。

第６実施例 第１３図には、薄膜成形技術を用い前記第６図に示すタ
イプのＬＣ素子を形成する場合の好適な一例が示されて
いる。なお前記各実施例と対応する部祠には同一符号を
付しその詳細な説明は省略する。

本実施例の特徴は、薄膜成形技術を用い基板４１ １．　０　０上に第１３図（ａ）〜（ｒ）の各工程順に
、スパイラル導体４４，絶縁薄膜２００および分割接地
導体５８を被覆形成していく。これにより、前記第６図
に示すＬＣ素子と同様に、磁路を横切る層間接続リード
４６．５６のないＬＣ素子を得ることができる。

なお、スパイラル導体４４．分割接地導体５８の形成工
程と、絶縁薄膜２００の形成工程等は、第１２図，に示
す実施例とほほ同様であるので、ここではその説明は省
略する。

また、このような薄膜成形技術を用いることにより、前
記各実施例のＬＣ素子ばかりでなく、これ以外のＬＣ素
子、例えば前記第８図〜第１１図に示す積層型ＬＣ素子
も同様にして形成できることはいうまでもない。

その他の実施例 なお本発明は、前記各実施例に限定されるものではなく
、本発明の要旨の範囲内で種々の変形実施が可能である
。

例えば、前記各実施例では、スパイラル導体４　２ ４４の形状にあわせて分割接地導体５８をスパイラル状
に形成した場合を例にとり説明したが、本発明はこれに
限らず、必要に応して任意の形状とすることができる。

例えば、キャパシタ導体５ｏをより細かに分割すること
により、各分割接地導体５８を例えば棒状のブロック形
状に形成することもできる。また、本実施例ではインダ
クタ導体の４０の全面にわたってキャパシタ導体５０を
対向配置した場合を例にとり説明したが、本発明はこれ
らに限らず、必要に応じてインダクタ導体４０に対し部
分的に複数の分割接地導体５８を対向配置してもよい。

また、前記各実施例では、前記インダクタ導体４０およ
びキャパシタ導体５０の対向幅（面積）が一定である場
合を例にとり説明したが、本発明はこれに限らず、必要
に応じ各導体４０５０の対向幅（面積）を変化させるこ
とによって、ＬＣ回路の共振点をずらし、この減衰パタ
ーンが若干異なるＬＣ素子を得ることもできる。

また、前記各実施例、特に第１〜第３実施例で４３ は、回路各部の接続にスルーホール３３．３５を用いた
が、本発明はこれに限らず、スルーホール３３．３５の
代りに、例えば第１２図（ｍ）で示す導電キャップ４５
を用いてもよく、また導電性のメッキ等を用いてもよい
。またスルーポール３Ｂ，３５、導電キャップ４５，メ
ッキ等を任意に絹合せて用いてもよい。

なお、前記導電キャップ４５を用いる場合には、絶縁板
３２および層間絶縁シー１・３４のこれら導電キャップ
４５が嵌込まれる場所に、導電パターンを被覆形成して
おき、その接触抵抗を小さくすることが好ましい。

また、前記各実施例では、例えば第２図に示すよう積層
体３０の外周而に端子４２ａ，４２ｂ．５２を被覆形成
した場合を例にとり説明【２たが、この補助端子部は必
要に応して１丁意に形成することができる。例えば、第
１４図に示すように積層体３０の片側端部に入出力用端
子４２ａ，４２ｂを被覆形成し、他端側にアース用の端
子５２を形成してもよい。

４　４ また、前記各実施例では、本発明の積層型ＬＣ素子をＳ
ＭＤタイプの素子として形成した場合を例にとり説明し
たが、本発明はこれに限らず、例えば第１５図に示すよ
う、各端子４２ａ，４２ｂ，５２をピン構造としたディ
スクリードタイブの素子として形成することもできる。

なお、同図（ａ）〜（ｄ）には、ピン構造をした端子４
２ａ，４２ｂ，５２の取付け手順の一例が示されている
。

また、前記第１〜第３実施例では、絶縁板３２の両面に
スパイラル導体４４および分割接地導体５８を被覆形成
した場合を例にとり説明したが、本発明はこれに限らず
、各絶縁板３２の片面にのみこれら各導体４４．５８を
設け、これら各絶縁板３２を積層することにより積層体
３０を形成することもできる。

また、前記各実施例ではインダクタ導体４０のインダク
タンスを大きくする場合には、例えばスパイラル導体４
４のターン数を増やしたり、絶縁層（絶縁板３０や絶縁
薄膜２００）の積層数を大きくとりインダクタ導体４０
のターン数を大きく４５ 設定した。しかし、本発明はこれに限らず、これ以外に
も、例えばスパイラル導体４４を、例えばＦｅ等の通電
磁性体を用いて形成したり、またこれら各スパイラル導
体４４」一に磁性体を接着または粉体塗装してもよい。

また、絶縁板３２，絶縁薄膜２００内に磁性体を混合さ
せる等の手法を用いることにより、そのインタダンスＬ
を増加さぜることもできる。

また、これ以外にも、例えば第１４図に点線で示すよう
、積層体３０の中央に磁芯挿通孔７０を設け、この積層
体３０の表面を磁性材料で粉体塗装しあるいは磁性容器
内に収納することにより、挿通孔７０を介し積層体３０
の周囲を通る開磁路または閉磁路を形成してもよい。

また、前記各実施例において、インダクタ導体４０およ
びキャパシタ導体５０間に分布定数的に形成されるキャ
パシタンスの値を大きくとる場合には、各スパイラル導
体４４，５８．６４の幅を大きく形成し、その対向面積
を拡げればよい。

また、これ以外にも、絶縁層として用いられる４６ 絶縁板３２，絶縁薄膜２００として、誘電率の高いもの
を用いることによっても、またこれら絶縁層の積層数を
多くずることによっても、キャバシタンスを増加させる
ことができる。

また、これ以外に、例えば前記各絶縁層の厚さを薄くす
ることによっても、また電解コンデンザ方式を採用し導
電体をポーラス構造にすることによっても、キャパシタ
ンスを増加させることができる。

また、本発明のＬＣ素子では、各スパイラル導体４４の
幅より各分割接地導体５８の幅を大きく形成することに
より、この分割接地導体５８が前記スパイラル導体４４
のシールドとして機能し、各層間の磁束の洩れと、短絡
現象の発生を効果的に防止することができる。

また、前記各実施例においては、絶縁層として用いられ
る絶縁板３２や絶縁薄膜２００を、例えばセラミックス
やプラスチック等の絶縁祠料を用いて形成する場合を例
にとり説明したが、必要に応じて絶縁祠料として電磁波
吸収発熱体を用いる４　７ ことにより、ノイズフィルタとしての高周波帯域におけ
る性能を高めることかできる。

また、前記各実施例においては、本発明の積層型ＬＣ素
子をフィルタ、特にノイズフィルタとして用いた場合を
例にとり説明したが、本発明はこれに限らず、これ以外
の用途、例えば各種フィルタとしても、またバリスタ等
としても用いることができる。

また、前記各実施例においては、薄膜形成技術を用いた
場合を例にとり説明したが、必要に応じて厚膜形成技術
を用い、本発明のＬＣ素子を形成してもよい。

［発明の効果］ 以」二説明したように、本発明によれば、複数の絶縁層
を積層することにより積層体を形成すると共に、所定タ
ーン数のスパイラル導体を各絶縁層の層間に１つの層間
から他の層間にかけて同方向に周回させることにより、
所定ターン数のコイルとして機能するインダクタ導体を
形成し、さらに前記インダクタ導体と絶縁層を介して相
対向する４８ 分割接地導体を、絶縁層の層間に設けることによりキャ
パシタ導体を形成するという新規な構成を採用している
。これにより、積層体という限られた空間内でも、イン
ダクタ導体が十分大きなインダクタンスを有するよう形
成でき、しかも絶縁層を介して相対向するインダクタ導
体およびキャパシタ導体間には十分大きなキャパシタン
スを形成することができ、小型で良好な性能を有し、し
かも安価な積層型ＬＣ素了を得ることができる。

特に、本発明によれば、インダクタ導体およびキャパシ
タ導体間に、絶縁層を介しキャパシタンスが分布定数的
に形成されるものと推定され、しかもキャパシタ導体を
複数に分割接地することにより、分布定数的に形成され
たキャパシタンスはＬＣ回路の実効的な容量成分として
有効に機能することとなる。これにより、従来の集中定
数型ノイズフィルタに比べ、侵入する各種ノイズを確実
に減衰除去できる優れた減衰特性をもったＬＣノイズフ
ィルタとして用いることができる。

さらに、請求項（Ｉｎ）　，　　（＋３）に記載の発明
に４９ よれば、基板」一に絶縁層および導体を膜成形技術によ
り被覆形成することかできる。従って、本発明を半導体
製造技術と組合せることにより、ウエハ上にＩＣを形成
する際、同時に積層型ＬＣ素子を形成することもでき、
これにより、本発明の積層型ＬＣ素子を各種ＩＣ内に、
例えばＬＣフィルタとして組込み、ＬＣフィルタ内蔵型
のＩＣを形成することもできるという効果もある。

【図面の簡単な説明】

第１図は、本発明の積層型ＬＣ素子の好適な第１実施例
の分解斜視図、 第２図は、第１図に示す積層型ＬＣ素子を組立てた状態
の斜視説明図、 第３図（ａ）〜（ｇ）は、ＬＣ素子の等価回路図、 第４図は、スパイラル導体と分割接地導体の立体配置の
説明図、 第５図は、基板表面に凹凸を設けその」二に導体を被覆
形成することにより、その実効被覆面積を大きくとる場
合の説明図、 ５０ 第６図，第７図は、本発明の積層型ＬＣ素子の好適な第
２実施例の説明図、 第８Ａ図，第８Ｂ図は、本発明の積層型ＬＣ素子の好適
な第３実施例の説明図、 第９図は、前記第３実施例に示すＬＣ素子の等価回路図
、 第．＋−　Ｏ　Ａ図，第１０Ｂ図は、本発明の積層型Ｌ
Ｃ素子の好適な第４実施例の説明図、 第１１Ａ図，第１　１−　Ｂ図は、前記第５実施例の変
形例の説明図、 第１２図（ａ）〜（ｎ）は、基板」一に薄膜成形技術を
用いてスパイラル導体および絶縁薄膜を被覆形成して３
端子型ＬＣ素子を製造する工程の説明図、 第１３図（ａ）〜（ｒ）は、薄膜成形技術を用いて前記
第６図と同じタイプの積層型ＬＣ素子を製造する工程の
説明図、 第１４図は、ＳＭＤタイプの積層型ＬＣ素子に設けられ
た端子位置の変形例の説明図、第１５図（ａ）〜（ｄ）
は、ディスクリードタ５１ イブに形成された積層型ＬＣ素子の一例を示す説明図、 第１６図は、従来の一般的なＬＣノイズフィルタの一例
を示す説明図、 第１７図（ａ）　〜（ｆ．）は、従来の積層型ＬＣ素子
の製造工程の一例を示す説明図、 第１８図は、第１７図に示すＬＣ素子の等価回路図であ
る。 ３０・・・積層体、３２・・・絶縁板、３４・・・層間
絶縁シー１・、３６・・・層間、４０・・・インダクタ
導体、４２・・・入出力端丁一、４４・・・スパイラル
導体、５０・・・キャパシタ導体、５２・・・アース端
子、５８・・分割接地導体、６０・・・シールド導体、
７０・・・磁芯挿通孔、１００・・・基板、２００・・
・絶縁薄膜。

Claims (13)

【特許請求の範囲】
1. （１）複数の絶縁層が積層された積層体と、前記絶縁層
   の層間にスパイラル導体を設け、各層間に設けられたス
   パイラル導体を、１の層間から他の層間にかけて同方向
   に周回するよう連続して接続し所定ターン数のコイルを
   形成するインダクタ導体と、 前記絶縁層の層間に前記スパイラル導体と絶縁層を介し
   て相対向するよう設けられ、前記インダクタ導体との間
   にキャパシタンスを形成するキャパシタ導体と、 を含み、 前記インダクタ導体は、その両端に入出力端子が設けら
   れ、 前記キャパシタ導体は、複数に分割され、各分割区間は
   、接地された分割接地導体として形成されたことを特徴
   とする積層型ＬＣ素子。
2. （２）請求項（１）において、 前記キャパシタ導体の各分割区間は、その一端のみが接
   地されてなることを特徴とする積層型ＬＣ素子。
3. （３）請求項（１），（２）のいずれかにおいて、前記
   キャパシタ導体は、インダクタ導体の両端側とそれぞれ
   相対向する分割区間を有し、これら各分割区間は、イン
   ダクタ導体の入出力端子と電気回路的に近接する位置に
   おいて接地されてなることを特徴とする積層型ＬＣ素子
   。
4. （４）請求項（１）〜（３）のいずれかにおいて、前記
   インダクタ導体は、互いに相隣接するよう少なくとも２
   組設けられ、 前記キャパシタ導体は、絶縁層を介し前記各インダクタ
   導体と相対向し、対応するインダクタ導体との間でキャ
   パシタを形成するよう少なくとも２組設けられ、 前記各インダクタ導体には、その両端にそれぞれ入出力
   端子が設けられてなることを特徴とする積層型ＬＣ素子
   。
5. （５）請求項（１）〜（４）のいずれかにおいて、前記
   絶縁層の層間に、前記インダクタ導体の線間に位置し、
   インダクタ導体の線間短絡を防止するシールド導体を設
   けたことを特徴とする積層型ＬＣ素子。
6. （６）請求項（１）〜（５）のいずれかにおいて、前記
   積層体は、複数の絶縁板を絶縁層として積層したことを
   特徴とする積層型ＬＣ素子。
7. （７）請求項（６）において、 前記絶縁板は、その両面にスパイラル導体および分割接
   地導体が相対向するよう設けられ、各絶縁板は、層間絶
   縁層を介して積層されることを特徴とする積層型ＬＣ素
   子。
8. （８）請求項（１）〜（６）のいずれかにおいて、前記
   積層体は、 表面にスパイラル導体が設けらた第１の絶縁板と、 表面に分割接地導体が設けられた第２の絶縁板と、 を含み、前記スパイラル導体と分割接地導体とが相対向
   するよう前記第１および第２の絶縁体を交互に積層した
   ことを特徴とする積層型ＬＣ素子。
9. （９）請求項（１）〜（８）のいずれかにおいて、前記
   絶縁層の層間に設けられたスパイラル導体は、他の層間
   に設けられたスパイラル導体と、導電性キャップ、導電
   性メッキ層、または絶縁層に形成されたスルーホールを
   介して電気的に接続されることを特徴とする積層型ＬＣ
   素子。
10. （１０）請求項（１）〜（５）のいずれかにおいて、前
    記積層体は、スパイラル導体の接続用の端部露出部が設
    けられた絶縁薄膜を絶縁層として積層することにより形
    成され、 前記スパイラル導体は、前記露出部を介して次の層間の
    スパイラル導体へ接続されることを特徴とする積層型Ｌ
    Ｃ素子。
11. （１１）請求項（１）〜（１０）のいずれかにおいて、
    前記インダクタ導体は、絶縁層の各層間に設けられたス
    パイラル導体が、他の層間に設けられたスパイラル導体
    と、分割接地導体を挾んで相対向するよう形成されたこ
    とを特徴とする積層型ＬＣ素子。
12. （１２）請求項（１）〜（１０）のいずれかにおいて、
    前記インダクタ導体は、１の層間のスパイラル導体と他
    の層間のスパイラル導体との層間接続リードが磁路を横
    切ることが無いよう形成されたことを特徴とする積層型
    ＬＣ素子。
13. （１３）基板上に複数の絶縁薄膜層を順次積層していく
    膜積層工程と、 前記各絶縁膜層が積層される毎に、層間接続されるスパ
    イラル導体，複数の分割接地導体、または前記スパイラ
    ル導体同士を層間接続する層間接続リードの少なくとも
    いずれかを被覆するスパイラル形成工程と、 を交互に繰返し、前記スパイラル形成工程では、絶縁膜
    層を介し、スパイラル導体と分割接地導体とが相対向す
    るよう被覆し、各層間に設けられたスパイラル導体を、
    １の層間から他の層間にかけて同方向に周回するよう連
    続して接続し所定ターン数のインダクタ導体を形成する
    と共に、前記分割接地導体を用いて、複数に分割され各
    分割区間が設置されたキャパシタ導体を形成することを
    特徴とする積層型ＬＣ素子の製造方法。